JPS6039741A - 陰極線管用電子銃 - Google Patents
陰極線管用電子銃Info
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- JPS6039741A JPS6039741A JP14654083A JP14654083A JPS6039741A JP S6039741 A JPS6039741 A JP S6039741A JP 14654083 A JP14654083 A JP 14654083A JP 14654083 A JP14654083 A JP 14654083A JP S6039741 A JPS6039741 A JP S6039741A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid
- potential
- lens
- electrode
- focusing electrode
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は陰極線管用電子銃に係シ、特にその電子ビーム
を集束するための静磁レンズに関するものである。
を集束するための静磁レンズに関するものである。
陰極線管用電子銃は一般に2つの基本的部分から成る。
1つは電子ビーム発生部を含む物点形成部で、他の1つ
はこの電子ビームを所定のスクリーン上に集束させる加
速集束用レンズ部である。
はこの電子ビームを所定のスクリーン上に集束させる加
速集束用レンズ部である。
通例前者を四極部、後者を主レンズ部と称していて四極
部の最終段の電極と主レンズ部の最初の電極は同一のも
のである。前記主レンズ部の多くは靜鑞レンズ形態で、
゛磁子ビーム開孔を有する少なくとも2個の電極に所定
の電位を印加することによって形成される。
部の最終段の電極と主レンズ部の最初の電極は同一のも
のである。前記主レンズ部の多くは靜鑞レンズ形態で、
゛磁子ビーム開孔を有する少なくとも2個の電極に所定
の電位を印加することによって形成される。
一方この様な電子銃において、所定のスフIJ −ン上
に集束された電子ビームのスポット径DTは四極部から
主レンズ部へ入射するビームの質と主レンズ部のレンズ
性能によって決まる。主レンズ部のレンズ性能は各電極
の電位、各電極長、各電極間距離、電極開孔の寸法によ
って変えることができ冬が、実際には電子銃の物理的設
計のため込くりかの制限をうける。また四極部から主レ
ンズ部へ入射するビームの質は四極部の最終段の電極即
ち主レンズ部の最初の電極電位Ec3によって決定され
、これはEc3が8〜9KVのとき最良の状態となるこ
とが[マルチステップフォーカス](“エレクトロニク
ス“昭和53年11月号、1147頁〜1151頁)に
示されている。
に集束された電子ビームのスポット径DTは四極部から
主レンズ部へ入射するビームの質と主レンズ部のレンズ
性能によって決まる。主レンズ部のレンズ性能は各電極
の電位、各電極長、各電極間距離、電極開孔の寸法によ
って変えることができ冬が、実際には電子銃の物理的設
計のため込くりかの制限をうける。また四極部から主レ
ンズ部へ入射するビームの質は四極部の最終段の電極即
ち主レンズ部の最初の電極電位Ec3によって決定され
、これはEc3が8〜9KVのとき最良の状態となるこ
とが[マルチステップフォーカス](“エレクトロニク
ス“昭和53年11月号、1147頁〜1151頁)に
示されている。
この様な陰極線管用電子銃の代表的なものとしテ主しン
ズ部をパイポテンシャル形しンズトシタものがある。こ
のパイポテンシャル形しンズハ第1集束゛磁極と第2集
束電極とから成り、第2集束電極には陽極高電位が印加
され、第1集束電極には相対的に中電位が印加される。
ズ部をパイポテンシャル形しンズトシタものがある。こ
のパイポテンシャル形しンズハ第1集束゛磁極と第2集
束電極とから成り、第2集束電極には陽極高電位が印加
され、第1集束電極には相対的に中電位が印加される。
この様な電子銃を例えばインライン配列、シャドウマス
ク方式のカラー受像管に用いた場合、3個の電子銃を横
方向−列に一体化して並べこれをガラス円筒のネック内
に封入して使用するため、まず電極の開孔即ちレンズ口
径が物理的に制限される。次いで電極間に形成される集
束電界が他の電界の影響を受けない様にするために成極
間距離が制限される。次いで所定のスクリーン上に正し
く集束させるために電極長又は電極電位が制限される。
ク方式のカラー受像管に用いた場合、3個の電子銃を横
方向−列に一体化して並べこれをガラス円筒のネック内
に封入して使用するため、まず電極の開孔即ちレンズ口
径が物理的に制限される。次いで電極間に形成される集
束電界が他の電界の影響を受けない様にするために成極
間距離が制限される。次いで所定のスクリーン上に正し
く集束させるために電極長又は電極電位が制限される。
即ち第1集束磁極の電極長を決定すれば電極電位はl義
的に決まる。従ってこの様な電子銃では主レンズ部のレ
ンズ性能を変えるKは゛磁極長を変える以外ないことに
なるが、電極長を変えても大幅なレンズ性能の向上は望
めない。
的に決まる。従ってこの様な電子銃では主レンズ部のレ
ンズ性能を変えるKは゛磁極長を変える以外ないことに
なるが、電極長を変えても大幅なレンズ性能の向上は望
めない。
しかし、例えば第1集束電極と第2集束電極の間に少な
くとも1個以上の電極を設け、これらに第1集束電極電
位と第2集束電極電位の間の電位を適当に印加すれば、
即ち第1集束電極と第2集東成極間距離が長くなったも
のと同等のレンズを実用的に形成させることができ、レ
ンズ性能を大幅に向上させることができる。この様な電
子銃は特公昭55〜48674号公報に示されている。
