JPS603642A - 磁気記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録体、詳述すれば少なくとも基層と周
期的に変化する磁化・母ターンが形成された第１ｅ１性
体層と磁化可能な第コ磁性体層とから成り、熱残留磁化
現象を利用してその表面上に磁気潜像が形成される磁気
記録体に関する。

従来技術 熱残留磁化を利用した磁気潜像形成法とは、強磁性体を
、そのキューリ一温度近傍まで温度上昇させて、外部磁
界印加の下で室温まで冷却後、外部磁界を消去すると残
留磁化が現われる現象を利用するものであって、加熱冷
却のサイクルを利用せずに磁界だけで磁化する方法に較
べて小さな外部磁界で飽オロ残留磁化に近い残留磁化が
得られる方法である。

この熱残留磁化現象を利用して熱・ぐターンを磁気潜像
／４’ターンに変換し、磁気記録方法に利用する場合、
画像情報を含むフラッシュ光やサーマルヘッド、レーザ
ー光などの熱パターン入力法が利用できるので磁気ヘッ
ドによる方法に較べて、より簡単に磁気潜像の形成がで
きる。

しかしながら熱残留磁化現象を利用した磁気記録法にお
い、では、熱と磁界を同時に印加し、なければならず、
さらに磁気潜像が磁性トナー等によって良好に現象され
るには熱又は磁界の少なくとも一方に周期的な変調を加
える事によって磁気潜像自体に変調を力Ｕえなくてはな
らない。これらの要求を満たすために従来から様々な提
案がなされている。

まず第１の方法として、磁気記録体を予め一方回に磁化
し、次に逆方向の磁界を印加しつつ熱パターｙｉ印加す
る方法がある。この方法では、磁界印加手段と熱ノ４タ
ーン印加手段の位置精度はそれほど要求されない反面、
磁気ｍ保の変調が熱Ａ’ターンの変調に依存するので、
熱ｔ４ターン自体に更に細く変調を加えなくては良好な
現像を行なうことができない。熱・リール人力としてサ
ーーー１ヘッドを用いる場合には、サーマルヘッド発熱
素子径に対応する波長の空間的磁気変調を行ない得るが
、印加され／ヒ１つの熱ドツト内に変調を加えらルない
ためにドツトの取ね打ちができず、ソリッドｌ′杵像が
ペタ黒でなく網点像となってしまう欠点を有している。

第コの方法としては、熱ノＲターン印加と同時に長尺の
ｉｌａヘッド等によシ磁界を印加して潜像を形成する方
法がある。この方法によれば、潜像内の変調・は印加磁
界を変調することによシ希望する波長に６易に行なわれ
るが、熱ノ４ターン印加手段と磁界印加手段とを極めて
高い精度で位置設定しなくてはならず、装＠構成の複雑
化は避けがたいものがある。

第３の方法としては、磁気記録体を、基層上に鋭訳され
た磁化パターンが形成された第７磁性体憎と磁化可能な
第ユ磁性体層とを設けた積層構造とし、上記第２　（ａ
性体層側から熱パターンを印加することによって第、２
磁性体層に所感する熱残留磁化）ｅターンを形成する方
法がある。この磁気記動・方法は、磁化変調を簡易な機
拾で行い得る方法であるが、この方法ｒ（おいては熱残
留磁化を形成する際に要する第一層の磁化パターンによ
る磁界が特に非加熱領域において第２層上に漏れ出して
きておシ、この結果、現岱時に背景部のカブリを生じさ
せ１１画質を低下させる。

このように従来の磁気記録方法では、それぞれに欠点が
６９、未だ満足な効果が得られていないのが実情である
。特に第３の方法において用いられる磁気記録体では、
第１磁性体層の磁化パターンが加熱領域において第コ磁
性体層に熱残留磁化を生せしめ、かつこの熱残留磁化に
よシ磁気記録体表面に形成された磁界が磁気現像を行な
うのに十分な大きさを有するように第１磁性体層及び第
コ磁性体層の層厚についての考慮が払われているものの
、非加熱領域において第１磁性体層の磁化パターンから
発生するもれ磁界についての考１鑞は不十分である。し
だがって上述のように従来の磁気記録体を用いた場合に
は、現像時に背斌部のカブリが生じ、画質が低下する。

