JPS6035245B2 - 射出成形方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は射出成形方法、特に成形物表面の射出ポイン
トに対する煩斜角度が、００でなく９び近くである事を
特徴とする射出成形方法に関する。

ここで、煩斜角度は、制限ゲートの射出ポイントに対す
る法線と成形物を取り出す金型の閉口方向との狭角の小
さい方の角度であると定義する。

そして制限ゲートの射出ポイントに対する法線とは、成
形物の表面の射出ポイントにおける接線に対して垂直な
線であると定義する。傾斜角度が概して００より大きく
、９００近くまであるように、成形物表面の射出ポイン
トの設置を選んだのには多くの理由がある。これらの理
由のいくつかは、強い耐久力と、変形の少ない、そして
美しい成形物を得る事である。従来、数個取り断熱ラン
ナ金型を用いる射出成形において、射出ポイントに対す
る傾斜角度は４・さく、約２びぐらいまでであった。

そのため二次ランナは傾斜をしていない状態で使用され
てきた。ここで傾斜した二次ランナとは、制限ゲートと
一次ランナシステムとを接続し、二次ランナ内で凝固し
たプラスチックと共に制限ゲート内で凝固したプラスチ
ックを、二次ランナを介して金型の開口方向と平行でな
い方向に運び出す事によって取り出す二次ランナである
。

懐斜角度が２０ｏ よりも大きいような数個取り断熱ラ
ンナ金型を用いた射出成形方法はかってなかった。

そして傾斜角度が２０ｏよりも大きい場合の数個取り断
熱金型を用いた射出成型方法は、サブマリーンゲートラ
ンナ金型を備えた射出成形システムあるいはホットラン
ナ金型を備えた射出成型システムのような数個取り射出
成形システムに使用されるのが望しし、。なぜなら、こ
れらの両方のシステムは著しい欠点を持っているからで
ある。サブマリーンゲートランナ型式の射出成形システ
ムにおいて、サブマリーンゲートランナ内で凝固したプ
ラスチックは、成形物と同時に取り出される。第１に、
このサブマリーンゲートランナ内で凝固されたプラスチ
ックは成形物と仕分けされなければならない。そのため
、射出成形工程においていくつかの高価な工程が必要と
されていた。第２にホットランナ金型を用いた射出成形
工程においては、加熱されたホットランナのマニホール
ドからホットランナノズルを介してチルリングキヤビテ
ィの壁へ熱の損失が起るために、成形物の要求される冷
却時間が長く、成形工程のサイクルは比較的長い時間を
必要としていた。そして、度々、ホットランナ内に不純
物が混入しホットランナを塞ぐ事があった。また、電気
的な加熱機素は、度々その機能を停止しホットランナ内
のプラスチックを凝固させていた。また、ホットランナ
内の熔融プラスチックは度々漏れ出て、溶融プラスチッ
クの損失と射出圧力の減少と、電熱加熱機素の短絡を生
じていた。次に、第２図を用いて、従来の断熱ランナ金
型の射出成形方法について説明する。

断熱ランナ金型２０１は可動部２０２と静止部２０３と
を備えている。そしてこの可動部２０２は滑動可能なク
ランプュニット１０２と接続され、静止部２０３は、静
止しているクランプュニット１０３と接続されている。
静止部２０３は２つのチルリングキヤビテイ２０４を備
え、それぞれのキヤビテイは、例えば飲料用のコップの
ような成形物２０５を成形するものである。断熱ランナ
金型２０１は射出ノズル１０６（第１図に示す）に相当
するスプルプツシュ２０６を備えている。スプルブツシ
ュ２０６は静止部２０３の第１セクション２１７内に挿
入される。第１セクション２１７は、静止部２０３の第
２セクション２１８に取り付けられ、分離面２１９で第
２セクション２１８から分離される。一次ランナシステ
ム２０９は、スプルブッシュ２０６と第１セクション２
１７とを介して溝が形成され、分離面２１９と同一面に
２つに分かれて位置されている。第２セクション２１８
に位置して、かつ傾斜していない二次ランナ２１１が一
次ランナシステムから続いて伸びている。二次ランナ２
１１は制限ゲート２１２を介してチルリングキャビティ
２０４へ導入されている。一次ランナシステム２０９と
二次ランナ２１１との内はプラスチック２１０が注入さ
れている。リングキャビティ２０４の壁は冷却システム
２１４を備えている。それぞれのチルリングキヤビテイ
２０４はストリツパスリーブ２１６を備えている。図中
の符号２２０は金型の開□方向を示すものである。成形
物２０５の表面の射出ポイント２１２に対する法線２２
１と閉口方向２２０との成す角度、言い換えれば傾斜角
度２２２は、この従釆の実施例では約６００である。次
に、このシステムの工程を説明する。

