JPS6029996B2 - 情報読み取り方式 - Google Patents
情報読み取り方式Info
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- JPS6029996B2 JPS6029996B2 JP52099582A JP9958277A JPS6029996B2 JP S6029996 B2 JPS6029996 B2 JP S6029996B2 JP 52099582 A JP52099582 A JP 52099582A JP 9958277 A JP9958277 A JP 9958277A JP S6029996 B2 JPS6029996 B2 JP S6029996B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光学的に文字、数字、文様、符号等の情報を
読み取る方式、およびこれに用いるに有利な記録用紙に
関するものである。
読み取る方式、およびこれに用いるに有利な記録用紙に
関するものである。
文字、数字、文様、符号等の情報を光学的に読み取る方
式の一つとして、上記の情報をけし、光を発するインク
で記録し、適当な励起光照射により発するけし、光を観
測することにより情報を読み取る方式がある。
式の一つとして、上記の情報をけし、光を発するインク
で記録し、適当な励起光照射により発するけし、光を観
測することにより情報を読み取る方式がある。
これらけし、光体を用いた従来の方式においては、例え
ば、特顔昭５１一５４４１４号（特開昭５２−１３８１
９ｙ号）に記載した如くネオジムイオンで付活されたけ
し、光体を情報記録用として用い、けし・光の検知器と
してはシリンコンで作られた受光素子を用いていた。し
かしながら、上述した従釆の方式においては、ネオジム
イオンの主たる発光と、受光器の感度スペクトルとの適
合がそれ程良くなく、更に主たる発光の効率も高くない
ために、記録された情報を読み取る際の受光器出力が充
分ではなかった。
ば、特顔昭５１一５４４１４号（特開昭５２−１３８１
９ｙ号）に記載した如くネオジムイオンで付活されたけ
し、光体を情報記録用として用い、けし・光の検知器と
してはシリンコンで作られた受光素子を用いていた。し
かしながら、上述した従釆の方式においては、ネオジム
イオンの主たる発光と、受光器の感度スペクトルとの適
合がそれ程良くなく、更に主たる発光の効率も高くない
ために、記録された情報を読み取る際の受光器出力が充
分ではなかった。
したがって、たとえば、誤読特に用紙の汚染等による光
出力の低下により、記録された情報を誤まって読み取る
という欠点があった。本発明は、上に述べた従来方式に
よる欠点をなくし、記録された情報を誤りなく読み取る
方式を提供することを目的とする。
出力の低下により、記録された情報を誤まって読み取る
という欠点があった。本発明は、上に述べた従来方式に
よる欠点をなくし、記録された情報を誤りなく読み取る
方式を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明者達は、情報記録
用けし、光体と、情報読み取り用光検出器との適合性を
種々検討した。
用けし、光体と、情報読み取り用光検出器との適合性を
種々検討した。
この結果、適合性が高く、情報光の出力として従来方式
より高出力が得られ、したがって、記録された用紙の汚
染による誤動作の少ない方式として、ネオジムとイッテ
ルビウムイオンとで賦活された情報記録用けし、光体と
シリコン光検出器とを用いた高性能の情報論み取り方式
を得ることができた。たとえば、シリコンを使った光検
出器は、近赤外波長領域における情報読み取り装置用の
固体光検出器として、感度、安定性等全ての点で優れて
いる。
より高出力が得られ、したがって、記録された用紙の汚
染による誤動作の少ない方式として、ネオジムとイッテ
ルビウムイオンとで賦活された情報記録用けし、光体と
シリコン光検出器とを用いた高性能の情報論み取り方式
を得ることができた。たとえば、シリコンを使った光検
出器は、近赤外波長領域における情報読み取り装置用の
固体光検出器として、感度、安定性等全ての点で優れて
いる。
例えば、シリコンフオトダィオードの分光感度特性の一
例を第１図に示した。一般に８００一９０瓜ｍ程度に最
高感度を持つ。一方、従釆、情報読み取り用として利用
されてきたネオジム付活けし・光体の主たる発光の波長
は約１．０５山ｍにあり、この波長におけるシリコンフ
オトダィオードの感度は、最高感度の１２％程度以下で
あった。第２図に、本発明に用いられる記録用けし、光
体の一例けし、光スペクトルを示した。第２図ａはＮふ
．６ＹｂＭＰ５〇．４ ， ｛ｂ）は Ｎｄ。‐８Ｙｂ
〇．２Ｎａ２Ｍｇ２（Ｖ０４）３の例である。けし、光
の主波長は約０．９８ムｍにあり、その波長におけるシ