発明の目的 本発明の目的は、少なくとも基層と周期的に変化する磁
化ノ４ターンが形成された第７磁性体層と磁化可能な第
λ磁性体層とからなる磁気記録体に２いて、非加熱領域
における第１磁性体層の磁化パターンによるもれ磁界を
防止することにより、背景部にカブリのない篩画質複写
を可能とする磁気記録体を提供することである。

発明の構成 本発明の上記構成の磁気記録体において、第１出性体層
の飽和残留磁化Ｍ工及び層厚ｄ□と、第コ磁性体層の飽
和残留磁化Ｍ、及び層厚ｄ２と、第１磁性体層に形成さ
れた磁化パターンの波長λと、第１ｇｉ性体層表面及び
第一磁性体層表面から磁気記録体表面までの各距離Ｌ□
、ｔ２との間に、の関係がほぼ成立するように構成した
ことを特徴とする。磁化・ヤターンの波長λは／μｍ−
タθＯμか募であるのが好ましい。さらに第１磁性体層
厚ｄ□と第２磁性体層厚ｄ、は、それぞれ磁化ｉ＋ター
ンの波長λに対して の関係にあることが好ましい。

実施例 第１図（ａ）〜（ｄは、本発明による磁気ｄ己録体の１
ｊ′；成例を示すもので、（ａ）の構造では、非磁性基
体１上に予め全面に亘シ周期的に変調された磁化パター
ンで磁化されている第１磁性体層２が設けられておｐｌ
その上に磁化ｊＴＪ能な第一磁性体層表面が設けられて
いる。（＋））は（ａ）の構造体の第１と第２の磁性体
層の間に非磁性の中間Ｊ７Ｍ４を設けた磁気量、ｊｉ、
−ζ体の例を示している。（Ｃ）は（ａ）の構造の磁気
記録体に表面保護層５を設けた例を示し。（（２）（ｌ
ユ（ｂ）　ｖｆ賃造の磁気記録体に人面保ｄ層５を設け
た例ｒ示している。

次に第１図に示す構造の磁気記録体に適する磁え、２□
□□、〜。。、ヶｍ　、（ｍ　”ＩＪ　ｔお。。　１の
磁気記録方法は、第コ磁性体層を全面に亘って加熱し、
第１磁性体層の磁化パターンに対応する熱残留磁化）卆
ターンを第コ磁性体層に形成する工程（第２図（ｂ））
と、外部から一方向磁界を印加しつつ画像情報を含む熱
パターンを入力し、第２の磁性体層の加熱領域に対応す
る熱残留磁化パターンを外部印加磁界と同じ一方向とす
る工程（第２図（Ｃ））とから成っている。

抑、上第λ図（ａ）〜（Ｃ）について説明する。第２図
（ａ）は千′に時の磁気記録体における磁気的状態を示
しＣおシ、第１磁性体層２には図中６で示すように周期
的に磁化の方向が変化した磁化・やターンすなわち空間
的に磁気変調さ１％だ磁化・ぐターンが全面に亘って設
けられている。この段階では、第１磁性体層２内の磁化
６から発生する磁束７が第２磁性体層３内部及び磁気記
録体表面上に分布している。ここで、この磁束７による
第ス磁性体層３への作用磁界Ｈ（ｔは通常環境温度ＴＯ
における第コ磁性体層の抗磁界Ｈ２ｏ（ＴＯ）よりも小
さくなるよう定められている。従って第２図（ａ）の状
態では第コ磁性体層は残留磁化を有しておらず、磁気記
録体上には磁化ノ４ターン６が発生する磁石７が存在す
るのみである。

第一図（ｂ）は、全面加熱を施こした後の磁気配気′、
体の磁気的状態を示すものである。この全面加熱の具体
的手段としては、フラツ／ユランプ、Ｃ）ロール又はザ
ーマルヘッド等が用いられる１、このｌひ、第２磁性本
層３を、その抗磁界Ｈ２ｏが第３図（ａ）に特徴的に例
示するように温度とともに変化する材料で構成すること
により、第２磁性体層３はｉｉ￥　／の磁性体層２の磁
化ノぐターン６とは逆の熱残留磁化パターン８を有する
ことになる。