熔融プラスチック２１０を、ノズル１０６（第１図に示
す）を介して、射出ユニット１０４によって、一次ラン
ナシステム２０９へ射出する。そして、この熔融プラス
チックを環状の断面を有する一次ランナシステム２０９
を介して、環状の断面を有する二次ランナへ導入し、同
様に環状の断面を有する制限ゲート２１２を介してチル
リングキャビティ２０４へ導入する。この熔融プラスチ
ックが一次ランナシステム２０９と二次ランナ２１１と
を流動している間、溶融プラスチックの熱が一次ランナ
システム２０９の壁と二次ランナ２１１の壁とに伝達さ
れる。そして、これらの壁は、冷却されるために、流動
するポリスチレンの温度よりも低い温度である。一次ラ
ンナシステム２０９内のプラスチックと二次ランナ２１
１内のプラスチックとは、各々のランナ内の横断面全体
に渡って完全に凝固する事はなく、各々のランナ内の横
断面の中央部にプラスチックの溶融状態が維持される。
各々のランナ内に注入されるプラスチックは各々のラン
ナの横断面の外側の輪郭部分、つまり各々のランナの内
壁に面する部分が凝固するために、溶融プラスチックの
漏れを減少しあるいは妨げる。

チルリングキヤビティ２０４に射出されるプラスチック
を、冷却システム２１４によって冷却して凝固し、成形
物２０５を産出する。次に可動のクランプュニット１０
２（第１図に示す）を静止部１０３（第１図に示す）か
ら分離し、可動部２０２を静止部２０３から分離し、成
形物２０５をストリッパスリーブ２１４によって取り出
す。

それから、可動クランプュニット１０２（第１図に示す
）を静止クランプュニット１０３（第１図に示す）方向
へ動かし、可動部２０２を静止部２０３と結合する。そ
して、このプラスチックの射出成形サイクルが終了し、
次の射出成形サイクルが準備される。何かの理由でこの
プラスチックの射出成形サイクルに機能不然が生じある
いは必要によって、例えば制限ゲート２１２内に不純物
が混入した時、通常のプラスチックの射出成形サイクル
は停止される。

それから一次ランナンステム２０９と二次ランナ２１１
との内の溶融プラスチックは、一次ランナシステム２０
９と二次ランナ２１１との壁へ熱を放出する。そして、
各々のランナ内の溶融プラスチックは、横断面の全体に
渡って凝固する。次に第２セクション２１８をクランプ
ュニット１０２（第１図に示す）に取り付け、第２セク
ション２１８を第１セクションから分離することによっ
て、通常の射出成形を再び開始する。可動のクランプュ
ニット１０２（第１図に示す）を静止のクランプュニッ
ト１０３（第１図に示す）から離す。一次ランナシステ
ム２０９内の凝固したポリスチレンと二次ランナ２１１
内の凝固したポリスチレンとが結合したユニットを露出
するために、第２セクション２１８を第１セクションか
ら分離する。この各々のランナ内で凝固したポリスチレ
ンのユニットを「この後、取り出す。そして、可動クラ
ンプュニット１０２（第１図に示す）を静止クランプュ
ニット１０３（第１図に示す）の方向へ移動させる。第
２セクション２１８を第１セクション２１７へ再び取り
付けるためと、第２セクション２１８を可動ユニット１
０２（第１図に示す）と分離するために、第２セクショ
ン２１８を第１セクション２１７と結合する。そして、
再び射出成形のサイクルが始められる準備がされる。上
述した射出成形システルは、頭斜していない二次ランプ
２１１とチルリングキヤビテイ２０４との間の壁が極め
て薄いために、射出成形サイクルが短い時間で行なわれ
ると熱の移動が充分に行なわれず粗悪な成形物が生産さ
れるという不経済をもたらし、それによって、制限ゲー
ト２１２の断面積が増加し、次の成形物の生産を妨げる
ことになる。

この発明は以上の点に鑑みなされたもので、この発明の
目的はサブマリンゲートランナ型とホットランナ型との
数個取り金型を用いる射出成形方法の欠点を覆うもので
ある。