リコン受光器の感度は、最高感度の約３７％である。し
たがって、記録用けし、光体のけし、光スペクトルと、
シリコン光検出器の感度スペクトルとの適合性は、従来
方法と比較して約３倍に向上した。
例を第１図に示した。一般に８００一９０瓜ｍ程度に最
高感度を持つ。一方、従釆、情報読み取り用として利用
されてきたネオジム付活けし・光体の主たる発光の波長
は約１．０５山ｍにあり、この波長におけるシリコンフ
オトダィオードの感度は、最高感度の１２％程度以下で
あった。第２図に、本発明に用いられる記録用けし、光
体の一例けし、光スペクトルを示した。第２図ａはＮふ
．６ＹｂＭＰ５〇．４ ， ｛ｂ）は Ｎｄ。‐８Ｙｂ
〇．２Ｎａ２Ｍｇ２（Ｖ０４）３の例である。けし、光
の主波長は約０．９８ムｍにあり、その波長におけるシ
リコン受光器の感度は、最高感度の約３７％である。し
たがって、記録用けし、光体のけし、光スペクトルと、
シリコン光検出器の感度スペクトルとの適合性は、従来
方法と比較して約３倍に向上した。
０．９８仏ｍのけし、光は、励起されたネオジムイオン
からエネルギーを伝達されたイッテルビウムイオンの発
光である。
からエネルギーを伝達されたイッテルビウムイオンの発
光である。
このためその発光波長は、イッテルビウムイオンを含め
た希土類イオンの一般的特性として、どのような組成の
けし、光体においてもほとんど変化しない。第２図に例
示した通りである。すなわち、イッテルビウムとネオジ
ムとで賭活されたけし、光体の主たる発光とシリコン受
光器との適合性は、従来のネオジム賦活けし、光体から
の主たる発光とシリコン受光器との適合性に比較して、
大幅に向上することが理解される。本発明においては、
けし、光体としてネオジム・イオンとイッテルビウム・
イオンで賦活されていることが肝要であり、上述の如く
結晶母体に本質的には依らない。この二つのイオンによ
って本発明が蓮せられる理由について詳述する。ネオジ
ムイオン（Ｎｄ３十）は、８０皿ｍ付近にＮｄ３１の４
１９／２→４Ｆ５／２の還移に対応した強い吸収を持ち
、情報読み取りの際の励起光の吸収に適している。
た希土類イオンの一般的特性として、どのような組成の
けし、光体においてもほとんど変化しない。第２図に例
示した通りである。すなわち、イッテルビウムとネオジ
ムとで賭活されたけし、光体の主たる発光とシリコン受
光器との適合性は、従来のネオジム賦活けし、光体から
の主たる発光とシリコン受光器との適合性に比較して、
大幅に向上することが理解される。本発明においては、
けし、光体としてネオジム・イオンとイッテルビウム・
イオンで賦活されていることが肝要であり、上述の如く
結晶母体に本質的には依らない。この二つのイオンによ
って本発明が蓮せられる理由について詳述する。ネオジ
ムイオン（Ｎｄ３十）は、８０皿ｍ付近にＮｄ３１の４
１９／２→４Ｆ５／２の還移に対応した強い吸収を持ち
、情報読み取りの際の励起光の吸収に適している。
ネオジムに吸収されたエネルギーは、高い効率でイッテ
ルビウムイオンに伝達される。
ルビウムイオンに伝達される。
更に励起状態にあるイッテルビウムイオンはほゞ１００
％の効率で９８仇ｍ付近の発光を生ずることとなる。た
とえば、本発明情報の読み取り方式に用いるけし、光体
、Ｎｄｏ．８Ｙ丸．２ＮもＭ＆（Ｖ０４）３の発光スペ
クトルは第２図ｂに示す如きものである。この場合、け
し、光体の励起には、８０仇伽にピークをもったＧａＡ
Ｉ瓜発光ダイオードを用い、Ｓ−１型の光電面をもった
光電子倍管で発光の測定を行なった。９４伽伽より短波
長の発光は、主として、励起光源であるＧａＮＡｓ発光
ダイオードの発光であり、９８仇ｍ付近の発光は、励起
されたネオジムイオンからエネルギー伝達を受けたイッ
テルビウムイオンの発光、１，０５瓜ｍ付近の小さな発
光はネオジムイオンの発光である。
％の効率で９８仇ｍ付近の発光を生ずることとなる。た
とえば、本発明情報の読み取り方式に用いるけし、光体
、Ｎｄｏ．８Ｙ丸．２ＮもＭ＆（Ｖ０４）３の発光スペ
クトルは第２図ｂに示す如きものである。この場合、け
し、光体の励起には、８０仇伽にピークをもったＧａＡ
Ｉ瓜発光ダイオードを用い、Ｓ−１型の光電面をもった
光電子倍管で発光の測定を行なった。９４伽伽より短波
長の発光は、主として、励起光源であるＧａＮＡｓ発光
ダイオードの発光であり、９８仇ｍ付近の発光は、励起
されたネオジムイオンからエネルギー伝達を受けたイッ
テルビウムイオンの発光、１，０５瓜ｍ付近の小さな発
光はネオジムイオンの発光である。
従来のネオジム賦活けし、光体の発光は主として１，０
５仇血付近の発光と９０仇伽付近の発光とであり両者と
もにネオジムイオンの４Ｆ３／２励起準泣からの発光で
ある。この励起準位からの発光の効率は、通常のネオジ
ム賦活けし、光体では１００％に近く、そのうち約６０
％が１，０５仇ｍの発光である。９０瓜ｍ付近の発光は
