JPS6035837B2 - ポッケルスセル駆動回路 - Google Patents
ポッケルスセル駆動回路Info
- Publication number
- JPS6035837B2 JPS6035837B2 JP55042961A JP4296180A JPS6035837B2 JP S6035837 B2 JPS6035837 B2 JP S6035837B2 JP 55042961 A JP55042961 A JP 55042961A JP 4296180 A JP4296180 A JP 4296180A JP S6035837 B2 JPS6035837 B2 JP S6035837B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pockels cell
- transistor
- drive circuit
- voltage
- cell drive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0327—Operation of the cell; Circuit arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は巨大パルス発振をおこなうパルスレーザ装置
に係り、ポッケルスセル駆動回路において、アバランシ
ェ現象を利用したトランジスタをスイッチ素子として用
い、スイッチ動作電圧範囲を拡大し、パルスレーザ装置
の使用温度範囲を拡大した点に特徴を有するものである
。
に係り、ポッケルスセル駆動回路において、アバランシ
ェ現象を利用したトランジスタをスイッチ素子として用
い、スイッチ動作電圧範囲を拡大し、パルスレーザ装置
の使用温度範囲を拡大した点に特徴を有するものである
。
第１図にパルスレーザ装置の構成を示す。
図において、１はしーザ活性物質、２は偏光子、３はポ
ツケルスセル、４はポツケルスセル駆動回路、５は第１
のプリズム、６は第２のプリズム、７は低反射率鏡、８
はしーザ光の射出方向を示す矢印である。
ツケルスセル、４はポツケルスセル駆動回路、５は第１
のプリズム、６は第２のプリズム、７は低反射率鏡、８
はしーザ光の射出方向を示す矢印である。
巨大パルスの発生に不可欠なＱスイッチ素子として電気
光学効果を有する結晶を用いたポッケルスセル３はスイ
ッチ速度の速さから実用装置に多く用いられている。
光学効果を有する結晶を用いたポッケルスセル３はスイ
ッチ速度の速さから実用装置に多く用いられている。
この場合、ポッケルスセル３は高圧かつ高速のパルスに
よって駆動する必要があり、高圧かつ高速のポッケルス
セル駆動回路４もまた必要不可欠なものである。
よって駆動する必要があり、高圧かつ高速のポッケルス
セル駆動回路４もまた必要不可欠なものである。
従来、高圧かつ高速のポッケルスセル駆動回路４の１つ
としてアバランシェ現象を利用したトランジスタをスイ
ッチ素子として用いたものがあり第２図はその構成を示
すもので図において、ＱＩはターミナルＡからのトリガ
信号によって導適する第１のトランジスタ、Ｑ２はァバ
ランシェ現象が生じて導適する第２のトランジスタ、Ｑ
Ｎはアバランシヱ現象が生じて導適する第Ｎのトランジ
スタ、ＲＩはトランジスタＱＩにバイアスを与える第１
の抵抗、Ｒ２はトランジスタＱ２にバイアスを与える第
２の抵抗、ＲＮはトランジスタＱＮにバイアスを与える
第Ｎの抵抗、ＲａはトランジスタＱＩのベースとェミッ
タ間を結合する抵抗、Ｒｂは電流制限抵抗、Ｒｃはター
ミナルｂに接続されるポツケルスセルに電圧を与える抵
抗、ＣＩは結合コンデンサ、Ｃ２はェネルギ充放電用コ
ンデンサである。
としてアバランシェ現象を利用したトランジスタをスイ
ッチ素子として用いたものがあり第２図はその構成を示
すもので図において、ＱＩはターミナルＡからのトリガ
信号によって導適する第１のトランジスタ、Ｑ２はァバ
ランシェ現象が生じて導適する第２のトランジスタ、Ｑ
Ｎはアバランシヱ現象が生じて導適する第Ｎのトランジ
スタ、ＲＩはトランジスタＱＩにバイアスを与える第１
の抵抗、Ｒ２はトランジスタＱ２にバイアスを与える第
２の抵抗、ＲＮはトランジスタＱＮにバイアスを与える
第Ｎの抵抗、ＲａはトランジスタＱＩのベースとェミッ
タ間を結合する抵抗、Ｒｂは電流制限抵抗、Ｒｃはター
ミナルｂに接続されるポツケルスセルに電圧を与える抵
抗、ＣＩは結合コンデンサ、Ｃ２はェネルギ充放電用コ
ンデンサである。
第２図において、ターミナルＣに電圧を加えておき、タ
ーミナルＡにトリガ信号を加えると、トランジスタＱＩ
はトリガ信号によって導通し、トランジスタＱ２からト
ランジスタＱＮまではアバランジェ現象が生じて導適す
る。
ーミナルＡにトリガ信号を加えると、トランジスタＱＩ
はトリガ信号によって導通し、トランジスタＱ２からト
ランジスタＱＮまではアバランジェ現象が生じて導適す
る。
したがって、コンデンサＣ２に貯わえられてし・た電荷
はトランジスタＱＮＴからトランジスタＱ２、トランジ
スタＱＩそして抵抗Ｒｃを通って放電する。
はトランジスタＱＮＴからトランジスタＱ２、トランジ
スタＱＩそして抵抗Ｒｃを通って放電する。
このときターミナルＤとターミナルＥの間には高速で負
