JPS6038031A - 非閉塞性流下薄膜型プラズマ反応器 - Google Patents
非閉塞性流下薄膜型プラズマ反応器Info
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- JPS6038031A JPS6038031A JP59139741A JP13974184A JPS6038031A JP S6038031 A JPS6038031 A JP S6038031A JP 59139741 A JP59139741 A JP 59139741A JP 13974184 A JP13974184 A JP 13974184A JP S6038031 A JPS6038031 A JP S6038031A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は流下薄膜式プラズマ反応器、さらに具体的には
、低融点の反応剤に使用するに適する反応器に関するも
のである。
、低融点の反応剤に使用するに適する反応器に関するも
のである。
流下薄膜式プラズマ反応器は金属酸化物を還元するのに
しばしば用いられる。流下薄膜式のプラズマ反応器にお
いては、陰極と陽極の間にアークがとばされる。反応剤
（例えば、金属酸化物および炭素のような還元剤）？混
合し、供給口全通して陽極の壁の上へ供給される。反応
剤はアークの熱によって溶融し、薄膜全陽極上に形成し
、この薄膜は陽極の損耗を制限する。
しばしば用いられる。流下薄膜式のプラズマ反応器にお
いては、陰極と陽極の間にアークがとばされる。反応剤
（例えば、金属酸化物および炭素のような還元剤）？混
合し、供給口全通して陽極の壁の上へ供給される。反応
剤はアークの熱によって溶融し、薄膜全陽極上に形成し
、この薄膜は陽極の損耗を制限する。
流下薄膜式反応器Ｕ ” ｅ ２０３およびＦｅ３Ｏ４
のような高融点ゲもつ金属酸化物全還元するのに用いて
きた。しかし、■２０５（融点８００ｔｊおよびＢ２０
３（融点４５０１１：）のような低融点酸化物全反応器
中に供給するときには、酸化物は溶融し反応器供給口全
閉塞する。いくつかの低融点酸化物については、この問
題は酸化物？予備反応させてより高融点の酸化物全形成
させることによって一部克服されてきた。例えば、低融
点をもつｖ２０５は高融点をもつ酸化物であるｖ２０４
へ転化させることができる。しかし、Ｂ２Ｏ３のような
他の酸化物は高融点酸化物を形成させるよう反応させる
ことができず、従って、これらの酸化物は流下薄膜式プ
ラズマ反応器において効果的に還元できない。
のような高融点ゲもつ金属酸化物全還元するのに用いて
きた。しかし、■２０５（融点８００ｔｊおよびＢ２０
３（融点４５０１１：）のような低融点酸化物全反応器
中に供給するときには、酸化物は溶融し反応器供給口全
閉塞する。いくつかの低融点酸化物については、この問
題は酸化物？予備反応させてより高融点の酸化物全形成
させることによって一部克服されてきた。例えば、低融
点をもつｖ２０５は高融点をもつ酸化物であるｖ２０４
へ転化させることができる。しかし、Ｂ２Ｏ３のような
他の酸化物は高融点酸化物を形成させるよう反応させる
ことができず、従って、これらの酸化物は流下薄膜式プ
ラズマ反応器において効果的に還元できない。
本発明の一つの目的は低融点酸化物まｆＣは他の低融点
反応剤の還元に関連する問題全克服する流下薄膜プラズ
マ反応器を提供することである。
反応剤の還元に関連する問題全克服する流下薄膜プラズ
マ反応器を提供することである。
本発明は流下薄膜型の改良されたプラズマ反応器に関す
るものである。この反応器においては、インジェクショ
ン・リング中を貫通して反応剤會プラズマ反応器の中に
供給する１個ま７ｊＵ１個そ（以上の供給口をもつ改良
されたインジェクション・リングを使用する。インジェ
クション・リングは、プラズマガン中に設けた陰極と、
反応剤？その上に供給する陽極との間に設置する。イン
ジェクション・リングは水冷式であって円筒状通路が貫
通している。この通路は第一の直径をもつ第一部分と第
二の直径をもつ第二部分とから成り、画部分は互に連絡
している。この第一および第二部分は共通軸全もち、第
二部分の直径は第一部分の直径より太きい。
るものである。この反応器においては、インジェクショ
ン・リング中を貫通して反応剤會プラズマ反応器の中に
供給する１個ま７ｊＵ１個そ（以上の供給口をもつ改良
されたインジェクション・リングを使用する。インジェ
クション・リングは、プラズマガン中に設けた陰極と、
反応剤？その上に供給する陽極との間に設置する。イン
