JPS6035301A - ２進デイジタル情報の熱磁気記録法 - Google Patents
２進デイジタル情報の熱磁気記録法Info
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- JPS6035301A JPS6035301A JP59083054A JP8305484A JPS6035301A JP S6035301 A JPS6035301 A JP S6035301A JP 59083054 A JP59083054 A JP 59083054A JP 8305484 A JP8305484 A JP 8305484A JP S6035301 A JPS6035301 A JP S6035301A
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- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10534—Heads for recording by magnetising, demagnetising or transfer of magnetisation, by radiation, e.g. for thermomagnetic recording
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
この発明は情報の貯蔵、更に具体的に云えば、逮進ディ
ジタル情報の新規な熱磁気記録及び貯蔵方法に関する。
ジタル情報の新規な熱磁気記録及び貯蔵方法に関する。
各々のデー タ・ビットを磁気媒質に磁気的に記録する
ことによって、テークを貯蔵することが知られている。
ことによって、テークを貯蔵することが知られている。
′清報の貯蔵密度を最高にする為、各各の磁区の面積は
出来るたけ小すくシなければならない。従来、高い密度
でａ進ディジタル情報を熱磁気的に記録する方法は実用
的でなかった。
出来るたけ小すくシなければならない。従来、高い密度
でａ進ディジタル情報を熱磁気的に記録する方法は実用
的でなかった。
／９ｇ３年Ｓ月／り日出願の米国特許出願第４１９３＜
１．Ｓ−号に記載されている様に、数ミクロン程度の直
径を持つ磁区を支える保磁力の大きい月利が開発された
ことにより、高い密度でディジタル情報をｔｒｉ−蔵す
る口」化性が出て来た・。
１．Ｓ−号に記載されている様に、数ミクロン程度の直
径を持つ磁区を支える保磁力の大きい月利が開発された
ことにより、高い密度でディジタル情報をｔｒｉ−蔵す
る口」化性が出て来た・。
比較的小さくて安定な磁区を支える薄膜媒質内にディジ
タル・デ〜りを一時的に又は永久的に熱磁気式に記録す
る方法を提供することが望ましい。
タル・デ〜りを一時的に又は永久的に熱磁気式に記録す
る方法を提供することが望ましい。
この発明では、磁気記録月利の薄膜層にディジタル情報
が熱磁気式に貯蔵される。利料は少なくと＋９７種類の
希土類元素と少なくとも７種類（７）遷移金属元素の無
定形（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ）合金、又はマンガン・ビ
スマス、マン′カン銅ビスマス、マンプノンゲルマニ′
７ム＼。
が熱磁気式に貯蔵される。利料は少なくと＋９７種類の
希土類元素と少なくとも７種類（７）遷移金属元素の無
定形（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ）合金、又はマンガン・ビ
スマス、マン′カン銅ビスマス、マンプノンゲルマニ′
７ム＼。
・了ルミニウム、白金コバルト等の様な材料にずΔ
ることか出来る。好ましい実施例では、薄膜記録層がカ
ドリニウム・コバル） （ＧｄＣｏ） −：ｔｊ ｌリ
ニウム・テルビウム・コバルト（ＧｄＴｂＦｅ）−カド
リニウム・テルヒ゛ウム鉄（ＧｄＴｂＦｅ） −テルヒ
゛ウム鉄（′ｌ”ｌ〕Ｆ”ｃ ）、ジスプロシウム鉄（
１）ｙＦｅ）又はカー・リニウム鉄イツトリウム（Ｇｄ
Ｊ・’ｅＹ）の様な１？■・”スパッタリングによる無
定形合金で形成されているが、この時、２！進情報ビツ
トを貯蔵するには、その而に対して略法線方向の第１の
方向を持つ飽和磁界を一時的に磁気記録層にかけて、該
層の内の７つの情報ヒノ１を記録しようとする各磁区に
残留磁界を作ることによ（つ、第１のａ進状態を定め−
その後飽：１１」磁界の太きさより大きさが小さく且つ
方向が飽和（直昇と反対であるバイアス磁界を層にかけ
、バイアス磁界が存在する間、残りのユ進状態を持つ情
報ヒツトを貯蔵しようとする磁区を加熱し、まだバイア
ス磁界が存在する間に加熱さｆ″ＬＬ佛区却して、残留
磁界とは反対方向の正味の磁界をこの磁区に誘起する。
ドリニウム・コバル） （ＧｄＣｏ） −：ｔｊ ｌリ
ニウム・テルビウム・コバルト（ＧｄＴｂＦｅ）−カド
リニウム・テルヒ゛ウム鉄（ＧｄＴｂＦｅ） −テルヒ
゛ウム鉄（′ｌ”ｌ〕Ｆ”ｃ ）、ジスプロシウム鉄（
１）ｙＦｅ）又はカー・リニウム鉄イツトリウム（Ｇｄ
Ｊ・’ｅＹ）の様な１？■・”スパッタリングによる無
定形合金で形成されているが、この時、２！進情報ビツ
トを貯蔵するには、その而に対して略法線方向の第１の
方向を持つ飽和磁界を一時的に磁気記録層にかけて、該
層の内の７つの情報ヒノ１を記録しようとする各磁区に
残留磁界を作ることによ（つ、第１のａ進状態を定め−
その後飽：１１」磁界の太きさより大きさが小さく且つ
方向が飽和（直昇と反対であるバイアス磁界を層にかけ
、バイアス磁界が存在する間、残りのユ進状態を持つ情
報ヒツトを貯蔵しようとする磁区を加熱し、まだバイア
ス磁界が存在する間に加熱さｆ″ＬＬ佛区却して、残留
磁界とは反対方向の正味の磁界をこの磁区に誘起する。
各々の磁区に貯蔵されたデータ・ビットのディジタル状
態を読取る時は、照会用のエネルギ・ビー〕・に対する
、磁区の互いに反対向きの磁界の内の一方のｉｉｈ界の
影響を利１４１４する。
態を読取る時は、照会用のエネルギ・ビー〕・に対する
、磁区の互いに反対向きの磁界の内の一方のｉｉｈ界の
影響を利１４１４する。
好ましい実施例では、読取エネルギ・ビームは光エネル
ギ・ビームであるが、平面偏光ビームに対して相異なる
回転方向を誘起する電気光学効果（例えば反射される照
会ビームに対するカー効果。
ギ・ビームであるが、平面偏光ビームに対して相異なる
回転方向を誘起する電気光学効果（例えば反射される照
会ビームに対するカー効果。
又は透過する照会ビームに対するファラデー効果〕を利
