JPS6032373A - 横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造 - Google Patents
横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造Info
- Publication number
- JPS6032373A JPS6032373A JP58141303A JP14130383A JPS6032373A JP S6032373 A JPS6032373 A JP S6032373A JP 58141303 A JP58141303 A JP 58141303A JP 14130383 A JP14130383 A JP 14130383A JP S6032373 A JPS6032373 A JP S6032373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- layers
- conductivity type
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多数の発光ダイオード（以下ｒＬＥＤＪと称
する）素子が１列に１置されたＬＥＤアレイ構造、より
詳細にはＰ Ｎ ４’ｉ＝合面に対して略垂直な面から
発光が取り出される横方向光取出しＬＥＤアレイ構造に
関するものである。
する）素子が１列に１置されたＬＥＤアレイ構造、より
詳細にはＰ Ｎ ４’ｉ＝合面に対して略垂直な面から
発光が取り出される横方向光取出しＬＥＤアレイ構造に
関するものである。
ＬＥＤは第１導電型層（Ｎ／ｉ！あるいはＰ層）上に第
２導電型層（Ｐ層あるいはＮＪｉり７設けてＰＮ接合而
面形成したものであり、両層間に順方向の）（イアスを
印加する場合、ＰＮ接合面の近傍、でホールと電子とが
直接あるいは不純物準位７通して再結合し、それによっ
て発光を生じる。第１および第２導電型層としては、Ｇ
ａＰ 、’ ＧａＡｓ 等のｍ−ｖ族化合物半導体結晶
やＣｄＴｅ 等のｎ−Ｖｌ族化合物半導体結晶が用いら
れている。このＬＥＤは、従来より４！ｒ種表示等の用
途において広く実用に供されている。
２導電型層（Ｐ層あるいはＮＪｉり７設けてＰＮ接合而
面形成したものであり、両層間に順方向の）（イアスを
印加する場合、ＰＮ接合面の近傍、でホールと電子とが
直接あるいは不純物準位７通して再結合し、それによっ
て発光を生じる。第１および第２導電型層としては、Ｇ
ａＰ 、’ ＧａＡｓ 等のｍ−ｖ族化合物半導体結晶
やＣｄＴｅ 等のｎ−Ｖｌ族化合物半導体結晶が用いら
れている。このＬＥＤは、従来より４！ｒ種表示等の用
途において広く実用に供されている。
一方最近では、上記ＬＥＤを書込み用光源として用いる
プリンタが提案され、種々研究がなされている。この種
のプリンタにおいては一般に、光４盛材を感光させる光
を発する多数のＬＥＤ素子な１列に並置したＬ Ｅ Ｄ
アレイが書込み用光源として使用され、該アレイと光感
相とが素子配列方向と直角な方向に相対移動されるよう
になっている。
プリンタが提案され、種々研究がなされている。この種
のプリンタにおいては一般に、光４盛材を感光させる光
を発する多数のＬＥＤ素子な１列に並置したＬ Ｅ Ｄ
アレイが書込み用光源として使用され、該アレイと光感
相とが素子配列方向と直角な方向に相対移動されるよう
になっている。
上記のようなプリンタにおいては、解像力を上げるため
にＬＥＤ素子を高密度に並置することが望まれ、そのた
めＬ Ｅ Ｄアレイは一般にＰＮ接合が形成されたＬＥ
Ｄウエノ＼に第２導電型層光面からｌ） Ｎ接合面を越
える細溝を多数平行に刻設することによって得られてい
る。すなわち上記のような細溝を多数設けることにより
、共通の第１専電型層上において第２導電型層が多数に
分割され、それによって多数のＬＥＤ素子が形成される
のて゛ある。
にＬＥＤ素子を高密度に並置することが望まれ、そのた
めＬ Ｅ Ｄアレイは一般にＰＮ接合が形成されたＬＥ
Ｄウエノ＼に第２導電型層光面からｌ） Ｎ接合面を越
