JPS603012A - 基準電圧発生器 - Google Patents

基準電圧発生器

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JPS603012A
JPS603012A JP58109191A JP10919183A JPS603012A JP S603012 A JPS603012 A JP S603012A JP 58109191 A JP58109191 A JP 58109191A JP 10919183 A JP10919183 A JP 10919183A JP S603012 A JPS603012 A JP S603012A
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transistor
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Seijiro Moriyama
森山 誠二郎
Tsutomu Sugawara
勉 菅原
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    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current 
    • G05F1/12Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is AC
    • G05F1/14Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using tap transformers or tap changing inductors as final control devices
    • G05F1/22Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using tap transformers or tap changing inductors as final control devices combined with separate magnetic control devices having a controllable degree of saturation

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は集積回路に最適なJいi、j(N、:圧発生
器に関する。
〔発明の技術的背景とその間V((点〕従来、集積回路
においてはバンドギャップレファレンスと呼ばわる基準
′Iシ圧発生器が多用されている。
第1図はこのような従来の訳準市、圧発生器の基本構成
を示すもので、1はπ【流蝕、2はダイオード接続され
たトランジスタ、3は加゛ζ1器、4は絶対温度に比例
する電圧の発生器であり、トランジスタ2のコレクタに
発生する出力と1!!、圧’;C;生器4の出力とが加
勢器3により加勢)−され出力端f5に導かれる。かか
る基準電圧発生器において、トランジスタ2のコレクタ
雷、流ICとベース・エミッタ間電圧VBIIの関係は
以下の式で与えられる。
#VnE ここでIsは飽和電流、fFは電子電荷、にはボルツマ
ン定数、Tは絶対7.171度である。
寸た、飽和釦1流1sは であることが知られている。ここで、Isoは飽和電流
定数、pは定数、■Gはトランジスタを構成する半導体
の禁止帯電圧であり、一定の値を有する。
(1)式fc変形すると、 となる。これに(2)式を代入すると、となる。
一方、出力端子5に発生する出力電圧Voはで与えられ
る。ここでCは定数である。従ってこの(5)式に前記
(4)式を代入すると次式が成り立つ。
T Vo = Vo + −〔1nIc−dnIso−P/
+n’r+C:] −(6)? (6)式において、Cを適当に選択することにより、出
力電圧Voの温度係数をある温度でOにすることができ
る。しかしながら、実際には(6)式から明らかなよう
に、Cの値をどのように選択しても広い温度範囲で出力
117、圧の温度係数を0にすることはできない。
第2図は従来の基準電圧発生器の温度特性を示すもので
あり、必ず温度に対して変化する。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、従来の基準1わ、圧発生器の欠点を
改良し、出力電圧が温度によらず一定となる基準電圧発
生器を提供することにある。
〔発明の概要〕
この発明は第1図に示した従来朽成の基準電、圧発生器
に、更に絶対温度の対数に比例する′ii’、圧を発生
する電圧発生器を設け、その出力を絶対温度に比例する
’iiI、圧発生器の出刃とともに加算回路に併給して
U1定のQ EQでトランジスタのベース・エミッタ間
′lに、汁に加え合わせ、それにより出力の温度係数1
1114 ’<零にするようにしだものである。
〔発明の実施例〕
以下本41を明をンl i/+’iを参照して詳細に説
明する。
第31シ1はイシ′銅明基準電圧発生器の基本構成を示
すものである。1ン1において、11は電流源でありト
ランジスタ12のコレクタに絶対温度のべき乗に比イタ
11する′1(・、 ?tCを供給している。トランジ
スタ12はエミッタが接地伴れ、べ〜スとコレクタが共