つまり、射出成形サイクルが短時間であり、不純物の混
入が容易に防止でき、加熱機素の影響を受ける事なく容
易に熱の移動が行なわれ、そして熔融プラスチックの漏
れのない射出成形方法を提供する事である。この発明は
概して次の工程からなる。数個取り金型の一次ランナシ
ステム中へ溶融プラスチックを注入する第１の工程と；
複数の制限ゲートと上記一次ランナシステムとを接続し
ている傾斜した複数の二次ランナへ、上記一次ランナシ
ステムへ注入された溶融プラスチックを導入する第２の
工程と；上記傾斜した二次ランナへ導入された溶融プラ
スチックを、チルリングキヤビティと上記傾斜した二次
ランナとを接続している制限ゲートへ導入する第３の工
程と傾斜した上記二次ランナの横断面全体に渡って完全
に凝固する事なく、上記二次ランナの横断面の中央部に
プラスチックの熔融状態が維持されるように、上記傾斜
した二次ランナへ導入された溶融プラスチックの温度よ
りも低い温度の上記傾斜した二次ランナの壁へ熱を伝達
する事によって、溶融プラスチックを冷却する第４の工
程と；上記制限ゲートを介して、上記チルリングキャビ
ティへ上記冷却された溶融プラスチックを射出する第５
の工程と；上記チルリングキャビティ内に射出された溶
融プラスチックを、キャビティ冷却システムによって冷
却して凝固させ、成形物を形成する第６の工程と：上記
成形物をチルリングキャビティから取り出す第７の工程
とを有し；上記第１の工程から第７の工程は、通常の射
出成形サイクルであり、機能不然や必要が生じて通常の
射出成形サイクルが終結された時、傾斜した二次ランナ
内の溶融プラスチックは、加えられた熱を傾斜した二次
ランナの壁へ伝達し、二次ランナの横断面の全体に渡っ
て凝固し；上記傾斜した二次ランナ内で上記凝固された
プラスチックを露出するために、上記傾斜した二次ラン
ナを有する金型を２つのセクションに分離する第８の工
程と；上記傾斜した二次ランナ内で凝固したプラスチッ
クと共に、制限ゲート内で凝固したプラスチックを上記
傾斜した二次ランプを介して、金型の開□方向と平行で
ない方向に沿って取り除く第９の工程と；上記２つに分
離された金型を再び結合する第１０の工程とを備え；上
言己第１の工程から第７の工程は、通常の射出成形工程
であり、上記第８の工程から第１０の工程の後に、再び
繰り返えされる。

ポリスチレンの数個取り射出成形において、この明細書
中に「冷却ランナシステム」と記している断熱ランナシ
ステムの実験を行なった。

その結果、「冷却ランナシステム」は「断熱ランナシス
テム」とは異なるものであった。なぜなら、従来の断熱
ランナを用いて、例えばポリオレフインの射出成形を行
なう場合には、次のような改良が必要であるからである
。第１に、断熱ランナを使用する場合、射出するポリオ
レフィンの温度は、ホットランナシステムを使用する場
合よりも高いものが必要であり；特にポリスチレンの射
出成形をする場合、かなり高い温度でなければならない
。

第２に断熱ランナシステムを使用する場合、射出するポ
リオレフィンの圧力は、ホットランナシステムを使用す
る場合よりも高いものであり；特にポリスチレンの射出
成形をする場合、かなり高い圧力が必要である。第３に
、断熱ランナを使用する場合、一次ランナシステムの横
断面積は大きくされなければならない。第４に、断熱ラ
ンナを使用する場合、二次ランナの横断面積は大きくな
ければならない。第６に、断熱ランナを使用する場合、
通常の射出成形サイクル回数は増加されなければならな
い。経験上、この冷却システムによれば１つの射出成形
サイクルにかかる時間は、一般的なホットランナを使用
した場合よりも、約１秒間短縮する事ができた。この冷
却時間の短縮は重要な事である。なぜなら射出成形サイ
クルの時間が短かければ、ランナ内の溶融プラスチック
が凝固するような大量の熱損失が行なわれないからであ
る。次に添付図面の第１、第３、第４、そして第５図を
参照してこの発明の実施例を詳細に説明する。始めに、
添付図面の第１図及び第３図を参照してこの発明の第１
の実施例を詳細に説明する。

第１図は、第２図、第３図、第４図、そして第５図に示
す射出成形金型の概略図である。金型１０１は可動部１
０２と静止部１０３とからなるクランプュニットの間に
位置される。射出ユニット１０４は加熱機素１０５と射
出ノズル１０６とを備えている。第３図中、冷却ランナ
金型３０１は、可動部３０２と静止部３０３とを備えて
いる。

そして、この可動部３０２は可動のクランプュニット１
０２（第１図に示す）と接続され、静止部３０２は静止
のクランプュニット１０３（第１図に示す）に接続され
ている。冷却ランナ金型３０１は、０．７柳の厚さの飲
料用グラスとしての成形物３０５を射出成形する２つの
チルリングキャビテイ３０４を備えている。冷却ランナ
金型３０１は射出ノズル１０６（第１図に示す）と対面
しているスプルフッシユ３０６を備えている。スプルブ
ツシュ３０６は、静止部３０３の第１セクション３０７
に挿入されている。第１セクション３０７は、静止部３
０３の第２セクション３０８に取付けられているが分離
面３０９によって第２セクションから分離されている。
一次ラソナシステム３１０は、スプルブッシュ３０６と
第１セクション３０７とを通って溝が形成されており、
さらに分離面３０９の位置で２つに枝分かれしている。
この一次ランナシステムの先端には、第２セクション３
０８内に位置される傾斜した２次ランナ３１１が続いて
伸びている。この傾斜した２次ランナ３１１は制限ゲー
ト３！２を介してチルリングキヤビティ３０４へ導入さ
れる。一次ランナシステム３１０と二次ランナ３１１と
の内にはポリスチレンが注入される。