ジェクション・リングは水冷式であって円筒状通路が貫
通している。この通路は第一の直径をもつ第一部分と第
二の直径をもつ第二部分とから成り、画部分は互に連絡
している。この第一および第二部分は共通軸全もち、第
二部分の直径は第一部分の直径より太きい。
供給口は第一部分と極めて近接した位置において通路の
第二部分に設けられる。プラズマの輻射線から供給口全
遮蔽する輻射樟障壁を設ける。輻射瓢障壁は円筒状通路
の第一および第二の部分の共通軸の周りにつくられる環
状面体である。この輻射線障壁は第−通％ｆｆｉ第二通
路の中へ延長して・いる。
第二部分に設けられる。プラズマの輻射線から供給口全
遮蔽する輻射樟障壁を設ける。輻射瓢障壁は円筒状通路
の第一および第二の部分の共通軸の周りにつくられる環
状面体である。この輻射線障壁は第−通％ｆｆｉ第二通
路の中へ延長して・いる。
本発明の改良されたプラズマ反応器は、好ましくはイン
ジェクション・リングにとりつけた渦巻き状ガスリング
金偏えている。この渦巻き状ガスリングは中央通路を有
し、水冷インジェクション・リング中の通路の第一部分
に連絡し、かつ延長して見・る。ガスインジェクション
通路は渦巻状リングの中に、渦巻き状ガスリングの中央
通路と切線的に交差するように配置され、その結果ガス
流中に渦巻が生起する。
ジェクション・リングにとりつけた渦巻き状ガスリング
金偏えている。この渦巻き状ガスリングは中央通路を有
し、水冷インジェクション・リング中の通路の第一部分
に連絡し、かつ延長して見・る。ガスインジェクション
通路は渦巻状リングの中に、渦巻き状ガスリングの中央
通路と切線的に交差するように配置され、その結果ガス
流中に渦巻が生起する。
第１図は本発明の流下薄膜式プラズマ反応器の改良供給
装置全模型的に示したものである。
装置全模型的に示したものである。
第２図は従来法の流下薄膜式プラズマ反応器を模型的に
示したものである。
示したものである。
第３図は供給管を取除いた第１図の断面ＡＡ２示すもの
である。
である。
第４図はインジェクション・リングと輻射障壁い、本発
明の渦巻きガスリングを模型的に表現するものである。
明の渦巻きガスリングを模型的に表現するものである。
第２図に従来法の流下薄膜式プラズマ反応器を模型的に
示す。反応器は陰極１２會有するプラズマガン１０全も
つ。直流電力供給装置１４全陰極１２へ接続し、スイッ
チ１５により反応陽極１６とアーク発生陽極（ｓｔｒｉ
ｋｉｎｇ ａｎｏｄｅ ） １７との間に交互接続全提
供する。プラズマガス供給部１８ｖＣよりガス全プラズ
マガン１０ニ導入する。アークは、陰極１２とアーク発
生陽極１７との間に電力供給を作動させることによって
形成させ１．その後電力供給装置を反応陽極１６へ切替
える。プラズマガスはアーク２ｏによって加熱され、イ
オン化されて、プラズマ帯域２２ヲ形成する。反応剤供
給装置２４ハ反応剤全反応陽極１６の内壁２６上に供給
するようプラズマ帯域２２の上方に設けられている。反
応陽極１６の内壁２６上に供給される反応剤はプラズマ
帯域２２によって加熱され、流下薄膜２８ヲ形成し、そ
こで反応剤は化合して所望の反応生成物を形成する。
示す。反応器は陰極１２會有するプラズマガン１０全も
つ。直流電力供給装置１４全陰極１２へ接続し、スイッ
チ１５により反応陽極１６とアーク発生陽極（ｓｔｒｉ
ｋｉｎｇ ａｎｏｄｅ ） １７との間に交互接続全提
供する。プラズマガス供給部１８ｖＣよりガス全プラズ
マガン１０ニ導入する。アークは、陰極１２とアーク発
生陽極１７との間に電力供給を作動させることによって
形成させ１．その後電力供給装置を反応陽極１６へ切替
える。プラズマガスはアーク２ｏによって加熱され、イ
オン化されて、プラズマ帯域２２ヲ形成する。反応剤供
給装置２４ハ反応剤全反応陽極１６の内壁２６上に供給
するようプラズマ帯域２２の上方に設けられている。反
応陽極１６の内壁２６上に供給される反応剤はプラズマ
帯域２２によって加熱され、流下薄膜２８ヲ形成し、そ
こで反応剤は化合して所望の反応生成物を形成する。
本発明の一つの改良は供給装置２４に関する。本発明の
供給装置２４を第１図に示す。供給装置２４は、円筒状
通路３４が中音貫通している液冷インジェクション・リ
ング３２ヲ備えている。冷却用水路３６が設けられる。
供給装置２４を第１図に示す。供給装置２４は、円筒状
通路３４が中音貫通している液冷インジェクション・リ
ング３２ヲ備えている。冷却用水路３６が設けられる。
円筒状通路３４は第一直径ｄ２もつ第一部分３８とこの
第一部分と連絡する第二部分４ｏと全もつ。第二部分４
０は第二直径Ｄｉもち、Ｄは第一部分３８の直径ｄより
も太きい。第一部分３８と第二部分４０とは共通軸４２