、第１図からも明らかな如く、励起光源である。
５仇血付近の発光と９０仇伽付近の発光とであり両者と
もにネオジムイオンの４Ｆ３／２励起準泣からの発光で
ある。この励起準位からの発光の効率は、通常のネオジ
ム賦活けし、光体では１００％に近く、そのうち約６０
％が１，０５仇ｍの発光である。９０瓜ｍ付近の発光は
、第１図からも明らかな如く、励起光源である。
ＧａＮＡｓ発光ダイオードの発光と重なりが大きい。し
たがって、印字されたけし・光体からげし・光を情報と
して読み取る際には、適当な光フィルターを用いて、励
起光との重なりの少ない１．０５皿ｍ付近の発光のみを
検出して読み取っていた。本発明になる情報読み取り方
式では、ネオジムイオンの４Ｆ３／２励起準位からイッ
テルビウムイオンへのエネルギー伝達の効率は、最適の
条件で９０％じ久上となり、一方励起されたイッテルビ
ウムイオンの発光の効率は約１００％であることがわか
った。その結果ネオジムイオンの４Ｆ３′２励起準位か
ら約６０％の効率で発光していた１，０５仇ｍの発光を
、約９０％以上の効率で発光するイッテルビウムイオン
の発光に変換したことにより、高出力を与えることが可
能となる。発明者等は、種々実験を重ねた結果、次の如
きネオジム・イオンおよびイッテルビウム・イオンを賦
活せしむる材料を本発明の情報読み取り方式および記録
用紙にけい光体として用いることが出来ることを見し、
出した。
たがって、印字されたけし・光体からげし・光を情報と
して読み取る際には、適当な光フィルターを用いて、励
起光との重なりの少ない１．０５皿ｍ付近の発光のみを
検出して読み取っていた。本発明になる情報読み取り方
式では、ネオジムイオンの４Ｆ３／２励起準位からイッ
テルビウムイオンへのエネルギー伝達の効率は、最適の
条件で９０％じ久上となり、一方励起されたイッテルビ
ウムイオンの発光の効率は約１００％であることがわか
った。その結果ネオジムイオンの４Ｆ３′２励起準位か
ら約６０％の効率で発光していた１，０５仇ｍの発光を
、約９０％以上の効率で発光するイッテルビウムイオン
の発光に変換したことにより、高出力を与えることが可
能となる。発明者等は、種々実験を重ねた結果、次の如
きネオジム・イオンおよびイッテルビウム・イオンを賦
活せしむる材料を本発明の情報読み取り方式および記録
用紙にけい光体として用いることが出来ることを見し、
出した。
本発明に用いる記録用けし、光体としては、Ｃａ，。
（Ｐ０４）６Ｆ２：Ｎｄ，Ｙｂ：Ｃａ８凶２（Ｐ０４）
６０２：Ｎｄ，Ｙｂ：ＹＡＩ０３：Ｎｄ，Ｙｂ：Ｙ３Ａ
Ｉ５０，２：Ｎｄ，Ｙｂ：等がある。これらドープ型の
けし、光体の場合、ＮｄおよびＹｂは１〜１０％程度の
賦活のものを用いている。更に、ごく最近Ｎｄを用いた
超小型固体レーザ材料として注目されている組成物、お
よびこれら組成物の類似組成物である材料、（Ｎｄ，Ｙ
ｂ）Ｐ３０９：（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ５０，４：Ｌｉ（Ｎｏ
，Ｙｂ）Ｐ４０，２：Ｎａ（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ４０，２：
Ｋ（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ４０．２：Ｋ３（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ２
０８：Ｎａ（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｗ０４）２：Ｎａ５（Ｎｄ
，Ｙｂ）（Ｗ０４）４：Ｎａ（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｍｏ０４
）２：Ｎも（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｍｏ０４）４：Ｎａ２（Ｎ
ｄ，Ｙｂ）Ｍｇ２（Ｖ０４）３：ＡＩ３（Ｎｄ，Ｙｂ）
（Ｂ０３）４：（ＡＩ，Ｃｒ）３（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｂ○
３）４：Ｎ雀（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｓｉ０３）４：Ｎａ３（
Ｎｄ，Ｙｂ）Ｓｉ２０７：Ｎａ３（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｇｅ２
０７：Ｎも（Ｎｄ，Ｙｂ）（戊０３）４：（Ｎｄ，Ｙｂ
）ＭｇＮ，．○，９および、上記組成の（Ｎｄ，Ｙｂ）
イオンの一部を３価を取り得るイオンでかつ、８０瓜ｍ
から１００Ｍｍの波長にわたって吸収のないイオン、即
ちイットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ランタ