チルリングキャビティ３０４の壁は冷却システム３１４
を備えている。各々のチルリングキャビティ３０４はス
トリッパスリーブ３１６を備えている。符号３２川ま金
型の閉口方向を示す。次に、第１の実施例の工程を詳細
に説明する。

温度２５０ｑｏと圧力１５００ｋ９／地との条件下で、
耐衝撃性の溶融ポリスチレン３１３を射出ノズル１０６
（第１図に示す）を介して射出ユニット１０４によって
一次ランナシステム３１０へ注入する。なお、ここで使
用されるポリスチレンは性衝撃性のポリスチレンである
。このポリスチレンは、一次ランナシステム３１０を介
して煩斜している二次ランナ３１１へ導入し、次に制限
ゲート３１２を介してチルリングキャビティ３０４へ導
入する。ここで、一次ランナシステム３１川ま環状の断
面を有し、この断面の平均径は１４柵である。二次ラン
ナ３１１は、同様に環状の断面を有し、この断面の平均
内径は１４帆である。制限ゲート３１２は、環状断面を
有し、この断面の平均径は１．８帆である。溶融ポリス
チレンが一次ランナシステム３１０と傾斜した二次ラン
ナ３１１との中を流動している間、熔融ポリスチレンの
熱は一次ランナシステム３１０の壁と額斜した二次ラン
ナ３１１の壁へと伝達される。一次ランナシステムと煩
斜した二次ランナの壁が冷却システム３１４によって冷
却されているために、これらの壁は流動しているポリス
チレンの温度より低い。そのため、〜次ランナシステム
３１０と傾斜している二次ランナ３１１との内のポリス
チレンは、それらの環状の横断面全体に渡って凝固せず
、環状の横断面の中心部では熔融状態を維持する。そし
て、環状の横断面の輪郭部分が凝固することによって、
一次ランナシステム３１０から分離面３０９を介して漏
れるポリスチレンの漏れを減少させあるいは防止する事
ができる。そして、チルリソグキャビティ３０４内に射
出された溶融ポリスチレンを、冷却システム３１ ４に
よって、１．２砂の短い冷却時間で冷却する。次に、こ
の冷却されたポリスチレンを凝固し、その結果、成形物
３０５を産出する。次に、可動のクランプュ′ニット１
０２（第１図に示す）を静止のクランプュニット１０３
（第１図に示す）から離れるように移動し、可動部３０
２を静止部３０３から分離し、成形物３０５をストリッ
パスリーブ３１６によって、取り出す。

次に、可動のクランプュニット１０２（第１図に示す）
を静止のクランプュニット１０３方向に移動し、可動部
３０２を静止部３０３と結合させる。この時、この実施
例の通常の射出成形サイクルは終了する。この実施例で
は、１つの射出成形サイクルに要する時間は２．鏡砂で
ある。この射出成形において機能不然が生じたり必要に
よって、例えば制限ゲートは１．８柳という大きな内径
を有しているにもかかわらずＬ制限ゲート３１２に不純
物が混入し、制限ゲートが詰まった場合、通常の射出成
形サイクルを終結し、一次ランナシステム３１０と傾斜
した二次ランナ３１１との内の溶融ポリスチレンに付加
された熱を、一次ランナシステム３１０と傾斜した二次
ランナ３１１との壁へ放出する。

そして溶融ポリスチレンは、一次ラソナシステムと二次
ランナとの内の全体にわたって完全に凝固する。この後
、第２セクション３０８を可動のクランプュニット１０
２（第１図に示す）へ取り付けて、第２セクション３０
８を第１セクション３０７から分離する。次に、可動の
クランプュニット１０２（第１図に示す）を静止のクラ
ンプュニット１０３（第１図に示す）から移動すると共
に、第２セクション３０８を第１セクション３０７から
分離する。その結果、一次ランナシステム３１０内の凝
固したポリスチレンと二次ランナ３１１内の凝固したポ
リスチレンとからなる結合ユニットを露出する。この結
合ユニット３１８を取り出すと共に、頚斜した二次ラン
ナ３１１内の凝固したポリスチレンと一緒に制限ゲート
３１２内の凝固したポリスチレンを、懐いた二次ランナ
を介して、金型の関口方向と平行でない方向に沿って取
り出す。二次ランナ３１１内の凝固したポリスチレンが
取り出されるために、一次ランナシステム内の凝固した
ポリスチレンを折り取る事によって結合ユニット３１８
を分割する事が必要である。次に、可動のクランプュニ
ット１０２（第１図に示す）を静止のクランプュニット
１０３方向へ移動し、第１セクション３０７と結合し、
第２セクション３０８を第１セクション３０７に取り付
ける。そして、第２セクション３０８を可動ユニット１
０２（第１図に示す）から切り離す。この時、次の通常
の射出成形サイクルが準備される。この実施例において
、二次ランナ３１１は簾斜しているために、二次ランナ
３１１とチルリングキャビティ３０４との間の壁は、従
来のように薄いものではない。