える細溝を多数平行に刻設することによって得られてい
る。すなわち上記のような細溝を多数設けることにより
、共通の第１専電型層上において第２導電型層が多数に
分割され、それによって多数のＬＥＤ素子が形成される
のて゛ある。
そして、Ｉ）Ｎ接合面を含み上記細溝に対して垂直な］
つの端面が、ＰＮ接合面に対して略垂直に切断されて光
取出面（前端面）とされ、ＰＮ接合面近傍で生じる発光
が、この光取出面から横方向、すなわちＰＮ接合面と略
平行な方向に取り出されるようになっている。
つの端面が、ＰＮ接合面に対して略垂直に切断されて光
取出面（前端面）とされ、ＰＮ接合面近傍で生じる発光
が、この光取出面から横方向、すなわちＰＮ接合面と略
平行な方向に取り出されるようになっている。
しかしながら、上記のように共通の第１導電型層を有す
る横方向光取出しＬＥＤアレイにあっては、あるＬＥＤ
光子の発光が隣接するＬＥＤ素子側に漏れ、この隣接す
るＬＥＤ素子の光取出面から取り出されていわゆる「光
漏話」を生じると℃・う不具合が多く認められていた。
る横方向光取出しＬＥＤアレイにあっては、あるＬＥＤ
光子の発光が隣接するＬＥＤ素子側に漏れ、この隣接す
るＬＥＤ素子の光取出面から取り出されていわゆる「光
漏話」を生じると℃・う不具合が多く認められていた。
すなわち、ＰＮＮ接合近近傍発光した光のうち隣接する
Ｌ Ｅ Ｄ素子側に傾いた光は共通の第１導電型層内で
隣接素子に進イＣゾ 入し、まず第１導電型書裏面で反射し、ついで第２導電
型層および第１導電型層両層の表面間で反射しながら光
取出面側に進み、該隣接素子の光取出面から漏れてしま
うのである。
Ｌ Ｅ Ｄ素子側に傾いた光は共通の第１導電型層内で
隣接素子に進イＣゾ 入し、まず第１導電型書裏面で反射し、ついで第２導電
型層および第１導電型層両層の表面間で反射しながら光
取出面側に進み、該隣接素子の光取出面から漏れてしま
うのである。
このような光の漏れは、発光部から直接光取出面側に進
む光だけではな（、発光部から後端面側に進み、該後端
面において反射して光取出面側に向かう光によっても多
く生じる。
む光だけではな（、発光部から後端面側に進み、該後端
面において反射して光取出面側に向かう光によっても多
く生じる。
本発明は上記のような光漏話音生じない横方向光取出し
ＬＥＤアレイ構造全提供することを目的とするものであ
る。
ＬＥＤアレイ構造全提供することを目的とするものであ
る。
本発明の横方向光取出しＬＥＤアンイ構造は、前述のよ
うに共通の第１導電型層（Ｎ層あるいはＰ層蕾）上に複
数の第２導電型層（Ｐ層あるいはＮ層）が１列に並べら
れてＰＮ接合面が形成されたＬＥＤアレイ構造において
、第１および第２導電型層の接合側とは反対側の面それ
ぞれに光吸収層を設けるとともに、前記前端面とは反対
側にある後端面に、各第２導電型層間の間隙と連続して
第１導電型層の接合側とは反対側の面まで延びる切込み
を設けたことを特徴とするものである。
うに共通の第１導電型層（Ｎ層あるいはＰ層蕾）上に複
数の第２導電型層（Ｐ層あるいはＮ層）が１列に並べら
れてＰＮ接合面が形成されたＬＥＤアレイ構造において
、第１および第２導電型層の接合側とは反対側の面それ
ぞれに光吸収層を設けるとともに、前記前端面とは反対
側にある後端面に、各第２導電型層間の間隙と連続して
第１導電型層の接合側とは反対側の面まで延びる切込み
を設けたことを特徴とするものである。
上記のような光吸収層を設けると、光は第１導電型層お
よび第２導電型層画層の表面（接合側とは反対側の面。
よび第２導電型層画層の表面（接合側とは反対側の面。
以下同様である）において反射しなくなるから、光が両
層表面間で反射しなから光取出面側に進むことがなくな
る。また、アレイ後端面に上記のような切込みを設けて
おけば、該後端面近傍において各ＬＥＤ素子の第１導電
型層は互いに光学的に分離されるので、あるＬＥＤ素子
の発光部から第１導電型層内を後端面側に進んだ光は、
隣接素子の第１導電型層内に進入しにくくなる。
層表面間で反射しなから光取出面側に進むことがなくな
る。また、アレイ後端面に上記のような切込みを設けて
おけば、該後端面近傍において各ＬＥＤ素子の第１導電
