JPS6035429B2 - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPS6035429B2 JPS6035429B2 JP51125438A JP12543876A JPS6035429B2 JP S6035429 B2 JPS6035429 B2 JP S6035429B2 JP 51125438 A JP51125438 A JP 51125438A JP 12543876 A JP12543876 A JP 12543876A JP S6035429 B2 JPS6035429 B2 JP S6035429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drum
- anode
- cover
- voltage
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/3277—Continuous moving of continuous material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3438—Electrodes other than cathode
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタリング装置に関するものである。
特に本発明は陽極が回転し、可操基板を陽極の上方に導
き、基板上に材料を堆積する形式のスパッタリング装置
に関するものである。本発明による装置は、内部に少な
くとも1個の陰極ターゲットを取り付けた圧力容器、こ
の容器内に回転するよう取り付けられた回転陽極、容器
内に取り付けられたポリエステルフィルムのような可榛
基板の供給手段、および同じく容器内に取り付けられた
被覆基板の巻取機構を具える。
き、基板上に材料を堆積する形式のスパッタリング装置
に関するものである。本発明による装置は、内部に少な
くとも1個の陰極ターゲットを取り付けた圧力容器、こ
の容器内に回転するよう取り付けられた回転陽極、容器
内に取り付けられたポリエステルフィルムのような可榛
基板の供給手段、および同じく容器内に取り付けられた
被覆基板の巻取機構を具える。
装置を作動するため適当な制御部材を設ける。基板を陽
極および容器内に形成されるスパッタリングプラズマの
上方に導かれるよう配置する。ターゲットを構成する材
料は陽極でスパッタリングされるが、基板は陽極の表面
上に支持されているから材料は基板上に被覆される。イ
オン化ガスおよびその混合成分を供給するためおよび室
への供給量を監視制御するために、電気ェネルギを装置
に供給するとともにこれを監視してその効果を制御する
ため、速度、温度、堆積の厚さおよび多くの他のパラメ
ータを制御監視するため、基板をその通路内で駆動する
とともにその張力を監視制御するために補助装置、給電
手段および制御部村を設ける。
極および容器内に形成されるスパッタリングプラズマの
上方に導かれるよう配置する。ターゲットを構成する材
料は陽極でスパッタリングされるが、基板は陽極の表面
上に支持されているから材料は基板上に被覆される。イ
オン化ガスおよびその混合成分を供給するためおよび室
への供給量を監視制御するために、電気ェネルギを装置
に供給するとともにこれを監視してその効果を制御する
ため、速度、温度、堆積の厚さおよび多くの他のパラメ
ータを制御監視するため、基板をその通路内で駆動する
とともにその張力を監視制御するために補助装置、給電
手段および制御部村を設ける。
ある材料、特に光導電体を薄くて透明な可榛基板上に堆
積するための堆積条件は次のようなものがある。
積するための堆積条件は次のようなものがある。
{a} 陽極を回転させる必要がある。
‘b} 供給する電力を容器内の陰極、陽極およびシー
ルド‘こ電気回路で接続し、この回路内で陰極は最大員
電圧にし、シールドは接地電位にし、陽極は大地に対し
て負であるが陰極よりは遥かに高い程度の電位にする。
ルド‘こ電気回路で接続し、この回路内で陰極は最大員
電圧にし、シールドは接地電位にし、陽極は大地に対し
て負であるが陰極よりは遥かに高い程度の電位にする。
【c} 陽極表面はスパッタリング中熱の過度の損失を
防止するために温度する必要がある。装置の他の条件は
上記条件の達成を極めて困難にするものがあり、これら
には以下のようなものがある。
防止するために温度する必要がある。装置の他の条件は
上記条件の達成を極めて困難にするものがあり、これら
には以下のようなものがある。
(d’室壁を含む装置の支持構体を全て実用性および安
全性のために接地電位に維持すること。
全性のために接地電位に維持すること。
‘eー 過度の堆積を防止するためにドラムの端部を遮
蔽状態に維持すること。‘f’スパッタリングが完了し
たら装置の基板支持搬送部分または送り部分を室内にお
よび室外に移動させること。
蔽状態に維持すること。‘f’スパッタリングが完了し
たら装置の基板支持搬送部分または送り部分を室内にお
よび室外に移動させること。
最後に述べた条件は基板を大量にスパッタリングするス
パッタリング装置の場合には必要であると思われており
、これは必然的に大型で障害になる結果となる。
パッタリング装置の場合には必要であると思われており
、これは必然的に大型で障害になる結果となる。
この問題に対して提案された一つの解決法は装置の基板
搬送部分をキャリジ上に多くの制御および測定装置とと
もに取り付け、室および室の全ての補助装置を静止して
いる支持体に固定することである。この場合ターゲット
を室の内部に取り付け、高電圧接続部材を室並びに室用
の制御部村および装置と関連させているが、この構成は
陽極を大地とは異つた電圧に維持する必要があるという
とを考慮に入れていない。従って、本発明は、金属性容
器と、密封手段としての金属性カバーと、この容器の内
部に配設された少なくとも1個のターゲット電極と、カ
バーに回転可能に配設されカバーを閉止した時にターゲ
ット電極に対向しターゲット電極との間にスパッタリン
グプラズマを形成する、外皮が金属被覆されたドラム陽
極と、スパッタリングプラズマの間を通りドラム陽極と
、スパッタリングプラズマの間を通りドラム陽極を覆う
可操性基板部材を搬送するコンベア装置と、ドラム陽極
及びターゲット電極に接続され制御可能な高周波ェネル
ギ源とを具えるスパッタリング装置において、ターゲッ
ト電極を図綾するシールドされた電極装置と同じ電圧に
カバー及び容器を維持し、ドラム陽極の金属被覆部分を
カバー及び容器から電気的に絶縁して電極装置の電圧と
は異なる電圧を与え、接地電位とした内部ドラム本体で
金属被覆部分を支持すると共に電気的に絶縁し、さりこ
この内部ドラム本体をカバーを介して固着すると共に接
地し、内部ドラム本体と金属被覆部分との間に絶縁隙間
を設け金属被覆部分を絶縁してなるスパッタリング装置
を提供する。
搬送部分をキャリジ上に多くの制御および測定装置とと
もに取り付け、室および室の全ての補助装置を静止して
いる支持体に固定することである。この場合ターゲット
