JPS6029652A - sensor element - Google Patents
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- JPS6029652A JPS6029652A JP13584183A JP13584183A JPS6029652A JP S6029652 A JPS6029652 A JP S6029652A JP 13584183 A JP13584183 A JP 13584183A JP 13584183 A JP13584183 A JP 13584183A JP S6029652 A JPS6029652 A JP S6029652A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高集積化した雰囲気センサの改良に係り、セ
ンサ素子の特性を損うことなくガスの選択性を向上する
と共に、生産性をも向上したセンサ素子に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to the improvement of a highly integrated atmosphere sensor, which improves gas selectivity without impairing the characteristics of the sensor element, and also improves productivity. The present invention relates to an improved sensor element.
快適な居住性を得るために、現在は各種ガスの検知を行
なう多機能センサの開発が進められている。In order to provide comfortable living conditions, the development of multifunctional sensors that detect various gases is currently underway.
この多機能センサは、一つの基板上に、それぞれのガス
に応じた特性を有するセンサを複数塔載したいわゆる集
積センサ素子である。This multifunctional sensor is a so-called integrated sensor element in which a plurality of sensors having characteristics corresponding to each gas are mounted on a single substrate.
この集積センサ素子に要求されるものとして重要なもの
は、各種ガスを区別して検知するいわゆる選択性の問題
と、もう一つは、生産性を高くして、安価で且つ信頼性
のある製品を得ることである。The important requirements for this integrated sensor element are the so-called selectivity problem of distinguishing and detecting various gases, and the other is the issue of high productivity and the production of inexpensive and reliable products. It's about getting.
一般に湿ｙや各種ガス（例えば都市ガスについていえば
、水素ガス、メタンガス、−酸化炭素など）を検知する
雰囲気センサは、各センサの感度の向上及びセンサ表面
に付着した塵埃を焼失してセンサの特性を保持する、い
わゆる加熱クリーニングを行なうだめに、加熱ヒータを
一体化したセンサ素子が用いられる。In general, atmospheric sensors that detect humidity and various gases (for example, city gas such as hydrogen gas, methane gas, carbon oxide, etc.) improve the sensitivity of each sensor and burn off dust attached to the sensor surface. In order to maintain the characteristics, so-called thermal cleaning, a sensor element with an integrated heater is used.
又センサは、そのガスに対する検知特性を有する酸化物
半導体によって形成される。この酸化物半導体材料は、
それぞれ、固有抵抗値が異る・
特に集積センサにあっては、それぞれのセンサの抵抗値
によってガスを検知する複数のセンサを塔載しているの
で選択性か悪く、従って、集積センサ素子を作る場合は
、それぞれのセンサの固有抵抗イｉが同じになるように
その抵抗値を調整して、選択性の向上を計っている。The sensor is also formed of an oxide semiconductor that has sensing properties for the gas. This oxide semiconductor material is
Each has a different specific resistance value.In particular, integrated sensors have poor selectivity because they are equipped with multiple sensors that detect gas based on the resistance value of each sensor.Therefore, it is difficult to create an integrated sensor element. In this case, the resistance value is adjusted so that the specific resistance i of each sensor is the same, thereby improving selectivity.
従来の集積センサは、第１図に示すように、センサの面
積を変えることによって、基板上に塔載しだセンサの固
有抵抗値を調整し同じにしていた。In the conventional integrated sensor, as shown in FIG. 1, by changing the area of the sensor, the specific resistance value of the sensor mounted on the substrate is adjusted to be the same.
図において、絶縁基板１上には、それぞれ面積を異にす
る４種類のセンサ２．３．４．５が厚膜法によって形成
されている。In the figure, four types of sensors 2.3.4.5, each having a different area, are formed on an insulating substrate 1 by a thick film method.
図中６．７．８．９は上部電極、１０１１は下部電極で
あり、４イ里類のセンサ２３４５は、上記上下電極によ
りサンドイッチ状に挾まれている。In the figure, 6, 7, 8, 9 are upper electrodes, 1011 is a lower electrode, and a 4-stage sensor 2345 is sandwiched between the upper and lower electrodes.
