JPS6030893B2 - センサの製造方法 - Google Patents

センサの製造方法

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JPS6030893B2
JPS6030893B2 JP10062078A JP10062078A JPS6030893B2 JP S6030893 B2 JPS6030893 B2 JP S6030893B2 JP 10062078 A JP10062078 A JP 10062078A JP 10062078 A JP10062078 A JP 10062078A JP S6030893 B2 JPS6030893 B2 JP S6030893B2
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JP
Japan
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ultrafine particle
gas
sensor
gas pressure
particle material
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Expired
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JP10062078A
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JPS5527925A (en
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久仁 小川
惇 阿部
雅博 西川
聰 関戸
茂 早川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセンサの製造方法、さらに詳しくはガスや水蒸
気等の外的作用因子に対して相互作用を有し、ガス・水
蒸気の濃度を高い感度で検出することのできる錫酸化物
の超微粒子膜を感応体とするセンサの製造方法に関する
ものである。
本発明の目的とするところは、同一材料を用いて、測定
温度を違えるだけでガスと水蒸気の濃度を高い感度で検
出することのできるセンサを提供することにある。
すなわち、本発明の製造方法により作られた錫酸化物超
微粒子センサは、室温では水蒸気に感応し、高温度下で
はガスに感応して、それらの濃度を各々選択的に検出す
ることができるものである。以下、第1図を用いて半導
体センサー材料としての錫酸化物超微粒子材料の製造方
法の一実施例を詳しく説明する。
通常の真空蒸着装層中の試料ホルダー2に、超微粒子材
料を付着させるべき基板(たとえばガラス基板)3を保
持させる。
蒸着用ボート4中にSn、もしくはSn0、またはSn
02などの蒸発材料5をセットしたのち、排気口6に接
続した真空ポンプ(図示せず)を作動させて、装置1内
を5×10‐汀ord星度の真空度にする。それから、
02ガス導入口7のコックを開き、装置1内に02ガス
を導入し、その圧力を0.1Torrからlmon程度
に保つ。次に、蒸発用電源8によりボート4に通電して
発熱させ、02ガス雰囲気のもとで蒸発材料5を十数秒
から数分間蒸発させる。たとえば02ガス圧力を0.9
0nにして蒸発材料5をSnに選び、70〜80A、4
Vの電力を1分間ボート4に印加すると、約1山mの厚
さのSn酸化物の超微粒子が基板3の表面に付着形成さ
れた。
ここでは蒸発材料を蒸発させるのに抵抗加熱による方法
を例にあげて述べたが、他の方法、たとえば誘導加熱、
あるいは赤外線加熱による方法でよいことは言うまでも
ない。第2図は上述のようにして作られたセンサーの一
例を示す。
これは、基板3上にあらかじめ一対の電極9,10が真
空蒸着などの周知の方法によって設けられており、さら
に、その上に超微粒子膜11が形成されているものであ
る。検出対象となる雰囲気中に入れると、ガス、水蒸気
の濃度に応じて、電極9,10間の抵抗値が変化する。
上述のようにして製造したSn酸化物の超微粒子材料を
感応体とするセンサ特性は、その製造条件により、かな
り異なる。特性に影響を与える種々の製造パラメータの
中でも、特に超微粒子材料形成過程となる雰囲気、すな
わち02ガスの圧力にその特性が強く依存する。超微粒
子材料の平均粒径を例にとると、第3図に実線で示した
ように02ガス圧力lmomでは百数十A,02ガス圧
力ITorrでは数十Aになる。一般に、超微粒子材料
の粒径によって、粒子中に占める表面の割合や粒子全エ
ネルギー中に占める表面エネルギーの割合が大きく異な
って来る。第3図に破線で示したように、02ガス圧力
lmomで製造した超微粒子材料の全原子数に対する表
面原子数の割合は約10%,02ガス圧力ITonで製
造した超微粒子材料のそれは約45%となる。このよう
に製造時のQガス圧力により超微粒子材料の表面エネル
ギー、すなわちガス、水蒸気と相互作用を起こす表面活
性度が異なる。また、超微粒子材料が基板に付着する場
合の、膜の形成の状況も、02ガス圧力によって、異な
る。すなわち、Qガス圧力が0.1Tonの場合には、
第4図Aに示すように、超微粒子層はC軸方向に柱状に
配列し、その表面が比較的平坦で、所々に割れが生じる
。これから、超微粒子膜は、かなり固くてもろい(小さ
