JPS6031061B2 - 多色プラズマ表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＡ．Ｃ．プラズマ表示パネルに係り、更に具体
的には多色の表示（多色光）を発生するためのこのよう
なパネルに係る。

プラズマ即ちガスの放電表示装置及び（あるいは）放電
記憶装置は、小さい寸法の薄い偏平な表ホパッケージ、
かなり低い電力要件及び固有のメモリ能力のようなある
所望な特性を有し、これらの特性かこれらの装置を表示
のために特に適するものにする。

このような既知のガス放電装置の１例は米国特許第３５
５９１９び号（特公昭４５−１０７０４号公報）に開示
されている。Ａ．Ｃ．プラズマ・パネルと称されるこの
ようなパネルはセルを物理的に区分する内部層を含んで
もよくあるいは代りにガス・セルを電気的に絶縁するが
物理的に区分しないオープン・パネル構造からなっても
よい。本発明の良好な実施例を表すこのオープン・パネ
ル構造において、譲電体被覆された導体アレイを有し、
この導体アレイが上に形成された１組のガラス板は、こ
の導体アレイが略直交関係に配置されてシールされる。
適当な駆動信号が選択された導体に印加される時に、こ
れらの信号はこの誘電体を介してこのガスに容量的に接
続される。これらの信号がこのガスのこのブレークダウ
ン電圧を越える時に、このガスはこの選択された領域に
おいて放電しそしてこの効果的に生じた電荷粒子、イオ
ン及び電子はこの粒子の極性と正反対の電位を有する壁
にひかれる。この壁の荷電電位は放電を発生維持する駆
動信号に対抗し、この放電を急速に消滅させそしてこの
次のサイクルにおいてブレークダウンを助勢する。夫々
の放電はこの選択されたセルあるいは複数個のセルから
放射光を発生し、３０Ｋサイクル乃至５０Ｋサイクル程
度のかなり高い周波数での動作によりちらつきの無い表
示が与えられる。一般に、この放射光の色は特徴があり
即ちこのガス放電装置に使用されたガスあるいは混合ガ
スによって決定される。この初期のブレークダウンの後
に、この壁の電荷状態は持続信号と称す低い電位の制御
信号を印放することにより選択されたセルにおいて維持
され、この壁の電荷と結合されたこの持続信号は連続表
示を維持するためにこの印加された周波数でこれらの選
択されたセルを連続的に再点火させ且つ消滅させる。Ａ
．Ｃ．ガス放電表示パネルを用いる多色表示を達成する
ために、この先行技術はこのパネルの中に入れられたＺ
ｎ２Ｓｉ０４：Ｍｎ、ＹＶ０４：Ｅｕ及びＣａＷ０４：
Ｐｂのようなフオトルミネツセント燐を用いることを提
案した。これらの燐はドーナツ形状あるいはバー形状の
この導体アレイを覆う誘電体の表面上に与えられそして
キセノン放電、ヘリウムーキセノン放電あるいはヘリウ
ムーネオン−キセノン放電の負のグローにおいて発生さ
れた紫外放射線によって励起される。オーブン・セル構
造であり、フオトルミネッセント燐を用いた先行技術の
多色Ａ．Ｃ．プラズマ・パネルは、照準線励起によって
起される隣接セル間の光学的漏話現象のようなある欠点
を含んでいる。

更に、“オン”状態においてセルから発する紫外放射線
の多重反射はオンーオフ・ルミネッセンス（オンーオフ
発光性）を連続的に劣化する。このような先行技術のパ
ネルの他の欠点は、この放電の際にイオン衝撃から結果
的に起るこの燐の劣化のためにこの燐の発光効率が急速
に減少することである。この先行技術は又、光学的漏話
を減少しそして多色Ａ．Ｃ．ガス放電表示パネルにおけ
る放電による損傷からこの燐を保護するためのある方法
を教授した。

光学的漏話を減少するこのような方法の１つは照準線励
起を減少するために光学的バリャを用いることからなる
。光学的漏話を減少する他の方法は、紫外放射線の多重
反射を減少するために、これらの燐を取り囲む選択され
た領域においてこの誘電体の表面上に与えられる黒い紫
外放射線吸収物質を用いることからなる。これらの方法
によって達成された光学的漏話の抑制は満足するもので
はなかった。ガス放電装置におけるイオン衝撃から結果
的に起るこの隣の劣化をさげるために、高い結合ェネル
ギ及び紫外放射線の高い伝導性を有するＳｊ０２あるい
はＡ〆２０３のような反射物質はこの燐を保護するため
に用いられる。