用する。
用する。
成る磁区にデータを再込む間−その貯蔵磁区を比較的低
い温度よ−Ｃ加熱し、その後、大きさの大きい（飽和値
）（ＩＢ界又は高温に露出することによって消去するこ
とにより、各々のデータ・ピントを一時的に貯蔵するこ
とが出来る。データ貯蔵期間中に磁区に発生だれる温度
が幾分高＜ （ＧｄＣ。
い温度よ−Ｃ加熱し、その後、大きさの大きい（飽和値
）（ＩＢ界又は高温に露出することによって消去するこ
とにより、各々のデータ・ピントを一時的に貯蔵するこ
とが出来る。データ貯蔵期間中に磁区に発生だれる温度
が幾分高＜ （ＧｄＣ。
貯蔵層に対しては約２０θ℃より高い）、かつ層（））
融点（Ｇｄ約、２０乃至３０％及びＣｏ ｇ Ｏ乃至７
θ％の合金に対しては約７３２Ｓ±、２５°Ｃ）より低
い場合、誘起さｉｌζ正味の仕・界は永久的に貯蔵され
。
融点（Ｇｄ約、２０乃至３０％及びＣｏ ｇ Ｏ乃至７
θ％の合金に対しては約７３２Ｓ±、２５°Ｃ）より低
い場合、誘起さｉｌζ正味の仕・界は永久的に貯蔵され
。
この後で高い温ｊ隻又は大きさの大きい（直昇に露出す
ることによつ−（、消去ｉ）〜る、二とが出来ない。
ることによつ−（、消去ｉ）〜る、二とが出来ない。
式に記録する新規な方法を提供することである。
この発明の上記、）Ｉ？びにその他の目的は、以下図面
について詳しく説明する所から明らかになろう。
について詳しく説明する所から明らかになろう。
この発明は、バイアス磁界をかけた磁気記録材料の薄膜
層の温度を局部的に高くして、この加熱された区域の磁
化の方向が、その磁区に前に作られていた局部的な磁界
の方向に対して変わる様にすることにより、情報の配録
が行なわれる。記録層は前掲米国特許出願通し番号第グ
９３．’ｌ ９５号に記載されている様γよ７群の無定
形合金の内の７つで作られる。」＝記米国特許出願に詳
しく記載さλ上でいる様に、好ましい７種類の無定形合
金は少なくとも／種石の遷移金属元素と少なくとも７種
類の希土類元素とを持つものであり、正味の磁化がセロ
になる様に、成る補償温度で、反強感性結合されｌン少
なくとちノつの磁化の部分格子を反対向き′Ｃ相πマし
くなる様に作ることが出来るものて・ある１、こういう
月利の保（１ゼカは、補償点で無限大に向う傾向を持ち
、温度がこの補償温度より高くなるにつれて単調に減少
する。こういう７群の無定形合金の１４料を小さな磁界
の存在の下にその補償温度より十分高い温度まで加熱す
ることにより、１１０熱ｅｈ’／と領域の磁化の方向を
印加磁界の方向にする。加熱された領域を冷却した後で
は、この発明の材料の磁気パラメータは、安定であフて
拡大したり崩壊したりしない磁区が出来る様になってい
る。
層の温度を局部的に高くして、この加熱された区域の磁
化の方向が、その磁区に前に作られていた局部的な磁界
の方向に対して変わる様にすることにより、情報の配録
が行なわれる。記録層は前掲米国特許出願通し番号第グ
９３．’ｌ ９５号に記載されている様γよ７群の無定
形合金の内の７つで作られる。」＝記米国特許出願に詳
しく記載さλ上でいる様に、好ましい７種類の無定形合
金は少なくとも／種石の遷移金属元素と少なくとも７種
類の希土類元素とを持つものであり、正味の磁化がセロ
になる様に、成る補償温度で、反強感性結合されｌン少
なくとちノつの磁化の部分格子を反対向き′Ｃ相πマし
くなる様に作ることが出来るものて・ある１、こういう
月利の保（１ゼカは、補償点で無限大に向う傾向を持ち
、温度がこの補償温度より高くなるにつれて単調に減少
する。こういう７群の無定形合金の１４料を小さな磁界
の存在の下にその補償温度より十分高い温度まで加熱す
ることにより、１１０熱ｅｈ’／と領域の磁化の方向を
印加磁界の方向にする。加熱された領域を冷却した後で
は、この発明の材料の磁気パラメータは、安定であフて
拡大したり崩壊したりしない磁区が出来る様になってい
る。
一般的に薄膜磁気月利の保磁力を強めると、その材料の
磁区の安定性が改善されることが認識されている。然し
、数ミクロン程度の直径を持つ比較的小さい磁区を安定
化するのに適切な保磁力がないことが見受Ｈられる場合
が多い。この為、材料の所望のｌｉ良区の茶漬を加熱し
ている間は所望の磁区を形成することが出来るが、所望
の磁区は利料が冷却した時に崩壊する傾向がある。記録
層の４２料が、安定化用のバイアス磁界の存在のＦに、
（ＩＢ磁気異方性磁化及び交換エネルギ定数の正しい匝
を持っていれば、保磁力がゼロ又はごく小さいイＡ料中
に斂ミクロン未満の直径を持つ安定な逆磁区を形成する
ことが出来ることが判っている。こういう月利は、被膜
の厚さ、交換エネルギ定数、磁化及び磁気異方性の値に
関係する特定の臨界的な直径すなわち崩壊直径までの寸
法のバブル磁区を支える。こういう逆磁区は月利中に動
的に形成することが出来るが一安定化用のバイアス磁界
を取去った時に崩壊する。
磁区の安定性が改善されることが認識されている。然し
、数ミクロン程度の直径を持つ比較的小さい磁区を安定
化するのに適切な保磁力がないことが見受Ｈられる場合
が多い。この為、材料の所望のｌｉ良区の茶漬を加熱し
ている間は所望の磁区を形成することが出来るが、所望
の磁区は利料が冷却した時に崩壊する傾向がある。記録
層の４２料が、安定化用のバイアス磁界の存在のＦに、
（ＩＢ磁気異方性磁化及び交換エネルギ定数の正しい匝
を持っていれば、保磁力がゼロ又はごく小さいイＡ料中
に斂ミクロン未満の直径を持つ安定な逆磁区を形成する
ことが出来ることが判っている。こういう月利は、被膜
の厚さ、交換エネルギ定数、磁化及び磁気異方性の値に
関係する特定の臨界的な直径すなわち崩壊直径までの寸
法のバブル磁区を支える。こういう逆磁区は月利中に動
的に形成することが出来るが一安定化用のバイアス磁界
を取去った時に崩壊する。
」＝に述べた米国特許出願の熱磁気記録材料は。
バイアス磁界が無くても安定である非常に小さな寸法を
持つ磁区をこの発明の方法により記録することが出来、
こうして大量の情報を貯蔵することが出来る。この熱磁
気記録材料では、保磁力が大きいことが望ましいだけで
なく、記録利料に形成さ）上た磁区の崩壊直径が非常に
小さくなる様に。
持つ磁区をこの発明の方法により記録することが出来、
こうして大量の情報を貯蔵することが出来る。この熱磁
気記録材料では、保磁力が大きいことが望ましいだけで
なく、記録利料に形成さ）上た磁区の崩壊直径が非常に
小さくなる様に。
他の磁気パラメータを選ぶことが出来ることも望ましい
。他の磁気パラメータを適当に選択すれば、保磁力の値