通接地きれた戸1i旨“JダイオードJと続のトランジ
スタである。このトランジスタ12の出方であるベース
・エミ、り間111.圧VBEは加算回路13に供給さ
れる。この加fj回路13には他方絶対温度に比例する
電圧を発生ずる111、圧発生器14および絶対温度の
対敬に比例する電圧f発生する発生器16よりそれぞれ
出力…1圧が供給さi′する。そしてこれら3つの電圧
が互いに加算され、その加算電圧VONが出力端子15
に得られる。
次に、この基準1b4圧発生器のI!′’j作原、pl
j f説明する。
本発明になる基準箱圧発イJ′:器では、出力1り圧V
ONは に′11 である。ここで、J) 、 Eは定数、 ’Vr I′
i適肖な■。
圧である。この(7)弐K(4)式を代入すると、コレ
クタ電流Icの温度特性を Ic=G、TQlo、(91 と仮定すると、(8)式は次寸のように1とめられる。
となる。ここで、 1リーP−Q とすれば、出カ称、圧VONはVaとなり、温度によら
ず一5jpの′、11°■二となる。
ここで、定J P 、 Isoはトランジスタの作成条
件で法定智れるものであり、セ」1って、E、]〕を決
定することは容易である。尊らに314当な′1[5圧
Vrは出力電圧VONからイ!lることがでさる。
このように不うら明によれば、あらかじめ、半導休作ル
に条件からめた定数より決定される係数E、Dを用いて
回路を構成することに上り、温度によらず常に一シリじ
11.圧を発生できる。
第4図に本−81(明の典体的〜実施例を示す。この実
施例は、絶対l晶度に対する依存性の異なる2つの山、
流源11 、 l 8と、それらにそれぞれ接続された
2つのトランジスタ12.19と、絶対渦層に比例する
ii、i、圧を発生する電圧発生器14と、屯Fヒ加/
!、ン器13とがら格成苫れる。
11L流thp 1 ]−、1aの狛、流値Ici 、
 Ic2の温度特性が、それぞれ次式で力えられるとす
る。
I c 1−Gi T”” −(13)’ o2 Ic2 = G2T−・・・(14) このとき、トランジスタ12.19のベース・エミッタ
間電圧VnE1.VnF、2td、(4’1式、l:”
)、ソレソれ、次のようになる。
kT VB E 1 =: −(6nGl+Q1 ln]+−
、:ロー S O1−J)7n’j) +1h3 、、
、(Iり史 ( kT Vs E 2 = −(lnG2+Q21nT−11n
 I s O2−P7n’I) −1−V(i −06
)ここで、l5o3 、 l5o2はそれぞれトランジ
スタ12.19の飽和礼7流定数である。′11う圧7
Illτ−1侶:÷13のkT VBEI、VBE2.−に対する加算係数をそれぞれ(
1+k)、(−k)、Fとすると、出力′Y14、圧V
ONは次式で与えられる。
この式に、(15)式Qぐ)を代入すると、kT VoN = −(、dnGl−g、117nT−7nI
sot−P7nT) +VGオ kT QI GI l5o2 −■吐1C4−諦胸・斥・■−十F〕 1(T ←(K (Ql −42) +Q1−PMnT −(1
8)? と斤る。ここで、電圧加算器の加算係数について、l5
OI K+I G2 K 1゛゛−ノnC(て1 ”Is訂) 〕 ・・・(20
)とすると、出力電圧VONは、温度にかかわらず一定
の電圧VGとなる。
本実施例は、(7)式の第3項の絶対温度Tに比例する
項を、2つの互いに7,11四に特性の異なる電流源に
よって+g<動されるトランジスタのベース・エミ7り
IfJt t41圧の差電圧からつくり出していること
を特徴とする。
本実施例において、絶対温度に比例した′電圧は、Lシ
流比を一定にした2つのトランジスタのベース・エミッ
タ間電圧の差電圧が絶対温度に比例することを利用した
公知の回路により¥1′生できる。才だ、(j3)式(
14)式のような温度依存性をP′「つ11−、流をつ
くり出すには、絶対温度のべき乗に比例した1(1圧、
例えば、前記の絶対tは四にJヒEll (−、た′i
l’l’ Fli、 k、その温度依存性が、絶対温度
のべき主に比例するような抵抗に印加すればよく、若易
に実現用能である。
第5図は、本発明の他の実ht4例を示すものである。
本実施例は、先の実施例((おける2111目の電流源
18を、出力電FEEに比例し7”C6流を発生する電
圧電流変換器20におきかえたものである。この場合(
14)式のG2が0となるか、(18)式はそのま作成
や立ち、前述のように、出力′iN圧戯温度にかかわら
ず一定の値■Gとなる。庫実施例の動機は、出力と々、
る、温k(によらず一定の+4+、’圧から齢度によら
ず一定の霜、流をKlrる点に2・る。
第6図に本発明の他の実施例を示す。この実施例は、ト
ランジスタ21,2241に抗26 、27゜28.2
9及び演算増中器35からなる1つの′i)7圧発生器
と、抵抗30.31と演算増巾器36からなる箱1圧加
算器と、トランジスタ23と抵抗32.33.34及び
演尊゛J曽巾器37とからなるもう1つのダ5、圧発生
器から構成をれる。まず2つのπj圧発生に;の出力箱
1圧會求め、次に全体の動作について説明する。
甘ず1つの市1圧発生器の出力電圧をめる。
トランジスタ21.22のコレクタ電流をそれぞれIc
l 、 Ic2とし、抵抗2fi、27の抵抗値をそれ
ぞれI(,26、R,27とする。簡単のためトランジ
スタ21.22の飽和%I、流は晴しいと仮定すると、