くとも1個以上の電極を設け、これらに第1集束電極電
位と第2集束電極電位の間の電位を適当に印加すれば、
即ち第1集束電極と第2集東成極間距離が長くなったも
のと同等のレンズを実用的に形成させることができ、レ
ンズ性能を大幅に向上させることができる。この様な電
子銃は特公昭55〜48674号公報に示されている。
しカーし、特公昭55−48674号公報に示されてい
る様な電子銃では、主レンズ部のレンズの焦点距離が長
くなる特徴を有している。従って所定のスクリーン上に
ビームを正しく集束させるためには第1集束電極の電極
長をかなり長くするか、あるいは第1集束電極電位をか
なり低く設定しなければならなくなる。第1集束電極の
磁極長を相自分長くすると四極部からある発散角をもっ
て入射してきた電子ビームが主レンズ部でかなり大永く
なシ、球面収差を強く受ける様になる。この結果結局ス
クリーン上に集束されたビームスポット径DTはあまり
小さくならない。また電極長が長すぎることは電子銃製
作時に不都合であり、経済的にも無駄である。
る様な電子銃では、主レンズ部のレンズの焦点距離が長
くなる特徴を有している。従って所定のスクリーン上に
ビームを正しく集束させるためには第1集束電極の電極
長をかなり長くするか、あるいは第1集束電極電位をか
なり低く設定しなければならなくなる。第1集束電極の
磁極長を相自分長くすると四極部からある発散角をもっ
て入射してきた電子ビームが主レンズ部でかなり大永く
なシ、球面収差を強く受ける様になる。この結果結局ス
クリーン上に集束されたビームスポット径DTはあまり
小さくならない。また電極長が長すぎることは電子銃製
作時に不都合であり、経済的にも無駄である。
また第1集束電極電位をかなり低く設定すると前述した
様に四極部から主レンズ部へ入射するビームの質が悪く
なり、結局スクリーン上に集束されたビームスポット径
DTを小6くすることかで急ない。
様に四極部から主レンズ部へ入射するビームの質が悪く
なり、結局スクリーン上に集束されたビームスポット径
DTを小6くすることかで急ない。
本発明は、陰極線管用電子銃において、王レンズ部のレ
ンズ性能を向上させると共に、四極部から主レンズ部へ
入射するビームが最も質の良い状態にあるときのものを
部用することによって、所定のスクリーン上に集束され
たビームスポット径をより小さくすることを目的とした
ものである。
ンズ性能を向上させると共に、四極部から主レンズ部へ
入射するビームが最も質の良い状態にあるときのものを
部用することによって、所定のスクリーン上に集束され
たビームスポット径をより小さくすることを目的とした
ものである。
本発明の陰極線管用電子銃は、主レンズ部が少なくとも
5個の電極より成り第1集束電極には相対的に中位の電
位を、第2集束電極には相対的に低位の電位を、第3集
束電極には相対的に中位の電位を、最終集束電極には相
対的に高位の電位を印加し、第3集束電極と最終集束電
極の間にある少なくとも1個以上の各集束′電極には第
3集束電極電位と最終集束電極電位の間の電位を印加す
ることによって前記目的を達成するものである。
5個の電極より成り第1集束電極には相対的に中位の電
位を、第2集束電極には相対的に低位の電位を、第3集
束電極には相対的に中位の電位を、最終集束電極には相
対的に高位の電位を印加し、第3集束電極と最終集束電
極の間にある少なくとも1個以上の各集束′電極には第
3集束電極電位と最終集束電極電位の間の電位を印加す
ることによって前記目的を達成するものである。
以下図面を参照しつつ本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明を実施したカラー受像管用インライン配
列電子銃の一例でインライン方向から見た構成図であり
、第2図はインラインに直角な方向から見た構成図(2
−2軸断面)である。第1図及び第2図において、電子
銃(1)は後述する複数個の電極と、これらを支える複
数の絶縁支持体(2)を有する。そして前記複数個の電
極は、赤、緑、青各色の螢光体層に射突する3本の電子
ビーム(3a)+(3b ) 、 (3c )を発生す
るための3個のそれぞれヒータ(6a) * (6b)
* (6c)を内装する一列配設された陰極(”)
、(9b) t (9c)と、この3個の陰極に対する
位置にそれぞれ所定の電子ビーム通過孔部が突設され一
体化構造(:3−ニタイズ構造)を有する第1グリッド
醤、第2グリツド13、第3グリツドI、第4グリツド
α段、第5グリツド(Le1第6グリツド(trI、第
7グリツドα梯及びコンバーゼンス電極(L!1から成
シ、それぞれこの順序で前記絶縁支持体(2)に植設固
定支持されている。前記第1グリツド圓と前記第2グリ
ツド住騰は近接配置された平板状電極からなり、第3グ
リツドIは前記第2グリツド霞に近接配置され接合され
た2個のカップ状磁極(211゜(23からなり、第4
グリツド霞は第3グリツドIに続いて第3グリツドよシ
浅い2個のカップ状電極(ハ)、t24から成り、第5
グリツドαeは第4グリツドα9に続りて第4グリッド
α■]深い2個のカップ状電極四、弼から威力、第6グ
リツドaηは第5グリツr 顛に続いて平板状電極(2
7)から成る。前記各カップ状電極の閉鎖面及び平板状
電極にはそれぞれ各電子ビームに整合した3個の電子ビ
ーム通過孔部が設けられて匹る。第1グリツドt1a及
び第2グリツドa3のビーム通過孔は比較的小石<、第
3グリツドα4の第2グリツドaJに面する側のビーム
通過孔(32a)、(32b)、(32G)はそれより
大きく、第3グリツドα4の第4グリツドα9に面する
側のビーム通過孔(33a)、(33b)、(33c)
オJ:び第4グリツドa5小ら第6グリツド(L?)