ケもっている。
第一部分と連絡する第二部分４ｏと全もつ。第二部分４
０は第二直径Ｄｉもち、Ｄは第一部分３８の直径ｄより
も太きい。第一部分３８と第二部分４０とは共通軸４２
ケもっている。
共通軸４２の周りにつくられる輻射障壁４４ハ回転内面
４６ヲもち、これは通路３４の第一部分３８全通路３４
の第二部分４０の中へ延長させる。
４６ヲもち、これは通路３４の第一部分３８全通路３４
の第二部分４０の中へ延長させる。
１または１より多くの反応剤供給口４８が反応剤をイン
ジェクション・リング３２の通路３４へ供給するために
設けられている。これらの反応剤供給口４８はインジェ
クション・リング３２’ｔ 見通して通路３４の第二部
分４０に終るように設ける。反応剤供給口４８は通路３
４の第二部分４０と第一部分３８との接合部５０に近接
して配置されている。反応剤供給口４８は第二通路４０
０円筒状表面５２と切線的に交差して反応剤による表面
摩損を最小にするようにすることが望ましい。この望ま
しい形態全第３図に示す。
ジェクション・リング３２の通路３４へ供給するために
設けられている。これらの反応剤供給口４８はインジェ
クション・リング３２’ｔ 見通して通路３４の第二部
分４０に終るように設ける。反応剤供給口４８は通路３
４の第二部分４０と第一部分３８との接合部５０に近接
して配置されている。反応剤供給口４８は第二通路４０
０円筒状表面５２と切線的に交差して反応剤による表面
摩損を最小にするようにすることが望ましい。この望ま
しい形態全第３図に示す。
また反応剤供給０４８の軸５４が第一部分３８と第二部
分４０との共通軸４２に対して実質的に垂直（すなわち
、１０°以内で）であることが望ましい。
分４０との共通軸４２に対して実質的に垂直（すなわち
、１０°以内で）であることが望ましい。
反応剤供給口４８へとりつけられかつ第二通路４００円
筒状表面５２に至る前に終る水冷フィーダーチューブ５
６ヲ用いるのが好ましい。
筒状表面５２に至る前に終る水冷フィーダーチューブ５
６ヲ用いるのが好ましい。
また、低融点反応剤を用いるときは、第３図に示される
副（ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ ）供給口５８をインジェク
ション・リング中に設けることが望ましい。これらの副
供給口５８は反応剤供給口４８と同平面に設け、反応供
給口４８の断面の投影と副供給口５８の断面の投影が重
なるように置かれる。
副（ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ ）供給口５８をインジェク
ション・リング中に設けることが望ましい。これらの副
供給口５８は反応剤供給口４８と同平面に設け、反応供
給口４８の断面の投影と副供給口５８の断面の投影が重
なるように置かれる。
輻射障壁４４０内面４６は円錐状であることがさらに好
ましい。この円錐の頂角θ１ｉｌ−ｊ、２０°と４０°
の間にあるべきであり、その内面４６（ｌ″ｌ：第一部
分３８からの距離が増すにつれて広がる。この頂角が４
０°をこえると、輻射障壁中のガス中は乱流となる。こ
の乱流は反応器ガスの輻射障壁４４中への逆流ケおこし
閉塞全よりおこし易くする。頂角が００に近づくと、輻
射障壁４４中を通るガスは音速へ制限される。アーク２
０のひろがりは輻射障壁４４中を通るガスの速度に比例
するので、アーク２０の効率は円錐表面が約２０°と４
０°の間にその頂角として角度θ１全含むときに最大に
なる。
ましい。この円錐の頂角θ１ｉｌ−ｊ、２０°と４０°
の間にあるべきであり、その内面４６（ｌ″ｌ：第一部
分３８からの距離が増すにつれて広がる。この頂角が４
０°をこえると、輻射障壁中のガス中は乱流となる。こ
の乱流は反応器ガスの輻射障壁４４中への逆流ケおこし
閉塞全よりおこし易くする。頂角が００に近づくと、輻
射障壁４４中を通るガスは音速へ制限される。アーク２
０のひろがりは輻射障壁４４中を通るガスの速度に比例
するので、アーク２０の効率は円錐表面が約２０°と４
０°の間にその頂角として角度θ１全含むときに最大に
なる。
輻射障壁４４の外側表面６０ハ内面４６と反対の傾斜と
頂角θ２をもつ円錐状であることが好ましい。
頂角θ２をもつ円錐状であることが好ましい。
このことは供給口領域の構造の作製と以後の清浄化全容
易にする。
易にする。
この外側円錐面６０の通路３４の第二部分中への延長は
共通軸４２から供給口４８への視線が第４図に示すよう
に視角θ３を形成し、逆正接θ３が１．１小さいか１に
等しくあるべきである。上述のように視＠を限定するこ
とは供給口４８がプラズマの最も熱い部分を見通すこと