を室の内部に取り付け、高電圧接続部材を室並びに室用
の制御部村および装置と関連させているが、この構成は
陽極を大地とは異つた電圧に維持する必要があるという
とを考慮に入れていない。従って、本発明は、金属性容
器と、密封手段としての金属性カバーと、この容器の内
部に配設された少なくとも1個のターゲット電極と、カ
バーに回転可能に配設されカバーを閉止した時にターゲ
ット電極に対向しターゲット電極との間にスパッタリン
グプラズマを形成する、外皮が金属被覆されたドラム陽
極と、スパッタリングプラズマの間を通りドラム陽極と
、スパッタリングプラズマの間を通りドラム陽極を覆う
可操性基板部材を搬送するコンベア装置と、ドラム陽極
及びターゲット電極に接続され制御可能な高周波ェネル
ギ源とを具えるスパッタリング装置において、ターゲッ
ト電極を図綾するシールドされた電極装置と同じ電圧に
カバー及び容器を維持し、ドラム陽極の金属被覆部分を
カバー及び容器から電気的に絶縁して電極装置の電圧と
は異なる電圧を与え、接地電位とした内部ドラム本体で
金属被覆部分を支持すると共に電気的に絶縁し、さりこ
この内部ドラム本体をカバーを介して固着すると共に接
地し、内部ドラム本体と金属被覆部分との間に絶縁隙間
を設け金属被覆部分を絶縁してなるスパッタリング装置
を提供する。
本発明を図面につき説明する。
以下には本発明の所望の2実施例につき説明する。
一つはコーティングをポリエステルフィルムの相対的に
幅広の細条上に安価にスパッタリングするのに適当であ
る。他のものは低生産量で実験的にコーティングを狭い
細条上にスパッタリングするのに適当である。両スパッ
タリング装置の大きさは相当異り、装置を開くことなく
被覆することのできる材料の長さも異なる。一例では細
条は幅が約50伽位で、他の例では10伽位である。最
初に詳細に説明する装置は大型でより複雑な方であるが
、小さい方の装置の構成および作動の原理と共通の原理
により作動し構成されている。第1〜8図にはスパッタ
リング装置全体を10で示し、この装置は上端縁に沿っ
てトラック14を形成した固定ベースまたは支持フレィ
ムワーク12、トラック14に掛合するローラまたはホ
イール18上に取り付けられた構成素子キャビネット1
6、フレィムワーク12から固定支柱22によって支持
された圧力容器または室20、および後述する種々の他
の部分および礎体を具える。キャビネット16の左端に
は搬送装置24を取り付け、この装置をキャビネット1
6の前壁28に取り付けた適当な片持サブフレィム26
上に支持する。 ‐壁
28には円形のシール座30および搬送装置24を取り
付け、これらのためのサブフレイム26を適切に構成配
置してシール座30の突出部によって限定される円筒体
内にはまるようにする。
幅広の細条上に安価にスパッタリングするのに適当であ
る。他のものは低生産量で実験的にコーティングを狭い
細条上にスパッタリングするのに適当である。両スパッ
タリング装置の大きさは相当異り、装置を開くことなく
被覆することのできる材料の長さも異なる。一例では細
条は幅が約50伽位で、他の例では10伽位である。最
初に詳細に説明する装置は大型でより複雑な方であるが
、小さい方の装置の構成および作動の原理と共通の原理
により作動し構成されている。第1〜8図にはスパッタ
リング装置全体を10で示し、この装置は上端縁に沿っ
てトラック14を形成した固定ベースまたは支持フレィ
ムワーク12、トラック14に掛合するローラまたはホ
イール18上に取り付けられた構成素子キャビネット1
6、フレィムワーク12から固定支柱22によって支持
された圧力容器または室20、および後述する種々の他
の部分および礎体を具える。キャビネット16の左端に
は搬送装置24を取り付け、この装置をキャビネット1
6の前壁28に取り付けた適当な片持サブフレィム26
上に支持する。 ‐壁
28には円形のシール座30および搬送装置24を取り
付け、これらのためのサブフレイム26を適切に構成配
置してシール座30の突出部によって限定される円筒体
内にはまるようにする。
圧力室または容器20の全ての側部を閉止するもフラン
ジ32を設ける右端は座30‘こ対して密封状態に雛合
し得るすうにする。第1図には装置を閉止状態で示し、
キャビネット16は前方(左方)に転動し、これにより
搬送装置24を室または容器20内に挿入し、フランジ
32およびシール座30で示すジョイントを適当なガス
ケットおよびロック装置で密封している。第2図には装
置を開放状態で示し、キャビネット16および室または
容器20は分離され、搬送装置24およびこの上に支持
された任意の基板をすなわち室20の内部に手入れでき
る。図示の搬送装置にはキャビネット16内にある駆動
および制御機構を示していず、これらの機構は大部分壁
28の後部に取り付けられている。
ジ32を設ける右端は座30‘こ対して密封状態に雛合
し得るすうにする。第1図には装置を閉止状態で示し、
キャビネット16は前方(左方)に転動し、これにより
搬送装置24を室または容器20内に挿入し、フランジ
32およびシール座30で示すジョイントを適当なガス
ケットおよびロック装置で密封している。第2図には装
置を開放状態で示し、キャビネット16および室または
容器20は分離され、搬送装置24およびこの上に支持
された任意の基板をすなわち室20の内部に手入れでき
る。図示の搬送装置にはキャビネット16内にある駆動
および制御機構を示していず、これらの機構は大部分壁
28の後部に取り付けられている。
これらは広範なる変形を加えられ、その詳細は装置の作
動には必要ではあるが本発明に密接には関係しない。キ
ャビネット内にはまた装置の全作動に必要な相当な装置
および機体、例えば、速度制御部材、駆動機構、熱交換
液を処理するためのポンプおよび導管、および温度、圧
力、電流、電圧等の多数の測定器具がある。キャビネッ
ト16の外壁には多数の測定器具がある。キャビネット
16の外壁には多数の押ボタン、メータ−、ライト等を
設けてあるが、単なる例示にすぎない。室または容器2
川まガス接続部材34および36、電気パネル38、管
および導管40、導電線42、押ボタン、メーター等を
具える。
動には必要ではあるが本発明に密接には関係しない。キ
ャビネット内にはまた装置の全作動に必要な相当な装置
および機体、例えば、速度制御部材、駆動機構、熱交換
液を処理するためのポンプおよび導管、および温度、圧
力、電流、電圧等の多数の測定器具がある。キャビネッ
ト16の外壁には多数の測定器具がある。キャビネット
16の外壁には多数の押ボタン、メータ−、ライト等を
設けてあるが、単なる例示にすぎない。室または容器2
川まガス接続部材34および36、電気パネル38、管
および導管40、導電線42、押ボタン、メーター等を
具える。
監視窓を44で示す。これらも単なる例示にすぎない。
装置1川ま従来既知の相当数の制御部材および監視手段
を必要とするが、測定、作動および制御装贋はこの装置
の条件により変化する。スパッタリング装置を作動する
に際しては供給し、制御し、計測し、時には記録する必
要がある。