までのビーム通過孔(33a)〜(38a) 、(33
b) 〜(38b) 、(33c) 〜(38c)’は
比較的大きい径である。次に第7グリツドa梯は閉鎖端
に一列配設された゛磁子ビーム通過孔部(39a)。
列電子銃の一例でインライン方向から見た構成図であり
、第2図はインラインに直角な方向から見た構成図(2
−2軸断面)である。第1図及び第2図において、電子
銃(1)は後述する複数個の電極と、これらを支える複
数の絶縁支持体(2)を有する。そして前記複数個の電
極は、赤、緑、青各色の螢光体層に射突する3本の電子
ビーム(3a)+(3b ) 、 (3c )を発生す
るための3個のそれぞれヒータ(6a) * (6b)
* (6c)を内装する一列配設された陰極(”)
、(9b) t (9c)と、この3個の陰極に対する
位置にそれぞれ所定の電子ビーム通過孔部が突設され一
体化構造(:3−ニタイズ構造)を有する第1グリッド
醤、第2グリツド13、第3グリツドI、第4グリツド
α段、第5グリツド(Le1第6グリツド(trI、第
7グリツドα梯及びコンバーゼンス電極(L!1から成
シ、それぞれこの順序で前記絶縁支持体(2)に植設固
定支持されている。前記第1グリツド圓と前記第2グリ
ツド住騰は近接配置された平板状電極からなり、第3グ
リツドIは前記第2グリツド霞に近接配置され接合され
た2個のカップ状磁極(211゜(23からなり、第4
グリツド霞は第3グリツドIに続いて第3グリツドよシ
浅い2個のカップ状電極(ハ)、t24から成り、第5
グリツドαeは第4グリツドα9に続りて第4グリッド
α■]深い2個のカップ状電極四、弼から威力、第6グ
リツドaηは第5グリツr 顛に続いて平板状電極(2
7)から成る。前記各カップ状電極の閉鎖面及び平板状
電極にはそれぞれ各電子ビームに整合した3個の電子ビ
ーム通過孔部が設けられて匹る。第1グリツドt1a及
び第2グリツドa3のビーム通過孔は比較的小石<、第
3グリツドα4の第2グリツドaJに面する側のビーム
通過孔(32a)、(32b)、(32G)はそれより
大きく、第3グリツドα4の第4グリツドα9に面する
側のビーム通過孔(33a)、(33b)、(33c)
オJ:び第4グリツドa5小ら第6グリツド(L?)
までのビーム通過孔(33a)〜(38a) 、(33
b) 〜(38b) 、(33c) 〜(38c)’は
比較的大きい径である。次に第7グリツドa梯は閉鎖端
に一列配設された゛磁子ビーム通過孔部(39a)。
(39b)+ (39c)を有するカップ状電極(ハ)
から成って^るが、前記磁子ビーム通過孔部のうち中央
の通過孔部(39b)は前述した第1グリツドQ7Jか
ら第6グリツドαDまでの1子ビーム通過孔部と整合し
ている。一方間側の通過孔部(39a)、(39りは例
えば中央の通過孔部(39b)よ)外方に離れるように
僅かに偏位してお)、前述した第1グリツド住2から第
6グリツドanまでの電子ビーム通過孔部とは整合して
いない。前述した両側の電子ビーム通過孔部の偏位は3
本の電子ビームをターゲット上で1点に交叉させるため
に中央電子ビームを除く両側の電子ビームに僅かに非対
称電界による偏向を与えるためのものであって、非対称
電界を与える他の手段であってもよい。前記第7グリツ
ド(1秒には更に前述した各磁子ビーム径路に概略整合
した3個の電子ビーム通過孔部(40a ) + (4
0b ) 、(40c )をその底部に有する有底筒状
(ハ)のコンバーゼンス電極σlが固着され、このコン
バーゼンス電極部には図示しない陽極端子に印加される
約25KVの相対的に高い電圧を加えるパルプスペーサ
(21が取付けられている。
から成って^るが、前記磁子ビーム通過孔部のうち中央
の通過孔部(39b)は前述した第1グリツドQ7Jか
ら第6グリツドαDまでの1子ビーム通過孔部と整合し
ている。一方間側の通過孔部(39a)、(39りは例
えば中央の通過孔部(39b)よ)外方に離れるように
僅かに偏位してお)、前述した第1グリツド住2から第
6グリツドanまでの電子ビーム通過孔部とは整合して
いない。前述した両側の電子ビーム通過孔部の偏位は3
本の電子ビームをターゲット上で1点に交叉させるため
に中央電子ビームを除く両側の電子ビームに僅かに非対
称電界による偏向を与えるためのものであって、非対称
電界を与える他の手段であってもよい。前記第7グリツ
ド(1秒には更に前述した各磁子ビーム径路に概略整合
した3個の電子ビーム通過孔部(40a ) + (4
0b ) 、(40c )をその底部に有する有底筒状
(ハ)のコンバーゼンス電極σlが固着され、このコン
バーゼンス電極部には図示しない陽極端子に印加される
約25KVの相対的に高い電圧を加えるパルプスペーサ
(21が取付けられている。
以上の電極構成にお^て各電極には以下の様な電位が与
えられる。陰極は約150■のカットオフ電圧に保たれ
これに変調信号が加えられる。第1700vが、第3グ
リツドa4と第5グリツドαeには約8KVの相対的に
中位の電位が、第4グリツドα9には約700Vの第2
グリツドと同様相対的に低位の磁位が、第7グリツド帥
には約25KVの相対的に高位の電位が、第6グリツド
(Inには第5グリツドαυと第7グリツドa8の電位
の間の中高電位が印加される。
えられる。陰極は約150■のカットオフ電圧に保たれ
これに変調信号が加えられる。第1700vが、第3グ
リツドa4と第5グリツドαeには約8KVの相対的に
中位の電位が、第4グリツドα9には約700Vの第2
グリツドと同様相対的に低位の磁位が、第7グリツド帥
には約25KVの相対的に高位の電位が、第6グリツド
(Inには第5グリツドαυと第7グリツドa8の電位
の間の中高電位が印加される。
この様な電子銃は細いガラス円筒のネック(図示せず)
内に封入される。
内に封入される。
この様な電子銃の電子ビーム集束11A構を中央電子ビ
ームを例にとって第3図に示す。両側のビームも本質的
には同じである。第3図に示す様に陰極(9局)ら放射
された電子ビーム(3)fは第1グリツドaaO開孔(
至)を通過して第1グリツドuaから第2グリツドa3
の間でクロスオーバ像61を形成し、第2グリツド(1
31の開孔01)を通過し、主として第2グリツド圓と
