JPS6031215A - セラミツクコンデンサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はセラミックコンチン１ナーに門し、特に端子
？Ｕ極の改良されたセラミックコンデン→Ｊ−−に関す
るものである。

セラミックコンデンサーは最近の電子機器のＩＣ化、高
機能化、多様化の流れの中で、小型、安定性、耐熱性、
高周波１・ｙ性、温度千Ｉ性の多様性、高絶縁性などの
特徴を生かし、よりＩＮ雑、多機能化しつつあるＩ　Ｃ
化回Ｖ１１等に積（々ｉ的に採り入れられている。

積層セラミックコンデンサーは、誘電体セラミック層と
引き出し方向が相互に異なる内部電極層とを交互に設け
、該内部電極が露出した両端部において、該内部電極層
と電気接続する端子電極を形成した情造を有するもので
ある。

したがって積層セラミックコンデンサーの製造に当って
は端子をつけて前記両端部で露出した電極層を導電接合
して端子電極を形成する必要があるが、この接合に当っ
て、従来は銀（又は銀とパラジウム）含有ペーストを個
々の端Ｈ＃に施し、銀を加熱焼結していたが、この場合
には相当爪の銀が必要であり、またこのような銀９６１
子をっｔｊたコンデンサーに導電性のり−１・をハンダ
づけする際に銀がハンダの鉛−スス合金に溶けて流れ込
み、電極接触部が失なわれるおそれがあった。

更に上記従来法による銀の接着作用は電極材料に対する
ものであって、セラミックに対するものではないので、
その機械的強度に欠１．薄片に裂けるおそれが多分にあ
った。この補強のために銀ペーストにガラスフリッ１〜
」＃ｉ￥１を含イｆさ田ることも試みられたが、フリッ
ト成イ）の溶融に高熱が必要で、高温加熱による望まり
、＜　？ｉ・い現象の発生、操作の煩外：さ等、あまり
好ましいものではなかった。

」１記端子電極の欠点を補うものとして、該セラミック
コンデンサー前駆体の端部にスパッタエッチしてしわの
ある表面を与え、それにニッケル層やニッケルバナジウ
ムの合金、銀の層などをスパッタリングで析出さビる方
法、及び更にその接着性を改良するためにまずりＬ１ム
層を析出させたあとニッケル層やニッケルバナジウムス
パッタ層を析出させ、引続くハンダトｊけを容易ｔこす
るために非常に薄い銀の層をニッケル上に付けることが
提案されている（待開明５８　Ｅｉ　４０１７号公報）
。

こＡしにより得られたコンデンサーは、コンデンサー電
極の接合部がハンダに浸触されない金属膜で構１＆さ４
しているのでハンダイ′ＪＵ中に電極接触部が失われる
おそれが減少する。更に従来の銅端子電極に比べ、Ｎｉ
等のヤ金属膜で構成されるので実質的なコスト低）賊が
達成される。しかしながら当該端子電極の密着強度は引
張試験において、まだ界面で剥離するものが多く強度的
に問題であった。

本発明は前記のセラミックコンデンサーの端子電極を更
に改良したセラミックコンデンサーに関するものであり
、前記公知のスパッタ端子電極によって奏せらｈる効果
はずべで有することは勿論。

特に内部電極とその間のセラ沌ツク空間の両者に強く接
着し、機械的密着強度の大きい端子電極を有するセラミ
ックコンデンサーを（是供するものである。

本発明はセラミックコンデンサーにおいて、その端子電
極が、Ａ１、Ｔ」又はそれらの合金の薄膜で第一層を構
成した金属薄膜積層体からなることを特徴とするセラミ
ックコンデンサーである。本発明の端子電極における金
属薄膜ｆＲ層体の層数は２層以上のいずれでもよく、第
一層の」二に設けられる層の金属としては、電極を形成
し得るものが用いられ、例えばＮｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ａ４．Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ又はそれら
の合金等を用いることができる。本発明における金属薄
膜積層体の厚さとしては、各薄膜の厚さ、第一１０．０
１〜１７ｍ・好ましくは０・０２〜０・）・・第二層以
」二〇・０５−５７ｍ、好ましくはＯ、］　−２７＋ｎ
、全体として０．０６〜６７川が適当である。金Ｒ薄膜
を形成する方法としては、スパッタリング、真空蒸着、
無電解メッキ、−（７１ンブレーテイング等の公知の技
術を挙げることができる。

