JPS6033282B2 - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents

電圧非直線抵抗体

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JPS6033282B2
JPS6033282B2 JP54006050A JP605079A JPS6033282B2 JP S6033282 B2 JPS6033282 B2 JP S6033282B2 JP 54006050 A JP54006050 A JP 54006050A JP 605079 A JP605079 A JP 605079A JP S6033282 B2 JPS6033282 B2 JP S6033282B2
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JP
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oxide
glass
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zinc
nonlinear resistor
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JP54006050A
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忠彦 三吉
武夫 山崎
邦裕 前田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は酸化亜鉛を主体とする焼結体から成る電圧非直
線抵抗体に関する。
近年、酸化亜鉛を主体にし、これに酸化ビスマス、酸化
マンガン、酸化コバルト、酸化アンチモン、および必要
に応じて酸化ニッケル、酸化クロム、酸化ケイ素、酸化
ホウ素、酸化鉛、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム
などを加えて成形、焼成した焼結体や、酸化亜鉛を主体
にし、これに酸化ランタン、酸化ブラセオジウム、酸化
サマリウム、酸化ネオジウムや酸化コバルト、酸化マン
ガンなどを加えて成形した焼結体から成る電圧非直線抵
抗体が、電圧安定化素子、サージアブソーバ、アレスタ
などに広く利用されている。
この電圧非直線抵抗体を高電圧サーージアブソーバやア
レスタとして用いる場合、沿面フラッシュオーバー防止
の目的でその側面をアンチモン酸亜鉛とケイ酸亜鉛を主
体とする高抵抗層で被覆し、さらにその上から高抵抗層
の表面汚損防止の目的でガラス層で被覆するのが普通で
ある。第1図は電圧非直線抵抗体の構造を示している。
図において、1は酸化亜鉛を主体とする暁結体、2は焼
結体主面に設けた電極、3は側面に設けた高抵抗層、4
はガラス層である。ここで高抵抗層は酸化アンチモン、
酸化ケイ素を高温で酸化亜鉛と反応させて設けた焼結体
層であるため、高抵抗であり、かつ、酸化亜鉛系非直線
焼結体との密着性がよい反面、表面が激しい凹凸のため
に汚損しやすく、かつ、付着したよごれが取れにくい難
点がある。一方、第一図の構造では、ガラス層表面は平
滑で汚損し‘こくいという特徴がある。従釆の電圧非直
線抵抗体においては、被覆用ガラス層としては、(1}
酸化亜鉛焼結体と熱膨張係数の類似していること、‘2
}耐緑性の良いこと、‘3}取あつかいやすし、こと、
の理由から、熱膨張係数が60−85×10‐7/℃の
ホウケィ酸鉛ガラス、または同程度の熱膨張係数のホウ
ケィ酸鉛亜鉛ガラス、およびこれらに酸化チタン酸化鋼
、や酸化アルミニウムを加えたガラスが一般に用いられ
ている。しかしながら、従釆の電圧非直線抵抗体におい
ては、高抵抗層とガラス層との密着強度が弱く、熱サイ
クルを加えると両者の間でのはく離やガラス層でのマイ
クロクラックの発生などに原因してインパルス耐量が低
下するという難点があった。本発明は、上述の従来技術
の欠点をのぞき、熱サイクルに強い電圧非直線抵抗体を
提供することを目的としている。本発明の電圧非直線抵
抗体は、酸化亜鉛を主体とする焼給体から成り、かつ該
焼結体の少くとも側面にアンチモン酸亜鉛とケイ酸亜鉛
を主体とする高抵抗層を介して設けられたホウケィ酸鉛
ガラス層を有する抵抗体において、該ホウケィ酸鉛ガラ
スに酸化アンチモンおよび酸化亜鉛が含まれていること
を特徴としている。
本発明者達が種々検討した結果、高抵抗層中のアンチモ
ン酸亜鉛層とガラス層との密着性が特に悪いためには〈
離がおこること、および、ガラス層中に酸化アンチモン
と酸化亜鉛を分散させておけば両者の密着強度が大幅に
向上することがわかった。
すなわち、本発明のガラスを高抵抗層上に付着させて焼