ン（仏）、セリウム（Ｃｅ）、力ドリニウム（Ｇｄ）、
ルテシウム（Ｌｕ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（
ｌｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）から選
ばれた少なくとも一種のイオンにより置換された材料を
けし、光体として用いることができる。
６０２：Ｎｄ，Ｙｂ：ＹＡＩ０３：Ｎｄ，Ｙｂ：Ｙ３Ａ
Ｉ５０，２：Ｎｄ，Ｙｂ：等がある。これらドープ型の
けし、光体の場合、ＮｄおよびＹｂは１〜１０％程度の
賦活のものを用いている。更に、ごく最近Ｎｄを用いた
超小型固体レーザ材料として注目されている組成物、お
よびこれら組成物の類似組成物である材料、（Ｎｄ，Ｙ
ｂ）Ｐ３０９：（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ５０，４：Ｌｉ（Ｎｏ
，Ｙｂ）Ｐ４０，２：Ｎａ（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ４０，２：
Ｋ（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ４０．２：Ｋ３（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ２
０８：Ｎａ（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｗ０４）２：Ｎａ５（Ｎｄ
，Ｙｂ）（Ｗ０４）４：Ｎａ（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｍｏ０４
）２：Ｎも（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｍｏ０４）４：Ｎａ２（Ｎ
ｄ，Ｙｂ）Ｍｇ２（Ｖ０４）３：ＡＩ３（Ｎｄ，Ｙｂ）
（Ｂ０３）４：（ＡＩ，Ｃｒ）３（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｂ○
３）４：Ｎ雀（Ｎｄ，Ｙｂ）（Ｓｉ０３）４：Ｎａ３（
Ｎｄ，Ｙｂ）Ｓｉ２０７：Ｎａ３（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｇｅ２
０７：Ｎも（Ｎｄ，Ｙｂ）（戊０３）４：（Ｎｄ，Ｙｂ
）ＭｇＮ，．○，９および、上記組成の（Ｎｄ，Ｙｂ）
イオンの一部を３価を取り得るイオンでかつ、８０瓜ｍ
から１００Ｍｍの波長にわたって吸収のないイオン、即
ちイットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ランタ
ン（仏）、セリウム（Ｃｅ）、力ドリニウム（Ｇｄ）、
ルテシウム（Ｌｕ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（
ｌｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）から選
ばれた少なくとも一種のイオンにより置換された材料を
けし、光体として用いることができる。
ＮｄおよびＹｂは約５％以上のものを用いている。本方
式を採用した情報読み取り装置の概念図を第３図および
第４図に示した。
式を採用した情報読み取り装置の概念図を第３図および
第４図に示した。
第３図および第４図の装置において、基本的な構成要素
、すなわち励起光源３、光ガイド４、受光器特にシリコ
ン受光器６、および増幅、判別回路部７は同一である。
なお増幅、判別回路部ものものは従来技術で十分である
。
、すなわち励起光源３、光ガイド４、受光器特にシリコ
ン受光器６、および増幅、判別回路部７は同一である。
なお増幅、判別回路部ものものは従来技術で十分である
。
第３図の装置は、記録用紙を静止又は低速度で移動させ
ながら情報を読み取る場合に適している。
ながら情報を読み取る場合に適している。
光ガイド４には、用紙に反射した励起光と記録されたけ
し、光体からの発光とがとり込まれるために、光フィル
ター５を設けて、けし、光のみをシリコン受光器６に導
入する必要がある。第４図の装置は、記録用紙を高速度
で移動させながら情報を読み取る場合に適している。
し、光体からの発光とがとり込まれるために、光フィル
ター５を設けて、けし、光のみをシリコン受光器６に導
入する必要がある。第４図の装置は、記録用紙を高速度
で移動させながら情報を読み取る場合に適している。
用紙に反射された励起光は、スリット８にさえぎられて
光ガイド４にはとり入れられない。記録用に用いたけし
・光体の主たる発光すなわちイッテルビウムイオンの発
光は、１０‐ろ沙程度の速さで減衰するから、励起光照
射が断たれた後１０‐３秒程度以内に、記録されたけし
、光情報が、スリット８を通過すれば、光ガイド４を通