第3グ、リッドI間に形成されるブリフォーカスレンズ
G1)にょル僅かに集束されながら第3グリツド側の中
へ進んでいく。第3グリツドα委へ4グリッドα9−第
5グリツ゛ドillによって形成されル弱匹ユニポテン
シャル形レンズ(5壜により僅かに集束されながら第5
グリッドWe−第6グリッド同−第7グリツドα種によ
って形成されるパイポテンシャル形レンズ53によシ強
く集束されてスクリーンI5壕上にビームスポット1l
li!9として結像する。このとき、陰極から第3グリ
ツドの前部までを四極部6E9と称し、第3グリツドか
ら第7グリツドまでを主レンズ部67)と称して区別し
ている。主レンズ部67)へ入射する電子ビーム(3)
は四極部(至)からの電子ビームであフ、この四極部(
至)からの電子ビームを逆方向に追跡して仮想クロスオ
ーバ像t55を考えこの像を主レンズ部Gηによってス
クリーン(54)上に結像させるものである。従って四
極部(イ)からの電子ビームの質が良好なもの程スクリ
ーンI!54)上のビームスポット(ロ)の径は小さく
なル、また主レンズ部5′l)のレンズ性能の良好なも
の程スクリーン6る上のビームス余ットl551の径は
小さくなる。ここでいう電子ビームの質とは[マルチス
テップフォーカス」(“エレクトロニクス“昭和53年
11月号。
ームを例にとって第3図に示す。両側のビームも本質的
には同じである。第3図に示す様に陰極(9局)ら放射
された電子ビーム(3)fは第1グリツドaaO開孔(
至)を通過して第1グリツドuaから第2グリツドa3
の間でクロスオーバ像61を形成し、第2グリツド(1
31の開孔01)を通過し、主として第2グリツド圓と
第3グ、リッドI間に形成されるブリフォーカスレンズ
G1)にょル僅かに集束されながら第3グリツド側の中
へ進んでいく。第3グリツドα委へ4グリッドα9−第
5グリツ゛ドillによって形成されル弱匹ユニポテン
シャル形レンズ(5壜により僅かに集束されながら第5
グリッドWe−第6グリッド同−第7グリツドα種によ
って形成されるパイポテンシャル形レンズ53によシ強
く集束されてスクリーンI5壕上にビームスポット1l
li!9として結像する。このとき、陰極から第3グリ
ツドの前部までを四極部6E9と称し、第3グリツドか
ら第7グリツドまでを主レンズ部67)と称して区別し
ている。主レンズ部67)へ入射する電子ビーム(3)
は四極部(至)からの電子ビームであフ、この四極部(
至)からの電子ビームを逆方向に追跡して仮想クロスオ
ーバ像t55を考えこの像を主レンズ部Gηによってス
クリーン(54)上に結像させるものである。従って四
極部(イ)からの電子ビームの質が良好なもの程スクリ
ーンI!54)上のビームスポット(ロ)の径は小さく
なル、また主レンズ部5′l)のレンズ性能の良好なも
の程スクリーン6る上のビームス余ットl551の径は
小さくなる。ここでいう電子ビームの質とは[マルチス
テップフォーカス」(“エレクトロニクス“昭和53年
11月号。
1147頁〜1151頁)に示されているエミツタンス
で表わされるものであり、このエミツタンスが小さいも
の程良質のビームである。上記文献では第3グリツド電
位EC,を変化させたときのエミツタンス(6)を実測
し、第5図の如(Bc3が8〜9KVでエミツタンスは
最小となることが報告されており、本発明者も第5図と
同様の結果を実測した。
で表わされるものであり、このエミツタンスが小さいも
の程良質のビームである。上記文献では第3グリツド電
位EC,を変化させたときのエミツタンス(6)を実測
し、第5図の如(Bc3が8〜9KVでエミツタンスは
最小となることが報告されており、本発明者も第5図と
同様の結果を実測した。
即ち、四極部(4)からの電子ビームは四極部の最終電
極であり、主レンズ部67)の前段電極である第3グリ
ツドa尋の電位ECsが8〜9KVのときが最も良質の
ビームとなることになる。
極であり、主レンズ部67)の前段電極である第3グリ
ツドa尋の電位ECsが8〜9KVのときが最も良質の
ビームとなることになる。
次に主レンズ部67)においては、第4図に示す様に仮
想クロスオーバ像(至)を物点としてこれをスクリーン
64)上に結像させるもので、主レンズ部の倍率による
物点の像の拡がシをDX、主レンズ部の球面収差による
ビームの拡が9をDIIA 、ターゲット近くでの空間
電荷の反発によるビームの拡が9t Dsoとするとタ
ーゲット上でのビームスポット径DTは DT=((Dx+Dsa)”+Dso” )””、!:
−1ルコ、!: dl ” THFiORBTICA
T、 AND PRaCTICAL AS−PECT
OF FLECTRON−GUN DESIGN FO
RC0LORPICT−UaFI TUBB8 ” (
IIfE Trans、CE、 Feb、 1975)
に水式れている。従ってここでいう主レンズ部のレンズ
性能の良好なものとは倍率が小さく、球面収差を受けに
くいレンズをいう。
想クロスオーバ像(至)を物点としてこれをスクリーン
64)上に結像させるもので、主レンズ部の倍率による
物点の像の拡がシをDX、主レンズ部の球面収差による
ビームの拡が9をDIIA 、ターゲット近くでの空間
電荷の反発によるビームの拡が9t Dsoとするとタ
ーゲット上でのビームスポット径DTは DT=((Dx+Dsa)”+Dso” )””、!:
−1ルコ、!: dl ” THFiORBTICA
T、 AND PRaCTICAL AS−PECT
OF FLECTRON−GUN DESIGN FO
RC0LORPICT−UaFI TUBB8 ” (
IIfE Trans、CE、 Feb、 1975)
に水式れている。従ってここでいう主レンズ部のレンズ
性能の良好なものとは倍率が小さく、球面収差を受けに
くいレンズをいう。
主レンズ部のレンズ形態として代表的なものは第6図f
a)に示すパイポテンシャル形しンズト同図(b)に示
すユニポテンシャル形レンズがあす、一般忙パイポテン
シャル形レンズはレンズの倍率を小さくすることができ
るが球面収差を受け易いレンズ系であり、ユニポテンシ
ャル形レンズは球面収差を受けにくくすることができる
がレンズの倍率を小さくすることができないレンズ系で
ある。そこでこれらのレンズ系を改良したものとして同