を幾分小さくしても、安定な磁区が得らノ１．る。
。他の磁気パラメータを適当に選択すれば、保磁力の値
を幾分小さくしても、安定な磁区が得らノ１．る。
碍気椙旧の保持力Ｊ−１ｃは選ばれた熱磁気記録合金に
所要の安定性を持たせる様に作用する。これと対照的に
、磁気バブルの用途では一磁区の安定性は印加磁界（■
に応答しなければならない。保磁力■ＩＣは常に磁壁の
運動に対抗する様に作用するから（そして臨界的な崩壊
直径より小さい寸法を持つ小さな磁区に対しては、崩壊
を防止する様に作用するから）、記録旧制の被膜の厚さ
１１は、熱磁気記録の用途では、磁区の直径ｄに較べて
小さくすることが出来る。この為、室温に近い補償点並
びに比較的小さな磁化へ・１を持つ熱磁気記録材料で、
高い保磁力を達成することが出来る。無定形合金の記録
用薄膜は、適度な値の交換定数へと共に適度の保磁力を
持つ材料で形成されていて、拡大した温度範囲にわたっ
て動作出来る様にしながらも）、適″切な磁気光学式信
号対雑音比を持つ。
所要の安定性を持たせる様に作用する。これと対照的に
、磁気バブルの用途では一磁区の安定性は印加磁界（■
に応答しなければならない。保磁力■ＩＣは常に磁壁の
運動に対抗する様に作用するから（そして臨界的な崩壊
直径より小さい寸法を持つ小さな磁区に対しては、崩壊
を防止する様に作用するから）、記録旧制の被膜の厚さ
１１は、熱磁気記録の用途では、磁区の直径ｄに較べて
小さくすることが出来る。この為、室温に近い補償点並
びに比較的小さな磁化へ・１を持つ熱磁気記録材料で、
高い保磁力を達成することが出来る。無定形合金の記録
用薄膜は、適度な値の交換定数へと共に適度の保磁力を
持つ材料で形成されていて、拡大した温度範囲にわたっ
て動作出来る様にしながらも）、適″切な磁気光学式信
号対雑音比を持つ。
異方性が小さくて保磁力の大きい薄膜記録層は具体的に
は少なくとも７種類の希土類元素と少なくとも７種類の
遷移金属元素の無定形合金で形成され、振幅が約４０ボ
ルト未満の非常に小さなＩ（１・゛バイアス又は典型的
には約、２００ボルトより高い非常に大きな１１ Ｆバ
イアスをスパッタリング沈積の間に月１いる、好ましい
と考えられる１１ ］”スパッタリング過程によって沈
積される。ガドリニウム・コバルト（ＧｄＣｏ） 及Ｕ
ｉｆトリニウム・テルビニウム・コバルｔ−（ＧｄＴ
ｂＣｏ ）の様な無定形合金の被膜が好ましいが、ガド
リニウム・テルビウム鉄（Ｇｄ１’ １）Ｆｅ ）、テ
ルビウム鉄（ＴｂＦ”ｅ）等の被膜も用途によっては役
立つ可能性がある。使われる遷移金属は〜１１Ｉｌ族の
任意の金属であってよいが、記録材料のコストを下げる
為に第り周期のものが好ましい。
は少なくとも７種類の希土類元素と少なくとも７種類の
遷移金属元素の無定形合金で形成され、振幅が約４０ボ
ルト未満の非常に小さなＩ（１・゛バイアス又は典型的
には約、２００ボルトより高い非常に大きな１１ Ｆバ
イアスをスパッタリング沈積の間に月１いる、好ましい
と考えられる１１ ］”スパッタリング過程によって沈
積される。ガドリニウム・コバルト（ＧｄＣｏ） 及Ｕ
ｉｆトリニウム・テルビニウム・コバルｔ−（ＧｄＴ
ｂＣｏ ）の様な無定形合金の被膜が好ましいが、ガド
リニウム・テルビウム鉄（Ｇｄ１’ １）Ｆｅ ）、テ
ルビウム鉄（ＴｂＦ”ｅ）等の被膜も用途によっては役
立つ可能性がある。使われる遷移金属は〜１１Ｉｌ族の
任意の金属であってよいが、記録材料のコストを下げる
為に第り周期のものが好ましい。
第４周期の希土類元素も利用することが出来る。
この発明では、前掲米国特許出願に記載されている様に
非常に小さなＲ，Ｆバイアス又は非常に大きなＲＦバイ
アスを用いて沈積した希土類／遷移金属元素の無定形合
金（・上、０５乃至３マイクロメ一タ程度の直径を持つ
熱磁気記録磁区を支える。
非常に小さなＲ，Ｆバイアス又は非常に大きなＲＦバイ
アスを用いて沈積した希土類／遷移金属元素の無定形合
金（・上、０５乃至３マイクロメ一タ程度の直径を持つ
熱磁気記録磁区を支える。
典型的ｌよ中位のパイ了ス条件（約乙θボルト乃至約４
０ボルト）を用いて作成した被膜は、この様な小さな直
径の磁区を支えない様に思われる。
０ボルト）を用いて作成した被膜は、この様な小さな直
径の磁区を支えない様に思われる。
第１図について説明すると、硝子、セラミック、プラス
チック等の様な非磁性材料の薄いティスフ基板１２を沈
積手段９の隔離手段９ａ ＋例えば真空室内に配置する
ことにより、記録ディスク１１が製造される。基板１２
は、面１２ａ上に反射被覆１２１）とその十に重ねたノ
酸化シリコン等の様な保獲材料の薄層１２Ｃとを持つ形
式であってもよい。
チック等の様な非磁性材料の薄いティスフ基板１２を沈
積手段９の隔離手段９ａ ＋例えば真空室内に配置する
ことにより、記録ディスク１１が製造される。基板１２
は、面１２ａ上に反射被覆１２１）とその十に重ねたノ
酸化シリコン等の様な保獲材料の薄層１２Ｃとを持つ形
式であってもよい。
沈積手段９は、ティスフ基板の面１２ａ上に記録媒質の
薄層１４を沈積するのに適した従来公知の任意の形式の
ものであってよい。例として、ＧｄＣ。
薄層１４を沈積するのに適した従来公知の任意の形式の
ものであってよい。例として、ＧｄＣ。
記録媒質の層１４を沈積するには、Ｔ（Ｊ”スパッタリ
ング手段９ｃを使う。必要に応じて別々にした又は混合
したガドリニウム及びコバルｌ−の源を真空外波９ａ内
に人ｉ土、関連したＲ Ｆ源９ｂを付勢して一■Ｉに述
べｌ：：大きさを持つ無線周波数の電圧Ｖ ＋ｚ Ｉｒ
をスパッタリング手段９Ｃにかける。合金の構成分子１
４′が而１２２１に沈積される。層１４ （ＧｄＣｏを
使う場合は、好ましくは約、２０乃至３０チの（１（Ｉ
及ｏ’ｇ。
ング手段９ｃを使う。必要に応じて別々にした又は混合
したガドリニウム及びコバルｌ−の源を真空外波９ａ内
に人ｉ土、関連したＲ Ｆ源９ｂを付勢して一■Ｉに述
べｌ：：大きさを持つ無線周波数の電圧Ｖ ＋ｚ Ｉｒ
をスパッタリング手段９Ｃにかける。合金の構成分子１
４′が而１２２１に沈積される。層１４ （ＧｄＣｏを
使う場合は、好ましくは約、２０乃至３０チの（１（Ｉ
及ｏ’ｇ。
乃至７０％のＣｏから成る）が所要の厚さｈ−典型的に
は／θ０Ａ乃至３０００Ａに沈積されるまで、手段９１
） 、 ９Ｃを作動する。約５ｏｏｈの厚さ１】が打上
しい。その後、隔ｎＩＬ手段９ａ内の真空を実質的に切
らさずに、手段９ａ内にあって全体的なｉ積手段９の一
部分を形成する別の装置９（１を用いて、磁気媒質層の