しかしながら、ＡＣ．動作の際に、Ｓｉ０２及びＡそ２
０３のイオン衝撃は、紫外放射線の伝導を実質的に減少
し、この隣の発光性において相当した減少を結果的に起
し、これによってこの装置の使用寿命を制限している。
従って、本発明の目的は、光学的性能及び電気的性能を
実質的に改良して多色表示をもたらす能力があるＡ．Ｃ
．プラズマ表示装遭を提供することである。要約するに
、ェレクトロルミネツセント隣物質の層は、Ａ．Ｃ．ガ
ス放電表示パネルにおいてこれらの導体電極を覆うこの
譲亀体層として用いられる。ェレクトロルミネツセント
は、電界がェレクトロルミネツセント燐の層の両端にか
けられる時の放射光に与えられた用語である。このェレ
クトロルミネツセント議電体層は、高い謙軍定数、良好
な光学的透明度及びかなり高いブレークダウン強度を有
する１層以上の誘電体層によってこの放電ガスとの直接
接触から隔離され、このガス接触層は高い結合エネルギ
ー特性及び高い２次電子放射特性を有する酸化マグネシ
ウムのような反射物質から作られる。このェレクト。ル
ミネツセント誘電体層の両端にかかる電圧すなわちＡＣ
．動作の際にこの誘電体の表面とこの下側の導体電極の
間にかかる電圧より低い電圧値にこのェレクトロルミネ
ツセント限界電圧を減少するために、高い不純物濃度を
有し且つこれらの導体電極のみを覆うｎ型半導体物質の
層がこれらの導体電極とこの燐誘電体層の間に挿入され
る。この方法において、十分に高い密度のキャリア（電
子）は、電荷がこのガス接触誘電体層の表面上に設定さ
れそして高い電界がＡ．Ｃ．動作の際にこの鱗譲露体層
にできあがる時にこのｎ型半導体層からこの燐誘電体層
に注入される。この効果、ェレクトロルミネッセンス限
界電圧は実質的に減少される。このヱレクトロルミネッ
セント層によって放射された光の色は、異なる放電セル
が異なる特性の色を放射する燐誘電体で作製されるよう
に選択される場合のようなェレクトロルミネツセント燐
の特性となる。

このェレクトロルミネッセント燐及びこのガス放電によ
って放射された光の強度は共に周波数に依存するから、
異なる放電セルの色はこの持続電圧の周波数を変えるこ
とにより制御できる。諸図、更に具体的には第１図を参
照するに、列及び行の導体アレイ３及び４が夫々板ガラ
ス基板１及び２の上に被着される。

次に、１の当り１び７の高い不純物濃度を有し、ヒ化ガ
リウムをドープされた錫、テルリウム、テルル化錫ある
いはシリコンのようなｎ型半導体物質の層５は、この列
導体アレイ３の交互の導体の上に直接的に被着される。
誘電体層７はこの列導体アレイ３の上に形成され、この
層は稀士類元素をドープしたセレン化亜鉛、硫化亜鉛あ
るいは硫化カドミウムのようなェレクトロルミネツセン
ト燐からなってもよい。行導体アレイ４は誘電体層６に
よって放電ガスから隔離され、この誘電体層は高いパー
セントの酸化鉛を含む棚珪酸鉛ガラスのようなソルダー
・ガラスからなってもよい。低い動作電圧を与えるけれ
どもイオン衝撃から結果的に起る劣化に対して誘電体部
材６及び７の表面を保護するために、誘電体層６及び７
は酸化マグネシウムのような耐火性の高い２次放射性物
質の層８及び９の夫々で被覆される。第１図に示したこ
の装置の製造において、刃旧女び行の導体アレイ３及び
４は、フオト技法、真空蒸着技法、ステンシル・スクリ
ーン技法等のような多数の公知の処理方法によって関連
した坂ガラス基板１及び２の上に形成されてもよい。