装置1川ま従来既知の相当数の制御部材および監視手段
を必要とするが、測定、作動および制御装贋はこの装置
の条件により変化する。スパッタリング装置を作動する
に際しては供給し、制御し、計測し、時には記録する必
要がある。
また測定し観察しなければならない現象がある。パラメ
ータは多岐に亘る。高周波ェネルギはマッチングを行い
つつターゲットに、並びに制御回路、導管および時には
冷却装置に供給する必要がある。ターゲットは室または
容器20内にあるから、ターゲットの冷却剤を室内に供
給する必要があり、冷却剤を運送循環させる必要がある
。この室は真空ポンプで調節、制御および測定を行いつ
つ真空にしてイオン化およびバックグラウンドガスを調
節、制御、計測および均衡を見つつ導入する必要がある
。上述のスパッタリング装置の機能を達成するに必要な
機体が設けられているが、ここでは詳細には図示も説明
もしない。
ータは多岐に亘る。高周波ェネルギはマッチングを行い
つつターゲットに、並びに制御回路、導管および時には
冷却装置に供給する必要がある。ターゲットは室または
容器20内にあるから、ターゲットの冷却剤を室内に供
給する必要があり、冷却剤を運送循環させる必要がある
。この室は真空ポンプで調節、制御および測定を行いつ
つ真空にしてイオン化およびバックグラウンドガスを調
節、制御、計測および均衡を見つつ導入する必要がある
。上述のスパッタリング装置の機能を達成するに必要な
機体が設けられているが、ここでは詳細には図示も説明
もしない。
片持サプフレィム26は第2図にのみ図示され、他の図
面には示されていないがこれは搬送装置24の支持体を
なすものである。
面には示されていないがこれは搬送装置24の支持体を
なすものである。
柱48を外板46と連結し、更に座30の範囲内で壁2
8に連結する。全てのローラおよびドラムを板46と壁
28との間で被動回転または遊転し得るよう支承する。
第3および4図には搬送装置24を示すが、ジャーナル
も取付部材も示していず、これらとともに用いられる駆
動、クラッチおよび制御機構も示していない。
8に連結する。全てのローラおよびドラムを板46と壁
28との間で被動回転または遊転し得るよう支承する。
第3および4図には搬送装置24を示すが、ジャーナル
も取付部材も示していず、これらとともに用いられる駆
動、クラッチおよび制御機構も示していない。
これらは全て上述のキャビネット16内にある。被覆す
る基板を50で透明体として示す。この装置の好適例に
おいては、基板50は無機コーティングをスパッタリン
グした電子写真フィルムのベースを構成する。この例に
おいて基板50は厚さが0.005〜0.010インチ
のポリエステルのような合成樹脂のシートである。数百
メートルのこの材料をスプールまたはリール上に巻いて
装置の全長に亘つてスパッタIJングしながら装置10
内に導入することができる。このスプールまたはリール
52を装置内に装着する。これを軸54上に取り付け、
この軸を適当な駆動モータによって駆動し、キャビネッ
ト16内にある速度測定および制御装置からのフィード
バック情報を受ける引張クラッチによって制御する。基
板紬条5川まアィドラローラ56上を通り、このローラ
が細条部分をスパッタリング装置10の陽極を具えるド
ラム58に案内する。
る基板を50で透明体として示す。この装置の好適例に
おいては、基板50は無機コーティングをスパッタリン
グした電子写真フィルムのベースを構成する。この例に
おいて基板50は厚さが0.005〜0.010インチ
のポリエステルのような合成樹脂のシートである。数百
メートルのこの材料をスプールまたはリール上に巻いて
装置の全長に亘つてスパッタIJングしながら装置10
内に導入することができる。このスプールまたはリール
52を装置内に装着する。これを軸54上に取り付け、
この軸を適当な駆動モータによって駆動し、キャビネッ
ト16内にある速度測定および制御装置からのフィード
バック情報を受ける引張クラッチによって制御する。基
板紬条5川まアィドラローラ56上を通り、このローラ
が細条部分をスパッタリング装置10の陽極を具えるド
ラム58に案内する。
第8図から明らかなように、基板50は後述するように
室または容器20の底部に位置させたターゲット60お
よび62に密接して回転、通常は遊転しているドラム5
8のまわりを通り、次いで、他方のアィドローラ64に
向けて上方に送られる。基板はこのローラから巻取ロー
ラ66のまわりに導かれ、このローラをキャビネット1
6の内部から適当な駈動モータによって駆動する。供給
リール52および巻取ローラ66上の基板のロールの直
径はスパッタリング中逆に変化するから、基板5oのタ
ーゲットに対する運動速度を均一に注意深く制御するこ
とが重要であり、このため適当な可変駆動部材を設ける
必要がある。ターゲット60,62を第5,6および8
図に示す。
室または容器20の底部に位置させたターゲット60お
よび62に密接して回転、通常は遊転しているドラム5
8のまわりを通り、次いで、他方のアィドローラ64に
向けて上方に送られる。基板はこのローラから巻取ロー
ラ66のまわりに導かれ、このローラをキャビネット1
6の内部から適当な駈動モータによって駆動する。供給
リール52および巻取ローラ66上の基板のロールの直
径はスパッタリング中逆に変化するから、基板5oのタ
ーゲットに対する運動速度を均一に注意深く制御するこ
とが重要であり、このため適当な可変駆動部材を設ける
必要がある。ターゲット60,62を第5,6および8
図に示す。
室または容器2川ま円筒状の殻68の形状をなし、これ
は導管36と連結するエンドベル70を具える。室また
は容器20の全ての他の部分はステンレス鋼で構成され
、安全のため接地電位に維持する。この材料から容器を
製造することはガラスまたは他の絶縁材料から製造する
に比して相対的に簡単である。ターゲット60および6
2は金属シールド76を具えるターゲット装置72およ
び74内にそれぞれ取り付け、これらのシールドをブラ
ケット78によって殻68の底部に機械的に取り付ける
とともにシールド76の壁を循環させている冷却剤によ
って冷却する。冷却剤用の導管はハウジング80を経て
殻68に挿通し、これらのハウジングはまたターゲット
を電源に接続するための電気接続素子の通路ともなる。
ターゲットのドラム58に対する位置はターゲットの消
耗とともに調節することができる。このような調節を行
うことができる調節可能な横体はハウジング80内に収
納するかまたはブラケット78上の調節部材によって行
うことができる。各ターゲット62は第6図に82です
ような複数個の板または小板で構成され、これらを適当
な金属裏板通常はステンレス鋼上に接着する。
は導管36と連結するエンドベル70を具える。室また
は容器20の全ての他の部分はステンレス鋼で構成され
、安全のため接地電位に維持する。この材料から容器を
製造することはガラスまたは他の絶縁材料から製造する
に比して相対的に簡単である。ターゲット60および6
2は金属シールド76を具えるターゲット装置72およ
び74内にそれぞれ取り付け、これらのシールドをブラ