なお１２は、絶縁基板１の裏面に形成された加熱ヒータ
である。Note that 12 is a heater formed on the back surface of the insulating substrate 1.
このように構成した従来の集積センサにおいて、例えば
、抵抗値が最も低い材料よ構成るセンサ５は、他のセン
サとの抵抗値を同じにすＺために、有効面積を小さくし
、又最も抵抗値の高いセンサ２．４は、有効面積を大き
くして、絶縁基板１に塔載した４種類のセンサ２′５．
４．５の抵抗値を同じにしていた。In the conventional integrated sensor configured in this way, for example, the sensor 5 made of the material with the lowest resistance value has a smaller effective area in order to make the resistance value the same as other sensors, and the sensor 5 is made of the material with the lowest resistance value. Sensor 2.4 with a high value has a large effective area and is one of four types of sensors 2'5.
The resistance value of 4.5 was kept the same.
このように、各センサの面積が異ると、基板土兄の配置
が制限され、第１図に見られるように、各センサ間の隙
間が一足しない、そのため加熱ヒータによって加熱され
た基板上の温度分布が一称にならず、良好な温度分布内
にセンサを位置させることが難しく、その結果、センサ
の特性に大きく影響するという欠点があった。In this way, if the area of each sensor is different, the arrangement of the substrate is restricted, and as seen in Figure 1, the gap between each sensor is insufficient, so that the area on the substrate heated by the heater is limited. There is a drawback that the temperature distribution is not uniform, making it difficult to position the sensor within a good temperature distribution, and as a result, the characteristics of the sensor are greatly affected.
又一方において、センサの面積に制限されて小型化する
ことができず、その結果、加熱ヒータへの供給電力の低
減化や、センナ素子の低価格化が不可能であシ、社会的
要求を満すことができないと゛いう欠点があった。On the other hand, it is impossible to miniaturize the sensor due to its area limitations, and as a result, it is impossible to reduce the power supplied to the heater or to lower the price of the senna element, which meets social demands. There was a drawback that it could not be satisfied.
これに代る別の方法として、酸化物半導体材料の固有抵
抗値を変えることが従来より行なわれている。As an alternative method, changing the specific resistance value of the oxide semiconductor material has conventionally been carried out.
即ち、酸化物半導体材料に、導電率の高い材料（例えば
ルテニウム等）を添加し、固有抵抗値を低下することで
調整していた。That is, the specific resistance value has been adjusted by adding a material with high conductivity (for example, ruthenium, etc.) to the oxide semiconductor material to lower the specific resistance value.
然しなから、上記固有抵抗値の調整は、ガス検知特性の
低下をもたらし、又添加材と母体となっているセンサ材
料との間の微細構造の安定性が悪くなり、これが抵抗値
のドリフ現象となって現れ、経時変化特性が低下すると
いう欠点があった。However, adjusting the specific resistance value described above leads to a decrease in gas detection characteristics, and the stability of the microstructure between the additive material and the base sensor material deteriorates, which causes a drift phenomenon in the resistance value. There was a drawback that the aging characteristics deteriorated.
本発明は、上記従来の欠点を解決し、センサ素子の特性
を損なうことなく選択性の向上を可能にすると共に生産
性の向上をも可能にした、センサ素子を提供せんとする
ものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention aims to solve the above-mentioned conventional drawbacks, and to provide a sensor element that enables improvement in selectivity without impairing the characteristics of the sensor element, and also enables improvement in productivity.
即ち本発明は、従来のように、センサの有効面積乃至は
添加済によって、センサの固有抵抗値を調整するのでは
なく、センサの膜厚によって固有抵抗値を調整するよう
にしたものであって、基板上に塔載される複数のセンサ
の膜厚さをそれぞれに変えることによって、各センサの
固有抗抵値を調整し、基板上に塔載した各センサの固有
抵抗値を同じにしたものである。That is, the present invention adjusts the specific resistance value of the sensor by changing the film thickness of the sensor, instead of adjusting the specific resistance value of the sensor by adjusting the effective area of the sensor or the amount of additive added. By changing the film thickness of multiple sensors mounted on the substrate, the specific resistance value of each sensor is adjusted, and the specific resistance value of each sensor mounted on the substrate is made the same. It is.