第３図（ａ）は強磁性体の熱磁気効果の７つである抗磁
界ＨＣの温度依存性を例示する図であり、図中Ｔｃは一
般にキューリ一温度と叶・ばれている１、このような強
磁性体の抗磁界ｔｌｃの温要依存性のために、第３図（
ｂ＞　ＶＣよって示されるような熱”；’２留磁化現象
を生ずる。すなわち、熱残留磁化現象とは外部磁界Ｈの
印加下で、温度Ｔｂ　神で加熱さり。

てから温度（＝　ＴｏごＴａ　）まで冷却される１１．
デＭｒ（Ｔｂ　）　の熱残留磁化をゼするＬ３１象であ
る。

第２図（ｂ）に戻ると、熱残留磁化現象を生じる強磁性
体は第コ磁性体層３に、外部磁界Ｈは作用磁界Ｈ１に、
　加熱温度ＴＩ）は全面加熱温度に、熱残留磁化Ｍｒ（
Ｔｂ）　Ｖｉ磁化パターン８にそれぞれ相当する。第１
磁性体層の全面加熱時の温度をＴｂ’とし、第１磁性体
のキューリ点温度をＴｃ’とすると、Ｔｂ’　（Ｔｃ’
であるような材料で第１磁性体層を摺成することによシ
、全面加熱後の第１磁性体層の磁化パターンは乱れを生
ぜず、第２図（ａ）に示した状態のまま維持される。し
だがって第２図（１））における磁気記録体上の磁界は
、磁化パターン６から発生する磁束と磁化・ぐターン８
から発生する磁束とが形成する磁界の和であ夛これらの
磁束が逆向きであるため、第１磁性体２及び第２磁性体
３の磁化の強さ、及びｊ層厚等を後述するように選択す
ることによυはぼＯとすることができる。第コ図ｔｂ）
では、このようにして磁気記録体を見掛は上全く磁化さ
れていないと同等な状態としてあυ、磁性トナーを吸引
付着せしめる磁気力は全く働らかない。

次に第２図（Ｃ）に示すように、一方向の外部磁界Ｈを
印加しながら第２磁性体層側から熱ノぐターンを印加し
て非加熱領域Ａ１加熱領域Ｂからなる温度・ぐターン′
を形成する。この時の非加熱領域Ａ。

加熱領域Ｂの温度並びに外部磁界Ｈは、それぞれ第３図
（ａ）のＴａ、Ｔｂ並びにＨと同等な関係となるように
するのが好ましい。この外部磁界Ｈは、第２ｆｌｉ性体
層３の加熱領域Ｂのみを熱残留磁化させ、他の領域及び
第１磁性体層１には何ら磁気的形２Ｒを与えないものが
好ましい。すなわち外部磁界Ｈは、前記作用磁界Ｈα、
第１磁性体層２の加熱領域已における抗磁界Ｈ工。（Ｔ
ｂ’　）　、第２磁性体層３の非加熱領域Ａの抗磁界Ｈ
２ｏ（Ｔａ）に対して次の関係にあるものがよい。

１Ｈ１ｕｌｌ−１，１，１）−１１＜＜１）−Ｉ□Ｃ（
Ｔｂ’月、　１）−１２６（Ｔａ）　ｌ＞ｌ用→−胆７
１このようにすることによシ、第２図（Ｃ）のような磁
気的状態が得られる。第２図（Ｃ）では、第１磁性体層
２は第２図（ａ）と同様な縁り返し磁化パターン　五か を維持している。第コ磁性体Ｎ３の非加熱領域Ａは第２
図（ｂ）と同じように第１磁性体層に対し反転した磁化
パターンを有するが、加熱領域Ｂは熱残留磁化現象によ
り外部磁界Ｈと同一方向に一様磁化される。

第コ磁性体層の加熱領域Ｂのように一方向に一様磁化さ
れた磁性体層は、外部にほとんど磁束を発生せず全く磁
化さ扛でいない場合とほぼ同等である。従って、第２図
（Ｃ）の磁気的状態は、加熱領域Ｂにおいて第２図（ａ
）と同等、非加熱領域Ａにおいて第２図（ｂ）と同等と
なシ、磁気記録体上の磁界は、非加熱領域Ａにおいてほ
ぼＱ、加熱領域Ｂにおいて磁化ノぐターン６による磁界
を有することになる。ゆえに像状の印加熱ツクターンに
対応し、かつ第１磁性体層２の磁化パターン６に対応し
た変調を受けた磁気潜像が形成される。