のパルス電圧が得られる。ここでターミナルＣに加えら
れる電圧Ｖの範囲と周囲温度Ｔの関係を第３図に示す。
のパルス電圧が得られる。ここでターミナルＣに加えら
れる電圧Ｖの範囲と周囲温度Ｔの関係を第３図に示す。
図において９は第２図に示す従釆回路構成におけるター
ミナルＡからトリガ信号が入らない場合でもァバランシ
ェ現象が生じて、トランジスタＱＩからトランジスタＱ
Ｎまで全部導通してしまう電圧Ｖの下限を表わす線、１
０は夕−ミナルＡからトリガ信号が加わることによって
トランジスタＱＩからトランジスタＱＮまで導適する最
４・の電圧Ｖを示す線、１１は各温度において最高のし
−ザ出力を与えるポッケルスセル３の駆動電圧であり、
ほぼポッケルスセル３の４分の１波長電圧に等しい。
ミナルＡからトリガ信号が入らない場合でもァバランシ
ェ現象が生じて、トランジスタＱＩからトランジスタＱ
Ｎまで全部導通してしまう電圧Ｖの下限を表わす線、１
０は夕−ミナルＡからトリガ信号が加わることによって
トランジスタＱＩからトランジスタＱＮまで導適する最
４・の電圧Ｖを示す線、１１は各温度において最高のし
−ザ出力を与えるポッケルスセル３の駆動電圧であり、
ほぼポッケルスセル３の４分の１波長電圧に等しい。
なお第３図の線９と線１０は第２図の構成においてコレ
クタとェミッタ間の降伏電圧が１４０Ｖのトランジスタ
を２の固（Ｎ＝２０）直列に接続したときのものである
。
クタとェミッタ間の降伏電圧が１４０Ｖのトランジスタ
を２の固（Ｎ＝２０）直列に接続したときのものである
。
第３図に示す特性によればこのポッケルスセル３の駆動
回路の動作電圧Ｖの範囲は４ＫＶから磯Ｖまでで、周囲
温度Ｔが０℃から４０ｑｏまでのときはポッケルスセル
３を駆動できるが、例えば、０℃以下ではポッケルスセ
ル３を駆動出釆ないことがわかる。
回路の動作電圧Ｖの範囲は４ＫＶから磯Ｖまでで、周囲
温度Ｔが０℃から４０ｑｏまでのときはポッケルスセル
３を駆動できるが、例えば、０℃以下ではポッケルスセ
ル３を駆動出釆ないことがわかる。
この発明はこれらの欠点を除去するため、トランジスタ
のベースに加えられるトリガ信号によって導適するトラ
ンジスタの個数を増加してポッケルスセル駆動回路４の
動作電圧範囲を拡大したもので、以下図面について詳細
に説明する。
のベースに加えられるトリガ信号によって導適するトラ
ンジスタの個数を増加してポッケルスセル駆動回路４の
動作電圧範囲を拡大したもので、以下図面について詳細
に説明する。
第４図はこの発明の実施例である。
図において１２はトランスである。図の構成によればト
ランス１２は５つの２次巻線を有し、ターミナルＡから
加わるトリガ信号によってトランジスタＱＩからトラン
ジスタＱ５を導通させることができる。残りのトランジ
スタＱＮまではアバランシェ現象を生じて導適すること
となるが、第４図に表わす回路構成では第２図に表わす
回路構成と異なり、アバランシェ現象を生じさせる必要
な個数が少なくターミナルＣから加えられる電圧Ｖは低
くてもスイッチ動作をおこなわせることができる。第４
図のようにターミナルＡから加わるトリガ信号によって
駆動するトランジスタの個数を５とした場合の電圧Ｖと
周囲温度Ｔの関係を第５図に表わす。図において１３は
第４図のターミナルＡからのトリガ信号がないときでも
ＱＩからＱＮまでの全てのトランジスタが導通してしま
う電圧Ｖの下限を示す線、１４はターミナルＡからのト
リガ信号によってＱＩからＱＮまで全てのトランジスタ
が導適する最小の電圧を示す線である。第５図に示す改
良された回路構成によれば周囲温度Ｔが−２ぴ○から十
４ぴ０まで作動してポツケルスセル３を駆動することが
できるようになる。なお、以上はトリガ信号によるトラ
ンジスタの駆動をすべてトランス１２によって行ない、
かつ１つのトランス１２を用いて説明したが、各々のト
ランジスタに１個ずつトランスを用いても同様の効果が
得られることはもちろんである。更にトリガ信号によっ
て駆動されるトランジスタの個数はパルスレーザ装置の
動作温度範囲によって適当な数を選べることはもちろん
である。
ランス１２は５つの２次巻線を有し、ターミナルＡから
加わるトリガ信号によってトランジスタＱＩからトラン
ジスタＱ５を導通させることができる。残りのトランジ
スタＱＮまではアバランシェ現象を生じて導適すること
となるが、第４図に表わす回路構成では第２図に表わす
回路構成と異なり、アバランシェ現象を生じさせる必要
な個数が少なくターミナルＣから加えられる電圧Ｖは低
くてもスイッチ動作をおこなわせることができる。第４
図のようにターミナルＡから加わるトリガ信号によって
駆動するトランジスタの個数を５とした場合の電圧Ｖと
周囲温度Ｔの関係を第５図に表わす。図において１３は
第４図のターミナルＡからのトリガ信号がないときでも
ＱＩからＱＮまでの全てのトランジスタが導通してしま
う電圧Ｖの下限を示す線、１４はターミナルＡからのト
リガ信号によってＱＩからＱＮまで全てのトランジスタ
が導適する最小の電圧を示す線である。第５図に示す改
良された回路構成によれば周囲温度Ｔが−２ぴ○から十
４ぴ０まで作動してポツケルスセル３を駆動することが
できるようになる。なお、以上はトリガ信号によるトラ
ンジスタの駆動をすべてトランス１２によって行ない、
かつ１つのトランス１２を用いて説明したが、各々のト