を妨げる。
共通軸４２から供給口４８への視線が第４図に示すよう
に視角θ３を形成し、逆正接θ３が１．１小さいか１に
等しくあるべきである。上述のように視＠を限定するこ
とは供給口４８がプラズマの最も熱い部分を見通すこと
を妨げる。
インジェクション・リング３２と関連して用いるべき本
発明の好ましい特色はインジェクション・リングへとり
つけられる渦巻きガスリング６６である。第５図を参照
すると、渦巻きガスリング６６は中央通路６８ヲもち、
これは水冷インジェクション・リング３２の第一通路３
８と同軸である。この中央通路６８の直径はインジェク
ション・リング３２の第一通路３８の直径より太きいか
等しくあるべきである。
発明の好ましい特色はインジェクション・リングへとり
つけられる渦巻きガスリング６６である。第５図を参照
すると、渦巻きガスリング６６は中央通路６８ヲもち、
これは水冷インジェクション・リング３２の第一通路３
８と同軸である。この中央通路６８の直径はインジェク
ション・リング３２の第一通路３８の直径より太きいか
等しくあるべきである。
渦巻きガス通路７０は切線的に円筒状通路６８と交差し
、それによって中央通路６８中で渦巻流ケつくり出し、
アーク２０ヲさらに圧縮するのに役立つ。
、それによって中央通路６８中で渦巻流ケつくり出し、
アーク２０ヲさらに圧縮するのに役立つ。
上述の装置は硼砂、コレマナイト、プライセアイト（ｐ
ｒｉｃｅｉｔｅ ）およびマイエルホラフェライトのよ
うな硼化物鉱石、および、ボロンオキサイドおよびポリ
ツクオキサイドのような精製硼素鉱石、のような低融点
反応剤の還元に特によく適する。
ｒｉｃｅｉｔｅ ）およびマイエルホラフェライトのよ
うな硼化物鉱石、および、ボロンオキサイドおよびポリ
ツクオキサイドのような精製硼素鉱石、のような低融点
反応剤の還元に特によく適する。
これらの硼素含有酸化物を鉄および／または酸化第二鉄
および酸化第一鉄のような酸化鉄と混合し、石油コーク
およびカーボンブラックのような炭素含有物質と反応さ
せるとき、フェロボロンが生成する。
および酸化第一鉄のような酸化鉄と混合し、石油コーク
およびカーボンブラックのような炭素含有物質と反応さ
せるとき、フェロボロンが生成する。
一般に、反応剤混合物は化学量論的な比にあり、もし化
学量論的でない場合には混合物は鉄または鉄含有酸化物
の過剰であるべきである。
学量論的でない場合には混合物は鉄または鉄含有酸化物
の過剰であるべきである。
本発明の装置についての運転方法を示すために、以下の
実施例を記載する。
実施例を記載する。
実施例１
酸化硼素Ｂ２Ｏ３ヲ第２図と同様のプラズマトーチ系中
で第１図に示すインジェクション・リングと第５図に示
す渦巻き回転リング全使用して還元した。輻射障壁の内
面についての頂角θ１は４０’であった。その外側円錐
面の頂角は３０°であり、視角θ３は逆正接θ３＝１で
あった。渦巻き回転リングの通路は第一部分の直径ｔ１
．よや大ぎいが第二部分の直径りよりは小さかった。
で第１図に示すインジェクション・リングと第５図に示
す渦巻き回転リング全使用して還元した。輻射障壁の内
面についての頂角θ１は４０’であった。その外側円錐
面の頂角は３０°であり、視角θ３は逆正接θ３＝１で
あった。渦巻き回転リングの通路は第一部分の直径ｔ１
．よや大ぎいが第二部分の直径りよりは小さかった。
使用トーチは公称４０キロワツト・トーチであり、５１
．４重量係の鉄、３２．０重４４ ％のポリツクオキサ
イド、および１６．６重量係の石油コークを含む化学量
論的混合物を処理した。安定化ガスはアルゴンであり、
２２４３ＣＦＨの割合でプラズマ供給ガスと渦巻き回転
リングへほぼ等割合で供給した。供給ガスはヘリウムで
あり、２３６ＳＣＦＨで供給Ｌ７た。
．４重量係の鉄、３２．０重４４ ％のポリツクオキサ
イド、および１６．６重量係の石油コークを含む化学量
論的混合物を処理した。安定化ガスはアルゴンであり、
２２４３ＣＦＨの割合でプラズマ供給ガスと渦巻き回転
リングへほぼ等割合で供給した。供給ガスはヘリウムで
あり、２３６ＳＣＦＨで供給Ｌ７た。
粉末は５ＱＳＣＦＨのアルゴンを使用して供給口を通し
て空気式に導入した。また、アルゴンヲ２４３ＣＦＨで
副供給口全通して送った。全供給口につ％より小さい直
径ケもつよう選んだ。運転中、電流３８０アンＲア、電
圧１０６ボルトとした。１０％の硼素を含むフェロボロ
ン合金が１．１４ ｋｇ／時（２，５ポンド″／時）の
凍庁で’Ｊ’ＪＷ告弐れｔ−実施例２ 実施例１で述べたトーチ装置を使用して４１，２重量係
の鉄、４５．５％の硼酸、および１３．３係の石油コー