又このように各センナの膜厚さを調整することにより、
各センサの有効面積をＦｆＪ−にし、基板上に同一有効
面積のセンサを僅数塔軸ニジたことを特徴どする。Also, by adjusting the film thickness of each senna in this way,
It is characterized in that the effective area of each sensor is FfJ-, and only a few sensors with the same effective area are arranged on the substrate.
以下本発明の一実施例について詳細にｍｌ明する。先ず
、本発明者等が行なった：７コ験についてｎ発明する。An embodiment of the present invention will be explained in detail below. First, the present inventors conducted seven experiments.
センサ材料（酸化物半導体材料）として、ＷＯ３、Ｓｎ
Ｏ２、ＺｎＯ１Ｍ ｎ Ｏ２の４種６７＋を選んだ・
第１表及び第２表に実験結果を示す。As a sensor material (oxide semiconductor material), WO3, Sn
Four types of 67+ were selected: O2, ZnO1M n O2. The experimental results are shown in Tables 1 and 2.
第１表
第 ２ 表
第１表は、４種類のセンサの膜厚さを１０μｍにし、そ
れぞれ固有抵抗値を測定したものであるＯ
この第１表より明らかな通り、４種偵のセンサ材料の抵
抗値は、それぞれのセンサ材料に応じた固有の抵抗値を
示している・
第２表は、それぞれのセンサ材料の抵抗値が４５にΩに
なるように、膜厚さを調整したも′の°である。Table 1 Table 2 Table 1 shows the results of measuring the specific resistance values of four types of sensors with a film thickness of 10 μm.As is clear from Table 1, the four types of sensor materials The resistance value shows the specific resistance value depending on each sensor material. Table 2 shows the resistance value of each sensor material after adjusting the film thickness so that the resistance value is 45Ω. °.
この実験から、発明者等は、センサ材料の個有抵抗値は
、膜厚によって変ることを確認し、センサ材料の個有抵
抗値を一定にするには、センサ材料の膜厚を調整すれば
よいことを見出したー
以下その一実施例を図に示し、詳細に説明する。第２図
において、絶縁基板１上に同一寸法（同一有効面積）の
４種類のガスセンサ１５．１４゜１５．１６が厚膜で形
成されている。この４種類のガスセンサ１３．１４．１
５．１６は、絶縁基板１上に規則正しく配設されている
。又図中、１７．１８．１９２０は上部電極、点線で示
す２１．２２．２３．２４は下部電極であり、これら上
下電極によって、ガスセンサ１３．１４．１５１６は挾
まれた状態になっている。From this experiment, the inventors confirmed that the individual resistance value of the sensor material changes depending on the film thickness, and that in order to keep the individual resistance value of the sensor material constant, it is necessary to adjust the film thickness of the sensor material. We have found a good thing.An example thereof is shown in the drawings and will be explained in detail below. In FIG. 2, four types of gas sensors 15.14.degree. 15.16 having the same dimensions (same effective area) are formed with thick films on an insulating substrate 1. These four types of gas sensors 13.14.1
5.16 are regularly arranged on the insulating substrate 1. Further, in the figure, 17.18.1920 is an upper electrode, and 21.22.23.24 shown by a dotted line is a lower electrode, and the gas sensor 13.14.1516 is sandwiched between these upper and lower electrodes.
本実施例では、下部電）ｌｋ ２１．２２．２５．２４
は、電気的に接続された共通電極になっている。In this example, the lower voltage) lk 21.22.25.24
are electrically connected common electrodes.
なお１２は、絶縁基板１の裏面に形成した加熱ヒータで
ある。Note that 12 is a heater formed on the back surface of the insulating substrate 1.
この集積センサの製造方法について説明する先ず、アル
ミナ絶縁基板１０表面に、下部電極２１、２２．２３．
２４を、それぞれセンサ材料が塔載される所ボの位置に
、センサ材料の面積よりも僅少面積でもって、スクリー
ン印刷法によシ膜厚２０μｍに形成した・
次にこれを乾燥した後、アルミナ基板１の裏面に加熱ヒ
ータ１２を３厚２０．／ｊ７７Ｌに印刷形成した。To explain the manufacturing method of this integrated sensor, first, lower electrodes 21, 22, 23, .