自由面１４ａの上に非感性で光学的に実質的に透明な材
料の層１６を厚さ【になるまで設ける。例として云うと
、層１６はス酸化シリコンであっテ、Ｒ１’スパッタリ
ング・ビーム１６′を用いた周知の沈積方法により、１
０００ Ａ程度の厚さに製造される。この発明で゛は、
層１６の厚さｔは５層１６の月料の屈折率に対して補正
して、情報を読取るのに使われる光ビーム（後で説明す
る）の約／／り波長になる様に選ぶのが有利であること
が判った。層１６が磁気記録層の面１４ａを保護する様
に作用し、十に述べた厚さの条件を守れば、データの読
出しをよくする様に作用する（この読出しは後で説明す
る）。
は／θ０Ａ乃至３０００Ａに沈積されるまで、手段９１
） 、 ９Ｃを作動する。約５ｏｏｈの厚さ１】が打上
しい。その後、隔ｎＩＬ手段９ａ内の真空を実質的に切
らさずに、手段９ａ内にあって全体的なｉ積手段９の一
部分を形成する別の装置９（１を用いて、磁気媒質層の
自由面１４ａの上に非感性で光学的に実質的に透明な材
料の層１６を厚さ【になるまで設ける。例として云うと
、層１６はス酸化シリコンであっテ、Ｒ１’スパッタリ
ング・ビーム１６′を用いた周知の沈積方法により、１
０００ Ａ程度の厚さに製造される。この発明で゛は、
層１６の厚さｔは５層１６の月料の屈折率に対して補正
して、情報を読取るのに使われる光ビーム（後で説明す
る）の約／／り波長になる様に選ぶのが有利であること
が判った。層１６が磁気記録層の面１４ａを保護する様
に作用し、十に述べた厚さの条件を守れば、データの読
出しをよくする様に作用する（この読出しは後で説明す
る）。
記録層１４の面を層１６に６にって不働態化した後、記
録ディスク１１を装置９から取出し、それに情報を記録
−（）′るまで、保管することが出来る。
録ディスク１１を装置９から取出し、それに情報を記録
−（）′るまで、保管することが出来る。
ｉ套ユ図はこの発明の好ましい方法に従って−ディスク
１１に一進符号の情報を記録す４様子を示す。最初に磁
界発生手段２０が、層１４（これは約３００乃至１５θ
θエルステツドの範囲内の保磁力■Ｔｃを持つ）の保磁
力より大きな大きさく例えば約１０００乃至２０００エ
ルステンド）の飽和磁界Ｉ−（ｓをディスクにかける。
１１に一進符号の情報を記録す４様子を示す。最初に磁
界発生手段２０が、層１４（これは約３００乃至１５θ
θエルステツドの範囲内の保磁力■Ｔｃを持つ）の保磁
力より大きな大きさく例えば約１０００乃至２０００エ
ルステンド）の飽和磁界Ｉ−（ｓをディスクにかける。
飽和磁界は記録被膜の面１２ン１に対して第１の磁界の
方向、例えば基板１２から保護被膜１６−＼上向きの方
向を持つ。飽和磁界ＩＩｓを取去った時、各々の磁区区
域／グーＮ（ここで／ ’Ｓ：、 Ｎ ＜ ｘであり、
Ｘは図示の実施例では少なくとも１０て゛ある）は−飽
和磁界ＩＩｓの方向の残））′ｉ ４Ｂ気七−メントＭ
’５： １’！ｒつ。ベクトルへ１の方向が例えば磁
区／シー／に第７の、２進状態を設定する。
方向、例えば基板１２から保護被膜１６−＼上向きの方
向を持つ。飽和磁界ＩＩｓを取去った時、各々の磁区区
域／グーＮ（ここで／ ’Ｓ：、 Ｎ ＜ ｘであり、
Ｘは図示の実施例では少なくとも１０て゛ある）は−飽
和磁界ＩＩｓの方向の残））′ｉ ４Ｂ気七−メントＭ
’５： １’！ｒつ。ベクトルへ１の方向が例えば磁
区／シー／に第７の、２進状態を設定する。
残（′］の２進状態は、！持定の磁区／１ｌ−Ｎに（Ｉ
Ｉｓの方向に対して）反λ」の方向を持つ磁１にＭ′を
設定することによって得られる。
Ｉｓの方向に対して）反λ」の方向を持つ磁１にＭ′を
設定することによって得られる。
成る（磁区、例えば磁区／’ｌ−２を記録被膜１４の＋
」料、例えは（、、？ｄＣｏ （７）融点（例えば／
３００−Ｃ程度）より低い温度に加熱し−その間被ｊ摸
にバイアス磁’ｒ’＋１１１＋）をかＬ−］ることによ
り、この磁区の磁化ｉｖｌ’が記録さ１Ｌる。バイアス
磁界は同じの界発生手段２０によって発生する、―とが
出来る。バイアス磁界のベクトルは飽和磁ν’ｉ’４１
ｓの方向と反対方向を稙ら、友、Ａご１１４１）ｌ（例
えば約５０乃至５００エルステノ！・）は、飽相磁５ｖ
の大５きさＩｆ−１ｓｌより小さいと共に、磁区が加熱
された時に現わノ１−る温度依存性を持つ保磁力１−ｒ
ｅの実際の値より大きい。即ち、磁区のｌｔ■ｃ ｌは
加熱により、ｌ Ｉ−Ｉ ｂ ｌより小さな値に減少す
る。
」料、例えは（、、？ｄＣｏ （７）融点（例えば／
３００−Ｃ程度）より低い温度に加熱し−その間被ｊ摸
にバイアス磁’ｒ’＋１１１＋）をかＬ−］ることによ
り、この磁区の磁化ｉｖｌ’が記録さ１Ｌる。バイアス
磁界は同じの界発生手段２０によって発生する、―とが
出来る。バイアス磁界のベクトルは飽和磁ν’ｉ’４１
ｓの方向と反対方向を稙ら、友、Ａご１１４１）ｌ（例
えば約５０乃至５００エルステノ！・）は、飽相磁５ｖ
の大５きさＩｆ−１ｓｌより小さいと共に、磁区が加熱
された時に現わノ１−る温度依存性を持つ保磁力１−ｒ
ｅの実際の値より大きい。即ち、磁区のｌｔ■ｃ ｌは
加熱により、ｌ Ｉ−Ｉ ｂ ｌより小さな値に減少す
る。
好ましい実施例では、磁区１例えば磁区／り一氾の局部
的な加熱は、■込み源手段２５からの光エネルギをそこ
に集束することによって行なわれる。手段２５が、パル
ス幅゛１゛を持つ電流パルス２８に応答してパルス状光
ビーｌ、２７２」を放出するｌ／−ザ・ダイオード２７
を含む。放出ビームが光学手段３０によって集束される
。集束ビーム３２が透明な被膜１６を透過して、記録被
膜の而１２２１の内、所望の磁区、例えば磁区／グ〜、
２を・限定する区域に入射する。人Ｊλ１ずイ）エネル
ギか記録被膜１２の内、所望のく１８区ＩＱ′ｉ’ｊ）
る部分を加熱すく〕。被膜１２の保ｆｉ＆３力は加熱さ
ｉた場所で正味の磁界より低く’Ｊ、 ’（−）。レー
ザ・パルスの持続時間］゛が終った後、記録被膜が正味
の磁界の存在の下に室温まで冷却さ１する。正味の（１
θ界は温度によって減少し刀ご被１１かの磁化の分布と
バイアス磁界との合成でμ）るかも。
的な加熱は、■込み源手段２５からの光エネルギをそこ
に集束することによって行なわれる。手段２５が、パル
ス幅゛１゛を持つ電流パルス２８に応答してパルス状光
ビーｌ、２７２」を放出するｌ／−ザ・ダイオード２７
を含む。放出ビームが光学手段３０によって集束される
。集束ビーム３２が透明な被膜１６を透過して、記録被
膜の而１２２１の内、所望の磁区、例えば磁区／グ〜、