型層は互いに光学的に分離されるので、あるＬＥＤ素子
の発光部から第１導電型層内を後端面側に進んだ光は、
隣接素子の第１導電型層内に進入しにくくなる。
以下、図面を参照して本発明の実施例について詳細に説
明する。なお、ここでは第１導電型層がＮ層、第２導電
型層がＰ層の場合についての実施例を説明するが、もち
ろん、この逆の場合も本発明の構成および効果は以下の
説明と同様である□ 第１Ａ〜ＩＧ図は本発明の横方向光取出しＬＥＤアレイ
構造の一実施例の製造手順全概略的に説明するものであ
る。まず、例えばＧａＰ Ｌ Ｅ Ｄウェハ等の間接遷
移型ＬＥＤウェハ１０が用意される。このＬＥＤウニノ
ー］Ｏは８層２とその上に設けられたＰ層】とからなり
、両層はＰＮ接合面３全形成している（第１Ａ図）、、
このＬＥＤウエノ・１０のＰ層１の表面、８層２の表面
には、それぞれ例えばＡｕ−Ｚｎ （１０ｗｔ％）から
なるＰ側オーミック電極４、Ａｕ−Ｇｅ （１２ｗＬ
％’ ） ／ ＮｉからなるＮ側オーミック電極５が蒸
着等にょ９形成される（第１Ｂ図）、次にＰ側電極４、
Ｎ側電極５に熱処理が施される。この熱処理は例えばＬ
１εＤウェハ１０ ｆ ｌ−Ｉ２雰囲気中において４０
０°Ｃ〜５００″Ｃの温度で１分間加熱することによっ
て行なわれる。この熱処理によＪ、２層１および８層２
の表面にＺｎおよびＧｅが高濃度にドーグされた層６お
よび７がそれぞれ形成される（第１Ｃ図）。この高ドー
プ層６゜７は元金吸収する光吸収層として作用するもの
である。なお、このような光吸収層６，７は、例えば電
極４，５の蒸着前に、ＰＮｌの表面にＺｎ高ドープＧａ
Ｐ層を、また８層２の表面にＳｅ高トープＧａＰ層全積
層する等その他の方法によって形成することもできる。
明する。なお、ここでは第１導電型層がＮ層、第２導電
型層がＰ層の場合についての実施例を説明するが、もち
ろん、この逆の場合も本発明の構成および効果は以下の
説明と同様である□ 第１Ａ〜ＩＧ図は本発明の横方向光取出しＬＥＤアレイ
構造の一実施例の製造手順全概略的に説明するものであ
る。まず、例えばＧａＰ Ｌ Ｅ Ｄウェハ等の間接遷
移型ＬＥＤウェハ１０が用意される。このＬＥＤウニノ
ー］Ｏは８層２とその上に設けられたＰ層】とからなり
、両層はＰＮ接合面３全形成している（第１Ａ図）、、
このＬＥＤウエノ・１０のＰ層１の表面、８層２の表面
には、それぞれ例えばＡｕ−Ｚｎ （１０ｗｔ％）から
なるＰ側オーミック電極４、Ａｕ−Ｇｅ （１２ｗＬ
％’ ） ／ ＮｉからなるＮ側オーミック電極５が蒸
着等にょ９形成される（第１Ｂ図）、次にＰ側電極４、
Ｎ側電極５に熱処理が施される。この熱処理は例えばＬ
１εＤウェハ１０ ｆ ｌ−Ｉ２雰囲気中において４０
０°Ｃ〜５００″Ｃの温度で１分間加熱することによっ
て行なわれる。この熱処理によＪ、２層１および８層２
の表面にＺｎおよびＧｅが高濃度にドーグされた層６お
よび７がそれぞれ形成される（第１Ｃ図）。この高ドー
プ層６゜７は元金吸収する光吸収層として作用するもの
である。なお、このような光吸収層６，７は、例えば電
極４，５の蒸着前に、ＰＮｌの表面にＺｎ高ドープＧａ
Ｐ層を、また８層２の表面にＳｅ高トープＧａＰ層全積
層する等その他の方法によって形成することもできる。
次に、以上の処理を受けたＬ Ｅ ］）ウェハ１゜には
、２層１側から少なくともＰＮ接合面３全越える複数の
細溝８が、例えばグイ７ノグソー等を用いて刻設される
っこの細溝８の刻設によって２層１は複数の部分に分離
芒れる（第１Ｄ図）。なおこの後、溝切り加工の歪みを
除去するためのエッチフグ処理等が適宜施される。次に
上記細溝８と直交する（すなわち細溝８の並び方向に広
がる）２つの端面は、それぞれＰＮ接合面３に対して略
垂直に切断されて、光取出面（前端面） ］、 Ｏａと
後端面１０ｂとされる。該後端面１０１〕には、上記細
溝８と連続して８層２の表面まで延びる切込み９が、例
えばグイ７ノグノー等を用いて形成される（第１Ｅ図）
。その後切込み加工の歪みを除去するためのエッチフグ
処理等が適宜施される。
、２層１側から少なくともＰＮ接合面３全越える複数の