そのため射出成形サイクルに悪影響を及ぼすという事が
ない。次に第１図及び第４図を参照して、この発明の第
２の実施例について詳細に説明する。

冷却ランナ金型４０１は、可動部４０２と静止部４０３
とを備え、可動部４０２を可動のクランプュニット１０
２に援続され、静止部４０３を静止クランブュニット１
０３に接続されている。

冷却ランナ金型４０１は２つのチルリングキャビティ４
０４を備え、各々のキャビティは０．５５肋の厚さの飲
料用グラスとしての成形物４０５を成形する。冷却ラソ
ナ金型４０１は射出ノズル１０６と対面しているスプル
プツシュ４０６を備えている。スプルブッシュ４０６は
静止部４０３の第１セクション４０７に挿入されている
。第１セクション４０７は、静止部４０３の第２セクシ
ョン４０８に取り付けられているが、分離面４０９によ
って第２セクションから分離されている。一次ランナ４
１川ま、スプルブッシュ４０６と第１セクション４０７
とを通って溝が形成されており、さらに分離面４０９の
位置で２つに枝分かれしている。この一次ランナシステ
ム４１０の先端には、第２セクション４０８内に位置さ
れる煩斜した二次ランナ４１１が続いて伸びている。こ
の傾斜した二次ランナ４１１は制限ゲート４１２を介し
てチルリングキャビティ４０４へ導入されている。一次
ランナシステム４１０と二次ランナ４１１との内には、
ポリスチレン４１３が注入される。チルリングキャビテ
ィ４０３の壁は冷却システム４１４を備えている。各々
のチルリングキヤビテイ４０４はストリツパスリーブ４
１６を備えている。そして、符号４２川ま金型の開口方
向を示している。次に、第２の実施例の工程を詳細に説
明する。

温度２７０ｏｏと圧力１５００ｋ９／地の条件下で、溶
融ポリスチレンを、射出ノズル１０６を介して射出ユニ
ット１０４によって一次ランナシステム４１０へ注入す
る。なお、この実施例で使用されるポリスチレンは汎用
のポリスチレンである。この溶融ポリスチレンを、一次
ランナシステム４１０を介して傾斜している二次ランナ
４１１へ導入し、次に制限ゲート４１２を介してチルリ
ングキャビティ４０４へ導入する。ここで、一次ランナ
システム４１川ま環状の断面を有し、この断面の平均内
径は１３側である。二次ランナ４１１は、同様に環状の
断面を有し、この断面の平均内径は１３帆である。制限
ゲート４１２は環状の断面を有し、この断面の平均内径
は１．６側である。溶融ポリスチレンが一次ランナシス
テム４１０と懐斜した二次ランナ４１１との中を流動し
ている間、溶融ポリスチレンの熱は一次ランナシステム
４１０の壁と傾斜した二次ランナ４１１の壁とへ伝達さ
れる。そして、一次ランナシステムと傾斜した二次ラン
ナの壁が冷却システム４１５によって冷却されているた
めに、これらの壁の温度は流動しているポリスチレンの
温度よりも低い。そのため、一次ランナ４１０と傾斜し
ている二次ランナ４１１との内のポリスチレンは完全に
凝固しないが、ポリスチレンの壁面に側した部分が凝固
し、各々のランナの中心部では溶融状態を維持する。こ
の壁面に側した部分が凝固することによって、一次ラン
ナシステム４１０から分離面４０９を介して漏れるポリ
スチレンの漏れを減少させあるいは防止する事ができる
。そして、チルリソグキヤビテイ４０４内に射出された
溶融ポリスチレンは、冷却システム４ １４によって、
０．朝砂の短い冷却期間で冷却する。そして、冷却され
たポリスチレンは凝固し、成形物４０５を産出する。可
動のクランプュニット１０２は静止クランプュニット１
０３から離れるように移動し、可動部４０２を静止部４
０３から分離し、成形物４０５をストリッパスリーブ４
１６によって取り出す。

次に可動のクランプュニット１０２を静止のクランプュ
ニット１０３方向へ移動し、可動部４０２を静止部４０
４と結合させる。この時、この実施例の通常の射出成形
サイクルは終了し、この実施例では、１つの射出成形サ
イクルに要する時間は２．乳砂である。この射出成形に
おいて、機能不然が生じたりあるいは必要によって、例
えば制限ゲート１．６側という大きな内径を有している
にもかかわらず、制限ゲート４１２に不純物が混入して
、この制限ゲートが塞がれた場合、通常の射出成形工程
のサイクルを終結し、一次ランナシステム４１０と傾斜
した二次ランナ４１１との内の溶融ポリスチレンの付加
された熱を、一次ランナシステム４１０と傾斜した二次
ランナ４１１との壁へ伝達する。