２を・限定する区域に入射する。人Ｊλ１ずイ）エネル
ギか記録被膜１２の内、所望のく１８区ＩＱ′ｉ’ｊ）
る部分を加熱すく〕。被膜１２の保ｆｉ＆３力は加熱さ
ｉた場所で正味の磁界より低く’Ｊ、 ’（−）。レー
ザ・パルスの持続時間］゛が終った後、記録被膜が正味
の磁界の存在の下に室温まで冷却さ１する。正味の（１
θ界は温度によって減少し刀ご被１１かの磁化の分布と
バイアス磁界との合成でμ）るかも。
バイアス４１壺界の大きさ１ｊ−，１１） ｌは所望の
値１例えば高い記録温度に於ける被膜の保磁力ＦＩＣの
大きさの約７倍に設定することが出来、冷却する磁区は
正味の磁界の方向の磁化Ｍ′を持つ。
値１例えば高い記録温度に於ける被膜の保磁力ＦＩＣの
大きさの約７倍に設定することが出来、冷却する磁区は
正味の磁界の方向の磁化Ｍ′を持つ。
磁化へ１′を記録した磁区ば、直径約７ミクロンの各々
の磁区に約７０＋／秒乃至約３ミクロンの持続時間゛１
゛を持つ７個の光記録パルスをかげて、約／／ｌＬｔマ
イクロメータ平方乃至約ａマイクロメータ平方の磁区の
区域を加熱することにより約１００’Ｃ乃至約ノθ０゛
′Ｇの磁区の温度に加熱することによって磁区が記録さ
れた場合、磁区を消滅させる強い飽和磁界Ｈｓによって
消去することが出来る。永久的な磁区を持つ消去不能の
記録は、消去ｏｆ能な磁区を作るのに必要フヨよりもず
っと高い温度Ｇこ磁区の区域を加熱することによってイ
貸られる。各々の磁区に於ける永久的な記録を作る温度
は約２００”Ｃより高くなければならないが、記録被膜
１４の融点より低くなければならない。同じレーザ・ビ
ームのエネルギ、′例えば約Ｓミリワット乃至約Ｓミリ
ワットのエネルギでは、約７０マイクロ秒の持続時間゛
ｒを持つ７個のノくルス（又は逐次的な／マイクロ秒の
パルスから成る系列）を約ａミクロン乃至約３ミクロン
の直径ｄを、持っ磁区に用いる゛ことが出来る。
の磁区に約７０＋／秒乃至約３ミクロンの持続時間゛１
゛を持つ７個の光記録パルスをかげて、約／／ｌＬｔマ
イクロメータ平方乃至約ａマイクロメータ平方の磁区の
区域を加熱することにより約１００’Ｃ乃至約ノθ０゛
′Ｇの磁区の温度に加熱することによって磁区が記録さ
れた場合、磁区を消滅させる強い飽和磁界Ｈｓによって
消去することが出来る。永久的な磁区を持つ消去不能の
記録は、消去ｏｆ能な磁区を作るのに必要フヨよりもず
っと高い温度Ｇこ磁区の区域を加熱することによってイ
貸られる。各々の磁区に於ける永久的な記録を作る温度
は約２００”Ｃより高くなければならないが、記録被膜
１４の融点より低くなければならない。同じレーザ・ビ
ームのエネルギ、′例えば約Ｓミリワット乃至約Ｓミリ
ワットのエネルギでは、約７０マイクロ秒の持続時間゛
ｒを持つ７個のノくルス（又は逐次的な／マイクロ秒の
パルスから成る系列）を約ａミクロン乃至約３ミクロン
の直径ｄを、持っ磁区に用いる゛ことが出来る。
非永久的に記録した磁区は個別に消去すること（）出来
る。ビット七“磁区／クーノは、バぐス磁界１１１）を
逆転すると共に、光源２７を時間′ｒの間パルス駆動し
て、磁区の１ス域を記録の時に用いたのと大体同じ温度
に加熱することによって、消去される・ビット磁区／ｌ
−，２に於ける正味の磁界はこの時もとの飽和磁界Ｈｓ
と同じ方向で゛あるから、冷却した時のビット磁区は磁
化Ｍの方向である。バイアス研界汁）は飽和磁界ＩＩｓ
より十分低いから、この磁界ｔｆｌ〕を受ける他のビッ
ト砂区は、光源２７によって加熱さ％ていない為に、変
化しない。
る。ビット七“磁区／クーノは、バぐス磁界１１１）を
逆転すると共に、光源２７を時間′ｒの間パルス駆動し
て、磁区の１ス域を記録の時に用いたのと大体同じ温度
に加熱することによって、消去される・ビット磁区／ｌ
−，２に於ける正味の磁界はこの時もとの飽和磁界Ｈｓ
と同じ方向で゛あるから、冷却した時のビット磁区は磁
化Ｍの方向である。バイアス研界汁）は飽和磁界ＩＩｓ
より十分低いから、この磁界ｔｆｌ〕を受ける他のビッ
ト砂区は、光源２７によって加熱さ％ていない為に、変
化しない。
記録の後、記録済みの磁気ディスク１１は、貯蔵データ
の読出しを希望する時まで貯蔵することが出来る。非永
久的に記録されたディスクは、飽和磁界ＩＩｓの大きさ
に近いかそれより大きな大きさを持つ磁界のない環境内
に物理的に保管すべきである。非永久的に記録したディ
スクは、飽和磁界によって消去した後、非永久的に記録
する様式又は永久的に記録する様式の倒れかで再び情報
を記録することが出来る。この後の記録が永久であるか
どつかは、記録過程の間に磁区にかける温度に関係する
。
の読出しを希望する時まで貯蔵することが出来る。非永
久的に記録されたディスクは、飽和磁界ＩＩｓの大きさ
に近いかそれより大きな大きさを持つ磁界のない環境内
に物理的に保管すべきである。非永久的に記録したディ
スクは、飽和磁界によって消去した後、非永久的に記録
する様式又は永久的に記録する様式の倒れかで再び情報
を記録することが出来る。この後の記録が永久であるか
どつかは、記録過程の間に磁区にかける温度に関係する
。
記録済みのディスクは、各々の６Ｂ区／グーＮの磁化の
方向に応じて相異なる出力結果を発生する様な効果を利
用することによって読取られる。好ましいと考えられる
実施例では、入射光を用いて、適当な光学効果により、
例えば、ディスクを透過する光に対するファラデー効果
を使うことにより、又は透明層１６を介してディスクか
ら反射される）℃に対するカー効果を使うことにより、
貯蔵された情報を読取る。前に述べた様に、層１６の拐
オ）１の屈」Ｊｉ率に対して補正して、／／グ波長の厚
さに沈積した層１６を設けることにより、反射光による
（カー効果を利Ｌ（１シた）ディスクの読取りがよくな
る。例として、カー効果による読取装置３４が、不規則
な偏光ベクトル３８を持つ光ビーム３６を放出する光源
３５を有する。ビーム３６を平面偏光手段４０に。通し
、その結束前られるビームは単一偏光ベクトル４０ａに
なる。平面偏光ビーム４２がディスク゛１１に入射し、
実質的に透明な保護層゛１６を通過する。入射ビーム４
２が薄膜記°録層の面１２．Ｉから反射され、層１６を
・通過し、反射ビーム４４として光解析手段４６に送ら
れる。手段４６が、入射ビームの偏光Ｉｏに対する反射
ビーム４４の偏光の回転に応じて、スつのユ進状態の内
の一方の出力電圧■。を発生Ｗる。カー効果により、（
被膜の反射領域が磁化さ）Ｌでいなかった場合は相補的
な平面偏光ｒ、ベクトルになる筈の）偏光ベクトルの反
射面は、磁化Ｍを持つ磁化された磁区の面からの反射の