酸化錫、金あるいはアルミニウムのような透明、半透明
あるいは不透明の導体物質は、これらの導体アレイを形
成するために使用できそして１ライン当り３０００オー
ムよりも低い抵抗値を有する。代りに、この列及び行の
導体アレイ３及び４は金、銀、アルミニウムあるいは任
意の他の導体金属もしくは導体物質のワイヤ‐すなわち
フィラメントであってもよい。たとえば、０．０２鼠側
のワイヤ一・フィラメントは経済的に活用でき且つ本発
明において用いられてもよい。しかしながら、導体アレ
イはその場所で形成される方が好ましく、これ故にこれ
らの導体はこの基板１及び２の上に非常に容易に且つ一
様に彼着できそして固着できる。導体物質の選択におけ
る重要な基準は、この導体物質が製造の際にこの誘電体
ガラスによる作用（おかす作用）を受けずあるいは他の
点でこの作用から保護可能であることである。このｎ型
半導体層５は、別々の供給源を用いて、ガリウムと、枇
素と、錫、テルリゥム、テルル化錫あるいはシリコンの
ようなｎ型ドープ材との共同の蒸着により列導体アレイ
３のうちの他方の全ての導体の上に直接的に形成される
。

このｎ型半導体層５は、セルを１つずつ規定してこの導
体の上に形成される。しかしながら、このｎ型半導体の
全長にわたっても与えられることが認識されるべきであ
る。本発明に従った良好な実施例において、この半導体
層は１０００Ａ乃至２００００Ａの厚さでありそして１
の当り約１び７のドナー不純物濃度を有する。このヱレ
クトロルミネツセント誘電体層７は、別々の供接合源を
用いて、セレン化亜鉛、硫化亜鉛或いは硫化カドミウム
と弗化テルビウムとの共同の蒸着により列導体アレイ３
の上に形成される。

このェレクトロルミネツセント隣物質は１％乃至５％の
弗化テルジウムからなってもよいが、本良好実施例にお
いてこの層は１０００Ａ乃至１００００Ａの厚さである
。誘電体層６は、この基板部材２の膨張係数に非常に近
い膨張係数を有する無機物質から、行導体アレイ４の上
にその位置で直接的に形成される方が好ましい。１つの
良好な誘電体物質は、前述に示すように棚珪酸鉛ソルダ
ー・ガラスでありそして高いパーセントの酸化鉛を含ん
だ物質であるが、この譲図体層６は通常０．０２５４肋
乃至０．０５雌側の厚さである。

この叢電体層の表面は、なめらかであり、約１０００Ｖ
のブレークダウン電圧を有し微視的寸法において電気的
に均質でなければならず、すなわちクラック、バフル、
結晶、表面フィルムあるいは任意の不純物もしくは欠陥
の無いものでなければならない。次に、誘電体層６及び
７は酸化マグネシウムの層８及び９の夫々で被覆され、
この酸化マグネシウムの層は５００Ａ乃至５０００Ａの
厚であってもよい。これらの誘電体層の表面の間の良好
な間隔は、約０．１０１６側乃至約０．１５２４肋であ
りそして導体アレイ３及び４は０．０７６２肌乃至０．
１５２４肌の幅を有して約０．５０８肌の中心間間隔を
有し、この導体は代表的に５０００Ａ乃至２００００Ａ
の厚さである。第２図及び第３図は、上記第１図のガス
放電表示パネルの基本動作を示している。たとえば、列
導体３Ａ及び３Ｂと行導体４Ａの交差部によって規定さ
れた素子的ガス容量部２０（第３図参照）は、同時に起
る書込み信号及び持続信号をこれらの関連した導体に印
加することにより書込み動作の際に選択的イオン化され
、これらの信号は光発生放電を起すために代数的に結合
された時に十分な大きさを有する。この持続電位は、た
とえば、行持続発生器３０及び列持続発生器３１によっ
て行導体４Ａ及び列導体３Ａに印加されるが、この書込
みパネル電位はデータ源及び制御回路４０からの信号に
応答して行アドレス回路３２及び列アドレス回路３３に
より行導体及び列導体に夫々印加される。データ源・制
御回路は又持続発生器３０及び３１を制御する。ここに
記述したこの良好な実施例において、書込み動作、保持
動作及び消去動作のためのこれらの制御電位は、１９７
￥王６月２１日に出願された米国特許出願番号３７２Ｘ
Ｘ‘こ記述された形式の方形波パネル信号である。第３
図に示すように、行導体４Ａが正であるから電子２１は
この素子的ガス容量部２０の領域に略相当する誘電体部
材６の表面の素子的領域Ｘの上に集められそしてこの領
域に引かれるが、比較的動きにくい正のイオン２２はこ
の時負になっている誘電体部材７の相当する素子的領域
Ｙの上に集り始める。これらの電荷が累積すると、これ
らの荷電は行及び列の導体４Ａ及び３Ａに印加された電
圧に対抗する荷電電位を構成しそしてこの半サイクルの
残りの間素子的ガス容量部２０において放電を終了させ
る役目をする。素子的ガス容量部２０の初期放電の後に
、書込み信号は除かれ、このために行及び列の保持発生
器３０及び３１からのこの保持信号のみが行及び列の導
体４Ａ乃至４Ｎ及び３Ａ乃至３Ｎの夫々に印加される。
この相対する素子的領域×及びＹでのこの電荷ストレー
ジ（例えばメモリ）のために、この素子的ガス容量部２
０は持続電圧のその後の各半サイクルの際に放電し、再
び光の瞬時パルスを発生する。この選択された“オン”
の素子的ガス容量部２０は何れも、選択された“オン”
の素子的ガス容量部に行及び列のアドレス回路３２及び
３３からの電圧パルスを印加することによりオフに切換
られる。（消去動作）これはこのパルスが相対する素子
的領域の対にストアされた電荷を中和して持続電圧がこ
の放電を維持するのに充分でなくなるからである。この
データ源、制御回路、行及び列の持続発生器並びに行及
び列のアドレス回路の詳細は本発明の要部を構成しない
ので本発明の理解に関して不必要であろう。更に、本発
明に従ったＡ．Ｃ．ガス放電表示パネルを動作するため
に必要な回路はこの技術分野の当業者に公知であると思
われる。行導体４Ａと列導体３Ａの交差部によって規定
されたこの素子的ガス容量部２０でこの素子的ガス容量
部がこの放電状態である時即ち電荷がこのガス接触の誘
電体層９の上に設定され且つ高い電界がこの燐誘電体層
７にできあがる時に、この充分に高い密度のキャリア（
電子）がｎ型半導体層５から燐誘電体層７に注入される
。