抵抗28の両端に生じる電圧△vbeは、である。演9
増巾器35の負帰還作用のために抵抗26と抵抗270
両端の宙、圧が等しくなるため、Icl i七26 =
 Ic2 几27 ・・・(22)が成りたつ。従って
(21)式は次式のようになる。
トランジスタ21,22の電流増巾率が十分に太きいと
すると、抵抗28を流れる1ら流Δvbe/R28はほ
ぼIC1に等しい。すなわち、である。ここでR8は抵
抗28の抵抗値である。
また(22)式を用いると、 である。抵抗29を流れる電流は、IC1とIC2の和
であるので抵抗290両端に生じる霜、圧V29は、 となる。ここでR129は抵抗29の抵抗値である。
と定義すると、 T V29=A・−・・・(28) ? と居ける。トランジスタ22のペース・エミッタ114
1 ?lXi圧をVBE22とすると、190点、にあ
られれる出力1:・圧VOIは、次式で与えられる。
 T Vo+ = VBE22 +A−・・・(29)デ トランジスタ22の飽和11)1流定数をlSO2とす
ると、(4)式から、 T VBE22 = −(lnIc2−lnIso2−Pl
nT) +VG −(30)? である。IC2は(16)式で与えられ、絶対温度Tに
比例するので、比例係数をGとすると、I C2= (
i T −(31) であり、ここで である。以上を1とめると、(29)式は次式のように
なる。
T VOI = VG−1−−(ln(3T−lnIso2
−PlnT4−A) −(33)? 次に、もう1つの知1圧発生器の出力’i1f圧をめる
。抵抗32,33,340折抗値をそれぞれR32,R
33,R,34とする。この装朧全体の出力電圧は41
0点にあられれ、後述するように、その値はVGである
から、トランジスタ3を流れるコレクター宙1流IC3
は、次式であられでれ、抵抗の温度係数が無視できるほ
ど小さければ温度によらず一定である。
ゆえに、20点にあられれる出力箱、圧VO2は、トラ
ンジスタ23のベース・エミッタ間電圧にa”i−L<
、トランジスタ3の飽和tFL流定数をlSO3とすれ
ば、(4)式より、 11 VO2=Va+−(lnIc3−7nIso3−Pln
T) −=(35)? である。
抵抗30.31の抵抗値をそれぞれ1% 30 。
R31とし、その抵抗比を すると、電圧加算器は、点39にあられれる電圧■01
と、点40にあられれる電圧VOZを入力とし次式であ
られされるような装置全体の出力電圧Vo3を発生する
VO3=Vot十K (VOI−VO2) ・・・(3
7)簡単のためにI s o 2 = I s o 3
 = I s oとすれば、上式は、次のように展開さ
れる。
T Vo 3 =Va+−(A! n(Jr−71n I 
s o−Pl n’1.”+A)? T 十−(ly+1lnG’I’−1n I c 3)T −1−(K+1−P)lnT ・・・(38)Z・ ゆえVCl(27)式、(36)式によシきまる回路定
数、A及びKを(39)式及び(40)式のように調整
することにより、出力電圧VO3を温度にかかわらず一
定の値Voにすることができる。
K二P−1・・(39) 第7図は本発明の他の実施例を示17たものである。
点39及び点40には前記の実施例と同様に、それぞれ
(33)式及び(35)式で与えら第1る”jL1圧が
発生する。従って抵抗30には、次式で与えられる電流
11oが流れる。
Ilo = −(Vot −V’02) ・・(41)
R3゜ トランジスタ21とトランジスタ22のベース1(j1
流がこの電流に対し、無視できるほど小さいならば、こ
の電流とほぼ等しい電流が拐抗31を流れるため、点4
1にあられれる出力1:1.1.’tE Vo31d−
1(38)式と同じ式で与えられる。本人が0例の特徴
は、1つの′電圧発生器に゛′tI′8.圧加31の機
能をも持たせた点にある。
第8図は、前記の第7図の火加i例を演算増1]器のか
わヤに、トランジスタを使って構成(7た′:*:施例
である。
トランジスタ54,55,56,57,58゜59及び
定電流源82.83は演算増中器を構成し、抵抗70,
7]、、72,73.)ランジスタ21.22とともに
、点87に(33)式で与えられる電圧V01を発生す
る。トランジスタ61 、62.63,64,65,6
6及び定電流源84゜85はもう1つの演箕増11」ν
Jを才1”4成し、抵抗79.80,81、トランジス
タ60とともに、点88に(35)式で寿えられる市、
圧Vo2を発生する。
装置全体の出力11テ圧V03は、点89にあられれ、
前記の実施例と同様に(38)式で与えられる。
抵抗75と、トランジスタ67.68.69はトランジ
スタ53のベース電位をきめるものである。トランジス
タ67のベース・エミッタ間電圧は、トランジスタ59
のベース・エミッタ間π℃圧にほぼ等しいので、トラン
ジスタ67及び68のコv フタ−4tN、 流は、V
o 3 (=VG)と抵抗74によってきまり温16−
によらずほぼ一定である。(ただし、トランジスタ67
.68の止流増巾率は十分高いと仮定する。)トランジ
スタ68と69のベース・エミッタ間電圧は同じである
ので、抵抗75にはトランジスタ18と19の飽和電流
化で決する電流が流れる。抵抗75の片端は、点89に
接続され、その電位はVo 3(=Vo)である。従っ
て、トランジスタ530ベースには、抵抗74と75の