ケット78によって殻68の底部に機械的に取り付ける
とともにシールド76の壁を循環させている冷却剤によ
って冷却する。冷却剤用の導管はハウジング80を経て
殻68に挿通し、これらのハウジングはまたターゲット
を電源に接続するための電気接続素子の通路ともなる。
ターゲットのドラム58に対する位置はターゲットの消
耗とともに調節することができる。このような調節を行
うことができる調節可能な横体はハウジング80内に収
納するかまたはブラケット78上の調節部材によって行
うことができる。各ターゲット62は第6図に82です
ような複数個の板または小板で構成され、これらを適当
な金属裏板通常はステンレス鋼上に接着する。
夕−ゲット板82のドラム58に向いた表面は平坦な平
面状にまたは轡曲した平面状にすることができる。これ
はドラムがターゲットに隣接する位置にあって装置10
が閉止された際ドラム58と同軸をなす円筒状表面を限
定するよう配置される。各ターゲット60および62を
シールド76からシールドを形成する空間だけ離間する
。バックグラウンドガスを管84を経て各ターゲットの
後方の中空都内に導入し、これらの管は殻68の壁に通
ってターゲットのまわりの空間から出、ターゲットの表
面に対向する。ターゲット板はスパッタリングを行う材
料の燐結部材で構成するのが好適である。
面状にまたは轡曲した平面状にすることができる。これ
はドラムがターゲットに隣接する位置にあって装置10
が閉止された際ドラム58と同軸をなす円筒状表面を限
定するよう配置される。各ターゲット60および62を
シールド76からシールドを形成する空間だけ離間する
。バックグラウンドガスを管84を経て各ターゲットの
後方の中空都内に導入し、これらの管は殻68の壁に通
ってターゲットのまわりの空間から出、ターゲットの表
面に対向する。ターゲット板はスパッタリングを行う材
料の燐結部材で構成するのが好適である。
ターゲット装置間には支柱86を設け、この支柱にブラ
シまたはワィパ接点または援点装置88を取り付ける。
シまたはワィパ接点または援点装置88を取り付ける。
これらは後述するように殻68を挿適する電線により電
源回路の一部接続する。これらの接点はこれらを第2お
よび7図で見て右方にばね押圧する弾性支持体で取り付
ける。これらはターゲット60および62のように殻6
8から絶縁する必要がある。ドラム58の構造の詳細は
装置10で使用される電源の回路の動作を説明するため
に後で説明する。
源回路の一部接続する。これらの接点はこれらを第2お
よび7図で見て右方にばね押圧する弾性支持体で取り付
ける。これらはターゲット60および62のように殻6
8から絶縁する必要がある。ドラム58の構造の詳細は
装置10で使用される電源の回路の動作を説明するため
に後で説明する。
第8図につき電源回路の説明を行う。ドラム58の構造
は電源回路の説明の処で説明する。第8図には装置10
のための電源またはェネルギ源を線図的に示す。高電圧
源を左方にブロック90として示す。電圧源90をマッ
チング回路92を経て装置10に接続し、この回路92
は出力として2本の線94および96を有する。線94
には3000ボルト、13.56メガヘルツの最高電圧
がかかり、接地されているターゲット60および62に
供給される。線96は接地電位である。(ドラム58、
シールド76およびドラムシールドだけで示されている
)装置10の全てのシールドは接地電位であるが、ドラ
ム自体はそうではない。マッチング回路92からの出力
は分圧器に供給され、この簡単な例では分圧器は線94
および96を跨いで接続された2個のインピーダンスZ
,およびZを有する。実際の例ではこれらはコンデンサ
であり、分圧器の一部はこの周波数で重要性を持つ寄生
コンデンサ通路とみなすことができる。これらの線は高
周波管、同軸ケーブル、シールドリード線管とすること
ができる。電圧は2個のインピーダンスZおよびZのそ
れぞれのリアクタンスにより分圧される。ドラム58は
線98を経てインピーダンスZ,およびZ2間の端子1
0川こ接続する。ドラム58を回転させ得るよう、前述
の接点88をドラムが接地電位とはならないよう設ける
。装置10での電子効果はダイオードによるもので、有
効整流作用である。陰極はターゲット60および62で
あり、これらは極めて高い負電圧に維持され、これはこ
の例では−3000ボルトである。これはこの系での最
大正電圧、ゼロボルトをとる大地電位以下である。陽極
は接地電位とし、基板をこの上に載せるのが好適である
。ここでは、シ−ルドだけが接地電位である。陽極はド
ラム58であり、ターゲット」60および62と同じ程
度ではないが接地電位より低い電圧に維持される。実際
の例では、ドラム電圧は大地電位より約50ボルト位低
く、すなわち、約一50ボルトに維持した。これは適当
な構成の分圧器ZおよびZ並びに回路の他の部分で行っ
た。当業者にはこの形式の回路およびその性質は自明で
ある。ドラム58は回転する必要があり、製造が容易な
よう且つスパッタリング装置の条件に耐える必要強度を
有するよう金属で構成し、機械的に丈夫な軸受、軸およ
び支持体を用いて支承し、しかも少なくともドラムの外
皮を周囲とは異る電圧にする必要がある。
は電源回路の説明の処で説明する。第8図には装置10
のための電源またはェネルギ源を線図的に示す。高電圧
源を左方にブロック90として示す。電圧源90をマッ
チング回路92を経て装置10に接続し、この回路92
は出力として2本の線94および96を有する。線94
には3000ボルト、13.56メガヘルツの最高電圧
がかかり、接地されているターゲット60および62に
供給される。線96は接地電位である。(ドラム58、
シールド76およびドラムシールドだけで示されている
)装置10の全てのシールドは接地電位であるが、ドラ
ム自体はそうではない。マッチング回路92からの出力
は分圧器に供給され、この簡単な例では分圧器は線94
および96を跨いで接続された2個のインピーダンスZ
,およびZを有する。実際の例ではこれらはコンデンサ
であり、分圧器の一部はこの周波数で重要性を持つ寄生
コンデンサ通路とみなすことができる。これらの線は高
周波管、同軸ケーブル、シールドリード線管とすること
ができる。電圧は2個のインピーダンスZおよびZのそ
れぞれのリアクタンスにより分圧される。ドラム58は
線98を経てインピーダンスZ,およびZ2間の端子1
0川こ接続する。ドラム58を回転させ得るよう、前述
の接点88をドラムが接地電位とはならないよう設ける
。装置10での電子効果はダイオードによるもので、有
効整流作用である。陰極はターゲット60および62で
あり、これらは極めて高い負電圧に維持され、これはこ
の例では−3000ボルトである。これはこの系での最
大正電圧、ゼロボルトをとる大地電位以下である。陽極
は接地電位とし、基板をこの上に載せるのが好適である
。ここでは、シ−ルドだけが接地電位である。陽極はド
ラム58であり、ターゲット」60および62と同じ程
度ではないが接地電位より低い電圧に維持される。実際
の例では、ドラム電圧は大地電位より約50ボルト位低