ここで用いる外部磁界Ｈは、印加熱パターンが冷却して
消滅するまでの間に存在していればよく、また外部磁界
印刀０手段としては、永久磁石、電磁石等を用いること
ができるので設定の際の位置稽）皮等は非常に緩和され
る。

捷だ、この様にして形成された潜像の消去は、外部磁界
の無い状態で全面加熱を行い、第２図（ｂ）の磁気的状
態とすることで達成される。しだがって磁気潜像形成及
び消去は第１図（１））及び（Ｃ）の一連の工程によっ
て簡単に行なうことができる３゜次に、第１図に示した
磁気記録体の磁化の強き及び層厚等の関係について第２
図（ｂ）を参照Ｅ７ながら説明する。

一般に第１磁性体層２又は第２磁性体層３のような磁性
体層が一定波長λで磁化されている。場合には、その磁
性体層表面から距離ｙだけ離れノこ点の磁界は、 で与えられる。

そこで第１磁性体層の磁化及び層厚をＭ工、ｄよとし、
第コ磁性体層の残留飽和磁化及び層厚をＭ２．ＣＩ２と
すると、第１磁性体層の磁化Ｍ□が４２磁性体層上に形
成する磁界は、 となシ、一方第２磁性体層の残留飽和磁化Ｍ２が第２磁
性体層上に形成する磁界は、 となる。そこで となるように、各々の値を定めると磁気記録体表面上の
磁界を０にすることができる。したがって第２図（Ｃ）
のように画像情報を含む熱パターンを印加した場合に、
その非加熱領域Ａにおいて磁気記か体板面上にもれ磁界
が生じない。

磁化の波長λは、現像性特に画像濃度と画像のきめの細
かさに効果を有しており、粒径／μｍ〜、５０μｍの磁
性トナーに対し／μｍ−左ＯＯμｍ１　更に望ましくは
７０μｍ　”　２０θμｍが適している。これは、磁化
の波長λは短い場合には画像のきめの細かさの点ですぐ
れているが、あまシ短かすぎると磁界の減少が早く現像
力が弱まってしまうからである。また磁性体の磁化は、
残留飽和磁化であることが、磁化が強いこと、制御のし
やすさ、磁気的安定性等の面から適している。さらに、
磁性体が磁化しようとする方向に磁化容易軸を持つよう
にその磁性体を異方化することは、磁性体Ｊｈ’ｒの残
留磁化を強め、現像性を向上させる。

式（力は、第２図（ａ）〜（Ｃ）に示すような構造の磁
気記録体における栄件であるが、第１図（ａ）〜（→に
示すような中間層、表面保護層を持つ磁気記録体にも拡
大することができる。その一般式は、で与えられる。

磁性体層の磁化は、磁性体層の材質又は磁気的性質によ
シ決まるので、以下のような材質及び磁気的性質を有す
るのが好ましい。

第１磁性体層は、磁気記録体上に達するのに十分な強さ
の磁界を形成しかつ加熱及び外部磁界印加によっても自
身の磁化が変化しない特性を有することが必要とされる
。従って第１磁性体層は熱に対して磁気的安定性が高く
、キューリ一点温度がλθθ℃以上有シ、且つ残留磁化
Ｂｒ　及び抗磁力ＨＣの高い材質、例えばＣｏ−Ｎ１−
Ｐ合金磁性薄膜や鉄等の微粒子を高分子樹脂中に分散し
たいわゆるメタルテーゾ等が通している。このメタルテ
ーゾは残留飽和磁化が、２００θ〜ｇｏｏｏガウスあシ
、加熱）ザｌ域において第２磁性体層等を通過して十分
な磁界を形成することができる（第２図（０参照）４．
２磁性体層としては、先に述べた熱残留磁化現象をイ■
する磁性体が用いられる。さらにこの熱残留磁化ｙｌ象
が比較的低い温度で生じる磁性体が望ましく、キューリ
一点温度が／３ｏ℃程の分散塗布型ＣｒＯ２磁性体層や
Ｔｂ−１・’ｔ　Ｇｄ＝／’≧等の希土類金属−遷移金
属の非晶質合金薄膜が適している。これらの残留飽和磁
化はＳθθ〜ｉ’ｓｏｏ　ガウス程度であって第７磁性
体層に比べて小さいが磁気記か体表面に近接あるいは表
面に存在しているために、第１磁性体層が形成する磁界
と同等の強さの磁界を形成することができる。