図(C)に示す特開昭54−89472号公報にジオド
ラポテンシャル形レンズが提案されている。このクオド
2ボテンシャル形レンズはレンズ倍率をユニポテンシャ
ル形レンズよシ小さくすることができ、パイポテンシャ
ル形レンズよりは球面収差を受け忙〈くすることができ
る。これらのレンズ系では前述した四極部からの電子ビ
ームの質を最良の状態で使用するために第3グリツドの
電位を8〜9に/Vに設定する方が裏込が、ユニポテン
シャル形レンズでは第3グリツド電位が約25KVの高
電位であるため好ましくなり0一方パイポテンシャル形
レンズやジオドラポテンシャル形レンズのレンズ性能を
さらに向上させるには、電極間距離を大きくして軸上電
位分布をより緩かなものとすればよい。
a)に示すパイポテンシャル形しンズト同図(b)に示
すユニポテンシャル形レンズがあす、一般忙パイポテン
シャル形レンズはレンズの倍率を小さくすることができ
るが球面収差を受け易いレンズ系であり、ユニポテンシ
ャル形レンズは球面収差を受けにくくすることができる
がレンズの倍率を小さくすることができないレンズ系で
ある。そこでこれらのレンズ系を改良したものとして同
図(C)に示す特開昭54−89472号公報にジオド
ラポテンシャル形レンズが提案されている。このクオド
2ボテンシャル形レンズはレンズ倍率をユニポテンシャ
ル形レンズよシ小さくすることができ、パイポテンシャ
ル形レンズよりは球面収差を受け忙〈くすることができ
る。これらのレンズ系では前述した四極部からの電子ビ
ームの質を最良の状態で使用するために第3グリツドの
電位を8〜9に/Vに設定する方が裏込が、ユニポテン
シャル形レンズでは第3グリツド電位が約25KVの高
電位であるため好ましくなり0一方パイポテンシャル形
レンズやジオドラポテンシャル形レンズのレンズ性能を
さらに向上させるには、電極間距離を大きくして軸上電
位分布をより緩かなものとすればよい。
このときの様子を第6図と比較して第7図に示す。
第6図、第7図には軸上電位分布も同時に示して^る。
! 7 図(a)の如くパイポテンシャル形レンズにお
いて、第3グリツド(114)と第4グリツド(115
)の間隔を大きく設定すれば軸上電位分布は緩かなもの
とな)レンズ性能は向上する。しかし一定距離のスクリ
ーン上に物点を結像させるためには第3グリツド(11
4)の電位を低くしてレンズを強くしなければならない
。例えば適当、tバイポテンシャル形レンズを使用した
電子銃で第3グリツドと第4グリツドの間隔Gを変えた
場合の必要なフォ−カス電圧Vf(Vf−第3グリツド
電圧/第4グリツド電圧)の変化は第8図(a)の様に
な〕、間隔Gの増加に対し、フォーカス電圧は低下して
いく。
いて、第3グリツド(114)と第4グリツド(115
)の間隔を大きく設定すれば軸上電位分布は緩かなもの
とな)レンズ性能は向上する。しかし一定距離のスクリ
ーン上に物点を結像させるためには第3グリツド(11
4)の電位を低くしてレンズを強くしなければならない
。例えば適当、tバイポテンシャル形レンズを使用した
電子銃で第3グリツドと第4グリツドの間隔Gを変えた
場合の必要なフォ−カス電圧Vf(Vf−第3グリツド
電圧/第4グリツド電圧)の変化は第8図(a)の様に
な〕、間隔Gの増加に対し、フォーカス電圧は低下して
いく。
第3グリツド電位を低く設定することは前述した四極部
からの電子ビームの質が悪くなるので好ましくない。
からの電子ビームの質が悪くなるので好ましくない。
そこで第3グリツド(114)の電位を8〜9KVに設
定するKは第3グリツド(114)の長さを長くして物
点からレンズ主面までの距離を長くすることが考えられ
るが、第3グリツド(114)の長さを長くすることは
四極部からある発散角をもって入射してきたビームが主
レンズ部でかなシ大きな径となる。従って結局球面収差
を強く受ける様になるので電極間距離を大きくしてレン
ズ性能を向上させた効果がでなくなる。第8図(b)に
第3グリツドと第4グリツドの間隔が00のときの第3
グリツドの長さGs1対フォーカス電圧Vfの変化を示
す。
定するKは第3グリツド(114)の長さを長くして物
点からレンズ主面までの距離を長くすることが考えられ
るが、第3グリツド(114)の長さを長くすることは
四極部からある発散角をもって入射してきたビームが主
レンズ部でかなシ大きな径となる。従って結局球面収差
を強く受ける様になるので電極間距離を大きくしてレン
ズ性能を向上させた効果がでなくなる。第8図(b)に
第3グリツドと第4グリツドの間隔が00のときの第3
グリツドの長さGs1対フォーカス電圧Vfの変化を示
す。
一方第7図(b)の如くジオドラポテンシャル形レンズ
において、第5グリツド(316)と第6グリツド(3
17)の間隔を大きく設定すれば、軸上電位分布は緩か
なものとな〕バイポテンシャル形レンズと同様にレンズ
性能を向上させることができる。
において、第5グリツド(316)と第6グリツド(3
17)の間隔を大きく設定すれば、軸上電位分布は緩か
なものとな〕バイポテンシャル形レンズと同様にレンズ
性能を向上させることができる。
このとき一定距離のターゲット上に物点を結像させるた
めにはレンズを強くしなければならないが、ジオドラポ
テンシャル形レンズはパイポテンシャル形レンズと異な
り、第3グリツド(314)−第4グリツド(315)
−第5グリツド(316)間に弱匹ユニポテンシャル形
レンズが形成されているので、第3グリツド(314)
の電位を8〜9KVに保ったままこの二二ポテンシャル
形レンズを少し強くすればジオドラポテンシャル形レン
ズ全体のレンズ作用は強くなシ、所定のターゲット上に
物点を結像させることができる。即ちレンズ性能を向上
させた状態で且つ、四極部からの電子ビームの質を悪く
することなく電子銃を使用できるのでターゲット上のビ
ームスポット径DTを小さくすることができる。前記第
3グリツド(314)−第4グリツド(315)−第5
グリツド(316)間に形成されるユニボテンしャル形
レンズを少し強くするには、第4/ IJフッド315
)の電位を少・し下げるか、第4グリツド(315)の
長さを少し長くするカーまたは第3グリツド(314)
と第4グリツド(315)及び第4グリツド(315)