付けると、ガラス中の酸化ケイ素や酸化亜鉛などはケイ
酸亜鉛と、酸化アンチモンや酸化亜鉛はアンチモン酸亜
鉛と反応(相互拡散)し、高抵抗層とガラス層の密着性
がよくなり、熱サイクルに強い電圧非直線抵抗体が実現
できる。ガラス中の酸化アンチモン量としては1〜1の
重量%の範囲内であることが望ましい。酸化アンチモン
量がこの範囲よりも少し、と高抵抗層との密着性が不充
分なものとなる。逆に酸化アンチモンが多くなりすぎる
と、酸化アンチモンと酸化亜鉛焼結体との熱膨張係数前
者196×10‐7/℃、後者約70×70‐7/℃の
違いから生ずる歪によってガラス層に亀裂、マイクロク
ラックを発生しガラスの絶縁耐圧が低下したり、インパ
ルス耐量が低下したりする欠点を生ずる。ガラス中の酸
化亜鉛量としては4〜3の重量%の範囲であることが望
ましい。
酸化亜鉛量がこの範囲よりも多くなりすぎるとマイクロ
クラツクの発生によるインパルス耐量低下をまねき、少
なすぎると高抵抗層との密着性が悪くなる。ガラス中の
酸化ケイ素量としては2〜25重量%の範囲であること
が望ましい。
酸化ケイ素量が少くなりすぎると、ガラスの耐湿性が悪
くなって空気中の水分などによってその絶縁耐圧が低下
すること、逆に多くなりすぎるとガラスの焼付温度が高
くなりすぎて焼付時に電圧非直線抵抗体の特性変化をま
ねきやすいこと、および熱サイクル時にガラスが割れや
すいという欠点を生ずる。ガラス中の酸化鉛量と酸化ホ
ウ素量はそれぞれ45〜85重量%、3〜2の重量%の
範囲であることが望ましい。
これらが多すぎるとガラスの耐湿特性が悪くなること、
および、熱膨張係数が大きくなりすぎて、熱サイクル時
にガラス層に亀裂の入りやすい欠点が現れる。逆に、こ
れらの量が少なすぎると、ガラスの暁付に高温を要する
こと、熱膨張係数が小さくなりすぎ熱サイクル時にガラ
ス層に亀裂の入りやすい難点が生ずる。そして前記3成
分、酸化ケイ素、酸化鉛および酸化ホウ素の含有量が、
それぞれ3〜25重量%、45〜75重量%、および3
〜15重量%の範囲にあることが特に望ましい。
また、後述するように、ガラス中の酸化鉛、酸化ホウ素
および酸化ケイ素量がそれぞれ45〜75重量%、3〜
15重量%および3〜25重量%の範囲であることが特
に望ましい。
ガラスの焼付温度から非直線抵抗体の最低使用温度の−
30℃程度までの広い温度範囲にわたって、ガラスの熱
膨張係数を酸化亜鉛焼縞体と完全に一致させることはで
きない。
したがって、非直線抵抗体を特に広い温度範囲で使用す
る場合、ガラス中に0.4〜1の重量%の酸化スズや、
1〜10重量%の酸化アルミニウムを入れてガラスを結
晶化ガラスとしたり、5〜3の重量%の酸化ジルコニウ
ムをフイラーとして入れてフイラー入りガラスとして、
ガラス層の亀裂を防止することが必要である。なお、酸
化スズ、酸化アルミニウムまたは酸化ジルコニウムの添
加量が上記範囲よりも少し、とガラスの亀裂防止に充分
な効果がなく、また添加量が多すぎるとマイクロクラッ
クなどの影響でガラスのインパルス耐量が低下する欠点
を生ずる。本発明の適用される電圧非直線抵抗体は、酸
化亜鉛を主成分とし、それぞれ0.01〜10モル%の
酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化コバルトを含む暁縞
体、またはこれにさらに必要に応じてそれぞれ0.01
〜10モル%の酸化アンチモン、酸化ニッケル、酸化ク
ロム、酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸化鉛、酸化アルミニ
ウム、酸化マグネシウム、酸化銀などのうちの少くとも
1成分を含有する鱗結体、あるいは、酸化亜鉛を主成分
とし、それぞれ0.01〜10モル%の酸化ランタン、
酸化プラセオジウム、酸化サマリウム、酸化ネオジウム
、酸化ディスプロシウム、酸化ツリウムなどのうちの少
くとも1成分を含み、さらにそれぞれ0.01〜10モ
ル%の酸化コバルト、酸化マンガンのうちの少くとも1
成分を含む焼結体である。沿面フラッシュオーバー防止
のためには、図に見られるように、ガラス層や高抵抗層
を該糠結体の少くとも側面に設けることが必要である。
なお、必要があればこれらの層を電極の設けられた主面
にまで設けても良いことは言うまでもない。以下、本発
明を実施例によって説明するけれども、本発明の効果は
これらの実施例に限定されるものではなく、ガラス中に
少量の他の添加物例えば各種金属フッ化物などが含有さ
れていてもよいことは言うまでもない。文中%は重量%
である。実施例 1Zn0785.3g に Bi20
323.3g 、 C。
2038.3g 、MnC035.8g 、 Sb20
329.2g 、 Cr2037.6g 、Ni07.