細溝８が、例えばグイ７ノグソー等を用いて刻設される
っこの細溝８の刻設によって２層１は複数の部分に分離
芒れる（第１Ｄ図）。なおこの後、溝切り加工の歪みを
除去するためのエッチフグ処理等が適宜施される。次に
上記細溝８と直交する（すなわち細溝８の並び方向に広
がる）２つの端面は、それぞれＰＮ接合面３に対して略
垂直に切断されて、光取出面（前端面） ］、 Ｏａと
後端面１０ｂとされる。該後端面１０１〕には、上記細
溝８と連続して８層２の表面まで延びる切込み９が、例
えばグイ７ノグノー等を用いて形成される（第１Ｅ図）
。その後切込み加工の歪みを除去するためのエッチフグ
処理等が適宜施される。
このようにして、細溝８によって互に分離された複数の
Ｐ層］が共通のＮ層２上に並置されたＬＥＤアンイ２０
が得られる。このＬＥＤアフイ２０は絶縁性基板１］上
にグイボンディングされ、ワイヤボンティノブによって
配線がなされる（第１１゛図）。次に絶縁性遮光樹脂１
２が後端面１０ ｂ全被覆するようにして細溝８および
切込み９中に充てんされ、光取出面１０ａが研磨される
（第１Ｇ図）。
Ｐ層］が共通のＮ層２上に並置されたＬＥＤアンイ２０
が得られる。このＬＥＤアフイ２０は絶縁性基板１］上
にグイボンディングされ、ワイヤボンティノブによって
配線がなされる（第１１゛図）。次に絶縁性遮光樹脂１
２が後端面１０ ｂ全被覆するようにして細溝８および
切込み９中に充てんされ、光取出面１０ａが研磨される
（第１Ｇ図）。
以下、上記構造を有する本実施例のＬＥＤアレイ２０の
作用効果について説明する。第２図および第３図はそれ
ぞれ上記ＬＥＤアレイ２０を模式的に示す平面図、およ
び側面図である。共通の８層２と個別の２層１とからな
るＬＥＤ素子Ｌｌにおいて、ＰＮ接合面３付近で生じた
光１１は唯一外部に開かれた光取出面１０ａ□から横方
向に取り出される。
作用効果について説明する。第２図および第３図はそれ
ぞれ上記ＬＥＤアレイ２０を模式的に示す平面図、およ
び側面図である。共通の８層２と個別の２層１とからな
るＬＥＤ素子Ｌｌにおいて、ＰＮ接合面３付近で生じた
光１１は唯一外部に開かれた光取出面１０ａ□から横方
向に取り出される。
ＬＥＤ素子Ｌ〕しＰＮ接合面３近傍のＮ層２内において
発光し、隣接するＬ Ｅ Ｉ）素子Ｌ２側に傾いて下方
（８層２の表面側）に進む光１２は、もし光吸収層７が
形成されていなければＮ層２０表面で反射して仮想線表
示ｇ １２のように進み、隣接するＬ Ｅ ］）素子Ｌ
２の光取出面］Ｏａ２から漏れてしまうが、光吸収層７
が形成されているので、該光吸収層７に吸収されてしま
い、上記光取出面１０ａ２から漏出しない。
発光し、隣接するＬ Ｅ Ｉ）素子Ｌ２側に傾いて下方
（８層２の表面側）に進む光１２は、もし光吸収層７が
形成されていなければＮ層２０表面で反射して仮想線表
示ｇ １２のように進み、隣接するＬ Ｅ ］）素子Ｌ
２の光取出面］Ｏａ２から漏れてしまうが、光吸収層７
が形成されているので、該光吸収層７に吸収されてしま
い、上記光取出面１０ａ２から漏出しない。
また、ＬＥＤ素子Ｌ１のＰＮ接合面３近傍の２層１内に
おいて発光し、隣接するＬＥＤ素子素子側２側いて上方
（２層１の表面側）に進む光１３は、もし光吸収層６，
７が形成されていなければ、２層１の表面、８層２の表
面で反射を繰り返して仮想線表示６＋３のように進み、
隣接するＬＥＤ素子Ｌ２の光取出面１０ａ２から漏れて
し甘うか、光吸収層６が形成されているので、該光吸収
層６に吸収されてしまい、上記光取出面１０ａ２から漏
出しない。
おいて発光し、隣接するＬＥＤ素子素子側２側いて上方
（２層１の表面側）に進む光１３は、もし光吸収層６，
７が形成されていなければ、２層１の表面、８層２の表
面で反射を繰り返して仮想線表示６＋３のように進み、
隣接するＬＥＤ素子Ｌ２の光取出面１０ａ２から漏れて
し甘うか、光吸収層６が形成されているので、該光吸収
層６に吸収されてしまい、上記光取出面１０ａ２から漏
出しない。
さらに、Ｌ Ｂ Ｄ素子Ｌ１のＰＮ接合面３近傍のＮ層
２内において発光し、隣接するＬ Ｅ Ｄ素子Ｌ２側に
傾いて下方（８層２の表面側）かつ後方（後端面１０１