クの化学量論的反応混合物の２．８５ｋｇ／時（６，２
７ポンド／時）を転化させた。電流は３７０アンはアで
あり、電圧は１０８ボルトであった。５．１係の硼素を
含むフェロボロン合金が１．３ｋｇ／時（２，８７ポン
ド／時９の割合で製造された。
て空気式に導入した。また、アルゴンヲ２４３ＣＦＨで
副供給口全通して送った。全供給口につ％より小さい直
径ケもつよう選んだ。運転中、電流３８０アンＲア、電
圧１０６ボルトとした。１０％の硼素を含むフェロボロ
ン合金が１．１４ ｋｇ／時（２，５ポンド″／時）の
凍庁で’Ｊ’ＪＷ告弐れｔ−実施例２ 実施例１で述べたトーチ装置を使用して４１，２重量係
の鉄、４５．５％の硼酸、および１３．３係の石油コー
クの化学量論的反応混合物の２．８５ｋｇ／時（６，２
７ポンド／時）を転化させた。電流は３７０アンはアで
あり、電圧は１０８ボルトであった。５．１係の硼素を
含むフェロボロン合金が１．３ｋｇ／時（２，８７ポン
ド／時９の割合で製造された。
実施例３
実施例１で述べたトーチ装置？使用して５１．４重量係
の鉄、３２．０重量係の酸化硼素および１６．６重量係
のカーボンブラックからなる化学量論的混合物の２．０
８ ｋｇ／時（４，５９ポンド／時）盆転化させた。
の鉄、３２．０重量係の酸化硼素および１６．６重量係
のカーボンブラックからなる化学量論的混合物の２．０
８ ｋｇ／時（４，５９ポンド／時）盆転化させた。
安定化アーク？ｒ３８０アンペアの電流、１０５ボルト
の電圧で得た。８，８重量係の硼素葡含むフェロボロン
合金’に１．０５ｋｇ／時（２，３ポンド／時）の割合
で生成した。
の電圧で得た。８，８重量係の硼素葡含むフェロボロン
合金’に１．０５ｋｇ／時（２，３ポンド／時）の割合
で生成した。
第１図は本発明の改良した供給装置を模型的に示す。第
２図は従来法の流下薄膜式プラズマ反応益金模型的に示
すものである。第３図は供給管金除いた第１図のＡＡ断
面図であり、第４図はインジェクション・リングと輻射
障壁との幾何形態における視角の関係図であり、第５図
はインジェクション・リングと共に用いることが好まし
い本発明の渦巻きガスリングを示す。 ３２：インジェクション・リング ３４：円筒状通路３
６：冷却溝 ３８二円筒状通路第１部分４０：円筒状通
路第２部分４２：共通軸４４：輻射障壁 ４８：反応剤
供給口 ５６：水冷フィーダーチューブ ５８：副供給ロ６６：
渦巻きガスリング６８：中央通路７０：渦巻きガス通路 特許出願人 アライド・コーポレーション（外斗名）
２図は従来法の流下薄膜式プラズマ反応益金模型的に示
すものである。第３図は供給管金除いた第１図のＡＡ断
面図であり、第４図はインジェクション・リングと輻射
障壁との幾何形態における視角の関係図であり、第５図
はインジェクション・リングと共に用いることが好まし
い本発明の渦巻きガスリングを示す。 ３２：インジェクション・リング ３４：円筒状通路３
６：冷却溝 ３８二円筒状通路第１部分４０：円筒状通
路第２部分４２：共通軸４４：輻射障壁 ４８：反応剤
供給口 ５６：水冷フィーダーチューブ ５８：副供給ロ６６：
渦巻きガスリング６８：中央通路７０：渦巻きガス通路 特許出願人 アライド・コーポレーション（外斗名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（α）円筒状通路が内部を貫通しており、この通路
が第一直径ケ有する第一部分音もち、その第一部分が上
記第一直径より大きい第二直径全もつ第二部分と連結し
ており、これら第一および第二部分が共通の袖ケもつ、
水冷インジェクション、ｌＪソング； （ｂ）上記通路の上記第一部分を上記第二部分の中へ延
長させる回転内面をもつ、上記共通軸の周りに設けられ
た輻射障壁と； （Ｃ）上記第一部分との接合部に近接して設けられ、上
記第二部分に終る上記インジェクション・リングを貫通
して設けた１個またはそれ以上の反応剤供給口と； から成る流下薄膜型プラズマ反応器。 ２、すべての反応剤供給口が上記第二通路と切線的に交
差して設けられた特許請求の範囲第１項に記載のプラズ
マ反応器。 ３、上記反応剤供給口のための水冷フィーダーチューブ
金さらに有し、このフィーダーチューブが上記供給口へ
はめこまれてその中にのびているが上記円筒状通路の上
記第二部分に至る前に終っている、特許請求の範囲第２
項に記載のプラズマ反応器。 ４ 上記反応剤供給口の各々が一つの袖ケもち、その軸
が上記通路の上記第一部分と第二部分との上記共通軸の
法線に対して約１０°以内にある、特許請求の範囲第３
項に記載のプラズマ反応器。 ５、上記回転内面が２０’と４０°の間の頂角金もつ円
錐状である、特許請求の範囲第４項に記載のプラズマ反