5g、Si023.0g、&030.8g、およびAI
(N03)30.雄を加え、ポールミルを用いて1畑時
間混合した。
この原料粉末に対して2%ポリビニールアルコール水溶
液を10%加えて造粒し、成形圧力750k9/めで形
状12肌?×5柳tに成形した。この成形体を昇降温度
速度100oC/h、900002時間保持という条件
で熱処理した後、その側面にBi203112g、Sb
203175g、Si02130g、エチルセルロース
8酸、ブチルカルビトール600g、および酢酸ブチル
150gを混練して得た酸化物ペーストを100一20
0仏m厚さに塗布した。次に、これを昇降温度速度10
0℃/h、1200℃に5時間保持という条件で焼成し
た。焼成過程において、上記酸化物ペースト中のBi2
Qは輝散し、またSb203とSi02とはZNOと反
応して競縞体1の側面にZn7SQ0i2および、Z〜
Si04を主体とする高抵抗層3が形成された。この段
階では、素子側面の凹凸がはげしいために取りあつかし
、中に素子表面が汚損しやすいこと、および、一度汚損
すると汚れを完全に除去することが困難なことの理由か
ら、インパルス試験時に沿面フラッシュオーバーしやす
い難点があった。次に素子の側面にガラス(Pb055
%、B038%、Si027%、Zn025%、Sb2
034%、AI2031%を含有)400g、エチルセ
ルロース11g、ブチルカルビトール7雛、および酢酸
ブチル30gを混練して得たガラスペーストを厚さ10
0−200ムmに塗布し、空気中600ooで10分間
熱処理した(昇降温度速度200qo/h)。
この結果、高抵抗層3の表面をガラス層4で被覆した構
造の素子が得られた。最後に素子の両主面を平らに研磨
し、両王面にAI電極2を溶射し、図に示す構造の素子
を得た。得られた素子の側面は平滑で汚損し‘こくく、
また、耐湿性もすぐれているために、素子の取りあつか
し、中にインパルス耐量が低下するなどの問題はまった
くなかった。また、ガラス層と素子との密着性もよく、
一30℃から80ooの熱サイクルを1000回くり返
してもガラス層のはがれ、ヒビ割れ、特性変化などの問
題は全くなかった。一方、比較のために同じ方法を用い
て、SQ03を含まないガラス(Pb057%、B20
38.5%、Si027.5%、Zn026%、AI2
031%含有ガラス、または、PO055%、&038
%、Si027%、Zn025%、AI2035%含有
ガラス)のペーストを塗布して焼付けた場合には、ガラ
スと素子との密着強度が弱く、熱サイクルをくり返すと
インパルス耐量が低下するなどの問題を生じた。
実施例 2 Zn0785.3g に Bi20346.6g 、
C。
20316.6g 、MnC035.8g 、 Sb2
0329.2g 、 Cr2037.6g 、Si02
9.雌、B2Q3.彼「Ni07.舵、AI(NQ)3
0.1gを加え、実施例1と同様な方法で混合、造粒、
成形、熱処理、酸化物ペースト塗布、焼成した。
素子の焼上り寸法は3物収め×3仇協tである。次に、
種々の組成のガラスを用いて実施例1と同様な方法でガ
ラスペーストを作製し、これを素子側面に塗布し、40
0一65030で焼付けて、その特性を調べた。したが
って耐緑性が○のものは高温高温での使用が可能であり
、また、△のものはアレスタなどのように硝子中に組込
んでの使用が可能と考えられる。表に、用いたガラス組
成と、素子特性の検討結果を示す。
表中の耐熱サイクル試験判定規準:×× 競付け後室温
まで徐冷する間にガラス層にヒビ割れを生ず。× 熱サ
イクル試験−300 こ十80q0loo0回によつて
インパルス耐量低下す。
○ 前記熱サイクル試験により特性変らず。
耐湿特性判定規準× 素子の浸水放置によって、ガラス
の溶出もし〈はインパルス耐量の低下が認められる。
△ 素子を水中で煮沸することによって、ガラスの溶出
もしくはインパルス耐量の低下が認められる。○ 前記
試験によってインパルス耐量変らず。
従って、耐湿特性が、〇印の素子は高温高温での使用が
可能であり、また△印の素子はアレスタなどのように硝
子中への組込み使用可能と考えられる。表より、Sb2
03を含まないガラス(参考例1および2)、含んでい
ても含有量の少ないガラス(No.1)、Zn0やSi
02含有量の少し、ガラス(No.6と10)では熱サ
イクル後のインパルス耐量の低下が大きいこと、逆にS
b203、Zn○、Si02、AI203、Sn02、
Zr02などが多すぎる(No.5、9、13、27、
32および37)と焼付時にガラスに亀裂が入りやすい
ことがわかる。
また、Sの2が少なすぎる(No.10)とか、Pbo
や墨03が多すぎる(No.18と19)と、ガラスの
耐湿特性が悪くなること、逆にPboや&03が少なす
ぎる(No.9と14)と、耐熱サイクル特性が悪くな
ることがわかる。ガラスの耐熱サイクル特性、耐緑特性
