JPS6037729A - 試料ステ−ジ - Google Patents
試料ステ−ジInfo
- Publication number
- JPS6037729A JPS6037729A JP58146077A JP14607783A JPS6037729A JP S6037729 A JPS6037729 A JP S6037729A JP 58146077 A JP58146077 A JP 58146077A JP 14607783 A JP14607783 A JP 14607783A JP S6037729 A JPS6037729 A JP S6037729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- pedestal
- sample
- electron beam
- guide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明線、半導体装置の製造に使用される電子ビーム描
画装置の試料ステージに関する。
画装置の試料ステージに関する。
−νψ ロロ Δ＼ ４＋４４＾＾ 北Ｉふ １− ツ
ー ｔｌ 目１６百 よ ）半導体素子の微細化・高集
積化の傾向にともない、ＬＳＩ （大規模集積回路）の
回路ノｅタンを創成する電子ビーム描画装置に対して、
高精度かつ高速度のバタン描画性能が要求されている。
ー ｔｌ 目１６百 よ ）半導体素子の微細化・高集
積化の傾向にともない、ＬＳＩ （大規模集積回路）の
回路ノｅタンを創成する電子ビーム描画装置に対して、
高精度かつ高速度のバタン描画性能が要求されている。
電子ビーム描画装置の高速化を図るためには、描画方式
として試料を載置した載物台を一方向に移動させなから
ノ９タン描画を行う”試料連続移動方式”を採用し、か
つ従来装置では数百マイクロメートルであった電子ビー
ムの偏向領域を、−桁向上させて数ミリメートル程度ま
で拡大するのが有効な方法とされている。また高精度な
バタン描画を行うには、電子ビームの収差をできるかぎ
シ低減する必要があシ、このためには電子光学鏡筒の最
下段に位置する対物レンズと試料とをできるだけ接近さ
せ、電子の飛程距離を短くするのが有効である。
として試料を載置した載物台を一方向に移動させなから
ノ９タン描画を行う”試料連続移動方式”を採用し、か
つ従来装置では数百マイクロメートルであった電子ビー
ムの偏向領域を、−桁向上させて数ミリメートル程度ま
で拡大するのが有効な方法とされている。また高精度な
バタン描画を行うには、電子ビームの収差をできるかぎ
シ低減する必要があシ、このためには電子光学鏡筒の最
下段に位置する対物レンズと試料とをできるだけ接近さ
せ、電子の飛程距離を短くするのが有効である。
通常の電子ビーム描画装置においては、対物レンズと試
料スデージの最上段に位置する試料ホルダとは、たかだ
か１０〜数１０ミリメートル程度しか離れていない。対
物レンズによって形成される磁場分布は、レンズのがア
部から下方に対して漏れがあるため、試料ステージの載
物台は対物レンズからの漏れ＠場の中を移動することに
なる。従来の試料ステージの可動部分は、電子ビームに
対して浮遊磁場の影響を及はさないようにするだめ、ア
ルミニウム合金、隣青銅、チタン等の非磁性の金属材料
によって構成されていた。この場合、磁場の中を導体が
移動することになるので、試料ホルダ、載物台等の導体
中には誘導電流が誘起される。
料スデージの最上段に位置する試料ホルダとは、たかだ
か１０〜数１０ミリメートル程度しか離れていない。対
物レンズによって形成される磁場分布は、レンズのがア
部から下方に対して漏れがあるため、試料ステージの載
物台は対物レンズからの漏れ＠場の中を移動することに
なる。従来の試料ステージの可動部分は、電子ビームに
対して浮遊磁場の影響を及はさないようにするだめ、ア
ルミニウム合金、隣青銅、チタン等の非磁性の金属材料
によって構成されていた。この場合、磁場の中を導体が
移動することになるので、試料ホルダ、載物台等の導体
中には誘導電流が誘起される。
バタン描画の高速化を図るため試料連続移動描画方式を
採用した電子ビーム描画装置において、レンズの収差を
できるだけ小さくするため、対物レンズと試料との距離
を実用限界に近い１０ミリメートルとした場合、試料ホ
ルダの側へ漏れ出る磁場の強さは３０ガウスにもおよぶ
。