応器。 ６、上記輻射障壁が円錐状の回転外面をもつ、特許請求
の範囲第５項に記載のプラズマ反応器。 ７ 上記反応剤供給口のすべてが上記インジェクション
・リング内に副供給口金もち、この副供給口は上記反応
剤供給口の断面の投影とこの第二供給口断面の投影とが
重なるように位置【〜ている、特許請求の範囲第６項に
記載のプラズマ反応器。 ８ 上記輻射障壁が上記第二部分内にのびており、上記
共１通軸と上記供給口との間の視角θ３を逆正接θ当く
１ となるようにされた、特許請求の範囲第７項に記載
の反応器。 ９、次の各工程、すなわち硼砂、コンマナイト、プライ
セアイト（ｐｒｉｃｅｉｔｅ ） 、マイエルホツフエ
ライト、ボロンオキサイド、ポリツクオキサイド、から
成る群からの硼素鉱石および精製鉱物；鉄および／また
は鉄酸化物；並びに石油コークとカーボンブラックから
成る群からの炭素含有物質；の混合物を選び、該混合物
を流下薄膜型のプラズマアーク反応器の供給口に導入し
、そして上記供給口全アークから遮蔽する輻射遮蔽を施
こす、各工程から成るフェロボロン全製造する方法。 １０、上記材料をさらに限定し、上記の硼素鉱石および
精製硼素鉱石がボロンオキサイドと硼酸の群からであり
、上記の炭素含有物質が石油コークとカーボンブラック
との群から選ばれたものである、特許請求の範囲第９項
に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/511,368 US4489041A (en) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | Non plugging falling film plasma reactor |
| US511368 | 1983-07-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038031A true JPS6038031A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=24034596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139741A Pending JPS6038031A (ja) | 1983-07-06 | 1984-07-05 | 非閉塞性流下薄膜型プラズマ反応器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4489041A (ja) |
| EP (1) | EP0131160A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6038031A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5433169A (en) * | 1990-10-25 | 1995-07-18 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer |
| US5334277A (en) * | 1990-10-25 | 1994-08-02 | Nichia Kagaky Kogyo K.K. | Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same |
| US5951771A (en) * | 1996-09-30 | 1999-09-14 | Celestech, Inc. | Plasma jet system |
| CH693083A5 (de) * | 1998-12-21 | 2003-02-14 | Sulzer Metco Ag | Düse sowie Düsenanordnung für einen Brennerkopf eines Plasmaspritzgeräts. |
| WO2001032297A2 (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-10 | Moore Robert E | Modular chemical treatment system |
| US6962679B2 (en) | 2001-07-11 | 2005-11-08 | Battelle Memorial Institute | Processes and apparatuses for treating halogen-containing gases |
