JPS6038671A - Esr測定自動化システム - Google Patents

Esr測定自動化システム

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JPS6038671A
JPS6038671A JP14593783A JP14593783A JPS6038671A JP S6038671 A JPS6038671 A JP S6038671A JP 14593783 A JP14593783 A JP 14593783A JP 14593783 A JP14593783 A JP 14593783A JP S6038671 A JPS6038671 A JP S6038671A
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JP
Japan
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memory
esr
data
magnetic field
control means
Prior art date
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Pending
Application number
JP14593783A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyoshi Oshida
大志田 信義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/60—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using electron paramagnetic resonance

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル材料等の共鳴磁場の角度変化、吸収
線型、スピン波共鳴、イオン注入による異方性磁界のシ
フトなどの諸項目を測定する電子スピン共鳴(BSR)
装置の測定自動化システムに関するものである。
上記ESR,は常磁性物質の物性や構造さらに化そこで
、始めにIRの原理と測定法について簡単に述べる。
電子はスビ/角運動量とそれにともなう磁気能率をもっ
ており、磁場の方向ε軸とした歳差運動をおこなう。こ
れをLa rmo rの1差運動といい、:L a r
mo rの周波数と同じ周波数を加えると電子はエネル
ギーの吸収、輻射をおこない共鳴状態になる。この現象
を電子スピン共鳴(J4SIl、)と言う。
共鳴条件は次式によって表わされる。
hν= f/Ho (] ) たたし、11ニブランク定数 β:ボーア磁子 y:y値(その電子に含む系の固有の 定数) V:共振周波数 η)、子スピンの共鳴周波数νは数千カラスから1号数
千ガウスの磁場で、マイクロ波の領域になる。
第1図は市販のESR装置の測定原理を示している。発
振器101がマイクロ波の発生源であり、その出力は2
つに分かれ、一方は位相器102へ行りて桶方との進路
の長さの違いを補正した基準マイクロ波信号aトになり
、他方はサーキーレータ103を通って空胴共振器(キ
ャビディー)104の中の試料105へ入射し、反射波
e¥1に変ってサーキュレータ10ト戻りて検波器10
6“へ進む。検波器106 はマイクロ波信号eトと反
射波eνとの差宵を出力する。この出力が増巾器107
で増It]される。
キャビティー104 は電412石108 の中に置か
れて、静磁場Hを試料105に印加する。励振コイル1
09が電躇1石108 の外側についていて静〃1場H
振巾変調を行なう。振巾変調なしで、時間と共に静磁場
Hの大きさが変化すると、■]が(1)式の共鳴条件を
満すHOに一致する時刻に、マイクロ波の一部がキャビ
ティー104 の中に置かれた試料105 に吸収され
、検波器106 の出力がビーりになる。検波器106
 の出力の時間変化はXYレコーダ110上のタイムチ
ャート紙においてはESR吸収曲線として描かれ、共振
の尖鋭度Qの大きさとHの関係を示す。
Qの変化をもつと精度よく測定するだめには、共鳴躇場
Ho に小振幅の交流磁界(変調磁場)を励振コイル1
09から加算して、Hを変調し、検波器106 の出力
を増巾器107において変調磁場の周波数でフィルター
をかけて増巾する事が行なわれる。
第2図は共鳴旙場HOの測定精度向上の方法を示す。吸
収曲線201 がピーク値になる磁界1−1゜は精度よ
く測定しにくい。そこで、小振巾の変調磁場202 を
静磁場203 に加算すると、検波器106 の出力が
波形205 のようになシ、これを変調磁場の周波数で
選択増幅すると、吸収曲線201 の微分曲線204 
がまる。l−1oはこの微分曲線204 のゼロ7ρス
ポイントからまる。
実際にまる磁性材料の138R吸収曲線、あるいはその
微分曲線は磁性材料へのイオン注入条件によって微妙に
変化する。そのような変化は磁性材料の設計パラメータ
として役立つために、正確に測定される必要がある。
従来は上記のBS几吸収曲線の微分曲線の方がESR,
装置に接続されたXYレコーダ110 土のチャート紙
面に描画された。E S R吸収曲線はXYレコーダ1
10上の微分曲線を積分し一〇計算でめられた。ESR
吸収曲線の分析や、他の試料との比較は人手によらざる
を得ない。したがって、1つの試料の測定に1時間に及
ぶ長い時IW+が必要であり、磁性材料の評価をスムー
ズに行えないという欠陥があった。
本発明の目的は上記欠陥を解決することにあムすなわち
、本発明の目的は上記装置の自動化システムを構築する
技術を提供する事にある。したがって、本発明によれは
以下のESS測測定自動化システム求まる。
マイクロ波発生源と、その出力の一部の71クロ波入射
が吸収を行なう。試料を置く空胴共振器と、前記試料に
磁界を印加する電磁石と励磁コイルと、前記試料から反
射されるマイクロ波と前記マイクロ波発生源から出力さ
れる基準マイクロ波との比較を行ない、前記磁界の交流
変動に対する前記試料のマイクロ波吸収量の変化を特定
周波数で選択増巾する分光計と前記磁界の振巾の変調手
段と、以上を連動させるESR制御手段と、前記試料に
印加される磁界の検知手段と、前記分光計及び前記磁界
検知手段に接続されるA/D変換器と、これ等A/I)
変換器の各々に接続さえする前記+i’ l l” 0
メモリ及びFIFOメモリ制御手段と、前記1・’ I
 l−0メモリ及び1i”lFOメモリ制御手段並びに
前記HS R制御手段とにバッファレジスタを介して接
続されるデータバスと、前記データバスに接続されるグ
ラフィックディスプレ一手段とマイクロコンピュータと
チータフアイルメモリと外部高速コンピュータにつなが
るIlo インターフェース手段とを備え、前記F’l
FOメモリを介してまるia s 1を測定値の一部′
=1:たは全部を前記グラフィックディスプレ一手段で
表示首たは前記チータフアイルメモリへ格納すると共に
、前記E S R測定値I10 インタフェースを介し