して受光器６にけし、光が到達して検知される。なお第
４図の装置においても、第３図の装置と同様に励起をさ
えぎり、けし、光を透過させる光フィルターを用いるこ
とが可能である。さらにまた、赤外光に対して透明な記
録用紙に記録されたけし、光情報を読み取る場合には、
第３図および第４図のごとく、励起光源と、けし、光信
号検出部とを記録用紙に対して同じ方向に設置してもよ
く、又、記録用紙をはさんで設置してもよいことは自明
である。
光ガイド４にはとり入れられない。記録用に用いたけし
・光体の主たる発光すなわちイッテルビウムイオンの発
光は、１０‐ろ沙程度の速さで減衰するから、励起光照
射が断たれた後１０‐３秒程度以内に、記録されたけし
、光情報が、スリット８を通過すれば、光ガイド４を通
して受光器６にけし、光が到達して検知される。なお第
４図の装置においても、第３図の装置と同様に励起をさ
えぎり、けし、光を透過させる光フィルターを用いるこ
とが可能である。さらにまた、赤外光に対して透明な記
録用紙に記録されたけし、光情報を読み取る場合には、
第３図および第４図のごとく、励起光源と、けし、光信
号検出部とを記録用紙に対して同じ方向に設置してもよ
く、又、記録用紙をはさんで設置してもよいことは自明
である。
以上説明してきた本発明の情報読み取り方式および記録
用紙は特徴をまとめると次の如くである。
用紙は特徴をまとめると次の如くである。
１ 所定の物体にネオジムイオンおよびイッテルビウム
イオンとで賦活されたけし、光体で記録された情報を、
ネオジムイオンを励起し得る波長７９０〜８５仇ｍなる
励起光で励起し、波長９００〜１１０仇ｍに感度を有す
る光検知器で前記情報を読み取ることを特徴とする情報
読み取り方式。
イオンとで賦活されたけし、光体で記録された情報を、
ネオジムイオンを励起し得る波長７９０〜８５仇ｍなる
励起光で励起し、波長９００〜１１０仇ｍに感度を有す
る光検知器で前記情報を読み取ることを特徴とする情報
読み取り方式。
２ ネオジムイオンとイッテルビウムイオンにより賦活
されたけい光体を用いて数字、文字、文様、符号などの
情報が記録された記録用紙。
されたけい光体を用いて数字、文字、文様、符号などの
情報が記録された記録用紙。
以上、本発明はネオジムイオンの赤外における大きい吸
収断面積を利用し、ネオジムイオンからイッテルビウム
イオンへのエネルギー伝達により、通常のシリコン光検
出器の分光感度に、より良く適合したイッテルビウムイ
オンの発光を得、その結果、シリコン光検出器を用いた
場合の発光出力を飛躍的に増大せしむることを可能とし
た。以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
実施例 １ けし、光体ＬｉＮｄ船Ｙｂｏ，．Ｐ４０，２（粒径５仏
ｍ）を重量比で２０とり、それにセルロースアセテート
樹脂６、可塑剤ジオクチルアゼレート１４、溶媒メチル
エチルケトン３５とを混合し、インキ組成物を形成し、
ポリエチレン薄膜上に２５山ｍの膜厚で塗布し、転写用
タイプリボンを製作した。
収断面積を利用し、ネオジムイオンからイッテルビウム
イオンへのエネルギー伝達により、通常のシリコン光検
出器の分光感度に、より良く適合したイッテルビウムイ
オンの発光を得、その結果、シリコン光検出器を用いた
場合の発光出力を飛躍的に増大せしむることを可能とし
た。以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
実施例 １ けし、光体ＬｉＮｄ船Ｙｂｏ，．Ｐ４０，２（粒径５仏
ｍ）を重量比で２０とり、それにセルロースアセテート
樹脂６、可塑剤ジオクチルアゼレート１４、溶媒メチル
エチルケトン３５とを混合し、インキ組成物を形成し、
ポリエチレン薄膜上に２５山ｍの膜厚で塗布し、転写用
タイプリボンを製作した。
上記タイプリボンを用いて、タイプすることによって所
定のコードを印字した記録用紙を作成した。
定のコードを印字した記録用紙を作成した。
上記の如くけし、光体を記録用紙の様な用い方をする場
合インク組成物とするのが良い。インク組成物を製造す
るにあたっては一般に周知の方法に従がえば良い。即ち
樹脂、可塑剤およびけし、光体溶媒を用いて混合する。
この溶液で所望形状の塗膜を形成すれば良い。記録され
た情報の読み取りを第３図に示した読み取り装置で行な
った。
合インク組成物とするのが良い。インク組成物を製造す
るにあたっては一般に周知の方法に従がえば良い。即ち
樹脂、可塑剤およびけし、光体溶媒を用いて混合する。
この溶液で所望形状の塗膜を形成すれば良い。記録され
た情報の読み取りを第３図に示した読み取り装置で行な
った。
励起光源３は８０仇ｍに発光ピークを持つＧａＡＩ兆赤
外発光ダイオードである。記録用紙１上に記録されリブ
い光体含有インク組成物２からの発光は、発光ガイド４
を通り、シリコンＰＩＮ光検出器６で検知される。５は