そして溶融ポリスチレンを、一次ランナシステム４１０
と傾斜した二次ランナ４１１内の環状の横断面全体に渡
って凝固させる。この後、第２セクション４０８を可動
のクランプュニット１０２へ取り付け、第２セクション
４０８を第１セクション４０７から分離する。次に、可
動のク．．ランプユニット１０２を静止のクランプュニ
ツト１０３から移動すると共に、第２セクション４０８
を第１セクション４０７から分離する。そして、一次ラ
ンナシステム４１０内の凝固したポリスチレンと二次ラ
ンナ４１１内の凝固したポリスチレンとからなる結合ユ
ニットを大気中に露出する。この結合ユニットを取り除
くと共に、頃斜した二次ランナ４１１内の凝固したポリ
スチレンと一緒に制限ゲート４１２内で凝固したポリス
チレンを傾いた二次ランナを介して、金型の閉口方向と
平行でない方向に沿って取り出す。二次ランナ３１１内
の凝固したポリスチレンが取り出すために、一次ランナ
システム内の凝固したポリスチレンを折り取る事によっ
て結合ユニット４１８を分割する事が必要である。次に
、可動のクランプュニット１０２を静止のクランプュニ
ット１０３方向へ移動し、第１セクション４０７と結合
し、第２セクション４０８を第１セクション４０７に取
り付ける。そして、第２セクション４０８を可動ユニッ
ト１０２と切り離す。この時通常の射出成形工程のサイ
クルが準備される。この実施例において、二次ランナ４
１１は煩斜しているために、二次ランナ４１１とチルリ
ングキャビティ４０４との間の壁は従来のように薄いも
のではない。

そのため射出成形サイクルに悪影響を及ぼすという事が
ない。次に、第１図及び第５図を参照して第３の実施例
を詳細に説明する。冷却ランナとホットランナとを絹合
せた組合せ金型５０１は、可動部５０２と静止部５０３
とを備え、可動部５０２は可動のクランプュニット１０
２と接続され、静止部５０３は静止クランプュニット１
０３に接続されている。

静止部５０３は第１セクション５１７と第２セクション
５１８とを備え、第１セクション５１７は静止のクラン
ブュニット１０３に取り付けられ、第２セクション５１
８は分離面５１９によって第１セクションと分離されて
いる。組合せ金型５０１か２つのチルリングキャビティ
４０４を備え、各々のキャビティは０．８５側の厚さの
飲料用グラスとしての成形物５０５を生産する。

組合せ金型５０１はスプルブッシュ５０６を備えている
。このスブルブッシュ５０６は、射出ノズル１０６と対
面し、ホツナランナマニホールド５０７へ接続されてい
る。ホットランナマニホールド５０７は２つのホットラ
ンナノズル５０８と接続されている。一次ホットランナ
システム５０９は、静止部５０３の第１セクションに位
置され、スプルブッシュ５０６を通って溝が形成され、
ホットランナマニホールド５０７とゲート５１３を備え
る２つのホットランナノズル５０８を通りねけている。
ゲート５１３は第２セクション５１８に位置される傾斜
した二次ランナ５１１を導入している。傾斜した二次ラ
ンナ５１１は制限ゲート５１２を通ってチルリングキャ
ビテイ５０４へ導入されている。一次ホットランナ５０
９と傾斜した二次ラソナ５１１との中にはポリスチレン
５１０が注入される。チルリングキヤビティ５０４の壁
は冷却システム５１４を備えている。ホットランナマニ
ホールド５０７は加熱機素５１５の加熱システムを備え
ている。各々のチルリングキャビティ５０４はストッパ
スリーブ５１６を備えている。符号５２０は金型の関口
方向を示している。次の第３の実施例の工程を詳細に説
明する。

この実施例で用いられるポＩＪスチレンは高い耐衝撃性
のポリスチレンである。温度２３０００と圧力１５００
ｋ９／均の条件下で、溶融ポリスチレンを射出ノズル１
０６を介して射出ユニット１０４によつ、て一次ホット
ランナ５０９へ注入する。この溶融ポリスチレンをホッ
トランナゲート５１３を介して傾斜した二次ランナ５１
１へ導入し、次に制限ゲート５１２を介してチルリング
キヤビテイ５０５へ導入する。ここで、二次ランナ５１
１は、環状の断面を有し、この断面の平均内径はｉ５側
である。制限ゲート５１２は環状の断面を有し、この断
面の平均内径は２仇ゆである。溶融ポリスチレンが傾斜
した二次ランナ５１１の中を流動している間、溶融ポリ
スチレンの熱を傾斜した二次ランナ５１１の壁へ伝達さ
れる。そして、傾斜した二次ランナの壁を冷却システム
５１４によって冷却するために、この壁の温度は流動し
ているポリスチレンの温度よりも低い。そのため、傾斜
している二次ラソナ内のポリスチレンは、その環状の横
断面全体に渡って凝固しないが、環状の横断面の輪郭部
分が凝固し、環状の横断面の中心部では溶融状態を維持
する。加熱機素５１５は、導入されたポリスチレンの熱
の損失を減少し妨げるために、一次ホットランナシステ
ムを加熱する。

