JPS6040116B2 - イオン注入バブルデバイスにおける駆動パタ−ンのアウトサイドタ−ン形状 - Google Patents
イオン注入バブルデバイスにおける駆動パタ−ンのアウトサイドタ−ン形状Info
- Publication number
- JPS6040116B2 JPS6040116B2 JP57181469A JP18146982A JPS6040116B2 JP S6040116 B2 JPS6040116 B2 JP S6040116B2 JP 57181469 A JP57181469 A JP 57181469A JP 18146982 A JP18146982 A JP 18146982A JP S6040116 B2 JPS6040116 B2 JP S6040116B2
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- Japan
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- bubble
- drive pattern
- ion implantation
- pattern
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- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
｛１’ 発明の技術分野
本発明はイオン注入法で作成される磁気バブルメモリデ
バイスにおける駆動パターンのアウトサイドターン形状
に関するものである。
バイスにおける駆動パターンのアウトサイドターン形状
に関するものである。
｛２｝ 技術の背景
磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力、機械的要素を全く含まない固体素子である等の特
徴をもち、大容量メモリとして将来が期待されている。
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力、機械的要素を全く含まない固体素子である等の特
徴をもち、大容量メモリとして将来が期待されている。
このような磁気バブルメモリ装置にも最近の情報量の増
加、装置の小型化要求などにより記憶密度の向上が求め
られている。このため最近、バブル転送路をイオン注入
法により形成して記憶密度を高度化する方法が開発され
ている。この方法は第１図ａの平面図及び第１図ｂの断
面図に示す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
基板１の上にバブル用結晶となる磁性ガーネットの薄膜
２を液相ェピタキシヤル成長法により形成し、この磁性
薄膜２に対し、駆動パターン３以外の部分４に水素、ネ
オン、ヘリウム等のイオンを注入するのである。
加、装置の小型化要求などにより記憶密度の向上が求め
られている。このため最近、バブル転送路をイオン注入
法により形成して記憶密度を高度化する方法が開発され
ている。この方法は第１図ａの平面図及び第１図ｂの断
面図に示す如く、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
基板１の上にバブル用結晶となる磁性ガーネットの薄膜
２を液相ェピタキシヤル成長法により形成し、この磁性
薄膜２に対し、駆動パターン３以外の部分４に水素、ネ
オン、ヘリウム等のイオンを注入するのである。
このようにして駆動パターン３を形成した素子はイオン
を注入された部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面
内方向と一致し、駆動パターン部分３の磁化容易軸方向
は矢印Ｂの如くもとのままの面内方向と垂直である。従
ってバイアス磁界及び回転駆動磁界を印加することによ
りバブル２は駆動パターン３の周縁に沿って矢印ｃの如
く転送される。そしてこのパターンは円形や４角形等か
らなる小領域パターンをその一部が重なるようにして列
状に並べた形状（連接ディスクパターン）であり、従来
のパーマロィドパターンの如くギャップを必要としない
ため寸法精度が緩くとも良く、従ってパターンが小さく
でき高密度化が実現される。またこのイオン注入による
駆動パターン３を用いると第２図に示す如く回転磁界を
印加するとバブルは当然談パターン３の周緑に沿って移
動する。またこのような磁性薄膜にはストライプ・アウ
トこれやすし、軸が３方向〔１２１〕，〔１１２〕，〔
２１１〕に１２００の間隔をなして存在し、これら１２
０ｏの間隔をなす容易磁化軸に対し駆動パターン３の方
向が図に示す関係位置によってスーパー・トラックｓと