と第5グリツド(316)の電極間距離を少し大きくす
ればよい。ジオトリポテンシャル形レンズではパイポテ
ンシャル形レンズと異な9、第4グリツド(315)の
長さを僅かに長くするだけでレンズ作用を強くすること
ができるので、四極部からある発散角をもって入射して
きたビームが主レンズ部で大きな径を占めることはない
。従って球面収差を強ぐ受・けることはなくなる。例え
ば適当なりオトリポテンシャル形レンズを使用した電子
銃で、第5グリツドと第6グリツドの間隔Gを変えた場
合の必要なフォーカス電圧Vf(=第3グリッド電圧/
第6グリツド電圧)の変化を第9図(a)に、またある
間隔G。のとき第4グリツドの長さG4Zを変えたとき
のフォーカス電圧Vfの変化を同図(b)に示す。第9
図からジオドラポテンシャル形レンズでは第4グリツド
の長さを僅かに変えるだけでフォーカス電圧Vfは急激
に変化する。
めにはレンズを強くしなければならないが、ジオドラポ
テンシャル形レンズはパイポテンシャル形レンズと異な
り、第3グリツド(314)−第4グリツド(315)
−第5グリツド(316)間に弱匹ユニポテンシャル形
レンズが形成されているので、第3グリツド(314)
の電位を8〜9KVに保ったままこの二二ポテンシャル
形レンズを少し強くすればジオドラポテンシャル形レン
ズ全体のレンズ作用は強くなシ、所定のターゲット上に
物点を結像させることができる。即ちレンズ性能を向上
させた状態で且つ、四極部からの電子ビームの質を悪く
することなく電子銃を使用できるのでターゲット上のビ
ームスポット径DTを小さくすることができる。前記第
3グリツド(314)−第4グリツド(315)−第5
グリツド(316)間に形成されるユニボテンしャル形
レンズを少し強くするには、第4/ IJフッド315
)の電位を少・し下げるか、第4グリツド(315)の
長さを少し長くするカーまたは第3グリツド(314)
と第4グリツド(315)及び第4グリツド(315)
と第5グリツド(316)の電極間距離を少し大きくす
ればよい。ジオトリポテンシャル形レンズではパイポテ
ンシャル形レンズと異な9、第4グリツド(315)の
長さを僅かに長くするだけでレンズ作用を強くすること
ができるので、四極部からある発散角をもって入射して
きたビームが主レンズ部で大きな径を占めることはない
。従って球面収差を強ぐ受・けることはなくなる。例え
ば適当なりオトリポテンシャル形レンズを使用した電子
銃で、第5グリツドと第6グリツドの間隔Gを変えた場
合の必要なフォーカス電圧Vf(=第3グリッド電圧/
第6グリツド電圧)の変化を第9図(a)に、またある
間隔G。のとき第4グリツドの長さG4Zを変えたとき
のフォーカス電圧Vfの変化を同図(b)に示す。第9
図からジオドラポテンシャル形レンズでは第4グリツド
の長さを僅かに変えるだけでフォーカス電圧Vfは急激
に変化する。
以上の様に第5グリツド(316)と第6グリツド(3
17)の電極間距離を大きくしたジオドラポテンシャル
形レンズを主レンズ部に使用した電子銃はターゲット上
のビームスポット径DTをかなり小さくすることができ
るが、この様な電子銃は前述した様に実用上好ましくな
い。これは、電極間距離が大きすぎるとネック内の他の
電界の影響をうけ電極間に形成されている正常なレンズ
電界を乱し、正常なレンズ作用を期待できなくなるから
である。
17)の電極間距離を大きくしたジオドラポテンシャル
形レンズを主レンズ部に使用した電子銃はターゲット上
のビームスポット径DTをかなり小さくすることができ
るが、この様な電子銃は前述した様に実用上好ましくな
い。これは、電極間距離が大きすぎるとネック内の他の
電界の影響をうけ電極間に形成されている正常なレンズ
電界を乱し、正常なレンズ作用を期待できなくなるから
である。
そこで本発明では、ジオドラポテンシャル形レンズにお
いて、第5グリツド(316)と第6グリツド(317
)の間に少なくとも1個の磁極を設けこれに第5グリツ
ド(316)の電位と第6グリツド(317)の電位の
間の適当な電位を印加することによって、結果的に第7
図(b)に示す軸上電位分布を得、レンズ性能を向上さ
せるものである。即ち、第1図乃至第3図に示す本発明
の実施例では第5グリツド(tQと第7グリツドa8の
間に第6グリツドaηを設けこれに第5グリツド(te
と第7グリツドα印の間の中高電位を与えている。
いて、第5グリツド(316)と第6グリツド(317
)の間に少なくとも1個の磁極を設けこれに第5グリツ
ド(316)の電位と第6グリツド(317)の電位の
間の適当な電位を印加することによって、結果的に第7
図(b)に示す軸上電位分布を得、レンズ性能を向上さ
せるものである。即ち、第1図乃至第3図に示す本発明
の実施例では第5グリツド(tQと第7グリツドa8の
間に第6グリツドaηを設けこれに第5グリツド(te
と第7グリツドα印の間の中高電位を与えている。
この様な電位の供給方法は、第3グリツド(141と第
5グリツド顛には第1グリツドria及び第2グリツド
a国と同様7に電子銃下部のステム(図示せず)からス
テムビン(歯示せず)を通して供給し、第7グリツド(
IIには、バルブスペーサ(イ)を通して陽極高圧端子
(図示せず)から供給する。第6グリツド圓には、第5
グリツド(Leと同様にステムからステムピンを通して
供給することもできるが、実開昭48−21561号公
報、特開昭55−64351号公報、特開昭55−15
9548号公報に示されている様に第7グリノ下α樽の
高′鴫圧から抵抗分割によって供給することもできる。
5グリツド顛には第1グリツドria及び第2グリツド
a国と同様7に電子銃下部のステム(図示せず)からス
テムビン(歯示せず)を通して供給し、第7グリツド(
IIには、バルブスペーサ(イ)を通して陽極高圧端子
(図示せず)から供給する。第6グリツド圓には、第5
グリツド(Leと同様にステムからステムピンを通して
供給することもできるが、実開昭48−21561号公
報、特開昭55−64351号公報、特開昭55−15
9548号公報に示されている様に第7グリノ下α樽の
高′鴫圧から抵抗分割によって供給することもできる。
前記実施例の詳細な仕様は例えば以下の様である。第3