ランジスタに１個ずつトランスを用いても同様の効果が
得られることはもちろんである。更にトリガ信号によっ
て駆動されるトランジスタの個数はパルスレーザ装置の
動作温度範囲によって適当な数を選べることはもちろん
である。
以上のように、この発明に係るポツケルスセル駆動回路
４では、アバランシェ現象を利用したトランジスタをス
イッチ素子として用い、外部トリガ信号で導適するトラ
ンジスタの個数を２個以上としてポッケルスセル駆動回
路４の動作電圧Ｖ範囲を拡大することによりパルスレー
ザ装置の動作温度範囲を拡大できる利点がある。
４では、アバランシェ現象を利用したトランジスタをス
イッチ素子として用い、外部トリガ信号で導適するトラ
ンジスタの個数を２個以上としてポッケルスセル駆動回
路４の動作電圧Ｖ範囲を拡大することによりパルスレー
ザ装置の動作温度範囲を拡大できる利点がある。
第１図はパルスレーザ装置の構成図、第２図は従来のポ
ッケルスセル駆動回路の回路図、第３図は従来のポッケ
ルスセル駆動回路の動作電圧範囲と周囲温度の関係を表
わす図、第４図はこの発明の実施例の回路図、第５図は
この発明による実施例の動作電圧範囲と周囲温度の関係
を表わす図である。 図中、１はしーザ活性物質、２は偏光子、３はポッケル
スセル、４はポツケルスセル駆動回路、５は第１のプリ
ズム、６は第２のプリズム、７は低反射率鏡、１２はト
ランス、ＱＩは第１のトランジスタ、Ｑ２は第２のトラ
ンジスタ、Ｑ３は第３のトランジスタ、Ｑ４は第４のト
ランジスタ、Ｑ５は第５のトランジスタ、ＱＮは第Ｎの
トランジスタ、ＲＩは第１の抵抗、Ｒ２は第２の抵抗、
Ｒ３は第３の抵抗、Ｒ４は第４の抵抗、Ｒ５は第５の抵
抗、ＲＮ‘ま第Ｎの抵抗、ＲａはトランジスタＱＩのベ
ースとェミッタを結合する抵抗、Ｒｂは電流制限用抵抗
、Ｒｃはポッケルスセルに電圧を与える抵抗、ＣＩは結
合コンデンサ、Ｃ２は充放電用コンデンサである。 なお図中、同一あるいは相当部分には同一符号を示して
ある。第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
ッケルスセル駆動回路の回路図、第３図は従来のポッケ
ルスセル駆動回路の動作電圧範囲と周囲温度の関係を表
わす図、第４図はこの発明の実施例の回路図、第５図は
この発明による実施例の動作電圧範囲と周囲温度の関係
を表わす図である。 図中、１はしーザ活性物質、２は偏光子、３はポッケル
スセル、４はポツケルスセル駆動回路、５は第１のプリ
ズム、６は第２のプリズム、７は低反射率鏡、１２はト
ランス、ＱＩは第１のトランジスタ、Ｑ２は第２のトラ
ンジスタ、Ｑ３は第３のトランジスタ、Ｑ４は第４のト
ランジスタ、Ｑ５は第５のトランジスタ、ＱＮは第Ｎの
トランジスタ、ＲＩは第１の抵抗、Ｒ２は第２の抵抗、
Ｒ３は第３の抵抗、Ｒ４は第４の抵抗、Ｒ５は第５の抵
抗、ＲＮ‘ま第Ｎの抵抗、ＲａはトランジスタＱＩのベ
ースとェミッタを結合する抵抗、Ｒｂは電流制限用抵抗
、Ｒｃはポッケルスセルに電圧を与える抵抗、ＣＩは結
合コンデンサ、Ｃ２は充放電用コンデンサである。 なお図中、同一あるいは相当部分には同一符号を示して
ある。第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- １ パルスレーザ装置に用いられるポツケルスセル駆動
回路において、スイツチ素子としてアバランシエ現象を
利用したトランジスタを２個以上直列に接続して用いる
とともに上記トランジスタ２個以上を外部トリガによつ
て同時に導通状態とすることにより、スイツチ可能な動
作電圧の範囲を拡大するように構成したことを特徴とす
るポツケルスセル駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55042961A JPS6035837B2 (ja) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | ポッケルスセル駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55042961A JPS6035837B2 (ja) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | ポッケルスセル駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56140686A JPS56140686A (en) | 1981-11-04 |
| JPS6035837B2 true JPS6035837B2 (ja) | 1985-08-16 |
Family