く、すなわち、約一50ボルトに維持した。これは適当
な構成の分圧器ZおよびZ並びに回路の他の部分で行っ
た。当業者にはこの形式の回路およびその性質は自明で
ある。ドラム58は回転する必要があり、製造が容易な
よう且つスパッタリング装置の条件に耐える必要強度を
有するよう金属で構成し、機械的に丈夫な軸受、軸およ
び支持体を用いて支承し、しかも少なくともドラムの外
皮を周囲とは異る電圧にする必要がある。
ドラムの他の要件は外皮が熱交換液によって温度制御を
受け得るということである。このため、本発明の実際の
例では、ドラムの外皮をオイルによって加熱して約15
0qoの温度に維持することが必要であった。これら全
ての要件は第7図に示すドラムを用いて達成される。ド
ラム58の本体を内方金属シリンダ102およびこれに
溶接されたエンドフランジまたはリング104で構成す
る。金属製エンドキャップまたはディスク106を円周
方向に離間したねじ108によってシリンダ102に取
り付ける。外方の同軸をなす金属シリンダ110がドラ
ム58の円周方向外皮を構成し、これを小径の抜差自在
に配置された同軸金属シリンダ112に溶援してこれら
の間に室114を形成する。シリンダHIOおよび11
2を所定位置に溶接した金属製エンドリング116によ
って連結し、金属の左端を図示のように露出する。室1
14には熱交換液118を全室を満たす塊状でまたは室
の内部のまわりに巻回したコイル(図示せず)により供
給する。
受け得るということである。このため、本発明の実際の
例では、ドラムの外皮をオイルによって加熱して約15
0qoの温度に維持することが必要であった。これら全
ての要件は第7図に示すドラムを用いて達成される。ド
ラム58の本体を内方金属シリンダ102およびこれに
溶接されたエンドフランジまたはリング104で構成す
る。金属製エンドキャップまたはディスク106を円周
方向に離間したねじ108によってシリンダ102に取
り付ける。外方の同軸をなす金属シリンダ110がドラ
ム58の円周方向外皮を構成し、これを小径の抜差自在
に配置された同軸金属シリンダ112に溶援してこれら
の間に室114を形成する。シリンダHIOおよび11
2を所定位置に溶接した金属製エンドリング116によ
って連結し、金属の左端を図示のように露出する。室1
14には熱交換液118を全室を満たす塊状でまたは室
の内部のまわりに巻回したコイル(図示せず)により供
給する。
これらを120で示す適当な導管を経て中空軸122に
連結し、この軸を経て導管を液体源に接続する。導管を
120′で示す。液体はオイルまたは他の絶縁液体とす
るのが普通であるから、外皮110をドラム58、軸1
22等から電気的に絶縁するよう導管120または12
0′に対しては絶縁継手を設ける問題は生じない。リン
グ116およびディスク106を半径方向に離間して1
24で示すようにドラム58の各端部に環状の空間を設
ける。
連結し、この軸を経て導管を液体源に接続する。導管を
120′で示す。液体はオイルまたは他の絶縁液体とす
るのが普通であるから、外皮110をドラム58、軸1
22等から電気的に絶縁するよう導管120または12
0′に対しては絶縁継手を設ける問題は生じない。リン
グ116およびディスク106を半径方向に離間して1
24で示すようにドラム58の各端部に環状の空間を設
ける。
ポリテトラフルオロェチレンまたは他の適当な絶縁材料
製のシリンダ126を例えば切削によって形成し、シI
Jンダ102とシリンダ112との間に位置させる。そ
の端部を本体より薄くして肩部128および130を形
成する。得られる軸線方向端部132の厚さを環状空間
124と同じにし、シリンダー26の軸線方向長さをド
ラム58の全長と同じにしてディスク106およびリン
グ116と同一平面になるようにする。このようにして
外皮110がドラム58の残りの部分から絶縁した複合
円筒状部材が得られる。ドラムを複数個のねじ134に
よって組立体に保持し、これらのねじを同じ絶縁材料の
座金136を経て掛合ごせ、ドラムの端部の周囲に円周
方向に離間する。座金136をドラム58の端部に形成
して深い窪み138内にセットし、各窪みの一部をディ
スク106、リング116および軸線方向端部132の
それぞれに形成する。このようにして、座金136およ
びねじ134により部分を一緒に鞠線方向にクランンプ
するとともに、部分を円周方向に相対運動しないようロ
ックする。ドラム58の左端のリング116を装置10
が閉止状態にある場合には接点88がこれにワィブ頚合
してこれらの間に電気接触が行われるよう位置させる。
製のシリンダ126を例えば切削によって形成し、シI
Jンダ102とシリンダ112との間に位置させる。そ
の端部を本体より薄くして肩部128および130を形
成する。得られる軸線方向端部132の厚さを環状空間
124と同じにし、シリンダー26の軸線方向長さをド
ラム58の全長と同じにしてディスク106およびリン
グ116と同一平面になるようにする。このようにして
外皮110がドラム58の残りの部分から絶縁した複合
円筒状部材が得られる。ドラムを複数個のねじ134に
よって組立体に保持し、これらのねじを同じ絶縁材料の
座金136を経て掛合ごせ、ドラムの端部の周囲に円周
方向に離間する。座金136をドラム58の端部に形成
して深い窪み138内にセットし、各窪みの一部をディ
スク106、リング116および軸線方向端部132の
それぞれに形成する。このようにして、座金136およ
びねじ134により部分を一緒に鞠線方向にクランンプ
するとともに、部分を円周方向に相対運動しないようロ
ックする。ドラム58の左端のリング116を装置10
が閉止状態にある場合には接点88がこれにワィブ頚合
してこれらの間に電気接触が行われるよう位置させる。
ドラム58の端部を140,142,144で示すよう
にシールドして基板50が外皮110の底部のまわりを
通ってここで補給される間にドラムの他の部分に材料が
スパッタリングされるのを防止する。
にシールドして基板50が外皮110の底部のまわりを
通ってここで補給される間にドラムの他の部分に材料が
スパッタリングされるのを防止する。
スパッタリングプラズマを146で示す。これらのシー
ルドは例えば第2,3および4図に147で示す連結ブ
ラケットによって壁28およびサブフレィム46から支
持する。第7図から明らかなように、シールド部材14
0,142および144はドラム58の端部を閉止する
が、基板紬条50を通過させることができ、接点88が
リング116をワィブするだけの開□を提供することは
できる。また、これらのシールド部材は接地電位であり
、どこもドラム外皮11川こ接触しない。特に小型設備
に有益な本発明の好適例を第9図に示す。
ルドは例えば第2,3および4図に147で示す連結ブ
ラケットによって壁28およびサブフレィム46から支
持する。第7図から明らかなように、シールド部材14
0,142および144はドラム58の端部を閉止する
が、基板紬条50を通過させることができ、接点88が
リング116をワィブするだけの開□を提供することは