グリツドIの長さは5.0龍、第4グリツド霞の長石は
1.6關、第5グリツド住eの長さは20.0鴎、第6
グリツド住ηの長さは2.0 ml@、第7グリツドα
秒の長さは6.0頭である。また第3グリツド(14)
と第4グリツド(I5及び第4グリツド(19と第5グ
リツド俣eの間隔は0.6111、第5グリツド住eと
第6グリツド(In及び第6グリツド住ηと第7グリツ
ド(1Bの間隔は1. Q mrtrで、各グリッドの
電子ビーム通過孔径は中央の通過孔で4.52mである
(但し、第3グリツドの第2グリツドに対向する面の孔
径は除く)。また電子銃先端から、即し第7グリツドα
樽の先端からスクリーン(54)までの距離は342鼎
である。
グリツドIの長さは5.0龍、第4グリツド霞の長石は
1.6關、第5グリツド住eの長さは20.0鴎、第6
グリツド住ηの長さは2.0 ml@、第7グリツドα
秒の長さは6.0頭である。また第3グリツド(14)
と第4グリツド(I5及び第4グリツド(19と第5グ
リツド俣eの間隔は0.6111、第5グリツド住eと
第6グリツド(In及び第6グリツド住ηと第7グリツ
ド(1Bの間隔は1. Q mrtrで、各グリッドの
電子ビーム通過孔径は中央の通過孔で4.52mである
(但し、第3グリツドの第2グリツドに対向する面の孔
径は除く)。また電子銃先端から、即し第7グリツドα
樽の先端からスクリーン(54)までの距離は342鼎
である。
このとき前述した様に第3グリツドIと第5グリツドα
[9には約8に■の相対的に中位の電位が与えられ、第
4グリツドαQには約700vの相対的に低位の電位が
与えられ、第7グリツドUには約25KVの相対的に高
位の電位が与えられ、第6グリツドaηには第7グリツ
ド(18と第5グリツド囲の間の中高電位である約16
.5KVが与えられている。
[9には約8に■の相対的に中位の電位が与えられ、第
4グリツドαQには約700vの相対的に低位の電位が
与えられ、第7グリツドUには約25KVの相対的に高
位の電位が与えられ、第6グリツドaηには第7グリツ
ド(18と第5グリツド囲の間の中高電位である約16
.5KVが与えられている。
この様な電子銃ではターゲット上のビームスポット径を
非常に小さくすることができる。
非常に小さくすることができる。
前記実施例では第3集束電極である第5グリツドと最終
集束電極である第7グリツドの間の第6グリツドとして
1個の′磁極しか配置されていない例を示したが1本発
明はこれに限らず、多数個の電極を配置して第3集束電
極からこれら多数イ固の電極を通して最終電極まで順次
電位が上昇する様に電位を与えてもよい。
集束電極である第7グリツドの間の第6グリツドとして
1個の′磁極しか配置されていない例を示したが1本発
明はこれに限らず、多数個の電極を配置して第3集束電
極からこれら多数イ固の電極を通して最終電極まで順次
電位が上昇する様に電位を与えてもよい。
また、前記実施例では第1集束電極である第3グリツド
と第3集束電極である第5グ1ノツト°751同電位と
なっているが、本発明はこれに限らず相対的に中位の電
位であれば異なる電位を与えてもよい。
と第3集束電極である第5グ1ノツト°751同電位と
なっているが、本発明はこれに限らず相対的に中位の電
位であれば異なる電位を与えてもよい。
さらに前記実施例では第2集束電極である第4グリツド
を第2グリツドと同電位に設定しているが、本発明はこ
れに限らず相対的に低位の′電位であれば本発明は適用
できる。即ち米国特許第3995194号に記載されて
いる様なトライポテンシャル形レンズに対しても本発明
は適用できることは言うまでもない。
を第2グリツドと同電位に設定しているが、本発明はこ
れに限らず相対的に低位の′電位であれば本発明は適用
できる。即ち米国特許第3995194号に記載されて
いる様なトライポテンシャル形レンズに対しても本発明
は適用できることは言うまでもない。
以上のように本発明によれば、主レンズ部カニ陰極部に
近い方から第1集束電極、第2集束゛磁極。
近い方から第1集束電極、第2集束゛磁極。
第3集束電極の順に配列された少なくとも5個の電極よ
り成夛、第1集束電極には相対的に中位の電位を、第2
集束電極には相対的に低位の電位を、第3集束電極には
相対的に中位の電位を与え、最終集束電極には相対的に
高位の電位を与え、第3集束′磁極と最終集束電極の間
にある少なくとも1個の集束電極には第3・集束電極電
位と最終集束電極電位の間の中高電位を与えることによ
って、極めて性能の良い陰極線管電子針を提供すること
ができ、所定のターゲット上のビームスポット径を小さ
くすることができ、高性能の陰極線管用電子銃を提供す
ることができる。
り成夛、第1集束電極には相対的に中位の電位を、第2
集束電極には相対的に低位の電位を、第3集束電極には
相対的に中位の電位を与え、最終集束電極には相対的に
高位の電位を与え、第3集束′磁極と最終集束電極の間
にある少なくとも1個の集束電極には第3・集束電極電
位と最終集束電極電位の間の中高電位を与えることによ
って、極めて性能の良い陰極線管電子針を提供すること
ができ、所定のターゲット上のビームスポット径を小さ
くすることができ、高性能の陰極線管用電子銃を提供す
ることができる。
第1図及び第2図は本発明を適用した陰極線管用電子銃
の構成を示す断面図、第3図及び第4図は第1図に示す
電子銃の集束機構を説明するだめの概略図、第5図は第
3グリツド電位Hc3とエミツタンスεの関係を示す特
性図、第6図(al、第6図(b)、第6図(C)及び
第7図(a)、第7図(b)はそれぞれ主レンズ部の形
態と対応する軸上電位分布を示す概略図、第8図fa)
は第3グリツドと第4グリツドの間隔Gとフォーカス電
圧Vfの関係を示す特性図、第8図(b)は第3グリヅ
ドの長さGslとフォーカス電圧Vfの関係を示す特性
図、第9図(alは第5グリツドと第6グリツドの間隔
Gとフォーカス電圧Vfの関係を示す特性図、第9図(
b)は第4グリツドの長さG、/とフォーカス電圧Vf
の関係を示す特性図である。 (1)・・電子銃 (2)・・・絶縁支持体 ■・・第3グリツド(第1集束電極) a9・・・第4グリツド(第21 ) 10・・・第5グリツド(第3 t )Qn・・第6グ