ID=12650621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55042961A Expired JPS6035837B2 (ja) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | ポッケルスセル駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035837B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0314240U (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-13 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2609846B1 (fr) * | 1987-01-15 | 1989-05-19 | Centre Nat Rech Scient | Generateur d'impulsions electriques haute tension notamment pour laser impulsionnel |
| DE102012222606A1 (de) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg | Pockelszellentreiberschaltung und Verfahren zum Betrieb einer Pockelszelle |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54101698A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | Pickels cell driving unit |
| JPS5527750A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-28 | Nec Corp | High-voltage switching device triggered by optical pulse |
-
1980
- 1980-04-02 JP JP55042961A patent/JPS6035837B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0314240U (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56140686A (en) | 1981-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3702159B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US3371232A (en) | High current, short duration pulse generator | |
| US4443719A (en) | Voltage isolated gate drive circuit | |
| US4083020A (en) | Voltage controlled oscillator | |
| US4728817A (en) | Power transistor drive circuit | |
| JPS6035837B2 (ja) | ポッケルスセル駆動回路 | |
| KR960016010B1 (ko) | 지연-펄스 발생기 | |
| US4283690A (en) | Low power CMOS oscillator | |
| JPS59172B2 (ja) | 電界効果トランジスタの駆動回路 | |
| KR100231139B1 (ko) | 리세트 신호 발생 회로 | |
| US3686516A (en) | High voltage pulse generator | |
| JPH0213821B2 (ja) | ||
| US2950398A (en) | Electrical pulse producing apparatus | |
| US4843253A (en) | Monolithically integratable circuit for the generation of extremely short duration current pulses | |
| EP0109004B1 (en) | Low power clock generator | |
| JPS5883200A (ja) | 電子式遅延電気雷管 | |
| US5122695A (en) | SCR control circuits | |
| US3225311A (en) | Preset circuit for a solid state magnetic oscillator | |
| SU423246A1 (ru) | Распределитель на транзисторах | |
| SU1453582A1 (ru) | Кварцевый генератор | |
| SU437201A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
| SU617841A1 (ru) | Транзисторный ключ с защитой от перегрузки | |
| JPH036120A (ja) | パワートランジスタ回路の同時通電防止回路 | |
| SU738075A1 (ru) | Регулируемый мостовой инвертор | |
| SU974581A1 (ru) | Таймер |