場合には第１の方向に回転した平面偏光１〜ベクトル４
９を持ち１反対方向の磁化Ｍ′を持つ磁化された（磁区
の而からの反射の場合には反対方向に回転した平面偏光
！、ペター・ル磁化Ｍ及びＭ′が反対方向であって略同
じ大きさである場合、ベクトル４９ ．５０の回転の程
度は、略反対向きで略相等しい。
方向に応じて相異なる出力結果を発生する様な効果を利
用することによって読取られる。好ましいと考えられる
実施例では、入射光を用いて、適当な光学効果により、
例えば、ディスクを透過する光に対するファラデー効果
を使うことにより、又は透明層１６を介してディスクか
ら反射される）℃に対するカー効果を使うことにより、
貯蔵された情報を読取る。前に述べた様に、層１６の拐
オ）１の屈」Ｊｉ率に対して補正して、／／グ波長の厚
さに沈積した層１６を設けることにより、反射光による
（カー効果を利Ｌ（１シた）ディスクの読取りがよくな
る。例として、カー効果による読取装置３４が、不規則
な偏光ベクトル３８を持つ光ビーム３６を放出する光源
３５を有する。ビーム３６を平面偏光手段４０に。通し
、その結束前られるビームは単一偏光ベクトル４０ａに
なる。平面偏光ビーム４２がディスク゛１１に入射し、
実質的に透明な保護層゛１６を通過する。入射ビーム４
２が薄膜記°録層の面１２．Ｉから反射され、層１６を
・通過し、反射ビーム４４として光解析手段４６に送ら
れる。手段４６が、入射ビームの偏光Ｉｏに対する反射
ビーム４４の偏光の回転に応じて、スつのユ進状態の内
の一方の出力電圧■。を発生Ｗる。カー効果により、（
被膜の反射領域が磁化さ）Ｌでいなかった場合は相補的
な平面偏光ｒ、ベクトルになる筈の）偏光ベクトルの反
射面は、磁化Ｍを持つ磁化された磁区の面からの反射の
場合には第１の方向に回転した平面偏光１〜ベクトル４
９を持ち１反対方向の磁化Ｍ′を持つ磁化された（磁区
の而からの反射の場合には反対方向に回転した平面偏光
！、ペター・ル磁化Ｍ及びＭ′が反対方向であって略同
じ大きさである場合、ベクトル４９ ．５０の回転の程
度は、略反対向きで略相等しい。
図示の様に、矢印Ａの方向に動くディスクでは、照会ビ
ーム４２は時刻ｔ。に磁化Ｍを持つ磁区／／ｌ−−３の
面から反ｑ１される。反射ビーム４４は回転しｌヒ偏光
ｒベクトル４９を持ち、解析手段がそれを受取っｌＳこ
とに応答して論理／出力を発生する。
ーム４２は時刻ｔ。に磁化Ｍを持つ磁区／／ｌ−−３の
面から反ｑ１される。反射ビーム４４は回転しｌヒ偏光
ｒベクトル４９を持ち、解析手段がそれを受取っｌＳこ
とに応答して論理／出力を発生する。
夫々磁化Ｍ 、 Ｉ’ｖｌ’、 Ｍ’を持つ前に照会さ
れた磁区〃−グ乃至／ｌｌ−乙は、時刻ｔ。の直前の時
刻にユ進／ 、０．０のデータ・ビットとじて読取られ
る。
れた磁区〃−グ乃至／ｌｌ−乙は、時刻ｔ。の直前の時
刻にユ進／ 、０．０のデータ・ビットとじて読取られ
る。
同様に、ディスクが引続いて回転すると、ビーム４２が
磁区／’ｌ−７を照会し、その磁化ｉｖｔ’より、反射
ビームは偏光の回転（ｒ ）を受け、この為解析手段４
６がノ進０出力を発生する。同様に、時刻１より後の逐
次的な時刻に、照会ビームが磁区／／１．−ｇ乃至１ｉ
ｔ−ｉｏの後続の位置にある時、反射ビーム４４は夫々
の偏光の回転ベクトル（Ｉ。
磁区／’ｌ−７を照会し、その磁化ｉｖｔ’より、反射
ビームは偏光の回転（ｒ ）を受け、この為解析手段４
６がノ進０出力を発生する。同様に、時刻１より後の逐
次的な時刻に、照会ビームが磁区／／１．−ｇ乃至１ｉ
ｔ−ｉｏの後続の位置にある時、反射ビーム４４は夫々
の偏光の回転ベクトル（Ｉ。
・ｒ、・ｒｏ）を持ち、解析手段の出力電圧■。はそれ
に応じて夫々氾進／ 、０ 、／状態になる。
に応じて夫々氾進／ 、０ 、／状態になる。
好ましいと考えられる実施例を詳しく説明したが、当業
者にはいろいろな偏光が考えられよう。
者にはいろいろな偏光が考えられよう。
従って、この発明の範囲は特許請求の範囲によって限定
されるものであって、こ〜に例として述べた実施例の細
部に制約さね、るものではないことを承知されたい。
されるものであって、こ〜に例として述べた実施例の細
部に制約さね、るものではないことを承知されたい。
第１図はこの発明で使われる熱磁気記録ディスクを形成
する為に、基板の上に無定形合金を沈積する装置の略図
、第１図はこの発明の考えに従って情報をディスクに書
込み、ディスクから読出す様子を示す磁気記録ディスク
の一部分の側面図である。 （主な杓号の説明） １２ ・−・・基板 １４・・・・記録媒質の薄層 Ｈｓ−・・・・飽和磁界 ■−Ｉｂ ・・・・・・・バイ了ス磁界Ｍ、Ｍ’−・
磁化 ２０・ −・磁界発生手段 ２５・・・・・・−・書込み源手段 ３４ ・・ 読取装置 １、事１′１．の表示 昭和５９イＴｌ’ｆｉｉ’ｆ願第０８３０５４号２、発
明の名称 ２進デイジタル情報の熱磁気記録法 ３、補正をづる者 事イ！１どの関係 特許出願人 ４、代理人 住 所 １０７東京都港区赤坂１丁目１４番１４号第３
５興和ビル ４階 図面 ７、補正の内容
する為に、基板の上に無定形合金を沈積する装置の略図
、第１図はこの発明の考えに従って情報をディスクに書
込み、ディスクから読出す様子を示す磁気記録ディスク
の一部分の側面図である。 （主な杓号の説明） １２ ・−・・基板 １４・・・・記録媒質の薄層 Ｈｓ−・・・・飽和磁界 ■−Ｉｂ ・・・・・・・バイ了ス磁界Ｍ、Ｍ’−・
磁化 ２０・ −・磁界発生手段 ２５・・・・・・−・書込み源手段 ３４ ・・ 読取装置 １、事１′１．の表示 昭和５９イＴｌ’ｆｉｉ’ｆ願第０８３０５４号２、発
明の名称 ２進デイジタル情報の熱磁気記録法 ３、補正をづる者 事イ！１どの関係 特許出願人 ４、代理人 住 所 １０７東京都港区赤坂１丁目１４番１４号第３
５興和ビル ４階 図面 ７、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／）ｉａｌ熱磁気記録利料から成る平面状薄膜記録層を
月１意し、ｔｂ＋ｂｌ磁界の太きさより小さい大きさを
持つバイアス磁界を一時的Ｃご前記層にかげて、該バイ
アス磁界が情報ビットを記録しようとする少なくとも７
つの磁区を通る様Ｃごし、（Ｃ）前記バイアス磁界が存
在する間、前記層の内の少なくともノ進状態を記録しよ
うとする磁区を定める区域を加熱し、（（１）前記バイ
アス磁界の存在する間に上記加熱された磁区を冷却して
、前記バイアス磁界と整合した方向を持つ正味の磁界を