比及びトランジスタ68と69の飽和1F;、流の比に
よって決まる温度によらずほぼ一定の市、圧が惺、生す
る。
抵抗70.71の値及び、l・ランジスタ53のトラン
ジスタ52に対する飽イfl ′ii・流化をル、″、
□+li′−することにより、トランジスタ51及び5
2のコレクターの電位の温度依存性を任肩にi′叱定す
ることができる。
例えば、トランジスタ51 、52のコレクター電位を
広い温度範囲でベース市1位とほぼ等しく設定すること
により、トランジスタ51.52のアーソー効果のVO
Iに対する影響を者しく低減することが’121″能で
ある。
また、トランジスタ54.55のエミッタ′中1位を高
い電位に設定することにより、低温特における電流源8
2を構成するトランジスタの飽和現象を防ぐことも可能
である。
トランジスタ54.54のq第1流増市率が低い場合、
トランジスタ54.55のベース雷、流の影響により、
トランジスタ5 ]、 、 52のコレクター電流比が
抵抗70.71の比で決する値からずれ、そのためVo
+にklX差が生じる。トランジスタ56.57の飽和
電流比をトランジスタ51.52のコレクターBE 1
lrf、比に劣しくすることにより、これを防ぐむとが
できる。一般に、1<’:n’、回路中の隣接したトラ
ンジスタ間ではへ11□流増巾率のマツチングは非宮に
良いので、トランジスタ54.55のペース電流比はコ
レクターj)1、流孔に等しく、さらにこの場合それか
、トランジスタ51.52のコレクター1:j流化に等
しいからである。この際、トランジスタ54.55の飽
和電流比をもトランジスタ5 ]、 、 52のコレク
ター電流比流比に等しく設定することにより、トランジ
スタ54.55のベース1セ7位の誤差による、トラン
ジスタ51.52のコレクター電流比の4.北定誤差を
最小にすることがで盾る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によると、7見度変化にか
かわらず宮に一定の霜1圧f発生することができる基準
電圧発生器をl、j供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の基準電圧発生器の原即図、第2図は、
従来の基準電、圧発生器の温度11〒性図、第3図は、
本発明の動作原理図、第4図乃至第8図はそれぞれ本発
明の実施例を示すlト41である。 11・・・電流源、12・・・トランジスタ、13・・
・霜圧加算器、14・・・絶対温度に比例する市、Fト
の発生器、15・・・出力部。圧、16・・・組1.対
11謀1線に比例する1M1圧の発生器。 代理人 弁理士 則 近 沙i 佑 (ほか1名)\ □シ、Q 第 4 図 戻 第5図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶対温度に比例する′小゛用を発生する雷1圧発
    生器と、絶対温度の対数に比例する電圧を発生する雷、
    圧発生器と、絶対温度のべき采に比例する電流を発生ず
    る電流発生器と、この11シ流発生器に接続智れたトラ
    ンジスタと、このトランジスタのベースエミッタ間知1
    圧および前記2つの電圧発生器の出力電圧f反いに加3
    7する届圧加針器と′12:、備えることを特徴とする
    基準電圧発生器。
  2. (2)絶対温度の対数に比例する電圧を、絶対温度のべ
    きの形であられきわるr、13口1!特性の互いに異な
    る電流を発生する2″:)の′l^;流発牛器と、それ
    らにそれぞれ接Fj+I 1.、 y’c 2つのトラ
    ンジスタのベース・エミッタI!4jliI圧のΔ−に
    より得ることを特徴とする特許請求の3;1λ囲化第1
    記4.2(の基準電圧発生器。
  3. (3)絶対湿度のべきの形であられされる湯度特性をも
    った′山数を81−生ずる2つの掌、流発生器のうちの
    1つは、電圧加算器の出力性、11:を、それに比例し
    た電流に変換するものであることをIl、′Ifaとす
    る特許請求の範囲第2項記への基準電圧発生器。
JP58109191A 1983-06-20 1983-06-20 基準電圧発生器 Granted JPS603012A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0452736U (ja) * 1990-09-07 1992-05-06
JP2012243054A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Asahi Kasei Electronics Co Ltd バンドギャップリファレンス回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0452736U (ja) * 1990-09-07 1992-05-06
JP2012243054A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Asahi Kasei Electronics Co Ltd バンドギャップリファレンス回路

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