〕側）に進む光１４は、もし後端面］０１〕近傍の８層
２が、各］、 Ｅ Ｊ）素子に対して完全に共通であっ
たならば、仮想線表示ｅ“４のように進み、隣接するＬ
Ｅ Ｉ）素子Ｌ２の光取出面１０ａ２から帰れてし寸
う・しかし前述した通り、後端面１０ｂには、Ｎ層２を
各ＬＥＤ素子に対応させて、部分的に分割する切込み９
が設けられているので、この光４４は切込み９に面する
Ｎ層２の側表面においてＬ Ｅ Ｄ Ｌ＋の中央側に反
射し、該ＬＥＤ素子Ｌ１の光取出面１０ａ１から取９出
される。
２内において発光し、隣接するＬ Ｅ Ｄ素子Ｌ２側に
傾いて下方（８層２の表面側）かつ後方（後端面１０１
〕側）に進む光１４は、もし後端面］０１〕近傍の８層
２が、各］、 Ｅ Ｊ）素子に対して完全に共通であっ
たならば、仮想線表示ｅ“４のように進み、隣接するＬ
Ｅ Ｉ）素子Ｌ２の光取出面１０ａ２から帰れてし寸
う・しかし前述した通り、後端面１０ｂには、Ｎ層２を
各ＬＥＤ素子に対応させて、部分的に分割する切込み９
が設けられているので、この光４４は切込み９に面する
Ｎ層２の側表面においてＬ Ｅ Ｄ Ｌ＋の中央側に反
射し、該ＬＥＤ素子Ｌ１の光取出面１０ａ１から取９出
される。
上記実施例において、切込み９が設けられる後端面１０
ｂは、光取出面１０ ａと同様にＰＮ接合面３に対して
略垂直に形成されているが、第４図および第５図に平面
図および側面図金示す第２の実施例においては、後端面
１１０ｂはＰＮ接合面３となす角が２層１側において鋭
角となるように斜めに形成されている（なお、第４図お
よび第５図において、前記第１の実施例のＬＢＤアレイ
２０の要素と同等の要素には同番号を付し、それらにつ
いての説明は省略する）。
ｂは、光取出面１０ ａと同様にＰＮ接合面３に対して
略垂直に形成されているが、第４図および第５図に平面
図および側面図金示す第２の実施例においては、後端面
１１０ｂはＰＮ接合面３となす角が２層１側において鋭
角となるように斜めに形成されている（なお、第４図お
よび第５図において、前記第１の実施例のＬＢＤアレイ
２０の要素と同等の要素には同番号を付し、それらにつ
いての説明は省略する）。
このＬＥＤアレイ１２０においても、光吸収層６，７お
よび後端面１１０ｂの切込み１０９が設けられているか
ら、先に説明したような効果がそのまま得られる。それ
に加えて後端面１１０ｂ ｅ斜めに形成したことによっ
て得られる作用効果を以下に説明する。
よび後端面１１０ｂの切込み１０９が設けられているか
ら、先に説明したような効果がそのまま得られる。それ
に加えて後端面１１０ｂ ｅ斜めに形成したことによっ
て得られる作用効果を以下に説明する。
ＬＥＤ素子Ｌ１のＰＮ接合面３近傍のＮ層２内において
発光し、隣接するＬＥＤ素子素子側２側いて下方（Ｎ層
２の表面側）かつ後方（後端面１１０ｂ側）に進む光１
５はもし後端面１１０ｂが斜めに形成されておらず、光
取出面１０ａと同様にＰＮ接合面３と略垂直に形成され
ていれば、この後端面１１０ｂで反射して仮想線表示、
６＋５のように進み隣接するＬＥＤ素子Ｌ２の光取出面
１Ｏａ２から漏れてしまう。しかしながら、後端面１１
０ｂが前述のように斜めに形成されているため、この光
１５は後端面１］、Ｏｂにおいてより犬き々角度で反射
し、光吸収層７に向かって進んで該光吸収層７に吸収さ
れ、従って上記光取出面１０ａ２から漏出しない。一般
に後端面１１０ｂはそれがＰ Ｎ接合面３となす角度が
２層１側において４５°〜８５°となるように形成され
るのが好捷しい。
発光し、隣接するＬＥＤ素子素子側２側いて下方（Ｎ層
２の表面側）かつ後方（後端面１１０ｂ側）に進む光１
５はもし後端面１１０ｂが斜めに形成されておらず、光
取出面１０ａと同様にＰＮ接合面３と略垂直に形成され
ていれば、この後端面１１０ｂで反射して仮想線表示、
６＋５のように進み隣接するＬＥＤ素子Ｌ２の光取出面
１Ｏａ２から漏れてしまう。しかしながら、後端面１１
０ｂが前述のように斜めに形成されているため、この光
１５は後端面１］、Ｏｂにおいてより犬き々角度で反射
し、光吸収層７に向かって進んで該光吸収層７に吸収さ