24 was formed with a film thickness of 20 μm by a screen printing method at the position where the sensor material was to be mounted, with an area slightly smaller than that of the sensor material. Next, after drying this, alumina A heater 12 is placed on the back side of the substrate 1 with a thickness of 3.20 mm. /j77L was printed.
これを乾燥した後、箱型硅藻炉にて１２００°Ｃ１２時
間焼成し、アルミナ基板１０表面に下部電！ ２１．２
２．２３．２４及び裏面に加熱ヒータ１２を形成。After drying this, it was fired for 12 hours at 1200°C in a box-type silica furnace, and the lower electrode was applied to the surface of the alumina substrate 10. 21.2
2.23.24 and the heater 12 is formed on the back surface.
した集積化センサ用基板１′を用意した。A substrate 1' for an integrated sensor was prepared.
次に上記用意した集積化センサ用基板１′の下部電極２
１．２２．２３．２４上に、ガスセンサ材料１ろ１４．
１５．１６をスクリーン印刷法によって形成しだ・
この時のガスセンサの膜厚は、ガスセンサ材料１３にあ
っては、ＷＯ３を５５μｍ１１４にあっては、８ｎ０２
を４５μｍ、１５にあっては、ＺｎＯを１９ｔｔｍｓ１
６にあっては、Ｍ ｎ ０２を１２ｔｔｍである。Next, the lower electrode 2 of the integrated sensor substrate 1' prepared above is
1.22.23.24 Gas sensor material 1 filter 14.
15.16 was formed by screen printing method.The film thickness of the gas sensor at this time was 55 μm for gas sensor material 13 and 8n02 for 114.
45μm, 15, ZnO 19ttms1
6, M n 02 is 12ttm.
次にこのセンサ材料１３．１４．１５．１６の上面に、
これらセンサ材料よりも僅少面積にした上部電極１７．
１８．１９．２０を、膜厚２０１１ｍに印刷形成した。Next, on the top surface of this sensor material 13.14.15.16,
The upper electrode 17 has a smaller area than these sensor materials.
18, 19, and 20 were printed and formed to a film thickness of 2011 m.
これを乾燥した後、最高温度９００００に設定した厚膜
べ／ｌ／ ）炉にて１０分間焼成した。After drying this, it was fired for 10 minutes in a thick film furnace set at a maximum temperature of 90,000.
これによって、抵抗値４５１（Ωの集積センサ索子とし
だ。This results in an integrated sensor cable with a resistance value of 451 (Ω).
以上のように構成した本実施例において、アルミナ基板
１上に、同−有効面植を有するガスセンサ１３．１４．
１５．１／＋を規則正しく配設することにより、加熱ヒ
ータ１２によって加熱されるアルミナ基板１の温度分布
は一称になり、ガスセンサ１３．１４．１５．１６を良
好な温度雰囲気内に保持する。In this embodiment configured as described above, the gas sensors 13, 14.
By arranging 15.1/+ regularly, the temperature distribution of the alumina substrate 1 heated by the heater 12 becomes uniform, and the gas sensors 13, 14, 15, 16 are maintained in a favorable temperature atmosphere.
又第５図に示すように、センサの有効面積を小さくする
ことにより、高集積化が可能である。Further, as shown in FIG. 5, high integration is possible by reducing the effective area of the sensor.
第５図において、２５．２６．２７．２８．２９． ｉ
の６種類のセンサを同一寸法の基板１上に塔載しだなお
図中点線で示す３Ｚろ８．３９．４０．４１．４２は下
部電極、６１．６２．５”１３４．３５．３（Ｓ、は上
部電極、１２は加熱ヒータである。In FIG. 5, 25.26.27.28.29. i
Six types of sensors are mounted on a substrate 1 of the same size. The 3Z filter 8.39.40.41.42 shown by the dotted line in the figure is the lower electrode, 61.62.5" 134.35.3 ( S is an upper electrode, and 12 is a heater.