０．５ｍｍ濃厚の１芯多結晶を用いたフィルターであり
、約９５０ｎｍ以下の波長の光、すなわち、用紙および
、けし、光インクに反射して光ガイド４にとに込まれた
励起光源の光をカットトする。
外発光ダイオードである。記録用紙１上に記録されリブ
い光体含有インク組成物２からの発光は、発光ガイド４
を通り、シリコンＰＩＮ光検出器６で検知される。５は
０．５ｍｍ濃厚の１芯多結晶を用いたフィルターであり
、約９５０ｎｍ以下の波長の光、すなわち、用紙および
、けし、光インクに反射して光ガイド４にとに込まれた
励起光源の光をカットトする。
カード走行速度２０ｃｍ／ｓｅｃにおける印字されたコ
ードの読み取り正答率は９９．９９％以上であった。
ードの読み取り正答率は９９．９９％以上であった。
また、次の如き材料を記録用けし、光体として採用した
場合にも同様の情報読み取り正答率が得られた。
場合にも同様の情報読み取り正答率が得られた。
これまで製作したカードのけし、光インキの印字してあ
る表面を市販のマジックインク（赤，黒，青，緑）で汚
染させた。
る表面を市販のマジックインク（赤，黒，青，緑）で汚
染させた。
次いでこれまでと同じ方法で、記録されたコードの読み
取り試験を行なった。読み取り結果の正答率は９９．９
９％以上であつた。このように本発明の情報の読み取り
方式および記録用紙はマジックインクの汚染に対しても
十分にその効果を発揮するものである。
取り試験を行なった。読み取り結果の正答率は９９．９
９％以上であつた。このように本発明の情報の読み取り
方式および記録用紙はマジックインクの汚染に対しても
十分にその効果を発揮するものである。
実施例 ２
Ｍｅ（Ｎｄ，Ｙｂ）Ｐ３０９系材料であるけい光体Ｃｅ
ｏ．がヰ．４ＹｂＭＰ３０９をボールミル装置で微粉砕
し、平均粒径３仏ｍとした後、実施例１と同じ仕様で転
写用タイプリボンを製作した。
ｏ．がヰ．４ＹｂＭＰ３０９をボールミル装置で微粉砕
し、平均粒径３仏ｍとした後、実施例１と同じ仕様で転
写用タイプリボンを製作した。
上記タイプリボンを用いて、所定のコードを印字したカ
ードを作成し、第４図の装置で読み取りを行なった。
ードを作成し、第４図の装置で読み取りを行なった。
第４図で、カード１は左から右へｌｍ／ｓｅｃの速さで
移動し、励起光源３は、８０仇ｍに発光ピ−クを持つＧ
ａＡＩＡｓ赤外発光ダイオードで、その発光は、不透明
なスリット８にさえぎられて、光ガイド４には到達しな
い。減衰途中（刺激を断った後）のけし、光は光ガイド
４にとり込まれシリコンＰＩＮ光検出器６で検出される
。読み取り正答率は９９．９９％以上であった。さらに
実施例１と同様な汚染を記録用紙にほどこした場合にも
、９９．９９％以上の読み取り正答率が得られた。実施
例 ３ 一般式ＡＩ３Ｎも．９Ｙｂｏ．，＆○，２であらわされ
るけし、光体粉末２００餅を塩化ビニール系樹脂１６０
餅、可塑性４０群および溶媒メチルィソブチルケトン４
００釘と混合し、印刷用インク組成物を形成した。
移動し、励起光源３は、８０仇ｍに発光ピ−クを持つＧ
ａＡＩＡｓ赤外発光ダイオードで、その発光は、不透明
なスリット８にさえぎられて、光ガイド４には到達しな
い。減衰途中（刺激を断った後）のけし、光は光ガイド
４にとり込まれシリコンＰＩＮ光検出器６で検出される
。読み取り正答率は９９．９９％以上であった。さらに
実施例１と同様な汚染を記録用紙にほどこした場合にも
、９９．９９％以上の読み取り正答率が得られた。実施
例 ３ 一般式ＡＩ３Ｎも．９Ｙｂｏ．，＆○，２であらわされ
るけし、光体粉末２００餅を塩化ビニール系樹脂１６０
餅、可塑性４０群および溶媒メチルィソブチルケトン４
００釘と混合し、印刷用インク組成物を形成した。
次いでポリエチレン薄膜上に２５ｒｍの膜厚で塗布、乾
燥し、転写用のタイプリボンを製作した。上記タイプリ
ボンを用いて、所定のコードを記録した用紙を作り、記
録されたコードの読み取りを行なった。読み取り装置は
、８０仇帆に発光ピークを持つ○ａ山Ａｓ赤外発光ダイ
オードをけし、光体の励起光源とし、光ファイバー、ｌ
ｎＰ厚膜フィルターおよびシリコンフオトダィオードを
組み合せたけし、光信号検出器を備えており、さらに、
けし、光信号を判読し表示する回路を備えている。読み
取りの正答率は９９．９９％以上であった。次いで、前
述のけし、光コードの記録された用紙を市販の赤、青、
黒のマジックインキを用いて、コード上およびコードで
記録されていない用紙上を着色した。
燥し、転写用のタイプリボンを製作した。上記タイプリ
ボンを用いて、所定のコードを記録した用紙を作り、記
録されたコードの読み取りを行なった。読み取り装置は
、８０仇帆に発光ピークを持つ○ａ山Ａｓ赤外発光ダイ
オードをけし、光体の励起光源とし、光ファイバー、ｌ
ｎＰ厚膜フィルターおよびシリコンフオトダィオードを
組み合せたけし、光信号検出器を備えており、さらに、