チルリングキャビティ５０４に射出されたポリスチレン
を冷却システム５１４によって冷却する。その冷却時間
は、わずか１．４秒である。そして冷却されたポリスチ
レンを凝固し、成形物５０５を産出する。可動のクラン
プュニット１０２を、静止のクランプュニット１０３か
ら離れるように移動すると共に、可動部５０２を静止部
５０３から分離し、成形物５０５をストリッパスリーブ
５１６によって取り出す。

次に、可動のクランプュニット１０２を静止のクランプ
ュニット１０３方向へ移動し、可動部５０２は静止部５
０３と結合する。この時、この実施例の通常の射出成形
サイクルは終了する。この実施例では、１つの射出成形
サイクルに要する時間は２．９砂である。この射出成形
において機能不然が生じたり必要によって、例えば制限
ゲート５１２は２仇廠という大きな内径を有しているに
もかかわらず、制限ゲート５１２に不純物が混入し、こ
の制限ゲートが詰まった場合、通常の射出成形サイクル
を終結し額斜した二次ランナ５１１内の溶融ポリスチレ
ンは、傾斜した二次ランナ５１１の壁へ付加された熱を
放出する。

そして溶融ポリスチレンは、煩斜した二次ランナの横断
面の全体にわたって完全に凝固される。しかし、加熱機
素５１５が一次ホットランナシステム５０９を加熱する
ため、一次ホットランナシステム５０９内の溶融ポリス
チレン５１０は凝固しない。

第２セクション５１８を可動部１０２に取り付ける。そ
して、第２セクション５１８を第１セクションと切り離
す事とによって、次の通常の成形サイクルが準備される
。それから、可動のクランプュニツト１０２を静止のク
ランプュニット１０３から離れるように移動すると共に
、第２セクション５１８を第１セクション５１７から分
離し、その結果、傾斜した二次ランナ内の凝固したポリ
スチレンを大気中に露出する。そして、この凝固したポ
リスチレンを取り除くと共に、傾斜した二次ランナ５１
１内の凝固したポリスチレンと一緒に制御ゲート内で凝
固したポリスチレンを傾いた二次ランナ５１１を介して
金型の閉口方向と平行でない方向に沿って取り出す。次
に、可動のクランプュニット１０２を静止のクランプュ
ニット１０３方向へ移動し、第１セクション５１７と結
合し、第２セクション５１８を第１セクション５１７に
取り付ける。

そして、第２セクション５１８を可動ユニット１０２と
切り離す。この時、通常の射出成形工程のサイクルが準
備される。ホットランナゲート５１３の閉口は狭くなっ
ていないため、浸入した不純物がホットランナノズル５
０８を閉塞する事がない。

そして、ホットランナノズル５０８からチルリングキヤ
ビテイ５０４の壁へ熱が確実に伝達される。しかし、チ
ルリングキャビティ５０４の壁からホットランナノズル
５０８までの距離が離れすぎているため大量の熱移動は
起こらない。このように、二次ラソナ５１１は傾斜して
いるために、二次ランナ５１１とチルリングキヤビティ
５０５との間の壁は従来のように薄いものではない。

そのため射出成形サイクルに悪影響を及ぼすという事が
ない。この発明によれば、１の射出成形サイクルの時間
が短時間であり、かつ不純物の混入が容易に防止でき、
さらに加熱機素の影響を受ける事なく容易に熱の移動が
行なわれ、そして熔融プラスチックの漏れのない数個取
り断熱ランナ金型の射出成形方法を提供する事ができる
。

この発明は、上述した実施例の構成に限定される事なく
、この考案の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能であ
る。