できる。また、これらのシールド部材は接地電位であり
、どこもドラム外皮11川こ接触しない。特に小型設備
に有益な本発明の好適例を第9図に示す。
このスパッタIJング装置200の室210はカバー部
材212を具え、この部材は室210のフランジ214
に掛合して所定位置にロックするためのものである。フ
ランジ214とフランジ218との間にガスケット21
6を掛合させてシーリングを行う。カバー部材は軸22
4および226上にそれぞれ取り付けた供給リール22
0およ巻取りール222を支持する。
材212を具え、この部材は室210のフランジ214
に掛合して所定位置にロックするためのものである。フ
ランジ214とフランジ218との間にガスケット21
6を掛合させてシーリングを行う。カバー部材は軸22
4および226上にそれぞれ取り付けた供給リール22
0およ巻取りール222を支持する。
これらの軸を装置200の外部からそれぞれ制御される
モータ228および230によって駆動する。カバー2
12にはドラム236を懸垂する継手232を取り付け
る。
モータ228および230によって駆動する。カバー2
12にはドラム236を懸垂する継手232を取り付け
る。
この場合ドラムは金属であり、ドラム全体を室210お
よびカバー212から継手232内に設けた適当な絶縁
体によって絶縁する。ドラムを軸238上に取り付け、
この軸をカバー212の頂部に取り付けられたモータ2
40によって駆動される継手232に挿通する。242
で示すようなスプロケツトチヱーンおよびスプロケット
ホィールによりドラムを大地に短絡することなく軸23
8に連結する。
よびカバー212から継手232内に設けた適当な絶縁
体によって絶縁する。ドラムを軸238上に取り付け、
この軸をカバー212の頂部に取り付けられたモータ2
40によって駆動される継手232に挿通する。242
で示すようなスプロケツトチヱーンおよびスプロケット
ホィールによりドラムを大地に短絡することなく軸23
8に連結する。
このため適当な絶縁体を設ける。藤238上のりング2
44はドラム236に電気的に接続し、装置200の他
のすべての部分から分離される。接点248との電気接
続部材246は第8図の線98および接点88に対応す
る。ドラムは中空で、中央の中空導管250が管256
と連結する同軸の室252および254を与え、この管
をドラム236の外皮258の周囲にその内部で通す。
44はドラム236に電気的に接続し、装置200の他
のすべての部分から分離される。接点248との電気接
続部材246は第8図の線98および接点88に対応す
る。ドラムは中空で、中央の中空導管250が管256
と連結する同軸の室252および254を与え、この管
をドラム236の外皮258の周囲にその内部で通す。
熱交換液は室252および254を経て循環する。頂部
には適当な継手を取り付けて回転流体継手を用いること
により藤250を回転させ得るようにする。これらは図
示していない。この装置200内のターゲット26川ま
ホルダー262上に取り付けた光導電材料の簡単なディ
スクであり、このホルダーを部材264を経て室210
の壁を介して高周波ラジオ周波数源266に接続する。
には適当な継手を取り付けて回転流体継手を用いること
により藤250を回転させ得るようにする。これらは図
示していない。この装置200内のターゲット26川ま
ホルダー262上に取り付けた光導電材料の簡単なディ
スクであり、このホルダーを部材264を経て室210
の壁を介して高周波ラジオ周波数源266に接続する。
これは装置200と関連して用いられるから第8図の回
路を示す必要はない。大地電位のシールド268,27
0および272を軸238上に取り付けたドラム236
およびターゲット26川こ隣接して設ける。
路を示す必要はない。大地電位のシールド268,27
0および272を軸238上に取り付けたドラム236
およびターゲット26川こ隣接して設ける。
スパッタリングプラズマでは適当な高周波ェネルギおよ
びドラム236の外皮258とターゲット260の面と
の間の隙間276内に例えば導管274によって導入さ
れる適当なバックグラウンドガスを用いて装置10にお
けると同じようにして生成される。なお、本発明の好適
実施態様は以下の通りである。
びドラム236の外皮258とターゲット260の面と
の間の隙間276内に例えば導管274によって導入さ
れる適当なバックグラウンドガスを用いて装置10にお
けると同じようにして生成される。なお、本発明の好適
実施態様は以下の通りである。
■ 夕−ゲットを最大負電圧に、陽極を前記夜大負電圧
の分数の負電圧に維持するよう構成する。
の分数の負電圧に維持するよう構成する。
■ 基板を陽極の回転につれて移動させて陽極の外皮と
掛合し得るよう構成する。
掛合し得るよう構成する。
■ ドラム陽極を少なくとも3個の伸縮自在に組み立て
たシリンダ、すなわち、ドラム陽極の支持体となり、密
封手段上に取り付けられた内方金属シリンダ、前記外皮
を有する外方金属シリンダ、および絶縁材料製の中間シ
リンダで構成し、3個のシリンダを全て一緒にクランプ
して一体の組立体をなすよう構成する。
たシリンダ、すなわち、ドラム陽極の支持体となり、密
封手段上に取り付けられた内方金属シリンダ、前記外皮
を有する外方金属シリンダ、および絶縁材料製の中間シ
リンダで構成し、3個のシリンダを全て一緒にクランプ
して一体の組立体をなすよう構成する。
■ ばね押圧部材を前記接点に連結して前記ドラム陽極
の鞠線に平行な運動を行い得るようにし、前記外皮には
軸線方向に向いたりングを設けて密封手段を着座させる
際このリングが前記ばね押圧部材と掛合するようにし、
これにより陽極に分数の負電圧を供給するよう緩成する
。
の鞠線に平行な運動を行い得るようにし、前記外皮には
軸線方向に向いたりングを設けて密封手段を着座させる
際このリングが前記ばね押圧部材と掛合するようにし、
これにより陽極に分数の負電圧を供給するよう緩成する
。
■ 前記陽極によって支持され、前記外皮と電気的に接
続された同軸配置の接点リングと、少なくとも密封手段
を着座させた際前記リングと電気的にすべり接触し、前
記ェネルギ源に接続されたワイパー接点とを設ける。■
前記接点をワイパー式として容器の内側に位置させ、
同軸配置の接点リングを陽極の鞄線方向端部に位置させ
、前記接点のIJングに対する寸法および位置を、密封
手段を完全に着座させた際リングおよび接点が電気的に
接触するよう構成する。■ ドラムの内部本体を前記密
封手段上に取付けて接地し、内部本体と外皮との間に同
軸の絶縁空間を形成する。
続された同軸配置の接点リングと、少なくとも密封手段
を着座させた際前記リングと電気的にすべり接触し、前
記ェネルギ源に接続されたワイパー接点とを設ける。■
前記接点をワイパー式として容器の内側に位置させ、
同軸配置の接点リングを陽極の鞄線方向端部に位置させ
、前記接点のIJングに対する寸法および位置を、密封
手段を完全に着座させた際リングおよび接点が電気的に
接触するよう構成する。■ ドラムの内部本体を前記密
封手段上に取付けて接地し、内部本体と外皮との間に同