前記磁区に誘起する各工程を含む、ａ進ディジタル情報
を貯蔵する方法。 、２、特許請求の範囲／）に記載しｌと方法に於て、前
記平面状薄膜記録層を用意する前記工程ｉａｌが、該層
の平面Ｃご対して略法線方向の第１の方向の飽和磁界を
一時的Ｇご前記記録層にかけて、前記層内の少なくとも
１つの磁区の各々に第１のス進状態を定める残留磁界を
作る工程を含み、前記層にバイアス磁界を一時的Ｃごか
ける前記工程（ｂｌが、前記飽和磁界の方向と反対方向
のバイアス磁界を発生することを含み、前記層を加熱す
る前記工程（ｃｌ及び前記加熱された磁区を冷却する工
程ｆｄｌは、残りのス進状態を記録しようとする各々の
磁区に対してのみ用いられる方法。 ３）特許請求の範囲／）又は力に記載した方法に於て、
前記層の少なくとも７つの磁区をエネルギ・ビームで照
会し、照会された磁区の磁界のエネルギ・ビームに対す
る影響を解析して、照会された磁区に貯蔵されているテ
ィジタル情報ビットの状態を読取る工程を含む方法。 ｑ）特許請求の範囲３）に記載した方法に於て、照会用
のエネルギ・ビームが光エネルギのビームである方法。 ５）特許請求の範囲グ）に記載した方法に於て、前記ビ
ームが記録層に入射°する前に、照会用の光ビームを略
平面偏光にする工程を含む方法。 乙）特許請求の範囲Ｓ）に記載した方法に於て、入射す
る光ビームが解析工程の前に前記磁気層から反射され、
更（、こ、前記記録層の内、照会用の光ビームをそれか
ら反射させようとする面の−にに実質的に透明な利料の
層を作り、前記実質的に透明な層の厚さを、該実質的に
透明な層の椙料の屈折率に対して補正して、照会用光ビ
ームの約／／１７波長になる様に設定する工程を含む方
法。 ン）特許請求の範囲５）に記載した方法に於て、前記解
析する工程が、前記記録層から反射必ノ１．た実質的に
平面偏光した光の回転方向を判定し、基準偏光面に対す
る相反する回転方向に対して相異なるノ進状態を割当て
る工程を含む方法。 ｇ）特許請求の範囲５）にＨｅ載した方法に於て、前記
記録層が各々異なるディジタル情報ビットが貯蔵されて
いる多数の磁区を持ち、更に、前記加熱する工程及び照
会する工程の内の少なくとも一方に対し、前記多数の（
磁区の内の逐次的な一部分に対して、光エネルギを逐次
的に差し向ＧＪる工程−拳含む方法。 ９）特許請求の範囲／）又は２）Ｇこ記載した方法に於
て、前記加熱する工程が、前記磁区の温度を、情報ヒツ
トをその時に貯蔵してその後で前記層から消去すること
が出来る様な予定の範囲内の温度まで高くする工程を含
む方法。 １０）特許請求の範囲７）に記載した方法に於て、一時
的Ｃご貯蔵しｌご情報ヒツトを消去する工程を含む方法
。 ／／）特許請求の範囲１０）に記載した方法に於て、■
１把消去する工程が、消去しようとする情報ビットか存
在する各々の磁区に少なくとも前記飽和磁界の大きさを
持つ磁界をかける工程から成る方法。 ／：２、特許請求の範囲７）に記載しＴコ方法に於て、
１）１１記矛定の温度範囲１７］″−約１００”ＬＪＬ
乃至約、２００ ”Ｃである方法。 ／３）特許、ｉｉ’をの範囲／）又は２）に記載した方
法に於て、ｌ］１［記加熱する工程が、更６ご、磁区の
温度を予定の範囲内の温度まで一時的に高める工程を含
んでおり、こうして情報ビットがこの磁区に略永久的に
貯蔵される様にする工程を含んでいる方法。 ／り）特許請求の範囲／３）に記載した方法に於て、前
記予定の温度範囲が約、２００℃以上で、前記記録層の
無定形合金の融点より低い温度までである方法。 ／３）特許請求の範囲／）又はａ〕に記載した方法に於
て、前記加熱する工程が、ディジタル情報ピッｌ−を記
録しようとする磁区に光エネルギのビームを集束する工
程を含む方法。 ／乙）！特許請求の範囲１５）に記載した方法に於て、
前記光ビームが約０５ミクロン乃至約３ミクロンのホｉ
＼囲内の直径を持つ磁区を加熱する為に集束さｔ］、る
方法。 ／７）特許請求の範囲／乙）に記載した方法に於て、前
記集束さハる光ビームが約／θ」−７秒乃至約５θマイ
クロ秒の期間の間パルス状、に加えら、１′１て、記録
する磁区を加熱する方法。 ７ｇ）特言′■請求の範囲／）又は刀に記載した方法に
於て、飽和磁界の大きさを約１０θθエルステッド乃至
約、２０θθエルステツドにする方法。 ／９）特許請求の範囲／ｇ）に記載しＪ’ｖ方法に於て
、前記バイアス磁界の大きさを約３Ｏエルステッド乃至
約３００エルステツドにする方法。 ａθ）％許請求の範囲／）又は２）に記載した方法に於
て一少なくとも／種順の希土類元素と少なくと（〕／種
類の遷移金属元素の無定形合金を非磁性基板の上にＲＩ
”スパッタリングすることによって前記記録層が用意さ
れる方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/493,494 US4586161A (en) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | Permanent thermo-magnetic recording of binary digital information |
| US493494 | 1983-05-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035301A true JPS6035301A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=23960440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59083054A Pending JPS6035301A (ja) | 1983-05-11 | 1984-04-26 | ２進デイジタル情報の熱磁気記録法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4586161A (ja) |
| EP (1) | EP0125534A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6035301A (ja) |
| CA (1) | CA1218149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6399827U (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-28 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670316A (en) * | 1983-05-11 | 1987-06-02 | General Electric Company | Thermo-magnetic recording materials supporting small stable domains |