これによりＡＣ．動作の際にこのェレクトロルミネッセ
ンス限界電圧は、誘電体層９の表面とこの下の列導体３
Ａの間で燐誘電体層７にかかる電圧よりも実質的に低く
減少される。このェレクトロルミネッセント燐によって
放射された緑色の光の強度が黄色−赤色のネオンーアル
ゴンの放電グローの光の強度よりも実質的に高いから、
この緑色が優勢となる。刃０女び行の導体３Ｂ及び４Ａ
によって規定されたこの素子的ガス容量部２０で、Ａ．
Ｃ．動作の際にこの鱗誘電体層７の両端にかかる譲露体
層９の表面とこの下の列導体３Ｂの間の電圧は、ｎ型半
導体層が列導体３Ｂとこの機誘電体層７の間に挿入され
ていないからこのェレクトロルミネッセンス限界電圧よ
りも実質的に低い。結果的に、このネオンーアルゴン放
電によって放射された光の黄色−赤色が優勢となる。か
くして、第１図に示した装置は原色とも云える少なくと
も２つの異なる色を発生する能力があり、ガス放電色特
性及びェレクトロルミネッセント機色特性を付加的に混
合することにより他の色を発生することを可能にする。
第４図は本発明に従ったこのガス放電表示パネルの代り
の実施例を示す。

第１図において、ｎ型半導体層及びェレクトロルミネツ
セント隣の層は板ガラス基板１の上にのみ形成されて示
されている。第４図において、１地当り１び７の高い不
純物濃度を有し、磁化カリウムをドープした錫、テルリ
ウム、テルル化錫あるいはシリコンのようなｎ型半導体
物質の層１０は行導体アレイ４の交互の導体の上にも直
接的に被着される。この行導体アレイ４及び半導体物質
１０の上に誘電体層１１が形成され、この層は発化テレ
ビウム及びマンガンの両方でドープしたセレン化亜鉛、
硫化亜鉛あるいは硫化カドミウムのようなェレクトロル
ミネツセント燐からなってもよい。次に、このェレクト
ロルミネッセント誘電体層１１は酸化マグネシウムのよ
うな耐火性の高い２次放射物質の層１２で被覆される。
第４図に示す本発明に従ったこのガス放電表示パネルを
製造する場合に、列及び行の導体アレイ３及び４は板ガ
ラス基板１及び２の上に夫々形成される。