軸の絶縁空間を形成する。
■ 密封手段を着座させた際前記接点および前記リング
が容器内に位置するよう構成する。
が容器内に位置するよう構成する。
■ 前記接点およびリングを容器の外部上に位置させ、
密封手段を着座させない場合にも互いに電気接触するよ
う構成する。
密封手段を着座させない場合にも互いに電気接触するよ
う構成する。
■ 前記ドラムと密封手段との間には縦糸粛継手を設け
て前記密封手段から電気的に絶縁したままでドラムを回
転させ得るよう構成する。
て前記密封手段から電気的に絶縁したままでドラムを回
転させ得るよう構成する。
■ ターゲットは表面がアーチ状の平坦な少なくとも1
個の部材を具え、前記表面の面積の相当な部分を前記ス
パッタリング関口によって露出し、陽極の外皮から離間
し、これにより得られる隙間内にスパッタリングプラズ
マ状態を形成し、前記表面を前記外皮とほぼ同軸をなす
よう轡曲させ、アーチ状平坦表面を金属髪坂上に取り付
けた複数個のスパッタすべき材料の平坦な板で構成する
。
個の部材を具え、前記表面の面積の相当な部分を前記ス
パッタリング関口によって露出し、陽極の外皮から離間
し、これにより得られる隙間内にスパッタリングプラズ
マ状態を形成し、前記表面を前記外皮とほぼ同軸をなす
よう轡曲させ、アーチ状平坦表面を金属髪坂上に取り付
けた複数個のスパッタすべき材料の平坦な板で構成する
。
■ ドラム陽極を少なくとも3個の伸縮自在に組み立て
たシリンダ、すなわち、ドラム陰極の支持体をなし、密
封手段上に取り付けられた内方金属シリンダ、外皮を有
する外方金属シリンダ、および絶縁材料製の中間シリン
ダで構成し、3個のシリンダ全てを一緒にクランプして
一体の組立体を形成し、外方シリンダには熱交換液を入
れるための室を内部に形成し、前記熱交換液を前記室か
ら前記装置の外部に前記密封手段を経て送るための導管
を設ける。
たシリンダ、すなわち、ドラム陰極の支持体をなし、密
封手段上に取り付けられた内方金属シリンダ、外皮を有
する外方金属シリンダ、および絶縁材料製の中間シリン
ダで構成し、3個のシリンダ全てを一緒にクランプして
一体の組立体を形成し、外方シリンダには熱交換液を入
れるための室を内部に形成し、前記熱交換液を前記室か
ら前記装置の外部に前記密封手段を経て送るための導管
を設ける。
■ 回転陽極の取付部材が、密封手段を貫通する中空軸
、陽極の回転中熱交換液を外皮の近傍に通すための分配
器、および中空軸を貫通し、熱交換液を室の外部の源か
ら導管を経て循環させて前記外皮との熱交換によりスパ
ッタリング中基板に影響するよう分配器と連結された導
管を具える。
、陽極の回転中熱交換液を外皮の近傍に通すための分配
器、および中空軸を貫通し、熱交換液を室の外部の源か
ら導管を経て循環させて前記外皮との熱交換によりスパ
ッタリング中基板に影響するよう分配器と連結された導
管を具える。
■ シールドを外皮およびリングの鞄線方向端部に対す
るマスクで構成し、ドラムシールドには基板を外皮上に
載せて外皮を離れ、前記接点を前記リングに通し得るよ
うな開口を設ける。
るマスクで構成し、ドラムシールドには基板を外皮上に
載せて外皮を離れ、前記接点を前記リングに通し得るよ
うな開口を設ける。
本発明は上述した処に限定されることなく、本発明の範
囲内で種々の変更を加えることができる。
囲内で種々の変更を加えることができる。
第1図は本発明のスパッタリング装置を閉止状態で、並
びに外部装置への接続部材を線図的にスパッタリング装
置に関連させて示すスパッタリング装置の側面図、第2
図はスパッタリング装置を開放状態で示す第1図と同様
の図、第3図は第2図の3一3線で断面とし、搬送装置
上の基板の運動通路を示す方向に見た線図的断面図、第
4図は搬送装置の線図的斜視図、第5図は第2図の5−
5線に沿って装置の室を経て見た部分断面図、第6図は
第5図に示す室の同じ部分の部分斜視図、第7図は接触
が行われる状態を示すため第1図の装置のドラム陽極の
下方部分を経て見た詳細な断面図、第8図は第1図のス
パッタリング装置の亀気回路のブロック線図、第9図は
変形例の部分断面図である。 10…・・・スパッタリング装置、12・・・・・・フ
ィルムワーク、14……トラック、16……キヤビネツ
ト、18・・・…ローラ、20…・・・圧力容器または
室、22・…・・支柱、24・・・・・・搬送装置、2
6・・・・・・片持フィルムワーク、28・・・・・・
壁、30・・・・・・シール座、32……フランジ、3
4,36……ガス接続部材、38・・・・・・電気パネ
ル、40・・・・・・導管、42・・・…電線、44・
・・・・・観視窓、46・・・・・・外板、48・・・
・・・柱、50…・・・基板、52・・・スプールまた
はリール、54……軸、56,64……アィドラローラ
、58……ドラム、60,62……ターゲット、66・
・・・・・巻取ローラ、68・・・・・・殻、70・・
…・エンドベル、72,74・・・・・・ターゲット装
置、76……シールド、78……ブラケツト、80……
ハウジング、82……ターゲット板、84……管、86
・…・・支柱、88・・・・・・フランジまたはワィパ
接点、90・・・・・・高電圧源、92・・・・・・ス
イッチング回路、94,96……出力線、102,11
0,112……シリング、104……フランジまたはリ
ング、106……デイスク、108……ねじ、114…
…室、116……エンドリング、118…・・・熱交換
液、120,120′・・・・・・導管、122・・…
・中空軸、124・・・・・・環状空間、126…・・
・シリンダ、128,130……肩部、132・・・・
・・端部、134…・・・ねじ、136・・…・座金、
138……窪み、140,142,144……シールド
、146・・・…プラズマ、147・…・・連結ブラケ
ット、200・・・・・・スパッタリング装置、210
・・・・・・室、212・…・・カバー部材、214,
218……フランジ、216……ガスケツト、220…
・・・供給IJール、224,226・・・・・・軸、
228,230・・・・・・モータ、232・・・・・
・継手、236・・・・・・ドラム、238……軸、2
40……モータ、242……スプロケツトチエーン、2
44……リング、246・・・・・・電気接続部材、2
48・・・・・・接点、250・…・・導管、252,
254・・・・・・同軸の室、256・・・・・・管、
258・・・・・・外皮、、26o......ターゲ
ット、262・・・・・・ホルダー、264・・・・・
・部材、266・・・・・・周波数源、268,270
,272・・・.・・シールド、274・・・・・・導
管、276......隙間。 り俗.′力/6.2 力/G.J. り伯.夕. 力/6.4. りノ6.0. 力/6.ス 力/G.8. 力/G.○
びに外部装置への接続部材を線図的にスパッタリング装
置に関連させて示すスパッタリング装置の側面図、第2
図はスパッタリング装置を開放状態で示す第1図と同様
の図、第3図は第2図の3一3線で断面とし、搬送装置
上の基板の運動通路を示す方向に見た線図的断面図、第