例えば、サンドイッチ金型システムにおいては、第２ラ
ンナを備える金型の部分の両側に、チルリングキャビを
備えるものであっても同様の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、射出成形金型の概略図；第２図は従釆の射出
成形金型を示す略図：第３図はこの発明の第１の実施例
を示す数個取り断熱ランナ金型の略図；第４図はこの発
明の第２の実施例を示す数個取り断熱ランナ金型の略図
：第５図はこの発明の第３の実施例を示す数個取り断熱
ランナ金型の略図である。 ３０１，４０１，５０１・・・・・・数個取り金型、３
０４，４０４，５０４……チルリングキヤビティ、３１
０，４１０，５０９・・・・・・一次ランナシステム、
３１１，４１１，５１１・…・・傾斜した二次ランナ、
３１２，４１２，５１２……制限ゲート、３１３，４１
３，５１０……プラスチック、３２０，４２０，５２０
・・・・・・金型の開口方向。 ＦＩＧ．ｌＦＩＧ．２ ＦＩＧ．う ＦＩＧ．４ ＦＩＧ．５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 数個取り金型の一次ランナシステム中へ溶融プラス
   チツクを注入する第１の工程と；複数の制限ゲートと上
   記一次ランナシステムとを接続している傾斜した複数の
   二次ランナへ、上記一次ランナシステムへ注入された溶
   融プラスチツクを導入する第２の工程と：上記傾斜した
   二次ランナへ導入された溶融プラスチツクを、チルリン
   グキヤビテイと上記傾斜した二次ランナとを接続してい
   る制限ゲートへ導入する第３の工程と傾斜した上記二次
   ランナの横断面全体に渡つて完全に凝固する事なく、上
   記二次ランナの横断面の中央部にプラスチツクの溶融状
   態が維持されるように、上記傾斜した二次ランナへ導入
   された溶融プラスチツクの温度よりも低い温度の上記傾
   斜した二次ランナの壁へ、熱を伝達する事によつて、溶
   融プラスチツクを冷却する第４の工程と；上記制限ゲー
   トを介して、上記チルリングキヤビテイへ上記冷却され
   た溶融プラスチツクを射出する第５の工程と；上記チル
   リングキヤビテイ内に射出された溶融プラスチツクを、
   キヤビテイ冷却システムによつて冷却して凝固させ、成
   形物を形成する第６の工程と；上記成形物をチルリング
   キヤビテイから取り出す第７の工程とを有し；これら第
   １の工程ないし第７の工程は、通常の射出成形サイクル
   であり、機能不然や必要が生じて通常の射出成形サイク
   ルが終結された時、傾斜した二次ランナ内の溶融プラス
   チツクは、加えられた熱を傾斜した二次ランナの壁へ伝
   達し、二次ランナの横断面の全体に渡つて凝固し；また
   上記傾斜した二次ランナ内で上記凝固されたプラスチツ
   クを露出するために、上記傾斜した二次ランナを有する
   金型を２つのセクシヨンに分離する第８の工程と；上記
   傾斜した二次ランナ内で凝固したプラスチツクと共に、
   制限ゲート内で凝固したプラスチツクを、上記傾斜した
   二次ランナを介して、金型の開口方向と平行でない方向
   に沿つて取り出す第９の工程と；上記２つに分離された
   金型を再び結合する第１０の工程とをさらに備え；上記
   第１の工程ないし第７の工程は、通常の射出成形工程で
   あり、上記第８の工程ないし第１０の工程の後に、再び
   繰り返されることを特徴とする射出成形方法。 ２ 上記一次ランナシステムに導入された溶融プラスチ
   ツクの温度よりも低い温度を有する上記一次ランナシス
   テムの壁へ、溶融プラスチツクの熱を伝達する事によつ
   て、上記一次ランナシステム内に導入された溶融プラス
   チツクを冷却し、上記一次ランナシステム内の溶融プラ
   スチツクと上記一次ランナシステム分枝部の溶融プラス
   チツクとのすべてを完全に凝固させず上記傾斜した二次
   ランナを有する金型の２つのセクシヨン間で生じる溶融
   プラスチツクの漏れを減少させあるいは防ぐために、上
   記一次ランナシステムの横断面の外輪部を凝固し、上記
   一次ランナシステムの横断面の中央部にはプラスチツク
   の融融状態を維持する工程を備える事を特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の射出成形方法。 ３ 上記一次ランナシステムへ導入されたプラスチツク
   から上記一次ランナシステムの壁へ伝達される熱の損失
   を減少しあるいは防ぐために、上記一次ランナシステム
   の壁を加熱する工程を備える事を特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の射出成形方法。 ４ 上記第９の工程は、上記傾斜した二次ランナ内の凝
   固されたプラスチツクを取り出すために、上記一次ラン
   ナシステム内に凝固したプラスチツクとからなる結合ユ
   ニツトを分離する工程を備える事を特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の射出成形方法。 ５ 上記溶融プラスチツクは溶融ポリスチレンである事
   を特徴とし、上記第１の工程は、所定の比較的高い温度
   と所定の比較的高い圧力の条件下でポリスチレンを上記
   一次ランナシステム内に注入する事を特徴とし；上記第
   ２の工程は、所定の大きな断面積を有する一次ランナシ
   ステムを通じて注入されたポリスチレンを傾斜した二次
   ランナへ導入する事を特徴とし；上記第３の工程は、所
   定の比較的大きな断面積を有する傾斜した二次ランナを
   介して、ポリスチレンを制限ゲートへ導入する事を特徴
   とし；上記第４の工程は、所定の比較的大きな断面積を
   有する制限ゲートを通じて上記チルリングキヤビテイへ
   ポリスチレンを導入する事を特徴とし；上記第５の工程
   は、チルリングキヤビテイ内に導入されたポリスチレン
   を短い時間によつて冷却する事を特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の射出成形方法。 ６ 上記ポリスチレンは、はん用タイプのポリスチレン
   である事を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の射出
   成形方法。