又添加剤を用いない各センサ材料は、それぞれのガスに
対する特性値は変らず、各センサ材料の特性値が保証さ
れる・
次に本実施例を用いたマイクロプロセッサによる演算回
路の一例を第６図に示し説明する。In addition, each sensor material that does not use additives does not change the characteristic value for each gas, and the characteristic value of each sensor material is guaranteed. It is shown and explained in the figure.
先ずセンサ素子の抵抗値（４５にΩ）を清浄な雰囲気（
例えは一般家庭を例にとれば、アルコール等の妨害ガス
が発生していないｆ５ｉ ）で測定し、その場所にばっ
た初期値とする
ここで、例えば、ｈｙｈｉガス成分のうち、特にそのガ
スの漏洩に対し７、警報を発すべき検知レベルを下記の
１出シ設定する。First, measure the resistance value (45Ω) of the sensor element in a clean atmosphere (
For example, in a general household, measurements are taken at f5i) where no interfering gases such as alcohol are generated, and the initial value is set as appropriate for that location. 7. Set the detection level at which an alarm should be issued as shown below.
一酸化炭素について ２００ＰＰｍ
メタンについて １２．５００ＰＰｍ
水素について ｉｏ、ｏｏｏ、ｐｒ’ｍアルコールにつ
いて ｉ、ｏｏｏｐｐ７ｒ＆但しアルコールについては
妨害ガスとして検知するものである。Carbon monoxide: 200PPm Methane: 12.500PPm Hydrogen: io, ooo, pr'm Alcohol: i, ooopp7r & However, alcohol is detected as an interfering gas.
このように、それぞれ検知するガスの濃度が異９、又ガ
ス検知感度の異るセンサを用いて、選択的にガスの検知
を行なう場合、各センサの抵抗値を同一レベルにした上
記初期値を基に行なうことができる。In this way, when selectively detecting gas by using sensors that detect different gas concentrations9 or have different gas detection sensitivities, the above initial value with the resistance values of each sensor at the same level is used. It can be done based on
これを更に詳しく説明すると、第４図において、（ａ）
はガス漏洩がない時の各センナの抵抗イ＋ｔレベル（初
期値）である・
（ｂ）は−酸化炭素２００ＰＰｍ１（Ｑはメタ７１２５
００ＰＰｍ、（ｄ）は、水素１０００ＰＰ７７１を検出
した時の抵抗１直である。To explain this in more detail, in Figure 4, (a)
is the resistance i+t level (initial value) of each senna when there is no gas leakage. (b) is -200PPm1 of carbon oxide (Q is meta7125
00PPm, (d) is the resistance 1 when hydrogen 1000PP771 is detected.
検出出力としては、電圧変ｉｔをもってＡ／Ｄ変換後、
マイクロプロセッサに入力し、演算して、予め記憶させ
ておいた濃度レベルと比較し警報を発する。As a detection output, after A/D conversion with voltage change,
The information is input to a microprocessor, calculated, and compared with a pre-stored concentration level to issue an alarm.
以上詳述した通り本発明のセンサ素子によれば、センナ
の固有抵抗値をセンサのｊ模厚によって調整することに
よυ、センサの有効４Ｍｊ ４９を同一にし、各センサ
の抵抗値を同じにすることができた。As detailed above, according to the sensor element of the present invention, by adjusting the specific resistance value of the senna by adjusting the j thickness of the sensor, the effective 4Mj 49 of the sensor can be made the same, and the resistance value of each sensor can be made the same. We were able to.
又−＋＝ンサの有効面積を同一にしたので、センサの小
型化が可能になり、尚集積化センサ素子の製造が容易に
なることは物論のこと、特に加熱ヒータを心安とするセ
ンサ素子にあっては、良好な温度に保持してセンサの感
度を向上させると共に、加熱ヒータに供給する電力量の
低減を行なうことができた。Furthermore, since the effective area of the sensors is made the same, it is possible to downsize the sensor, and it is a matter of theory that it becomes easier to manufacture integrated sensor elements, especially sensor elements that can be used safely with heaters. In this case, it was possible to improve the sensitivity of the sensor by maintaining the temperature at a favorable level, and to reduce the amount of electric power supplied to the heater.