、パッド・トラックｂと、グッド・トラックｇの３通り
のバブル移動通路ができる。｛３’ 従来技術と問題点 第３図乃至第５図はこのようなイオン注入バブルデバイ
スがメジャーマイナーループ構成をとった場合に、バブ
ルのストライプ困難方向（ストライプ容易方向の反対方
向である〔１２１〕，〔１１２〕，〔２１１〕方向）、
つまりスーパートラック側にカスプをもつマイナールー
プのアウトサイドターン形状を示す図であり、第３図及
び第４図は２本のループをＵ字状に接続したマイナール
ープで、アウトサイドターン部にカスブを第３図は２個
、第４図は１個もつもの、第５図は４角形を連接したダ
イヤモンド形パターンをそれぞれ示す。
を注入された部分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面
内方向と一致し、駆動パターン部分３の磁化容易軸方向
は矢印Ｂの如くもとのままの面内方向と垂直である。従
ってバイアス磁界及び回転駆動磁界を印加することによ
りバブル２は駆動パターン３の周縁に沿って矢印ｃの如
く転送される。そしてこのパターンは円形や４角形等か
らなる小領域パターンをその一部が重なるようにして列
状に並べた形状（連接ディスクパターン）であり、従来
のパーマロィドパターンの如くギャップを必要としない
ため寸法精度が緩くとも良く、従ってパターンが小さく
でき高密度化が実現される。またこのイオン注入による
駆動パターン３を用いると第２図に示す如く回転磁界を
印加するとバブルは当然談パターン３の周緑に沿って移
動する。またこのような磁性薄膜にはストライプ・アウ
トこれやすし、軸が３方向〔１２１〕，〔１１２〕，〔
２１１〕に１２００の間隔をなして存在し、これら１２
０ｏの間隔をなす容易磁化軸に対し駆動パターン３の方
向が図に示す関係位置によってスーパー・トラックｓと
、パッド・トラックｂと、グッド・トラックｇの３通り
のバブル移動通路ができる。｛３’ 従来技術と問題点 第３図乃至第５図はこのようなイオン注入バブルデバイ
スがメジャーマイナーループ構成をとった場合に、バブ
ルのストライプ困難方向（ストライプ容易方向の反対方
向である〔１２１〕，〔１１２〕，〔２１１〕方向）、
つまりスーパートラック側にカスプをもつマイナールー
プのアウトサイドターン形状を示す図であり、第３図及
び第４図は２本のループをＵ字状に接続したマイナール
ープで、アウトサイドターン部にカスブを第３図は２個
、第４図は１個もつもの、第５図は４角形を連接したダ
イヤモンド形パターンをそれぞれ示す。
各図において、３はパターン、ａはカスブ、矢印ｂはバ
ブルの進行方向、６は結晶軸方向をそれぞれ示す。従来
このようなタイプはいずれにおいても先端のティップ間
の距離Ｌ．は他のティップ間の距離Ｌと等しくなってい
た。このため、これらのコーナーパターンではバイアス
磁界が低いときに先端のティップ間でバブルが一方のテ
ィップｃから隣りのループのテイツプｄへ飛び移るエラ
ーを生ずるという欠点があった。■ 発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、バブルが隣接ループへ
飛び移るエラー回避し、動作マージンの下限を拡大した
イオン注入バブルデバイスにおける駆動パターンのアウ
トサイドターン形状を提供することを目的とするもので
ある。
ブルの進行方向、６は結晶軸方向をそれぞれ示す。従来
このようなタイプはいずれにおいても先端のティップ間
の距離Ｌ．は他のティップ間の距離Ｌと等しくなってい
た。このため、これらのコーナーパターンではバイアス
磁界が低いときに先端のティップ間でバブルが一方のテ
ィップｃから隣りのループのテイツプｄへ飛び移るエラ
ーを生ずるという欠点があった。■ 発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、バブルが隣接ループへ
飛び移るエラー回避し、動作マージンの下限を拡大した
イオン注入バブルデバイスにおける駆動パターンのアウ
トサイドターン形状を提供することを目的とするもので
ある。
■ 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル用結晶に
対し、バブルの駆動パターンとなる領域を除く該結晶の
全面にイオン注入層を形成して、非イオン注入の小領域
パターンが連接する駆動パターンをバブル転送路とした
イオン注入バブルデバイスにおいて、前記駆動パターン
の〔１２１〕，〔２１１〕もしくは〔１１２〕側の端部
に形成される小領域パターンの少なくとも１個は隣接す
る駆動パターンとのティップ間の距離が大となるように
、ティツプの高さを少なくともバブルの直径分だけ低く