が共に特にすぐれているのは、45≦Pb0≦75%、
3≦B203≦15%、3≦Si02≦25%、1≦S
Q03≦10%、4≦Zn0く30%の範囲である。ま
た、1〜10%のAI203、0.4〜10%のSn0
2、5〜30%のZr02などが含まれている時、ガラ
スの耐熱サイクル性はきわめてすぐれている。実施例
3 Zn0785.3g 、 Bi20323.3g 、
C。
2038.3g 、MnC035.礎を実施例1と同様
に混合、成形、酸化物ペースト塗布、焼成した。
焼成後の素子寸法は56側め×2仇岬tである。次にこ
れを菱則o.38のガラス粉末60雌をエチルセルロー
ス(1舵)のトリクレン溶液(800の【)に分散した
ものに浸け、乾燥後、500ooで10分間焼付けた。
その後、両王面を研磨して電極付けした。この素子に4
×10ムsのィンパルス130kAを通電しても沿面フ
ラッシュオーバーはおこらなかった。
また、一30二80午0の熱サイクル試験をくり返して
もインパルス耐量は低下しなかった。一方、ガラス付け
処理しない素子では研磨工程や電極付け工程の際の表面
汚損の影響で7/10の素子においてィンパルス100
kA通電時に沿面フラッシュオーバーした。
また、表のNo.38の代り‘こ、参考例1あるいは2
のガラスを用いた場合には、インパルス耐量の初期値に
は差はなかったけれど、一30こ80午○のヒートサイ
クル試験を1000回くり返した後に、それぞれ5/1
0または6/10の素子においてインパルス耐量が10
0kA以下に低下するという問題を生じた。
実施例 4Zn0485g、Nも○3 ま た は S
m20310.0g 、Co2035.0gを実施例3
と同様な方法で混合、造粒、成形、酸化物ペースト塗布
、焼成した。次に実施例1と同様な方法で表のNo.3
9のガラスから成るペーストを暁付けた。これらの素子
においてもインパルス耐量130kAで沿面フラッシュ
オーバーはおこらず、また、耐熱サイクル特性もすぐれ
ていた。以上説明してきたように、本発明の酸化亜鉛系
電圧非直線抵抗体は下記の利点を持っている。
{a’沿面フラッシュオーバーがおこりにくく、ィンパ
ルス耐量が大きい。‘b)耐緑特性や耐熱サイクル特性
にすぐれている。
‘c} 側面が平滑で汚損し‘こくい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の電圧非道線抵抗体の構造を示す断面図であ
る。 1・・・・・・酸化亜鉛系焼綾体、2・・・・・・電極
、3・・・・・・高抵抗層、4・・・・・・ガラス被覆
層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛を主体とする焼結体から成り、かつ少なく
    ともその側面にアンチモン酸亜鉛とケイ酸亜鉛とを主体
    とする高抵抗層を介して設けられたホウケイ酸鉛ガラス
    層を有する抵抗体において、該ホウケイ酸鉛ガラス層に
    酸化アンチモンおよび酸化亜鉛が含有されることを特徴
    とする電圧非直線抵抗体。 2 ガラスが、酸化アンチモンを1〜10重量%、およ
    び酸化亜鉛を4〜30重量%含有するホウケイ酸鉛ガラ
    スである特許請求の範囲第1項記載の電圧非直線抵抗体
    。 3 ガラスが酸化ケイ素が2〜25重量%、酸化鉛を4
    5〜85重量%、酸化ホウ素を3〜20重量%含有する
    ホウケイ酸鉛ガラスである特許請求の範囲第1項もしく
    は第2項記載の電圧非直線抵抗体。 4 ガラスが酸化スズを0.4〜10重量%、または酸
    化アルミニウムを1〜10重量%含有するホウケイ酸鉛
    ガラスである特許請求の範囲第1項、第2項もしくは第
    3項記載の電圧非直線抵抗体。 5 ガラスが酸化ジルコニウムを5〜30重量%含有す
    るホウケイ酸鉛ガラスである特許請求の範囲第1項、第
    2項、第3項もしくは第4項記載の電圧非直線抵抗体。
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JPS5916304A (ja) * 1982-07-20 1984-01-27 株式会社東芝 非直線抵抗体
JPS61204902A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 三菱電機株式会社 電圧非直線抵抗体の製造方法
JP2819691B2 (ja) * 1989-11-08 1998-10-30 松下電器産業株式会社 酸化亜鉛バリスタの製造方法
JP3175500B2 (ja) * 1994-10-28 2001-06-11 株式会社日立製作所 電圧非直線抵抗体およびその製造方法

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