次に、ｎ型半導体層５及び１０は、第４図に示すように
セルを１つずつ規定して、列及び行の導体アレイ３及び
４の交互の導体の上に直接的に夫々被看される。層５及
び１０は１０００Ａ乃至２００００Ａの厚さでありそし
て好ましくは１の当り約１び？のドナー不純物濃度を有
する。ェレクトロルミネッセント譲露体層７及び１ １
はこの列及び行の導体アレイ３及び４の上に夫々形成さ
れる。誘電体層７は１％乃至５％の発化テルビウムを含
む弗化テルビウムをドープしたセレン化亜鉛、硫化亜鉛
あるいは硫化カドミウムのような隣物質から形成されそ
してこの層は１０００Ａ乃至１００００Ａの厚さである
。誘電体層１１は、１％乃至５％の磁化テルビウム及び
１％乃至５％のマグネシウムを含む弗化テルビウム及び
マグネシウムの両方でドープしたセレン化亜鉛、硫化亜
鉛あるいは硫化カドミウムのような隣物質から形成され
そしてこの層は又１０００Ａ乃至１００００Ａの厚さで
ある。このェレクトロルミネッセント譲蚤体層７及び１
１は、５００Ａ乃至５０００Ａの厚さであってもよい酸
化マグネシウムのような耐火性の高い２次放射物質の層
９及び１２の夫々によってこのガス放電から隔離されて
いる。第５図は第４図に示し且つ上述したこのガス放電
表示パネルを動作するための多色プラズマ表示装置を示
す。

列導体３Ａと行導体４Ａによって規定されたこの素子的
ガス容量部２０（第３図参照）で、充分に高い密度のキ
ャリア（母子）はこの素子的ガス容量部がこの放電状態
である時にこのｎ型半導体層５からこの燐誘電体層７に
注入され、かくしてＡＣ．動作の際にこのヱレクトロル
ミネッセント限界電圧はこの誘電体層７−の両端にかか
る電圧よりも実質的に低く減少される。ＡＣ．動作の際
に、この燐誘電体層１１の両端にかかる誘電体層１２の
表面とこの下の行導体４Ａの間の電圧は、ェレクトロル
ミネツセント限界電圧よりも実質的に低い。これは列導
体３Ａと行導体４Ａによって規定されたこの交差部で行
導体４Ａとこの燐誘電体層１１の間にｎ型半導体層が挿
入されないからである。前述したように緑色の光を放射
するこの燐誘電体層７によって放射された光の強度が、
例えば青色の光の放射するアルゴン−水銀放電の負のグ
ローにおいて発生された光の強度よりも実質的に高いか
ら、緑色が優勢となる。列導体３８と行導体４Ａによっ
て規定されたこの素子的ガス容量部で、Ａ．Ｃ．動作の
際にこの鱗叢亀体層７を横切って現れる蝿圧はヱレクト
ロルミネッセンス限界電圧よりも実質的に低い。これは
列導体３Ｂとこの機誘電体層７の間及び行導体４Ａとこ
の機誘電体層１１の間にｎ型半導体が挿入されないから
である。結果的に、このアルゴン−水銀のガス放電によ
って放射された光の青色が優勢となる。列導体３Ｂと行
導体４Ｂによって規定されたこの素子的ガス容量部で、
十分に高い密度のキャリア（電子）はこの素子的ガス容
量部がこの放電状態である時にこのｎ型半導体層１０か
らこの機誘電体層１１に注入され、かくしてＡＣ．動作
の際にこのェレクトロルミネッセンス限界電圧はこの燐
誘電体層１１の両端にかかるこの電圧よりも実質的に低
く減少される。この燐誘電体層７の両端にかかる電圧は
、ェレクトロルミネッセンス限界電圧よりも実質的に低
い。これはｎ型半導体層がこの列導体３Ｂとこの隣誘電
体層７の間に挿入されないからである。機誘電体層１１
によって放射されたこの赤色の光の強度が、このアルゴ
ン−水銀放電のこの負のグローにおいて発生された青色
の光の強度よりも実質的に高いから、この赤色が優勢と
なる。かくして、第４図に示したこの装置は少なくとも
３つの異なる原色で表示する能力があり、この３原色は
ガス放電特性及びこのェレクトロルミネツセント機色特
性の組合わせにより他の色を発生することを可能にする
。このガス放電及びこのェレクトロルミネッセント燐に
よって放射されたこれらの光の強度は共に周波数に依存
するので上記特性の色を混合することによって生じる色
は持続電圧の周波数を変化することにより更に制御され
る。第１図及び第４図に示したこの多色ガス放電表示パ
ネルの利点は、隣接放電セル間の光学的漏話を除くこと
であり、かくして公知の多色ガス放電表示パネルに通常
設けられている隣接放電セル間の光学的バリャの必要性
を無くすることである。