4図は搬送装置の線図的斜視図、第5図は第2図の5−
5線に沿って装置の室を経て見た部分断面図、第6図は
第5図に示す室の同じ部分の部分斜視図、第7図は接触
が行われる状態を示すため第1図の装置のドラム陽極の
下方部分を経て見た詳細な断面図、第8図は第1図のス
パッタリング装置の亀気回路のブロック線図、第9図は
変形例の部分断面図である。 10…・・・スパッタリング装置、12・・・・・・フ
ィルムワーク、14……トラック、16……キヤビネツ
ト、18・・・…ローラ、20…・・・圧力容器または
室、22・…・・支柱、24・・・・・・搬送装置、2
6・・・・・・片持フィルムワーク、28・・・・・・
壁、30・・・・・・シール座、32……フランジ、3
4,36……ガス接続部材、38・・・・・・電気パネ
ル、40・・・・・・導管、42・・・…電線、44・
・・・・・観視窓、46・・・・・・外板、48・・・
・・・柱、50…・・・基板、52・・・スプールまた
はリール、54……軸、56,64……アィドラローラ
、58……ドラム、60,62……ターゲット、66・
・・・・・巻取ローラ、68・・・・・・殻、70・・
…・エンドベル、72,74・・・・・・ターゲット装
置、76……シールド、78……ブラケツト、80……
ハウジング、82……ターゲット板、84……管、86
・…・・支柱、88・・・・・・フランジまたはワィパ
接点、90・・・・・・高電圧源、92・・・・・・ス
イッチング回路、94,96……出力線、102,11
0,112……シリング、104……フランジまたはリ
ング、106……デイスク、108……ねじ、114…
…室、116……エンドリング、118…・・・熱交換
液、120,120′・・・・・・導管、122・・…
・中空軸、124・・・・・・環状空間、126…・・
・シリンダ、128,130……肩部、132・・・・
・・端部、134…・・・ねじ、136・・…・座金、
138……窪み、140,142,144……シールド
、146・・・…プラズマ、147・…・・連結ブラケ
ット、200・・・・・・スパッタリング装置、210
・・・・・・室、212・…・・カバー部材、214,
218……フランジ、216……ガスケツト、220…
・・・供給IJール、224,226・・・・・・軸、
228,230・・・・・・モータ、232・・・・・
・継手、236・・・・・・ドラム、238……軸、2
40……モータ、242……スプロケツトチエーン、2
44……リング、246・・・・・・電気接続部材、2
48・・・・・・接点、250・…・・導管、252,
254・・・・・・同軸の室、256・・・・・・管、
258・・・・・・外皮、、26o......ターゲ
ット、262・・・・・・ホルダー、264・・・・・
・部材、266・・・・・・周波数源、268,270
,272・・・.・・シールド、274・・・・・・導
管、276......隙間。 り俗.′力/6.2 力/G.J. り伯.夕. 力/6.4. りノ6.0. 力/6.ス 力/G.8. 力/G.○
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金属性容器と、密封手段としての金属性カバーと、
この容器の内部に配設された少なくとも1個のターゲツ
ト電極と、前記カバーに回転可能に配設され前記カバー
を閉止した時に前記ターゲツト電極に対向し前記ターゲ
ツト電極との間にスパツタリングプラズマを形成する、
外皮が金属被覆されたドラム陽極と、前記スパツタリン
グプラズマの間を通り前記ドラム陽極を覆う可撓性基板
部材を搬送するコンベア装置と、前記ドラム陽極及び前
記ターゲツト電極に接続され制御可能な高周波エネルギ
源とを具えるスパツタリング装置において、前記ターゲ
ツト電極を囲繞するシールドされた電極装置と同じ電圧
に前記カバー及び容器を維持し、前記ドラム陽極の前記
金属被覆部分を前記カバー及び前記容器から電気的に絶
縁して前記電極装置の電圧とは異なる電圧を与え、接地
電位として内部ドラム本体で前記金属被覆部分を支持す
ると共に電気的に絶縁し、さらにこの内部ドラム本体を
前記カバーを介して固着すると共に接地し、前記内部ド
ラム本体と前記金属被覆部分との間に絶縁隙間を設け前
記金属被覆部分を絶縁してなることを特徴とするスパツ
タリング装置。 2 前記金属被覆部分にエンドリングを連結し、このエ
ンドリングに作用するワイパ接点が前記ドラム陽極の前
記金属被覆部分に前記シールドされた電極装置の電圧と
異なる電圧を与えるよう構成してなる特許請求の範囲第
1項記載のスパツタリング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US05/641,481 US4014779A (en) | 1974-11-01 | 1975-12-17 | Sputtering apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5275669A JPS5275669A (en) | 1977-06-24 |
| JPS6035429B2 true JPS6035429B2 (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=24572585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51125438A Expired JPS6035429B2 (ja) | 1975-12-17 | 1976-10-19 | スパツタリング装置 |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035429B2 (ja) |
| AT (1) | AT344501B (ja) |
| AU (1) | AU511961B2 (ja) |
| BE (1) | BE847413A (ja) |
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| CH (1) | CH617965A5 (ja) |
| DD (1) | DD127637A5 (ja) |
| DE (1) | DE2647149C2 (ja) |
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| FR (1) | FR2335615A1 (ja) |
| GB (1) | GB1503301A (ja) |
| IL (1) | IL50722A (ja) |
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| LU (1) | LU76026A1 (ja) |
| MX (1) | MX145314A (ja) |
| NL (1) | NL7611563A (ja) |
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-
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