第１磁性体層及び第２磁性体ノーの層厚は、厚いほどそ
の発生する磁界が強くなる傾向にあるがあまシ厚くして
も効果が少ないので、周期磁化パタ／　／ 一ンの波長λに対して２ＤＯλ〜２λ程度が適当である
。中間層は特に設けなくてもよいが第１磁性体を安定な
状態に保つため断熱層として用いる場合に有効であり、
第１磁性体層及び第２磁性体ＪＭのキューリ一点温度が
近い値の材質を用いた場合に特に有効である。ただし、
中間層厚があまシに厚いと第１磁性体層の磁化が形成す
る磁気記録体上の磁界すなわち磁気記録体の潜像が弱く
なシすぎてしまうため、断熱機能を満たす範囲内で薄い
方が望ましい。また表面保護層も第２磁性体層の（、：
ｌ’ｉ械的知的強度い場合にその表面の摩耗防止性のだ
めに設けることが望ましいが、その厚さは可能な限や薄
い方が好ましい。

第７図は、本発明による磁気記録体１０を用いることの
できる磁気記録装置の一例を示すもので、−磁気記録体
１０は、基層１上にＶ長λの正弦波磁化パターンを有す
るメタールテーゾから成る第１磁性体層２、非磁性ポリ
イミド中間層４、ＣｒＯ２分散塗布層から成る第、２磁
性体層３をこの順に積層させたものである。磁気記録体
１０は時計回シの方向に回転駆動されており、そのまわ
りには、全面加熱手段１１、熱ツクターン印加手段１２
、外部磁界印加手段１３、現像器１４、転写ロール１５
及び７に掃手段１７が配置されている。

全面加熱手段１１としてはフラッシュラングが用いられ
、これによって第２磁性体層３を７３０゜まで加熱し、
熱残留磁化現象によって第コ磁性体層３に第１磁性体層
の形成する磁界を打ち消す磁化ノｊターンを形成する。

見掛は上磁化が消去された磁気記録体１０は、次に棒磁
石からなる外部磁界印加手段１３が形成する磁界（約２
００エルステツド）中においてサーマルヘッドから成る
熱ノやターン印加手段１２により像状に加熱され、磁気
潜像が形成される。この様にして形成された磁気潜像は
現象器・１４に送られ、磁性トナーを付着せしめて顕像
化された後、バイアス電圧を印加された転写ロール１５
で記録紙１６に転写される。一方磁気記録体１０は清掃
装置１７に送られ、そこで残留磁性トナーが除去される
。複数枚のコピーを作成する場合には、これらの現像、
転写、苗帰の工程を繰シ返し、所望する枚数のコピーを
得たのち、フラッシュランプによる全面加熱で磁気６２
　ｅは消去され、次の潜像形成工程に入る。

第グ図の磁気記録装置において、前記０式の条件をはｔ
ｚ＃たす磁気記録体を用いた場合、すなわち第１磁性体
層１として飽和残留磁化が２グ００ガウス、厚さが３μ
ｍで波長乙θμｍの正弦波磁化パターンを形成したもの
を用い、中間層４としてｓμＩＩ＋厚のポリイミド層を
用い、第コ磁性体層３として飽和残留磁化見θガウス、
層厚ＳμｍのＣｒＯ２分Ｖｉ′１１層から成るものを用
いた場合には、その磁気記録装置によって作成された複
写物は、画像濃度７．３で地肌汚れのない極めて良好な
画像を有する。

−万第λ式の条件から全く外れた磁気記録体、クリえは
残留磁化、、２グθθ力゛ウス、層厚３μｍｎ　で波長
６０μ？ｎの正弦波磁化パターン金形成した第１磁性体
層と残ｒｒｆｉ磁化３００ガウス層厚コμｍの第コ磁性
体層とから成シ、中間層を有さないものを用いて画像形
成したところ、両像８Ａ度は／、弘以上であるが、地肌
汚れがひどく艮好な画像が得られなかつ　グこ　。