けし、光信号を判読し表示する回路を備えている。読み
取りの正答率は９９．９９％以上であった。次いで、前
述のけし、光コードの記録された用紙を市販の赤、青、
黒のマジックインキを用いて、コード上およびコードで
記録されていない用紙上を着色した。
上記用紙を、前述の読み取り装置を用いて読み取りテス
トを行なった。読み取りを誤った割合は１方回に１回以
下であった。また山３Ｙｏ．２ＮｄＭＹふ．，ＫＯ，２
のけし、光体を用いても同等の効果を得ることができた
。
トを行なった。読み取りを誤った割合は１方回に１回以
下であった。また山３Ｙｏ．２ＮｄＭＹふ．，ＫＯ，２
のけし、光体を用いても同等の効果を得ることができた
。
なお本発明を、主として紙を用いて構成した用紙につい
て述べてきたが、本発明は紙に限らず、プラスチック、
布、ゴムまたは金属の薄板などにも容易に用いることが
でき、また磁性粉を塗布し、磁気コードを用いて情報を
読み取る用紙にも併用して用いることができることは自
明である。
て述べてきたが、本発明は紙に限らず、プラスチック、
布、ゴムまたは金属の薄板などにも容易に用いることが
でき、また磁性粉を塗布し、磁気コードを用いて情報を
読み取る用紙にも併用して用いることができることは自
明である。
従がつて、本発明に用いた記録用紙なる用語は、上述の
各種材質のものを含むものである。
各種材質のものを含むものである。
第１図はシリコン光検出器の一例の相対感度スペクトル
である。 第２図ａは本発明の一実施例のけい光体Ｎｄｏ．肘ｂｏ
．ぽ５０．４の発光スペクトルｂはＮｄｏ．８Ｙｂｏ．
刈るＭｇ２（ＶＱ）３の発光スペクトルである。第３図
は本発明の方式にもとずく記録用紙および情報読み取り
装置の概念図であり、１は記録用紙、２はけし、光イン
キ、３は励起光源、４は光ガイド、５は光フィルター、
６はシリコン光検出器、７は検出信号の増幅および判別
回路である。第４図は、本発明の方式にもとずく記録用
紙および情報読み取り装置の概念図であり、１は記録用
紙、２はけし、光インキ、３は励起光源、４は光ガイド
、６はシリコン光検出器、７は検出信号の増幅および判
別回路であり、８は、不透明なスリットである。努７図 努之図 多〆図 多４図
である。 第２図ａは本発明の一実施例のけい光体Ｎｄｏ．肘ｂｏ
．ぽ５０．４の発光スペクトルｂはＮｄｏ．８Ｙｂｏ．
刈るＭｇ２（ＶＱ）３の発光スペクトルである。第３図
は本発明の方式にもとずく記録用紙および情報読み取り
装置の概念図であり、１は記録用紙、２はけし、光イン
キ、３は励起光源、４は光ガイド、５は光フィルター、
６はシリコン光検出器、７は検出信号の増幅および判別
回路である。第４図は、本発明の方式にもとずく記録用
紙および情報読み取り装置の概念図であり、１は記録用
紙、２はけし、光インキ、３は励起光源、４は光ガイド
、６はシリコン光検出器、７は検出信号の増幅および判
別回路であり、８は、不透明なスリットである。努７図 努之図 多〆図 多４図
Claims (1)
- １ 所定の物体にネオジムイオンおよびイツテルビウム
イオンとで賦活されたけい光体で記録された情報を、ネ
オジムイオンを励起し得る波長７９０−８５０ｎｍなる
励起光で励起し、波長９００−１１００ｎｍに感度を有
する光検出器で情報を読み取ることを特徴とする情報読
み取り方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52099582A JPS6029996B2 (ja) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | 情報読み取り方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52099582A JPS6029996B2 (ja) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | 情報読み取り方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5433634A JPS5433634A (en) | 1979-03-12 |