採用した電子ビーム描画装置において、レンズの収差を
できるだけ小さくするため、対物レンズと試料との距離
を実用限界に近い１０ミリメートルとした場合、試料ホ
ルダの側へ漏れ出る磁場の強さは３０ガウスにもおよぶ
。
このとき試料ホルダや載物台が従来のように非磁性金属
材料すなわち導体で製作されていると、それら導体中に
誘起される誘導電流のだめ、試料上に投射される電子ビ
ームの位置は数マイクロメートルのずれを生じ、電子ビ
ーム描画装置のツクタン描画精度は著しく劣化する欠点
があった。
材料すなわち導体で製作されていると、それら導体中に
誘起される誘導電流のだめ、試料上に投射される電子ビ
ームの位置は数マイクロメートルのずれを生じ、電子ビ
ーム描画装置のツクタン描画精度は著しく劣化する欠点
があった。
本発明はこれらの欠点を除去するため、電子ビーム描画
装置の試料ステージの中で載物台と試料ホルダに関わる
主要な観４’＋ｊ部品を、半導′ｒ口、性材料によって
構成したもので、その目的は対物レンズからの漏れ磁場
中を載物台が移動した場合に、試料ホルダや載物台中に
誘導電流が発生するのを防止することにおる。
装置の試料ステージの中で載物台と試料ホルダに関わる
主要な観４’＋ｊ部品を、半導′ｒ口、性材料によって
構成したもので、その目的は対物レンズからの漏れ磁場
中を載物台が移動した場合に、試料ホルダや載物台中に
誘導電流が発生するのを防止することにおる。
瀉１図は本発明の一実施例であって、１は試料を載置し
てＸおよびＹ方向に移動する載物台、２１１−１：載物
台上に試料を保持するだめの試料ホルダである。載物台
１は棲数の摺動脚３を具備し、摺動脚３の端面には図示
しないＰＴＦＥ （四フッ化エチレン）等の摩擦係数の
低い材料で構成された摺動片が張シ付けである。４は載
物台がＸおよびＹ方向に移動するときの上下方向の基準
となる定盤であシ、載物台１の移動時には摺動脚３が定
盤４の上をすベシながら移動する。５はＸ基準ガイドで
あシ、載物台１がＸ方向へ移動する時の水平方向の基準
となる。なお載物台１には、Ｘ基準ガイド５が貝通し、
かつ後述する予圧ころを配設するに十分な空間を有する
Ｘ基準ガイド溝６が形成されている。Ｘ基準ガイド溝６
の上面とＸ基準ガイド５の上面との間には、Ｘ方向移動
時に互いに接触しないだけのすきまをもたせである。定
盤４の中央部分にはＹ基準ガイド溝６ｔが形成されてい
る。Ｙ基準ガイド溝６′の中には、載物台１がＹ方向へ
移動するときの水平方向の基準となるＸ基準ガイド７が
、Ｘ基準ガイド５と相直交するように装着されている。
てＸおよびＹ方向に移動する載物台、２１１−１：載物
台上に試料を保持するだめの試料ホルダである。載物台
１は棲数の摺動脚３を具備し、摺動脚３の端面には図示
しないＰＴＦＥ （四フッ化エチレン）等の摩擦係数の
低い材料で構成された摺動片が張シ付けである。４は載
物台がＸおよびＹ方向に移動するときの上下方向の基準
となる定盤であシ、載物台１の移動時には摺動脚３が定
盤４の上をすベシながら移動する。５はＸ基準ガイドで
あシ、載物台１がＸ方向へ移動する時の水平方向の基準
となる。なお載物台１には、Ｘ基準ガイド５が貝通し、
かつ後述する予圧ころを配設するに十分な空間を有する
Ｘ基準ガイド溝６が形成されている。Ｘ基準ガイド溝６
の上面とＸ基準ガイド５の上面との間には、Ｘ方向移動
時に互いに接触しないだけのすきまをもたせである。定
盤４の中央部分にはＹ基準ガイド溝６ｔが形成されてい
る。Ｙ基準ガイド溝６′の中には、載物台１がＹ方向へ
移動するときの水平方向の基準となるＸ基準ガイド７が
、Ｘ基準ガイド５と相直交するように装着されている。
Ｘ基準ガイド５の下側には、Ｙ摺動ロッド８がＸ基準ガ
イド５と相直交する位置関係をもって固定されている。
イド５と相直交する位置関係をもって固定されている。
Ｘ基準ガイド５の両端部には、中心軸まわシに回動自在
のころ９が取９つけられておシ、載物台のＹ方向への移
動にともなり一＋−ｃ＝！ｔ ＃）ｄ、１Ｍ立ＩＴ ｒ
ｙ １＝ｒｒｉａ ＋ ｙ ＋＋昌ｒｒｒｚ＊＝ ｒｙ
西ｐ ＝ｈ −ｘ −ｈたＹガイド１０．１０″上を
転動する。寸だ、ころ９の支持によシ、Ｘ基準ガイド５
の下面は定盤４に対してわずかなすきまをもち、Ｙ方向
へ移動する場合の摩擦力の発生を防いでいる。
のころ９が取９つけられておシ、載物台のＹ方向への移
動にともなり一＋−ｃ＝！ｔ ＃）ｄ、１Ｍ立ＩＴ ｒ