前記外部高速コンピュータへ送って精分計算し、その結
果の一部またファイルメモリへ格納することを特徴とす
るESR測定自動化システム。
以下、本発明の更に詳細な説明を行なう。
第3図は本発明の一実施例である。ESIt観゛測系3
10は第1図に示す構成を基本とし、キャビティー10
4、電磁石108、励振コイル109、マイクロ波発生
源101、変調り磁界に対するマイクロ波吸収量の変化
を選択増巾する分光計301の他に、ESR制御器30
2、ム1気センザ303、磁界検出回路304と励振コ
イル109に接続された栢界掃引と変調用の励磁電源3
05とから成っている。
測定自動化はESR観測310の外側に接続されたデー
タ収集部320、グラフインク表示機能を持つデータ表
示部330、磁気バブルメモリを用いたデータ格納部3
40、ワンボードマイクロコンビーータを用いたシステ
ム制御部350とバッファレジスタ365付きのデータ
バス360とI10インタフェース370とによって行
なわれる。■10インタフェース370は通信回線を介
して、中央の高速コンピータに接続される。中央の高速
コンビ・−夕380は高速の演算処理能力を持つ。
大容量の71イルメモリや高速の110機器の他に、セ
ンサベースマ半ジメントシステムに基づいた+ンサ制御
処理ユニット386を備え、これにIlo インタフェ
ース370が結合する。
この測定自動化システムにめられる事は前記分光計の出
力である微分曲線の波形表示と特定区間におけるゼロク
ロスポイントの磁界振巾HOの計算と、微分曲線の積分
によってまる吸収曲線の波形表示とその曲線の面積SO
の計算にある。
ESR吸収曲線の面積Soが大きいという事はマイクロ
波の吸収の大きい事に対応し、Soは試料の性質を知る
重要なパラメータとなる。
F’、 S R,観測系310社試料105がキャビテ
ィー104の中に設定された後、E S I(、制御器
302ヘスタート指命を与えると、Jj; Sl?、吸
収曲線の微分曲線が分光計301から出力をれる。試料
に印加される磁界振巾Hが時間丁と共にリニヤ−に変化
すると、分光計201の出力1d:第2し1の(b) 
に示す微分曲線になる。Tlj販のル;S且装置はこの
彼分曲線をXYレコーダのチャート紙面に描かせもこの
場合に、トIとTの対応関係に誤差があると測定精度が
落る。
そこで、第3図のシステムに試料に印加される棒弁を直
接に麟吟(セ/ザ303と磁界検出回路:(04とで検
出する。変114Jl界の中・し・値と分光計301の
出力をA/D変換器321.322やIi’ I FO
制御器323を介してFIFOメモリ325へ送り、タ
イミング調整を行った後、FIFO制御器324とデー
タバス360を介してマイクロコンピュータを中心とす
るシステム制御部350の主記憶(16KBRAM)へ
送る。
一試料当シ約4KBのデータi: !1tll定期間中
システム制御部350の中の主記憶に貯えられ、ユ−ザ
の要求に従って、データの一部あるいは全部がグラフィ
ックティスプレーユニット330で表示されたシ、チー
タフアイルメモリ340に貯えられたり、積分計算のた
めに、Ilo インターフェース370を介して外部の
高速コンピータに送り出されたりする。
積分計算された後のESR,吸収曲線データ及びその面
積の計算結果は再びIlo インタフェース370を通
り、システム制御部350の中の主記憶に貯えられ、そ
この一部あるいは全部がグラフィックティスプレーユニ
ット330で表示されムこのようなデータの流れの制御
はシステム制御部3500マイクロコンピユータによっ
て実行さすり、制御プログラムはシステム制御部350
の中の11iKJ3のPROMに格納される。マイクロ
コンピユー戸としてはμcoM−82のワンボードコン
ピュータが使わil、プロクラムはアセンクラ−で組立
てられた。なお、パンファレジスタ365としてはμp
 D 8255AC−5を用いた。
このシステムの特徴はE8R観測系310の出力データ
を出来るだけ忠実にシステム制御部350の中の主記憶
の中に取込み、計算精度を低下させないようにしている
点と、グラフ表示や積分計算に対して応答時間を任意に
短縮できるように、主記憶の中の出力データを任意に間
引いて表示処理を行なえるようにした点にある。
第4図は第3図での出力データの処理プロセスを示して
いる。第4図(a)が生データであり、ESR観測系3
10 から出力される。第4図(blは生データの粗な
グラフ表示結果を示す。1/10程度に間引いて表示す
るために、表示時間が小さくなる。
このグラフの中の微分曲線の変化の大きな部分をライト
ペンなどを用いて指定すると、第4図(c)に示すよう
に、指定区間41[1の生データの精密な拡大表示を行
なう。間引きをしなくても表示時間が減る。第4図cd
)は積分計算結果の粗なグラフ表示結果を示し、第4図
(e)は指定区間410での精密な積分曲線の表示結果
を示している。
このように、ESR観測系に単にXYレコーダを付加し
ただけの市販のESR装置ではめるのに時間のかかるデ
ータが第3図E S I?、自動化システムでは容易に
、短時間にまるようになる。
ぼた、−試料分のデータたV)でなく、多数の試料のデ
ータを(111次にデータ格納部340の換気バブルメ
モリに貯λておき、時間の掛る通信回線や中央高速コン
ピュータの混み具合に依存しないで過去のデータの再チ
ェック、検索、比較を行なえる。
このようなシステムによるESS測測定時間従来のXY
レコーダを用いる場合に手計算での積分を含めた試料当
り60分に比べると約1/10に減少する。
以上にのべたように、本発明によれは、従来のト; S
 JL測定装置の測定結果処理時間の大きくて不便であ
った欠陥を容易に解決できるとわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図はz s rL測測定原理を示す従来のES几観
測波形の処理過程の説明図である。 これらの図において、各番号の内容は以下の通りである
。 101・・・・・・マイクロ波発生源 102・・・・
・位相器103・・・・・・サーキュレータ 104・
・・・・空胴共振器105・・・・・・試 料 106
・・・・・・検波器107・・・・・・増巾器 108
・・・・・電磁石109・・・・・磁場掃引・変調用励
磁コイル110・・・・・・XYレコーダ 201・・・・・・ESR1吸収曲線 202・・・・
−・変調磁場203・・・・・掃引磁界 204・・・
・微分曲線310・・・・・・BSR観測系 301・
・・・・・分光計302・・・・・・ES几制御器 3
(13・・・・磁気センサ304・・・・・・磁界検出
回路 305山励磁電源320・・・・・・データリヌ
、募部 321.322・・・A/1〕変換器323.
324・・・・・・);’IFO制御器325・・・・
・・FIF’Oメモリ 330° データ表示部 3411・・ データ格納部
:350・ システム制御部 360・・・・データバ
ス365・・・・・バッファレジスタ 370・・利1
0インタフx−2380高速コンピュータ 385・・
・・・・通信回路410・−指定区間 オ 1 図 11Jソ 108 109