形成したことを特徴とするイオン注入バブルデバイスに
おける駆動パターンのアウトサイドターン形状を提供す
ることによって達成される。
対し、バブルの駆動パターンとなる領域を除く該結晶の
全面にイオン注入層を形成して、非イオン注入の小領域
パターンが連接する駆動パターンをバブル転送路とした
イオン注入バブルデバイスにおいて、前記駆動パターン
の〔１２１〕，〔２１１〕もしくは〔１１２〕側の端部
に形成される小領域パターンの少なくとも１個は隣接す
る駆動パターンとのティップ間の距離が大となるように
、ティツプの高さを少なくともバブルの直径分だけ低く
形成したことを特徴とするイオン注入バブルデバイスに
おける駆動パターンのアウトサイドターン形状を提供す
ることによって達成される。
‘６’発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第６図乃至第８図は本発明によるイオン注入バブルデバ
イスにおける駆動パターンのアウトサイドターン形状を
説明するための図であり、第６図及び第７図は２本の駆
動パターンをＵ字状に接続したマイナーループ駆動パタ
ーンで、アウトサイドターン部にカスブを第６図は２個
、第７図は１個もつもの、第８図は４角形を連接したダ
イアモード形パターンをそれぞれ示す。各図において、
７はＵ字状のマイナーループ駆動パターン、ａはカスブ
、矢印ｂはバブルの進行方向、８は駆動パターン７の小
領域パターン、９は結晶軸方向をそれぞれ示す。本実施
例は、第６図〜第８図に示す何れにおいても、〔１２１
〕側（〔２１１〕又は〔１１２〕側でも同様）の端部に
形成されたパターン８を隣接する駆動パターンであるル
ープ７とのティップ間の距離Ｌが大となるようにティッ
ブｃ，ｄの高さを少なくともバブル径だけ低く形成した
ものである。
イスにおける駆動パターンのアウトサイドターン形状を
説明するための図であり、第６図及び第７図は２本の駆
動パターンをＵ字状に接続したマイナーループ駆動パタ
ーンで、アウトサイドターン部にカスブを第６図は２個
、第７図は１個もつもの、第８図は４角形を連接したダ
イアモード形パターンをそれぞれ示す。各図において、
７はＵ字状のマイナーループ駆動パターン、ａはカスブ
、矢印ｂはバブルの進行方向、８は駆動パターン７の小
領域パターン、９は結晶軸方向をそれぞれ示す。本実施
例は、第６図〜第８図に示す何れにおいても、〔１２１
〕側（〔２１１〕又は〔１１２〕側でも同様）の端部に
形成されたパターン８を隣接する駆動パターンであるル
ープ７とのティップ間の距離Ｌが大となるようにティッ
ブｃ，ｄの高さを少なくともバブル径だけ低く形成した
ものである。
なおＬをそのままとしてテイツプｃ又はｄの何れか一方
のみを低くしても良い。このように形成された本実施例
はコーナー部先端のティップ間の距離が大となるためバ
ブルが飛び移るエラーが減少し、バイアスマージンの下
限が拡大される。
のみを低くしても良い。このように形成された本実施例
はコーナー部先端のティップ間の距離が大となるためバ
ブルが飛び移るエラーが減少し、バイアスマージンの下
限が拡大される。
第９図は本発明の実施例と従来例のバイアスマージンを
比較して示した図である。同図において機軸に駆動磁界
を、縦軸にバイアス磁界をとり、曲線Ａにより本実施例
の場合の特性、曲線Ｂにより従釆例の特性を示した。な
お本実施例の場合は、第６図に示す形状で、Ｐ＝２０一
ｍ，Ｌ。＝５Ａｍ，Ｌ＝Ｌ。十３仏ｍ＝８山ｍとしたも
のであり、従来例は第４図のＰ＝２０ｒｍ，Ｌ＝Ｌ，＝
５仏ｍとした場合である。図よりマージンの下限及び最
小駆動磁界が改良されていることがわかる。
比較して示した図である。同図において機軸に駆動磁界
を、縦軸にバイアス磁界をとり、曲線Ａにより本実施例
の場合の特性、曲線Ｂにより従釆例の特性を示した。な
お本実施例の場合は、第６図に示す形状で、Ｐ＝２０一
ｍ，Ｌ。＝５Ａｍ，Ｌ＝Ｌ。十３仏ｍ＝８山ｍとしたも
のであり、従来例は第４図のＰ＝２０ｒｍ，Ｌ＝Ｌ，＝
５仏ｍとした場合である。図よりマージンの下限及び最
小駆動磁界が改良されていることがわかる。
‘７ー 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明のイオン注入バブ
ルデバイスにおける駆動パターンアウトサイドターン形
状は先端の小領域パターンを細くすることにより、隣後
する駆動パターンへのバブルの飛び移りのエラーを防止
し、バイアスマージンの下限の拡大と、最小駆動磁界の
低減を可能とした効果大なるものである。
ルデバイスにおける駆動パターンアウトサイドターン形
状は先端の小領域パターンを細くすることにより、隣後
する駆動パターンへのバブルの飛び移りのエラーを防止