| EP0125536A3 (en) * | 1983-05-11 | 1986-06-25 | MOVID Information Technology, Inc. | Thermo-magnetic recording materials supporting small stable domains |
| EP0220023B1 (en) * | 1985-10-08 | 1993-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical magnetic memory device |
| US5184335A (en) * | 1986-03-07 | 1993-02-02 | Movid Information Technology, Inc. | Method and system for erasing previously recorded domains in a magneto-optic recording medium |
| EP0243976B1 (en) * | 1986-05-02 | 1996-09-04 | Hitachi, Ltd. | Method for recording, reproducing and erasing information and thin film for recording information |
| US4822675A (en) * | 1987-01-14 | 1989-04-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Stable magneto optic recording medium |
| US4965784A (en) * | 1988-05-31 | 1990-10-23 | Sandia Corporation | Method and apparatus for bistable optical information storage for erasable optical disks |
| US4977540A (en) * | 1988-06-22 | 1990-12-11 | The Regents Of The University Of California | Spin glass type associative processor system |
| US5089060A (en) * | 1990-09-28 | 1992-02-18 | General Motors Corporation | Thermomagnetically patterned magnets and method of making same |
Citations (1)
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Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR1541239A (fr) * | 1966-11-10 | Ibm | Mémoire adressable par faisceau | |
| US3631415A (en) * | 1969-09-12 | 1971-12-28 | Honeywell Inc | Optical mass memory |
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| US3949387A (en) * | 1972-08-29 | 1976-04-06 | International Business Machines Corporation | Beam addressable film using amorphous magnetic material |
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| GB2077065B (en) * | 1980-02-23 | 1985-01-09 | Sharp Kk | Magnetooptic memory medium |
| US4581717A (en) * | 1981-03-26 | 1986-04-08 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method |
-
1983
- 1983-05-11 US US06/493,494 patent/US4586161A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-04-24 EP EP84104566A patent/EP0125534A3/en not_active Withdrawn
- 1984-04-26 JP JP59083054A patent/JPS6035301A/ja active Pending
- 1984-05-11 CA CA000454210A patent/CA1218149A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57200912A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-09 | Pioneer Electronic Corp | Information recording system |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6399827U (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0125534A2 (en) | 1984-11-21 |
| CA1218149A (en) | 1987-02-17 |
| US4586161A (en) | 1986-04-29 |
| EP0125534A3 (en) | 1986-10-29 |
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