| JPS6029996B2 true JPS6029996B2 (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=14251088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52099582A Expired JPS6029996B2 (ja) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | 情報読み取り方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029996B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995025148A1 (en) * | 1994-03-17 | 1995-09-21 | Hitachi Maxell, Ltd. | Phosphor, phosphor composition, fluorescent mark carrier, and optical character reader |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4392056A (en) * | 1981-04-27 | 1983-07-05 | Automated Packaging Systems, Inc. | Control marking detector |
| US5210411A (en) * | 1990-06-29 | 1993-05-11 | Hitachi Maxell, Ltd. | Detection mark and method and apparatus for detecting mark |
| US5220166A (en) * | 1991-09-09 | 1993-06-15 | Nemoto & Co., Ltd. | Information reading method |
| GB2259598B (en) * | 1991-09-10 | 1994-10-12 | Nemoto Tokushu Kagaku Kk | Information reading method |
| US5463212A (en) * | 1992-05-07 | 1995-10-31 | Hitachi Maxell, Ltd. | Latent image forming member and method of manufacturing, latent image reading apparatus and latent image reading system |
| DE602006010523D1 (de) | 2005-03-29 | 2009-12-31 | Nemoto Tokushu Kagaku Kk | Tanz |
| JP5143673B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-02-13 | 根本特殊化学株式会社 | 赤外発光蛍光体 |
| US9074137B2 (en) * | 2011-11-15 | 2015-07-07 | Honeywell International Inc. | Luminescent borates, materials and articles incorporating such borates, and methods and apparatus for their production and use in article authentication |
| US8993101B2 (en) * | 2011-11-15 | 2015-03-31 | Honeywell International Inc. | Luminescent borates, materials and articles incorporating such borates, and methods and apparatus for their production and use in article authentication |
| US9062220B2 (en) * | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Honeywell International Inc. | Luminescent borates, luminescent materials and articles incorporating such borates |
-
1977
- 1977-08-22 JP JP52099582A patent/JPS6029996B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995025148A1 (en) * | 1994-03-17 | 1995-09-21 | Hitachi Maxell, Ltd. | Phosphor, phosphor composition, fluorescent mark carrier, and optical character reader |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5433634A (en) | 1979-03-12 |
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