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マイクロ波発生源と、その出力の一部のマイクロ波入射
    に対して反射か吸収を行なうヂ試料をイクロ波発生源か
    ら出力される基準マイクロ波との比較を行ない、前記磁
    界の交流変動に対する前記試料のマイクロ波吸収量の変
    化を特定周波数で選択増[1)する分光計と前記磁界の
    振「1〕の変調手段と、以上を連動させるESR制御手
    段と、前記試料に印加される磁界の検知手段と、前記分
    光計及び前記磁界検知手段に接続されるA/D変換器と
    、これ等A/D変換器の各々に接続される前記FIFO
    メモリ及びli’lFOメモリ制御手段と、前記PIF
    ’0メモリ及び前記J”IPO制御手段並びに前記ES
    R制御手段とにバッファレジスタを介して接続されるデ
    ータバスと、前記データバスに接続されるグラフィック
    ディスプレ一手段とマイクロコンピュータとデータファ
    イルメモリと外部高速コンビーータにつながるI10イ
    ンク・テフェース手段とを備え、前記FIFOメモリを
    介してまるE S R,測定値の一部または全部を前記
    グラフインクディスプレ一手段で表示または前記データ
    ファイルメモリへ格納すると共に、前記ESR測定値を
    I10インターフェースを介し7前記外部高速コンピュ
    ータへ送って積分計算し2、その結果の一部捷たは全ル
    メモリへ格納することを特徴とするE S It、測定
    自動化システム。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6312982A (ja) * 1986-07-04 1988-01-20 Hitachi Metals Ltd 強磁性共鳴吸収の測定方法
JPS6329291A (ja) * 1986-07-10 1988-02-06 イ−エム・マイクロエレクトロニツク−マリン・エスア− 時計用電気式書換え可能不揮発性メモリのプログラミング装置
JPH06114732A (ja) * 1992-09-30 1994-04-26 Nachi Fujikoshi Corp 機上放電ツルーイング法による砥石側面整形法

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