本発明による磁気記録体は、前述した非反転面像形成方
法に使ノ１」できる７゛ζけでなく、第３図（ａ）〜（
Ｃ）に示すような反転潜像形成方法にも使用できる。

この方法によｉｔは、反転７ｆ’ｊ像は第１図（ｃｌ　
［Ｃおいて印用１した外部鰻タトＨ忙（ｂ）の段１石に
おいて印加することにより得られる。すなわち第３図（
１））ように全面加熱時に一方同外部磁界を印加し、そ
の後第Ｓ図（ｃ）のように外部磁界の存在しない状態で
熱・ぐターンを印加することにより反転磁気潜像を得る
ことができ心。磁気潜像の消去は全面加熱を行なうこと
により達成され、これによって（ａ）の段階に戻る。磁
気記録をさらに続ける場合には、全面加熱を行なうとと
もに一方向外部磁界を印加することによ！？　（ｂ）の
・段階に戻せばよい。このような反転（・・−気ａ像形
成方法においても加熱傾城Ｂでは伜気記録体表面上の磁
界は０となっており、磁性トナーの付着すべきでない領
域にはもれ磁界は存在しない。

このような反転磁気潜像形成方法を用いるゴーコ合には
、第ｊ図の磁気記録装置において外部の゛ｌ昇印加手段
１３を熱・ぐターン印加手段１２の近イこ４から全面加
熱手段１１の近傍に設置しなおせばよい５、また外部磁
界印加手段を制御することにより、全面加熱手段と熱パ
ターン印加手段を兼用としてもよい。

発明の効果 本発明の磁気記録体は、簡単な磁気（’ａ　イ３形成方
法を用いることによりその磁気記録体表面の非向像領域
における磁界もれを防止することができ、しだがってカ
プリのない高画質の画像をイ４）る仁とができる。また
本発明の磁早記録体ｔζは簡単な反転磁気潜像形成方法
により反転磁気潜像を形成することができ、もちろん〃
プリのない旨画質画像を得ることができる。さらに本発
明の磁気記録体を用いれば、外部磁界を制御することに
より全面加熱部材と熱パターン印加部材を兼用すること
も可能であり、磁気記録装置の小波化、多機能化を促進
できる。また熱パターン印加時の磁界印加の有無を制御
することによシ概存の磁気ｍ像に任意に削除、書き加え
を行なうこともできる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は、木兄ゆ」を適用できる各種磁
気記録体の構造を示す部分断面図、 ４２図（ａＪ〜（ｃ）は、本発明の磁気記録体に利用で
きる非反転磁気潜像形成方法を説明するための磁′＞へ
〇己録工不堤図　、 第３図（ａ）及び（ｂ）は、強磁性体の熱残留磁化現象
ｋｆ兄明するためのグラフで、（ａ）は抗磁力Ｈｃ　（
７）　温度変化曲線を示し、（１））は外部磁界Ｈに対
する熱残留磁化曲線を示しており、 第ｊ図は、本発明による磁気記録体を用いることのでき
る磁気記録装置の概略図、 第Ｓ図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の磁気記録体に利用で
きる反転磁気潜像形成方法を説明するための（１Ｇ気記
録工程図である。 １・・・基層　２・・・第１磁性体層 ３・・・第コ磁性体層　４・・・中間層５・・・表面保
護層　１０・・・磁気記録体１１・・・全面加熱手段 １２・・・熱・ぐターン印加手段 １３・・・外部磁界印加手段 １４・・・現像器　１５・・・転写ロール１６・・・記
録紙　１１・・清掃装置６鬼 第３図 （ｂ） 第４図 ７

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　少なくとも基層と、周期的に変化する磁化パタ
   ーンが形成された第１磁性体層と磁化可能な第コ磁性体
   層とからなる磁気記録体において、第１磁性体層の飽和
   残留磁化Ｍ□及び層厚ｄ□と、第コ磁性体層の飽和残留
   磁化Ｍ２及び層厚ｄ２と、第１磁性体層に形成された磁
   化パターンの波長λと、第１磁性体層表面及び第２磁性
   体層表面から磁気記録体表面までの各距離ｔ工、ｔ２と
   の間に、の関係がほぼ成立するように構成した磁気記録
   体。 （Ａ　第１磁性体層に形成された周期的に変化する磁化
   ・母ターンの波長λが／μｇｔ　−！；θ０μｍである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第（４項記載の磁気記
   録体。 （ｊ　第１磁性体層厚ｄ工と第２磁性体層厚ｄ２とは、
   それぞれ第１磁性体層に形成された周期的磁化ツクター
   ンの波長λに対して の関係にあることを特徴とする特許請求の範１」第（４
   項記載の磁気記録体。