ｙ １＝ｒｒｉａ ＋ ｙ ＋＋昌ｒｒｒｚ＊＝ ｒｙ
西ｐ ＝ｈ −ｘ −ｈたＹガイド１０．１０″上を
転動する。寸だ、ころ９の支持によシ、Ｘ基準ガイド５
の下面は定盤４に対してわずかなすきまをもち、Ｙ方向
へ移動する場合の摩擦力の発生を防いでいる。
載物台ｌにはＸ駆動軸１ノが、またＹ摺動ロッド８には
Ｙ駆動軸１２がそれぞれ結合され、載物台１を移動させ
るための駆動力を伝達する。
Ｙ駆動軸１２がそれぞれ結合され、載物台１を移動させ
るための駆動力を伝達する。
載物台１をＸ方向に駆動する場合には、Ｘ基準ガイド５
の基準面５ａに沿って、載物台１とＸ駆動軸１ノが一体
となって移動する。またＹ方向に駆動する場合には、Ｘ
基準ガイド７の基準面７ａに沿って、載物台１．Ｘ基準
ガイド５゜Ｙ摺動ロッド８．Ｙ駆動軸１２が一体となっ
て移動する。
の基準面５ａに沿って、載物台１とＸ駆動軸１ノが一体
となって移動する。またＹ方向に駆動する場合には、Ｘ
基準ガイド７の基準面７ａに沿って、載物台１．Ｘ基準
ガイド５゜Ｙ摺動ロッド８．Ｙ駆動軸１２が一体となっ
て移動する。
第２図（ａ）は、載物台１をＸ基準ガイド５に予圧をか
けて押し当てる方法の一例を上から見た図である。Ｘ基
準ガイド溝６において、Ｘ基準ガイド５の基準面５ａと
対向した側面６ａには、ＰＴＦＥ等の低摩擦材料によっ
て構成された摺動片１５が張シ付けられである。また、
Ｘ基準ガイド５の基準面６ａと平行なもうひとつの側面
６ｂには、板ばね１３によって支持された２、中心軸ま
わシに回動自在な予圧ころ１４を結合する。この構成に
よシ、板ばね１３からの押し伺は力を予圧として、摺動
片１５を基準面６ａに押し当てる。
けて押し当てる方法の一例を上から見た図である。Ｘ基
準ガイド溝６において、Ｘ基準ガイド５の基準面５ａと
対向した側面６ａには、ＰＴＦＥ等の低摩擦材料によっ
て構成された摺動片１５が張シ付けられである。また、
Ｘ基準ガイド５の基準面６ａと平行なもうひとつの側面
６ｂには、板ばね１３によって支持された２、中心軸ま
わシに回動自在な予圧ころ１４を結合する。この構成に
よシ、板ばね１３からの押し伺は力を予圧として、摺動
片１５を基準面６ａに押し当てる。
第２図（ｂ）は、Ｙ摺動ロッド８をＹ基準ガイド７に予
圧をかけて押し当てる方法の一例を上から見た図である
。Ｙ摺動ロッド８のＹ基準ガ゛イド７の基準面７ａと対
向する摺動同８ａには、低摩擦材料によって構成された
摺動片１５が張シ伺けられている。Ｙ摺動ロッド８の摺
動面８ａと平行なもうひとつの側面８ｂには、板はね１
３によって支持された、中心軸まわりに回動自在な予圧
ころ１４を結合する。この（４成によシ板ばね１３から
の押し付は力を予圧として、摺動片１５を基準面７ａに
押し当てる。ｙ ４＝動ロツド８は既述のようにＸ基準
ガイド５に固定されておシ、Ｘ基準ガイド５には載物台
１が押し当てられているため、Ｙ摺動ロッド８がＹ駆動
ｌｌ４ｔ１１２によってＹ方向に駆動されると、載物台
１も一体と々ってＹ方向へ移動する。
圧をかけて押し当てる方法の一例を上から見た図である
。Ｙ摺動ロッド８のＹ基準ガ゛イド７の基準面７ａと対
向する摺動同８ａには、低摩擦材料によって構成された
摺動片１５が張シ伺けられている。Ｙ摺動ロッド８の摺
動面８ａと平行なもうひとつの側面８ｂには、板はね１
３によって支持された、中心軸まわりに回動自在な予圧
ころ１４を結合する。この（４成によシ板ばね１３から
の押し付は力を予圧として、摺動片１５を基準面７ａに
押し当てる。ｙ ４＝動ロツド８は既述のようにＸ基準
ガイド５に固定されておシ、Ｘ基準ガイド５には載物台
１が押し当てられているため、Ｙ摺動ロッド８がＹ駆動
ｌｌ４ｔ１１２によってＹ方向に駆動されると、載物台
１も一体と々ってＹ方向へ移動する。
以上述べてきた電子ビーム描画装置用試料ステージの構
成において、試料にバタン描画を行う過程で、電子光学
１筒から投射される電子ビームやその反射電子に曝され
る試料ステージの機構部品、具体的には試料ホルダと載
物台を構成する機構部品を例えば抵抗値が１０°゛５〜
１０６Ω・α等の半導電性材料によって製作する。半導
電性材料は、大別してセラミックス系材料とガラス系利
料に分類される。具体的な半導電性セラミックス系材料
としては、ＳｉＣ，ＬａＣｒＯ３，ＢａＴｉＯ３等があ
シ、また半導電性ガラス系材料としては、ｖ２０ｓ−Ｐ
２０ｓ系ガラス、Ｆｅ ２０５−ＰＩ）０−Ｂ２０３系
ガラス等がある。これらの半導電性材料によってＩＵ