本発明は端子電極において、前記の通り第一層をＡ」、
１゛１又はそれらの合金の薄１漠とすることにより、前
記公知のスパッタ法によるものの中で、特に接着強度が
大きいどされている第一層をＣｒとするものに比して、
接着強度が著しく大きいものが得られたこと目、驚くべ
きことであり、これはＴｐｉ１＋ｌＩできない効果であ
る。

また前記の通り公知の方法においてはスパッタエッチし
てその表面にしわをｎ！番プることにより接着性を」二
げているのに列して、本発明方法では第１表（後出）に
示す通り、そのような前処理をしないで、公知の方法に
比してずぐれた接着性を得ることができるものであり、
その製造コニ程におけるｆｌｉＩ略化もその効果として
挙げることができる。

また本発明のセラミックコンデンサ・−ではハンダぬれ
特性が２３０±５℃、３秒間で端子電極の全面にハンダ
がぬれた。またハンダ両・１熱性が２７０±５℃、ハン
ダ層中で４０秒間浸漬後、ハンダにょる浸削（が全く認
められなかった。更に民生用として要求される３００℃
、１０秒間でも同様の結果であり、上記公知のものに比
して優れたものであるということができる。

以上のように、本発明の端子電極からなるセラミックコ
ンデンサーはその接着強度が著しく大きく、それにより
セラミックー電極の界面に１１１ってコンデンサーが薄
片に裂ける傾向を防止できる上に、ハンダ耐熱性および
ハンダぬれ性においてすぐれ、ハンダ付がしやすい外、
電極の接合部がハンダに浸触されない卑金属１１カで構
成されているので、電極接触部が失われたり減少するお
それがなく、安価に製造でき、更にコンデンサーの全体
サイズを減少させ小型化に寄与できる等の顕著な効果を
有するので、産業用機器のみならず民生用機器にも導入
でき、その用途は広く、目かり知れないものであるとい
える。

又本発明は円板型、円筒型コンデンサーにも利用できる
。

次に本発明によるコンデンサーの製造の一例を記載し、
また公知のものとの比す１ｑ試豹の結果を示す。なお、
この製造に限定されるものでないことは理解されるべき
である。

例 セラミソクコンデン（）−の端部を処理するメ＝めに、
０．（ｉＸｌ、２Ｘ２．０ｍｍの大きさの端部未処理セ
ラミッタコンデンリーチップを真空スパッタリング室に
導入し、４．２ｋｗの出力レベルでスパッタリングを行
なった。そのスパッタリングは圧力ｔＯＸ３ １０　ｕｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中で実施し、第−
ＷＩを本発明ではＡ　−Ｌ（、Ｎ　ｏ　、　Ｉ及び２）
又はＪ″１（Ｎｏ、３）、比較例ではＣｒ（Ｎｏ、７１
）とし、第二層はＮｊ又はＮ１−■を、第三層はＡ、を
用いた。

また更に比較のため、スパッタエッチした後。

第一層をＣｒ、第二層をＮｊ−Ｖ、第三層をＡｇとする
公知（特開＋１７１５８−６４０．１７　）のもの（Ｎ
ｏ、５）も作成した。

これらの密着性を示ず引張強度を第１表に示す。

第　１　表 第１表よりわかるように、本発明の端子電極からなるセ
ラミックコンデンリ−（：ＩＪ−ぐれた密着強度を有し
、公知の最もよいとされるスパッタエッチ前処理（しわ
イリ）を行ない、かつＣｒを第〜ｍとするものに比して
著しくすぐれた強度を有するものであり、その他の特性
とともにすぐれたセラミックコンデン→ノーであること
が判る。

以上、薄膜としてスパッタリンクによるものを挙げたが
、蒸着、無電Ｍメッキ、イオンブレーティングによるも
のも同様である。

代理人　大多和　明敏 代理人　大多和　暁子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. セラミックコンデンサー　において、その端子電極が、
   Δ】、′１′］又はそれらの合金の薄膜で第一層を構成
   した金属薄膜積層体からなることをＬｔ′！を徴とする
   セラミックコンデンサー。