リツド(第4 #1 )a8・・・第7グリツド(第5
〃 )代理人 弁理土用 近 憲 佑 (ほか1名)
ほ − ミ ミ −4 第 6 図 (C) 第7図 (1)
の構成を示す断面図、第3図及び第4図は第1図に示す
電子銃の集束機構を説明するだめの概略図、第5図は第
3グリツド電位Hc3とエミツタンスεの関係を示す特
性図、第6図(al、第6図(b)、第6図(C)及び
第7図(a)、第7図(b)はそれぞれ主レンズ部の形
態と対応する軸上電位分布を示す概略図、第8図fa)
は第3グリツドと第4グリツドの間隔Gとフォーカス電
圧Vfの関係を示す特性図、第8図(b)は第3グリヅ
ドの長さGslとフォーカス電圧Vfの関係を示す特性
図、第9図(alは第5グリツドと第6グリツドの間隔
Gとフォーカス電圧Vfの関係を示す特性図、第9図(
b)は第4グリツドの長さG、/とフォーカス電圧Vf
の関係を示す特性図である。 (1)・・電子銃 (2)・・・絶縁支持体 ■・・第3グリツド(第1集束電極) a9・・・第4グリツド(第21 ) 10・・・第5グリツド(第3 t )Qn・・第6グ
リツド(第4 #1 )a8・・・第7グリツド(第5
〃 )代理人 弁理土用 近 憲 佑 (ほか1名)
ほ − ミ ミ −4 第 6 図 (C) 第7図 (1)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも陰極を含む電子ビーム発生部とこの電子ビー
ムを所定のスクリーン上に集束させる主レンズ部よ構成
る陰極線管用電子銃において、前記主レンズ部を構成す
る電極が前記電子ビーム発生部に近い方から第1集束電
極、第2集束電極。 第3集束電極の順に配列された少なくとも5個の電極よ
り成シ、それぞれ前記電子ビーム径路に整合した開孔を
有し、前記第1集束電極には相対的に中位の電位が、前
記第2集束電極には相対的に低位の電位が、前記第3集
束電極には相対的に中位の電位が与えられ、最終集束電
極には相対的に高位の電位が与えられ、前記第3集束電
極と前記最終集束電極の間にある少なくとも1個以上の
集束電極には前記第3集束電極電位と前記最終集束電極
電位の間の電位が与えられていることを特徴とする陰極
線管用電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654083A JPS6039741A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 陰極線管用電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654083A JPS6039741A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 陰極線管用電子銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039741A true JPS6039741A (ja) | 1985-03-01 |
| JPH0564410B2 JPH0564410B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=15409957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14654083A Granted JPS6039741A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 陰極線管用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000063945A1 (fr) * | 1999-04-15 | 2000-10-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Canon electronique trc |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5177061A (en) * | 1974-11-29 | 1976-07-03 | Rca Corp | Denshiju |
| JPS5489472A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Toshiba Corp | Electron gun for cathode-ray tube |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP14654083A patent/JPS6039741A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5177061A (en) * | 1974-11-29 | 1976-07-03 | Rca Corp | Denshiju |
| JPS5489472A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Toshiba Corp | Electron gun for cathode-ray tube |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000063945A1 (fr) * | 1999-04-15 | 2000-10-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Canon electronique trc |
| US6664725B2 (en) | 1999-04-15 | 2003-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | CRT electron gun with a plurality of electrodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564410B2 (ja) | 1993-09-14 |
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