Ｍ’ｊ部品を製作する場合、ガラス系材料よりもセラミ
ックス系材料のほうが、加工性や成形性に富むため有利
である。
成において、試料にバタン描画を行う過程で、電子光学
１筒から投射される電子ビームやその反射電子に曝され
る試料ステージの機構部品、具体的には試料ホルダと載
物台を構成する機構部品を例えば抵抗値が１０°゛５〜
１０６Ω・α等の半導電性材料によって製作する。半導
電性材料は、大別してセラミックス系材料とガラス系利
料に分類される。具体的な半導電性セラミックス系材料
としては、ＳｉＣ，ＬａＣｒＯ３，ＢａＴｉＯ３等があ
シ、また半導電性ガラス系材料としては、ｖ２０ｓ−Ｐ
２０ｓ系ガラス、Ｆｅ ２０５−ＰＩ）０−Ｂ２０３系
ガラス等がある。これらの半導電性材料によってＩＵ
Ｍ’ｊ部品を製作する場合、ガラス系材料よりもセラミ
ックス系材料のほうが、加工性や成形性に富むため有利
である。
従来のセラミックス系材料は、焼結時の収縮。
熱歪によシ、高精度な部品を製作できないとされてきた
。しかし、近年のファインセラミックス技術の進歩によ
シ、焼結後に研削およびラッピング加工を施せば、セラ
ミックス材料において金属材料よりもすぐれた精度と安
定性を得ることが可能となる。この場合、例えば３０ガ
゛ウスの漏れ磁場の中を、セラミック系材料が４０關／
８の速度で移動しても、セラミック系材料中に誘起され
る誘導電流による電子ビームの投射位置誤差は６ Ｘ
１０−６マイクロメードルにすぎず、まったく問題とな
らない。
。しかし、近年のファインセラミックス技術の進歩によ
シ、焼結後に研削およびラッピング加工を施せば、セラ
ミックス材料において金属材料よりもすぐれた精度と安
定性を得ることが可能となる。この場合、例えば３０ガ
゛ウスの漏れ磁場の中を、セラミック系材料が４０關／
８の速度で移動しても、セラミック系材料中に誘起され
る誘導電流による電子ビームの投射位置誤差は６ Ｘ
１０−６マイクロメードルにすぎず、まったく問題とな
らない。
上記のごとく、試料ホルダと載物台を構成する機構部品
を半導電性材料で製作した場合、これらの機構部品が電
子ビームや反射電子に曝されることによシ、材料内部に
電荷が蓄積される。
を半導電性材料で製作した場合、これらの機構部品が電
子ビームや反射電子に曝されることによシ、材料内部に
電荷が蓄積される。
蓄積された電荷は電場を形成し、逆に電子ビームの投射
位置誤差を生じる。このため半導電性材料に対しては、
接地用導線を接続することによシ、電気的に接地してお
く必要がある。この接地の効果を高めるためには、半導
電性材料の表面にアルミニウム（、Ａｌ）等の導電性薄
膜をコーティングし、コーティングした薄膜上に接地用
導線を接続しておくのが有効である。この場合、例えば
３０ガウスの漏れ磁場の中を４０ 朔／ｓの速度でアル
ミニウム薄膜が移動したと考えると、アルミニウム薄膜
中に誘起される誘導電流に起因した電子ビームの投射位
置誤差はアルミニウム薄膜の厚さに対して、第３図のご
とき関係を有すると考えられる。従って、半導電性材料
に例えばアルミニウム薄膜をコーティングして使用する
場合に、その膜厚を２０マイクロメートル程既に設定す
れば、この薄膜中に誘起される誘導電流による電子ビー
ム投射位置誤差を、たかだか帆０１マイクロメートルに
でき、実用上まったく問題とならない。
位置誤差を生じる。このため半導電性材料に対しては、
接地用導線を接続することによシ、電気的に接地してお
く必要がある。この接地の効果を高めるためには、半導
電性材料の表面にアルミニウム（、Ａｌ）等の導電性薄
膜をコーティングし、コーティングした薄膜上に接地用
導線を接続しておくのが有効である。この場合、例えば
３０ガウスの漏れ磁場の中を４０ 朔／ｓの速度でアル
ミニウム薄膜が移動したと考えると、アルミニウム薄膜
中に誘起される誘導電流に起因した電子ビームの投射位
置誤差はアルミニウム薄膜の厚さに対して、第３図のご
とき関係を有すると考えられる。従って、半導電性材料
に例えばアルミニウム薄膜をコーティングして使用する
場合に、その膜厚を２０マイクロメートル程既に設定す
れば、この薄膜中に誘起される誘導電流による電子ビー
ム投射位置誤差を、たかだか帆０１マイクロメートルに
でき、実用上まったく問題とならない。
上記発明において、試料ホルダと載物台を構成する機構
部品を、半導電性材料に代えて絶縁材料で構成すること