| US7220396B2 (en) * | 2001-07-11 | 2007-05-22 | Battelle Memorial Institute | Processes for treating halogen-containing gases |
| FR2888130A1 (fr) * | 2005-07-06 | 2007-01-12 | Air Liquide Electronics Sys | Traitement d'effluents gazeux par plasma a pression atmospherique |
| FR2998440B1 (fr) * | 2012-11-19 | 2022-03-11 | Abenz 81 40 | Procede et dispositif de traitement de matiere fragmentee par flux de plasma reactif a pression atmospherique |
| JP5961297B1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-08-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3077108A (en) * | 1958-02-20 | 1963-02-12 | Union Carbide Corp | Supersonic hot gas stream generating apparatus and method |
| DE1571153A1 (de) * | 1962-08-25 | 1970-08-13 | Siemens Ag | Plasmaspritzpistole |
| US3332870A (en) * | 1962-10-08 | 1967-07-25 | Mhd Res Inc | Method and apparatus for effecting chemical reactions by means of an electric arc |
| US3390980A (en) * | 1964-01-20 | 1968-07-02 | Mhd Res Inc | Method of producing beryllium halides from beryllium ore in a high intensity ore |
| GB1143637A (ja) * | 1965-03-24 | |||
| US3668108A (en) * | 1966-11-15 | 1972-06-06 | Hercules Inc | Solids arc reactor apparatus and method |
| GB1260021A (en) * | 1969-10-27 | 1972-01-12 | British Titan Ltd | Heating device |
| US3980802A (en) * | 1973-10-24 | 1976-09-14 | Paton Boris E | Method of arc control in plasma arc furnace torches |
| US4099958A (en) * | 1976-04-09 | 1978-07-11 | Bethlehem Steel Corporation | Method of producing vanadium |
| US4234334A (en) * | 1979-01-10 | 1980-11-18 | Bethlehem Steel Corporation | Arc control in plasma arc reactors |
-
1983
- 1983-07-06 US US06/511,368 patent/US4489041A/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-06-07 EP EP84106499A patent/EP0131160A3/en not_active Withdrawn
- 1984-07-05 JP JP59139741A patent/JPS6038031A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0131160A2 (en) | 1985-01-16 |
| EP0131160A3 (en) | 1986-07-16 |
| US4489041A (en) | 1984-12-18 |
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