れ、従って上記光取出面１０ａ２から漏出しない。一般
に後端面１１０ｂはそれがＰ Ｎ接合面３となす角度が
２層１側において４５°〜８５°となるように形成され
るのが好捷しい。
本発明のＬＥＤアレイ構造において、アレイ後端面全上
記のように斜めに形成することは必ずしも必要ではない
が、光漏話防止効果“がよシ一層高められるという点か
ら該後端面全科めに形成するのが望ましい。また、前述
した絶縁性遮光樹脂１２も必ずしも必要なものではない
がこのような樹脂１２全細溝８に充てんすることによシ
、光取出方向と略直角な方向への光漏用が確実に防止す
ることができる。
記のように斜めに形成することは必ずしも必要ではない
が、光漏話防止効果“がよシ一層高められるという点か
ら該後端面全科めに形成するのが望ましい。また、前述
した絶縁性遮光樹脂１２も必ずしも必要なものではない
がこのような樹脂１２全細溝８に充てんすることによシ
、光取出方向と略直角な方向への光漏用が確実に防止す
ることができる。
以上詳細に説明した通シ、本発明の横方向取出しＬＥＤ
アレイ構造は、ＬＥＤ素子の発光が、他の素子の光取出
面から漏れてしまう、いわゆる光漏話全確実に防止する
ものでアシ、前述したようなプリンタの書込み用光源に
極めて適したものとなる。
アレイ構造は、ＬＥＤ素子の発光が、他の素子の光取出
面から漏れてしまう、いわゆる光漏話全確実に防止する
ものでアシ、前述したようなプリンタの書込み用光源に
極めて適したものとなる。
第１Ａ〜ＩＧ図は、本発明のＬＥＤアレイの一実施例の
製造手順全説明する説明図、第２図および第３図はそれ
ぞれ上記ＬＥＤアレイの一部全模式的に示す概略平面図
および概略側面図、 第４図および第５図はそれぞれ本発明のＬＥＤアレイの
別の実施例の一部全模式的に示す概略平面図および概略
側面図である。 １・・・・・・・・・Ｐ 層 ２・・山ｌ・Ｎ 層３・
・・・・・・・・ＰＮ接合面 ６．７・・・・・・光吸
収層８・・・・・・細溝（間隙） ９，１０９・・・切
込み１０ａ・・・光取出面（前端面） １０ｂ、１１０ｂ・・・後端面 ２０，１２０・・−Ｌ
ＥＤアレイ第１八図 第旧図 ５′ 第１ｃ ｃＸＵｔａ ＩＤ ＠ 第１ｒ図 第 ＩＦ （２）
製造手順全説明する説明図、第２図および第３図はそれ
ぞれ上記ＬＥＤアレイの一部全模式的に示す概略平面図
および概略側面図、 第４図および第５図はそれぞれ本発明のＬＥＤアレイの
別の実施例の一部全模式的に示す概略平面図および概略
側面図である。 １・・・・・・・・・Ｐ 層 ２・・山ｌ・Ｎ 層３・
・・・・・・・・ＰＮ接合面 ６．７・・・・・・光吸
収層８・・・・・・細溝（間隙） ９，１０９・・・切
込み１０ａ・・・光取出面（前端面） １０ｂ、１１０ｂ・・・後端面 ２０，１２０・・−Ｌ
ＥＤアレイ第１八図 第旧図 ５′ 第１ｃ ｃＸＵｔａ ＩＤ ＠ 第１ｒ図 第 ＩＦ （２）
Claims (1)
- 共通の第１導電型層上に複数の第２導電型層が１列に並
べられて接合されており、両層接合面に対して略垂直な
、第２導電型層の並び方向に広がった前端面から発光が
取り出される横方向光取出しＬＥＤアレイ構造において
、第１および第２導電型層の接合側とは反対側の而それ
ぞれに元吸収層が設けられており、かつ前記前端面とは
反対側にある後端面に、谷第２導電型層間の間隙と連続
して第１導電型層の接合側とは反対側の面まで、延びる
切込みが形成されていることを％徴とする横方向光取出
し発光ダイオマドアレイ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141303A JPS6032373A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141303A JPS6032373A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032373A true JPS6032373A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15288747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141303A Pending JPS6032373A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032373A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01195068A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 光プリントヘッド |