も考えられる。しかし、絶縁材料を適用した場合には、
接地用導線を絶縁材料に接続しても、絶縁体中に蓄積し
た電荷を解放することが、材料の性質上きわめて困難と
なる。乙の対策として、導体の薄膜を絶縁桐材の表面上
にコーティングすることも考えられるが、この場合、導
体薄膜を貫通した電子は絶縁材相中に蓄積し、解放され
ることがないため、コーティングの効果は薄い。
部品を、半導電性材料に代えて絶縁材料で構成すること
も考えられる。しかし、絶縁材料を適用した場合には、
接地用導線を絶縁材料に接続しても、絶縁体中に蓄積し
た電荷を解放することが、材料の性質上きわめて困難と
なる。乙の対策として、導体の薄膜を絶縁桐材の表面上
にコーティングすることも考えられるが、この場合、導
体薄膜を貫通した電子は絶縁材相中に蓄積し、解放され
ることがないため、コーティングの効果は薄い。
以上説明したように、本発明によれば電子ビーム描画装
置の対物レンズからの剖れ磁場中を、試料ステージの載
物台が連続的に移動しても、載物台と試料ホルダを構成
する４Ｕ ’ｎ４部品が半導電性材料によって製作され
ているため、後横部品中に誘起される誘尋電流はきわめ
て少ない。
置の対物レンズからの剖れ磁場中を、試料ステージの載
物台が連続的に移動しても、載物台と試料ホルダを構成
する４Ｕ ’ｎ４部品が半導電性材料によって製作され
ているため、後横部品中に誘起される誘尋電流はきわめ
て少ない。
すなわち、電子ビームの投射位置に誤差を生じさせるよ
うな電場の発生がないため、電子ビームの位置決め精度
が向上し、高精度なバタン描画が可能となる。
うな電場の発生がないため、電子ビームの位置決め精度
が向上し、高精度なバタン描画が可能となる。
薗１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図（、）
は載物台をＸ基準ガイドに予圧をかけて押し尚てる方法
の一例を示す上面図、第２図（ｂ）はＹ摺動ロッドをＹ
基準ガイドに予圧をがけて１１「シ当てる方法の一例を
示す上１０１図、第３図はアルミニウムの膜厚と電子ビ
ーム投射位置誤差との関係を示す図である。 １・・・載物台、２・・・試料ホルダ、３・・・摺動脚
、４・・・定盤、５・・・Ｘ基準ガイド、５ａ・・・Ｘ
基準ガイド基準面、５ｂ・・・Ｘ基準ガイド側面、６・
・・Ｘ基準力゛イド溝、６ａ・・・Ｘ基準ガイド溝側面
５Ｔ・・・Ｙ基準ガイド溝、７・・・Ｙ基準ガイド、
７ａ・・・Ｙ基準ガイド基準面、８・・・Ｙ拍動ロッド
、８ａ・・・Ｙ摺動ロッド抱動面、８ｂ・・・Ｙ摺動ロ
ッド側面、９・・・ころ、１０．ＩＯ＋・・・Ｙガイド
、１ノ・・・Ｘ駆動軸、１２・・・Ｙ駆動軸、１３・・
・板ばね、１４・・・予圧ころ、１５・・・摺動片。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 １ （ｂ） 第３図 Ａ１膜厚（、Ｌｌｍ ）
は載物台をＸ基準ガイドに予圧をかけて押し尚てる方法
の一例を示す上面図、第２図（ｂ）はＹ摺動ロッドをＹ
基準ガイドに予圧をがけて１１「シ当てる方法の一例を
示す上１０１図、第３図はアルミニウムの膜厚と電子ビ
ーム投射位置誤差との関係を示す図である。 １・・・載物台、２・・・試料ホルダ、３・・・摺動脚
、４・・・定盤、５・・・Ｘ基準ガイド、５ａ・・・Ｘ
基準ガイド基準面、５ｂ・・・Ｘ基準ガイド側面、６・
・・Ｘ基準力゛イド溝、６ａ・・・Ｘ基準ガイド溝側面
５Ｔ・・・Ｙ基準ガイド溝、７・・・Ｙ基準ガイド、
７ａ・・・Ｙ基準ガイド基準面、８・・・Ｙ拍動ロッド
、８ａ・・・Ｙ摺動ロッド抱動面、８ｂ・・・Ｙ摺動ロ
ッド側面、９・・・ころ、１０．ＩＯ＋・・・Ｙガイド
、１ノ・・・Ｘ駆動軸、１２・・・Ｙ駆動軸、１３・・
・板ばね、１４・・・予圧ころ、１５・・・摺動片。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 １ （ｂ） 第３図 Ａ１膜厚（、Ｌｌｍ ）
Claims (3)
- （１）試料を載置する載物台と載物台上に載置した試料
を固定するだめの試料ホルダとを含む電子ビーム描画装
置の試料ステージにおいて、載物台と試料ホルダとを、
半導電性材料によって構成したことを特徴とする試料ス
テージ。 - （２）前記半導電性材料の表面に導電性材料の薄膜を形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の試