し、バイアスマージンの下限の拡大と、最小駆動磁界の
低減を可能とした効果大なるものである。
第１図はイオン注入バブルデバイスを説明するための図
、第２図はその結晶方向と転送路との関係を説明するた
めの図、第３図乃至第５図は従来のイオン注入バブルデ
バイス用アウトサイド夕−ン形状を説明するための図、
第６図乃至第８図は本発明によるイオン注入バブルデバ
イス用アウトサイドターン形状を説明するための図、第
９図は本発明によるイオン注入バブルデバイス用アウト
サイドターンのバイアスマージンを従来例と比較して示
した特性図である。 図面において、７は駆動パターン、８は小領域パターン
、９は結晶軸方向、矢印ｂはバブルの転送方向をそれぞ
れ示す。 第１図 第２図 第５図 第３図 第４図 第６図 第７図 第８図 第９図
、第２図はその結晶方向と転送路との関係を説明するた
めの図、第３図乃至第５図は従来のイオン注入バブルデ
バイス用アウトサイド夕−ン形状を説明するための図、
第６図乃至第８図は本発明によるイオン注入バブルデバ
イス用アウトサイドターン形状を説明するための図、第
９図は本発明によるイオン注入バブルデバイス用アウト
サイドターンのバイアスマージンを従来例と比較して示
した特性図である。 図面において、７は駆動パターン、８は小領域パターン
、９は結晶軸方向、矢印ｂはバブルの転送方向をそれぞ
れ示す。 第１図 第２図 第５図 第３図 第４図 第６図 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁器バブル用結晶に対し、バブルの駆動パターンと
なる領域を除く該結晶の全面にイオン注入層を形成して
、非イオウ注入の小領域パターンが連接する駆動パター
ンをバブル転送路としたイオン注入バブルデバイスにお
いて、前記駆動パターンの〔１２１〕、〔２１１〕もし
くは〔１１２〕側の端部に形成される前記小領域パター
ンの少なくとも１個は隣接する前記駆動パターンとのテ
イツプ間の距離が大となるように、テイツプの高さを少
なくともパブルの直径分だけ低く形成したことを特徴と
するイオン注入バブルデバイスにおりる駆動パターンの
アウトサイドターン形状。 ２ 前記駆動パターンがマイナーループを形成するパタ
ーンであることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載
のイオン注入バブルデバイスにおける駆動パターンのア
ウトサイドターン形状。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181469A JPS6040116B2 (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | イオン注入バブルデバイスにおける駆動パタ−ンのアウトサイドタ−ン形状 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181469A JPS6040116B2 (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | イオン注入バブルデバイスにおける駆動パタ−ンのアウトサイドタ−ン形状 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5971190A JPS5971190A (ja) | 1984-04-21 |
| JPS6040116B2 true JPS6040116B2 (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=16101294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181469A Expired JPS6040116B2 (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | イオン注入バブルデバイスにおける駆動パタ−ンのアウトサイドタ−ン形状 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040116B2 (ja) |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP57181469A patent/JPS6040116B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5971190A (ja) | 1984-04-21 |
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