又添加剤を使用しないので、センサ材料の感度や経時変
化に対し影響がなく、センサの特性を損なうことがない
。Furthermore, since no additives are used, there is no effect on the sensitivity or aging of the sensor material, and the characteristics of the sensor are not impaired.
このようにして、センサの抵抗値を同じにして且つセン
サの出力を安定化させることによって、選択性を向上さ
せると共に量産性をも向上し、安価にして信頼性の高い
センサ素子とすることができ産業上優れた効果を有するIn this way, by keeping the resistance value of the sensor the same and stabilizing the sensor output, it is possible to improve selectivity and mass production, making it possible to create a low-cost and highly reliable sensor element. It has excellent industrial effects.
第１図は、従来のセンサ素子の斜視図である第２図乃至
第５図は、本発明の一実施例であり第２図は、４種類の
センサを塔載したセンサ素子の斜視図、第３図は、マイ
クロプロセッサを組込んだ場合の接続図、第４図は、集
積センサバｒｋｆ−ＪＪＪ−す、 ｊＭ Ｌロユフλ俵
シー二１ と−り四由１ｔ／ｌ 喘【図は、６４１類の
センナを塔載したセンサ素子の斜視図である。
１・・・・・・アルミナ基板（基板）
２．３．４．５．１５．１４．１５．１６．２５．２６
．２７． ２Ｂ、２９．５０・・・・・・センサ材料
６、７．８．９．３１．３２．３３．３４．３５．３６
・・・・・・上部電極１０、１１．３７．３８．３９．
４０．４１．４２・・・・・・下部電極１２・・・・・
・加熱ヒータ
第 １ η
第 ２のFIG. 1 is a perspective view of a conventional sensor element. FIGS. 2 to 5 are an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of a sensor element equipped with four types of sensors. Fig. 3 is a connection diagram when a microprocessor is incorporated, and Fig. 4 is an integrated sensor bar. FIG. 6 is a perspective view of a sensor element loaded with senna of type 641. 1...Alumina substrate (substrate) 2.3.4.5.15.14.15.16.25.26
．． 27. 2B, 29.50...Sensor material 6, 7.8.9.31.32.33.34.35.36
......Top electrode 10, 11.37.38.39.
40.41.42...Lower electrode 12...
・Heater 1st η 2nd
Claims (1)
成した集積センサにおいて、上記基板上に形成しだセン
サの膜厚さを変え、基板上に形成した複数個のセンサの
抵抗値を同一にしたことを特徴とするセンサ素子。 ２、酸化物半導体を材料とするセンサを同一基板上に形
成した集積センサにおいて、上記基板上に形成したセン
サの膜厚さを変え、基板上に形成した複数個のセンサの
抵抗値を同一にし、基板上に同一有効面積のセンサを形
成したことを特徴とするセンサ素子。[Scope of Claims] 1. In an integrated sensor in which sensors made of oxide semiconductor are formed on the same substrate, the film thickness of the sensors formed on the substrate is changed, and a plurality of sensors formed on the substrate are formed on the same substrate. A sensor element characterized in that the resistance values of the sensors are made the same. 2. In an integrated sensor in which sensors made of oxide semiconductors are formed on the same substrate, the film thickness of the sensors formed on the substrate is changed to make the resistance values of the plurality of sensors formed on the substrate the same. A sensor element characterized in that sensors having the same effective area are formed on a substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13584183A JPS6029652A (en) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | sensor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13584183A JPS6029652A (en) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | sensor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029652A true JPS6029652A (en) | 1985-02-15 |
Family
ID=15161008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13584183A Pending JPS6029652A (en) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | sensor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029652A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147749U (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-12 | ||
| KR20190060783A (en) * | 2016-10-04 | 2019-06-03 | 옥스퍼드 브룩스 유니버시티 | MEMLIST-BASED SENSOR |
-
1983
- 1983-07-27 JP JP13584183A patent/JPS6029652A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147749U (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-12 | ||
| KR20190060783A (en) * | 2016-10-04 | 2019-06-03 | 옥스퍼드 브룩스 유니버시티 | MEMLIST-BASED SENSOR |
| JP2019536004A (en) * | 2016-10-04 | 2019-12-12 | オックスフォード ブルックス ユニバーシティ | Memristor-based sensor |
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