料ステージ。 - （３） 前記半導電性材料がセラミックスであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の試料ステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146077A JPH0758677B2 (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造に使用される電子ビーム描画装置に用いる試料ステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146077A JPH0758677B2 (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造に使用される電子ビーム描画装置に用いる試料ステージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037729A true JPS6037729A (ja) | 1985-02-27 |
| JPH0758677B2 JPH0758677B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=15399584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58146077A Expired - Lifetime JPH0758677B2 (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造に使用される電子ビーム描画装置に用いる試料ステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758677B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777371A (en) * | 1985-05-06 | 1988-10-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Support material for electron beam systems |
| JPH02151017A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Fujitsu Ltd | 露光装置 |
| JPH0299394U (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-08 | ||
| JPH07169824A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Anelva Corp | 基板加熱・冷却機構 |
| JP2002015977A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 基板ホルダー |
| JP2010219283A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 校正ブロックの製造方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP58146077A patent/JPH0758677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777371A (en) * | 1985-05-06 | 1988-10-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Support material for electron beam systems |
| JPH02151017A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Fujitsu Ltd | 露光装置 |
| JPH0299394U (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-08 | ||
| JPH07169824A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Anelva Corp | 基板加熱・冷却機構 |
| JP2002015977A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 基板ホルダー |
| JP2010219283A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 校正ブロックの製造方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758677B2 (ja) | 1995-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6252705B1 (en) | Stage for charged particle microscopy system | |
| US6756751B2 (en) | Multiple degree of freedom substrate manipulator | |
| EP0071666B1 (en) | Electric travelling support | |
| US4628238A (en) | Positioning device comprising pre-stressed contactless bearings | |
| US6353271B1 (en) | Extreme-UV scanning wafer and reticle stages | |
| JP5453104B2 (ja) | 基板プロセス装置 | |
| US7025005B2 (en) | Stage device and angle detecting device | |
| EP1189018B1 (de) | Sechsachsiges Positioniersystem mit magnetfeldfreiem Raum | |
| US8058628B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| US6730916B1 (en) | Electron beam lithography apparatus | |
| US5214342A (en) | Two-dimensional walker assembly for a scanning tunneling microscope | |
| KR20210093978A (ko) | 위치 설정 디바이스, 강성 감소 디바이스 및 전자 빔 장치 | |
| JPS6037729A (ja) | 試料ステ−ジ | |
| US6794660B2 (en) | Long stroke mover for a stage assembly | |
| JP2780837B2 (ja) | 可動ステージ装置 | |
| US6480369B1 (en) | System for receiving and retaining a substrate | |
| KR20010100758A (ko) | 복수의 대전입자 빔 조정과 차폐된 대전입자 빔리소그래피를 위한 미세가공된 템플릿 | |
| JPS5944743B2 (ja) | 走査電子顕微鏡等用照射電子レンズ系 | |
| US20040184020A1 (en) | Positioning device | |
| Beckert et al. | Development of a vertical wafer stage for high-vacuum applications | |
| US7202956B2 (en) | Translation mechanism for opto-mechanical inspection | |
| JP2968567B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| KR20240159476A (ko) | 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 및 성막 장치 | |
| Li | A compact, dual-stage actuator with displacement sensors for the molecular measuring machine | |
| JPS63266848A (ja) | 走査光子顕微鏡 |