| US5294815A (en) * | 1991-07-29 | 1994-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device with terraced structure |
| US5550391A (en) * | 1993-06-18 | 1996-08-27 | Ricoh Company, Ltd. | Light-emitting diode and light-emitting diode array |
| US5606181A (en) * | 1994-03-29 | 1997-02-25 | Ricoh Company, Ltd. | Edge emitting type light emitting diode array heads |
| US5665985A (en) * | 1993-12-28 | 1997-09-09 | Ricoh Company, Ltd. | Light-emitting diode of edge-emitting type, light-receiving device of lateral-surface-receiving type, and arrayed light source |
| EP1515367A3 (en) * | 2003-09-11 | 2010-09-08 | Oki Data Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2017092076A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP58141303A patent/JPS6032373A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01195068A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 光プリントヘッド |
| US5294815A (en) * | 1991-07-29 | 1994-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device with terraced structure |
| US5362673A (en) * | 1991-07-29 | 1994-11-08 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor light emitting device |
| US5550391A (en) * | 1993-06-18 | 1996-08-27 | Ricoh Company, Ltd. | Light-emitting diode and light-emitting diode array |
| US5665985A (en) * | 1993-12-28 | 1997-09-09 | Ricoh Company, Ltd. | Light-emitting diode of edge-emitting type, light-receiving device of lateral-surface-receiving type, and arrayed light source |
| US5606181A (en) * | 1994-03-29 | 1997-02-25 | Ricoh Company, Ltd. | Edge emitting type light emitting diode array heads |
