JPS6033348B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPS6033348B2
JPS6033348B2 JP54104432A JP10443279A JPS6033348B2 JP S6033348 B2 JPS6033348 B2 JP S6033348B2 JP 54104432 A JP54104432 A JP 54104432A JP 10443279 A JP10443279 A JP 10443279A JP S6033348 B2 JPS6033348 B2 JP S6033348B2
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JP
Japan
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state imaging
imaging device
amorphous silicon
image
substrate
Prior art date
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JP54104432A
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English (en)
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JPS5628565A (en
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繁 草間
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はファクシミリの読取走査などを行なうため、寸
法の大きい画像を画素に分解し、画像情報を電流の変化
とした画像信号を得る固体撮像装置に関する。
ファクシミリの読取走査方式としては、回転円筒、回転
ミラーあるいは可動光フアィバを用いて機械的に走査す
る機械走査方式があるが、可動部があるため高速化が難
しい。
電気式読取装置としては、フライングスポット管、ピジ
コン撮像管のような電子管を用いたものがあるが高価で
あり、保守も面倒であるので高速のものでは多数のホト
ダィオードにより構成されるホトダィオードアレィを用
いた固体撮像装置が用いられる。しかし多数のホトダィ
オードで構成されているため高価であり、また寸法の大
きいものは製作困難である。そのため原画を1/10〜
1/I000に縮小して画像信号をとり出していた。本
発明は、寸法の大きい画像から小さい縮小率で画像信号
を得ることのできる固体撮像装置を得ることを目的とす
る。
この目的を達成するため、本発明の装置は、導電性基板
上に一様に形成されたヲE晶質シリコンからなる光電活
性領域と、該非晶質シリコン層上に列をなして配置され
た4・面積の透明導電腰と、該各透明導電膜をそれぞれ
取囲むように設けられた接続導体とを備え、画像よりの
光の照射により各電極と基板の間に流れる光電流を接続
導体を介して順次取出すことを特徴とする。
以下本発明を図を用いて実施例について説明する。
第1,2図において、1は例えばステンレス鋼から成る
基板を示し、この上にモノシラン(Si比)をグロー放
電で分解することにより非晶質シリコン層2が形成され
ている。基板の表面の平坦度をよくすれば、長さが30
仇帆もある基板の上に均一に約lrmの厚さの非晶質シ
リコン膜を生成することができる。非晶質シリコン層2
はn形であり、その上にショットキーバリア金属(例え
ば白金薄膜)3を被着して光の照射により起電力を生ず
る光電活性領域11を形成している。ショットキーバリ
ア金属の代りにn形非晶質シリコン膜を設けてp形膜と
の間にpn接合を形成し、光電活性領域11としてもよ
い。ショットキーバリア金属3の上に第1図および第2
図に示すように小面積の例えば700Aの厚さの透明電
極4を一列に設ける。透明電極4は例えばSn02ある
いはln203から成り、マスクを用いた蒸着によるか
あるし・は一面に蒸着した後の選択エッチングにより小
面積にされる。透明電極4の寸法は解像度に応じて一辺
10〜500仏mに選ぶことができる。各透明電極4に
、蒸着でつくられた例えば銀から成る接続導体5が接続
されている。接続導体5は電極4との接続のために電極
4を取囲むように設けられる。これにより各画素の周辺
部において光が遮蔽され、画素間に光の当たらない高抵
抗領域が形成される。このように接続導体を設けること
によって、隣接する電極(画素)間の分離がより一層完
全になされ、解像度が向上する。このようにすれば一列
の長さ10〜300側、幅10〜500rmのホトダィ
オードアレィを形成することができるので、この上に原
画あるいは原画を縮尺した画像を投射して画像情報を与
え各電極4をクロックパルスによりスキャンすることに
よって、1ライン分の画像信号を接続端子6を基板1か
ら日頃次取出すことができる。さらに画像情報を電極4
の幅だけ移動させることによ靴頂次1ライン毎の画像信
号を取出し、一枚の画像信号を得ることができる。なお
図示していないがホトダィオードアレーの上を反射防止
膜で被覆すれば光電変換効率を高めることができる。上
述のように本発明は、非晶質シリコンを用いた太陽電池
の製作技術を固体撮像装置の製造に応用したものであり
、原画をそのままあるいは2/1〜1/10の縮尺にお
いて画像信号を取出すことのできる長尺の固体撮像装置
を安価に作ることを可能とする。
従って、従来のホトダィオードアレィに代って高速ファ
クシミリに適用できるばかりでなく、複写機、画像認識
装置にも応用可能である。なお上述の説明では一列のダ
イオ−ドアレィについて述べたが、複数列を並列配置し
て大面積の画像情報を同時にダイオードアレイに与える
こともできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の正面図、第2図は同じく平
面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・非晶質シリコン層
、3・・・・・・ショットキーバリア金属、4…・・・
透明導電膜電極、5・・・・・・接続導体、6・・・・
・・接続端子。 オ1図オ2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 導電性基板上に一様に形成された非晶質シリコンか
    らなる光電活性領域と、該非晶質シリコン層上に列をな
    して配置された小面積の透明導電膜と、該各透明導電膜
    をそれぞれ取囲むように設けられた接続導体とを備え、
    画像よりの光の照射により前記各電極と前記基板の間に
    流れる光電流を前記接続導体を介して順次取出すことを
    特徴とする固体撮像装置。
JP54104432A 1979-08-16 1979-08-16 固体撮像装置 Expired JPS6033348B2 (ja)

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JPS5628565A JPS5628565A (en) 1981-03-20
JPS6033348B2 true JPS6033348B2 (ja) 1985-08-02

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58125869A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Sanyo Electric Co Ltd 感光装置
JPS60113975A (ja) * 1983-11-25 1985-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜光起電力素子
JPH0732243B2 (ja) * 1985-01-11 1995-04-10 株式会社リコー 光電変換素子

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JPS5628565A (en) 1981-03-20

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