本発明に従ったこの多色ガス放蟹表示パネルの先行技術
に勝る他の利点は、この燐の寿命を非常に改良したこと
であり、従ってこの装置の使用寿命を非常に改良したこ
とである。第６図は本発明に従ったこの多８ガス放電表
示パネルの更に別の実施例を示す。

第４図において、燐談電体層７及び１１は絶縁層９及び
１２の夫々によりこのガス放電から隔離されて示されて
いる。第６図において、エレクトロルミネツセント燐の
層７及び１１は、高い議電定数、良好な透明度及びかな
り高いブレークダウン強度を有する２層以上の絶縁層に
よってガス放電から隔離されており、ガスに接触する層
はここでも酸化マグネシウムのような耐火性の高２次電
子放射性物質から作られている。本発明に従って第６図
に示したこの装置を製造する場合に、列及び行の導体ア
レイ３及び４は夫々板ガラス基板３及び４の上に形成さ
れる。

次にｎ型半導体層５及び１０は、第４図及び第５図と同
じようにセルを１つずつ画定して、この列および行の導
体アレイ３及び４の交互の導体の上に夫々直接的に被着
される。このェレクトロルミネツセント機の層７及び１
１は夫々この列及び行の導体アレイ３及び４の上に形成
される。層１３及び１４は、１０００Ａ乃至１００００
Ａの厚さであってもよいチタン酸塩鉛のような強議電体
の絶縁物質から作られ、ェレクトロルミネッセント燐の
層７及び１１の表面全体に与えられそして次に、５００
Ａ乃至５０００Ａの厚さであってもよい酸化マグネシウ
ムのような耐火性の高２次電子放射性物質の絶縁層９及
び１５で夫々被覆される。第６図に示すように、チタン
酸塩鉛のような強議電体の絶縁物質から作られたこの層
の使用は、このェレクトロルミネツセンス限界電圧を更
に減少し且つこの燐の発光効率を大幅に改良する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従って製作されたガス放電表示パネル
の−部の断面図、第２図及び第３図は第１図に示したこ
のプラズマ表示パネルに使用する動作菱鷹の図、第４図
は第１図に示したこのガス放電表示パネルの別実施例の
断面図、第５図は第４図に示したこのガス放電表示パネ
ルに使用する動作装置の図、第６図は多色ガス放電表示
パネルの別実施例の断面図である。 １，２・・・・・・板ガラス基板、３Ａ，３８，４Ａ，
４Ｂ・・…・導体、５・・・・・・ｎ型半導体物質の層
、６・・・…誘電体層、７・・・・・・ヱレクトロルミ
ネツセント燐物質の層、８，９…・・・２次放射物質の
層。 ＦＩＧ．ＩＦＩＧ．２ ＦＩＧ．３ ＦＩＧ．４ ＦＩＧ．５ ＦＩＧ．６

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 相互に対向して配置される第１の板ガラス基板およ
   び第２の板ガラス基板と、 上記第１の板ガラス基板の
   内面上に平行な配置で形成された複数本の第１導体と、
   上記第２の板ガラス基板の内面上に平行な配置で形成
   された複数本の第２導体と、 上記第１導体および第２
   導体が相互に直交し、その交差部が表示装置の放電可能
   領域を決定するように上記第１の板ガラス基板および第
   ２の板ガラス基板をシールするシール部材と、 上記第
   １導体および第２導体のそれぞれの上に被覆された第１
   の誘電体および第２の誘電体とを有し、 上記第１の誘
   電体および第２の誘電体のうち少なくとも一方をエレク
   トロルミネツセント燐物質から構成するとともに、 上
   記放電可能領域のなかから、ガス放電による発光に加え
   て上記エレクトロルミネツセント燐物質により発光を行
   ないたいものを選択し、このように選択した上記放電可
   能領域において上記エレクトロルミネツセント燐物質と
   これに被覆される上記第１導体または第２導体との間に
   直接にｎ型半導体を設け、 さらに上記ｎ型半導体が付
   された上記放電可能領域を点灯させるとガス放電による
   発光に加えて上記エレクトロルミネツセント燐物質によ
   る発光が起こり、上記ｎ型半導体が付されていない上記
   放電可能領域を点灯させるとガス放電による発光のみが
   起こるように、上記第１導体および第２導体の間に印加
   される動作電圧を設定したことを特徴とする多色プラズ
   マ表示装置。