JPS6032812B2 - 光検出器 - Google Patents

光検出器

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JPS6032812B2
JPS6032812B2 JP53014256A JP1425678A JPS6032812B2 JP S6032812 B2 JPS6032812 B2 JP S6032812B2 JP 53014256 A JP53014256 A JP 53014256A JP 1425678 A JP1425678 A JP 1425678A JP S6032812 B2 JPS6032812 B2 JP S6032812B2
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JP
Japan
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layer
substrate
light
photodetector
film
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Application number
JP53014256A
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English (en)
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JPS54107375A (en
Inventor
剣申 田口
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS54107375A publication Critical patent/JPS54107375A/ja
Publication of JPS6032812B2 publication Critical patent/JPS6032812B2/ja
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    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/24—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
    • H—ELECTRICITY
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    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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    • H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors

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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光通信装置等に用いる高速、高感度な光検出器
に関するものである。
光検出器として半導体材料を用いたフオトダィオード（
以下ＰＤと呼ぶ）は高速、高感度な光通信用受光器とし
て重要視されている。
０．８〜０．９ｙｍ波長帯光通信の半導体光検出器とし
てＳｊ結晶を用いたＰＤが広く使われているが、０．８
〜０．９仏ｍ波長帯の光を有効に吸収するためには空乏
層が数１０一ｍ必要である。
このため高速化は空乏層内を走行するキャリアの走行時
間により限定されるが、それ以上に通常数１００仏ｍの
厚さを有する基板内に入射した光により生成したキャリ
アの拡散による応答が空乏層内を走行する時間と比較し
て遅く、この拡散による応答が存在するために高速化で
きない欠点がある。本発明はこのような欠点のない光通
信用として有用な光検出器を提供するもので、半導体基
板上に基板とは逆の導電型の光吸収半導体層を有し、さ
らに前記の光吸収半導体層上に選択的に形成されたＰＮ
接合面の下部に位置する基板部分が除去され、かつ前記
基板の表面に基板とは逆の導電型を示す層を形成したこ
とを特徴とする光検出器で、光の入射面下の基板を除去
することにより高速化することを目的とする光検出器で
ある。
図に示すＰＤを施例にとり本発明について説明する。図
に於て１は厚さ３００仏ｍのＮ十型Ｓ弓基板である。こ
の基板上に気相成長を用いて２に示す不純物濃度２×１
び４仇‐３のＰ‐型Ｓｉ層を５０ムｍェピタキシヤル成
長する。３は熱酸化Ｓｉ０２膜を用いて選択的に燐を不
純物濃度１び９仇‐３程度の高濃度で０．３仏ｍ程度熱
拡散したＮ十型Ｓｉ層である。
４は３と同様にＳｉ０２膜を用いて選択的に燐をイオン
注入し熱拡散により形成したＮ型Ｓｉ届であり、２と３
のＰＮ接合によるブレークダウン電圧以上のブレークダ
ウン電圧をこの２と４のＰＮ接合が有するように燐の注
入量と熱拡散を制制した層である。
これにより３の層の周緑部の局所ブレークダウンを防止
している。５は２のｐ‐層表面において逆バイアス印加
の動作時に起こりうるｐ‐層のＮ層への反転を防止する
ために熱酸化Ｓｉ０２膜を用いて選択的にボ。
ンを不純物濃度１０１９伽‐３程度の高濃度で熱拡散し
熱処理により厚さ２山ｍとしたｐ＋層である。６はＳｉ
表面の熱酸化によるＳｉ０２膜層である。
７は入射光の波長に対して糠反射となる条件を満足する
ような厚さを有するＳｉ３Ｎ４膜でありシラン系を用い
てＣＶＤにより形成した層である。
８はアルミニウム務肴による電極である。
９はＰＮ接合面上部外から光が入射しないように遮光す
る目的で設けたアルミニウム葵着膜である。
１０‘ま熱酸化Ｓｉ０２膜を用いて選択的にての基板を
エッチングにより除去した後に、不純物濃度１び９肌‐
８程度の高濃度でボロンを０．３ムｍ程度熱拡散したｐ
＋型Ｓｉ層である。
１１はＡｕの蒸着膜で電極であると共に１０を通過した
入射光をこのＡｕ膜により反射して量子効率の増大を計
る効果を持つ層である。
このようにして作製した装置において、入射光面下部の
基板を除去したことにより光励起による遅い拡散電流成
分を除いたこと、また基板と光吸収半導体層を逆の導電
型にすることにより基板部に入った迷光の影響を除去で
き、高速性に優れ、更に反射金属膜により量子効率の増
大が計られ、光通用として優れた特性の光検出器が得ら
れる。以上Ｓｉを用いた光検出器の−実施例について述
べてきたが、光の入射方向を基板側にしても本発明の主
旨により高量子効率で高速性に優れた検出器を得ること
ができる。
図面の筋単な説明 図は本発明に基づく−実施例を示す構成図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体基板上に前記基板とは逆の導電型の光吸収半
    導体層を有し、更に前記光吸収層上に選択的に形成され
    たＰＮ接合面の下部に位置する基板部分が除去され、か
    つ前記基板の表面に基板とは逆の導電型を示す層を形成
    したことを特徴とする光検出器。
JP53014256A 1978-02-10 1978-02-10 光検出器 Expired JPS6032812B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53014256A JPS6032812B2 (ja) 1978-02-10 1978-02-10 光検出器

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JP53014256A JPS6032812B2 (ja) 1978-02-10 1978-02-10 光検出器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54107375A JPS54107375A (en) 1979-08-23
JPS6032812B2 true JPS6032812B2 (ja) 1985-07-30

Family

ID=11856001

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61229371A (ja) * 1985-04-04 1986-10-13 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> フオトダイオ−ド
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NL8700370A (nl) * 1987-02-16 1988-09-16 Philips Nv Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting.
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JPS54107375A (en) 1979-08-23

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