| EP1515367A3 (en) * | 2003-09-11 | 2010-09-08 | Oki Data Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8384221B2 (en) | 2003-09-11 | 2013-02-26 | Oki Data Corporation | Semiconductor device, LED head and method of manufacturing the same |
| JP2017092076A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN209729940U (zh) | 发光元件 | |
| JP5095840B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US3981023A (en) | Integral lens light emitting diode | |
| JP6219177B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR0184372B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP6694650B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS6032373A (ja) | 横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造 | |
| JP3318698B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0497575A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP5398892B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US20080217638A1 (en) | Semiconductor Light Emitting Device and Fabrication Method Thereof | |
| JPS61121373A (ja) | 面発光素子及びその製造方法 | |
| JP2015159203A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6260278A (ja) | 半導体発光ダイオ−ド | |
| JPS58134492A (ja) | 少くとも２つの光ビ−ムを発生する半導体装置 | |
| JP2015103590A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3634538B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置 | |
| JPS6032372A (ja) | 横方向光取出し発光ダイオ−ドアレイ構造 | |
| JPH01280388A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS61135187A (ja) | 光放射半導体ダイオードとその製造方法 | |
| JPH07202259A (ja) | ＧａＡｌＡｓ系発光ダイオード | |
| JPS61224386A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2949052B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH0632343B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS63216389A (ja) | 面発光型発光ダイオ−ド |