な粒径の微粒子が密につまっている)ものであると考え
られる。02ガス圧力が0.5Tomになると、第4図
Bに示すように、柱状性はまだ残っているが、超微粒子
層の配列方向に乱れがみられるようになる。
これは、超微粒子の粒蓬がかなり大きくなっている(第
3図に示したように約30A)ことを示し、超微粒子同
志の結合力も0.1Tonの場合に比べて弱くなってい
る。02ガス圧力が10rorrになると、第4図Cに
示すように、超微粒子層成長に方向性がみられず、無論
、柱状性もよくなり、断面構造が海綿状になる。
表面構造も、断面構造同様、海綿状である。第5図は、
Sn酸化物超微粒子材料のィンプタンガスおよび水蒸気
に対する感度の、超微粒子材料製造時の02ガス圧依存
性を示したものである。
前述のように、02ガス圧力により、超微粒子材料その
もの、および超微粒子材料膜の成長、配列の仕方も異な
るので、当然雰囲気すなわちィソプタンガスや水蒸気な
どとの相互作用の様子もS心酸化物超微粒子材料製造時
の02ガス圧により異なってくる。
図において、曲線aは200qoの温度雰囲気で測定し
たィソブタンガスに対するSn酸イ材物超微粒子材料の
感度を示したものである。これから明らかなように、0
2ガス圧力0.1Tonからlmonまでの間で製造し
たSn酸化物超微粒子材料がィソブタンに対して感度を
有している。曲線bは、室温(25℃の温度雰囲気で測
定したソブタンガスに対するS健酸化物超微粒子材料の
感度を示したものであり、製造時におけるQガス圧力の
如何にかかわらず、感度を示さない。曲線cは20ぴ0
の温度雰囲気中で測定した水蒸気に対するSn酸化物の
超微粒子材料の感度を示したものであり、これから明ら
かなように、高温度下では製造時の02ガス圧力の如何
にかかわらず感度を示さない。曲線dは室温雰囲気中で
測定した水蒸気に対するSn酸化物の超微粒子材料の感
度を示したものであり、02ガス圧力0.02romか
らITomまでの間で製造したSn酸化物の超微粒子材
料が感度を有している。これから明らかなように、0.
1TonからITonまでの圧力のQ雰囲気中で製造さ
れたSn酸化物の超微粒子材料は、200qoで測定す
ればィソブタンガスを、室温で測定すれば水蒸気を各々
選択的に検出しうるものである。
以上述べたように本発明の製造方法によるSn酸化物の
超微粒子材料は、測定温度を違えるだけで一つのセンサ
ーで同一雰囲気中に存在するたとえばィソプタンガスと
水蒸気とを選択的に測定できるものであり、非常に有用
なものである。
そして、上述から明らかなように、一つのセンサーで一
つの事象を測定することができるため、経済的であり、
周辺回路構成も二つのセンサーを用いるよりははるかに
容易であるという利点も有している。この方法で作られ
たセンサーの用途としては、たとえば燃焼状態の検知あ
るいは制御、火災検知などをあげることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかるセンサの製造方法を実施するた
めの製造装置の一例を示す図、第2図は本発明の方法に
よって得られたセンサの構造の一例を示す平面図、第3
図は感応体製造時におけるQガス圧力と超微粒子材料の
平均粒径、表面原子数と関係を示す図、第4図A,B,
CはそれぞれSn酸化物超微粒子材料の基板に対する付
着状態を示す走査形電子顕微鏡写真、第5図は感応体製
造時における02ガス圧力、測定温度と感度との関係を
示す図である。 1・・・・・・基板、4・・・・・・ボート、5・・・
・・・蒸発材料、9,10・・・・・・電極、11・・
・・・・超微粒子膜。 第1図第2図 第3図 第4図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 電気絶縁性支持基板上にSnもしくはその酸化物を
    0.1〜1TorrのO_2ガス圧の雰囲気中で蒸発さ
    せ、支持基板に付着させて、Sn酸化物の超微粒子膜を
    形成し、ガス・湿度に対する感応体とすることを特徴と
    するセンサの製造方法。
JP10062078A 1978-08-17 1978-08-17 センサの製造方法 Expired JPS6030893B2 (ja)

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JPS5527925A JPS5527925A (en) 1980-02-28
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JPS5722549A (en) * 1980-07-16 1982-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Gas sensor and manufacture thereof
JPS5796250A (en) * 1980-12-05 1982-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of superparticulate sensor
JP6536479B2 (ja) 2016-05-17 2019-07-03 株式会社デンソー 回転機の制御装置

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