JPS6041265A - ダイオ−ド - Google Patents
ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6041265A JPS6041265A JP58149885A JP14988583A JPS6041265A JP S6041265 A JPS6041265 A JP S6041265A JP 58149885 A JP58149885 A JP 58149885A JP 14988583 A JP14988583 A JP 14988583A JP S6041265 A JPS6041265 A JP S6041265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- substrate
- resistance
- holes
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超高周波帯で使用されるマイクロ波ダイオード
、特にＰＩＮダイオードに関するものである。
、特にＰＩＮダイオードに関するものである。
近年、超高周波帯装置のマイクロ波集積回路化に伴い、
用いられるダイオードは小形で浮遊リアクタンスが小さ
いこと、又実装が便利なこと等が要求されることから、
ビームリード形ダイオードが多く使用されている。特に
フェーズドアレイレーダーにおいては使用するＰＩＮダ
イオード素子の数量が多く、このシステムを集積化する
ためにはビームリード形ＰＩＮダイオードが望ましい。
用いられるダイオードは小形で浮遊リアクタンスが小さ
いこと、又実装が便利なこと等が要求されることから、
ビームリード形ダイオードが多く使用されている。特に
フェーズドアレイレーダーにおいては使用するＰＩＮダ
イオード素子の数量が多く、このシステムを集積化する
ためにはビームリード形ＰＩＮダイオードが望ましい。
この目的に沿って種々のビームリード形ＰＩＮダイオー
ドが開発発表されている。この例を第１．２図に示す。
ドが開発発表されている。この例を第１．２図に示す。
第１図は高抵抗シリコン基板１に要求特性に応じて所定
の間隔を開けてＰ 層２及びｎ 層３を拡散等によって
形成し、この２層２． ｎ 層３からそれぞれ絶縁膜６
上に形成された電極リード８に電極を取り出したもので
ある。これは構造的に簡単で量産性に適しているが深い
拡散層が得られないために直流および高周波信号に対す
る直列抵抗が太きくなるという欠点をもっている。
の間隔を開けてＰ 層２及びｎ 層３を拡散等によって
形成し、この２層２． ｎ 層３からそれぞれ絶縁膜６
上に形成された電極リード８に電極を取り出したもので
ある。これは構造的に簡単で量産性に適しているが深い
拡散層が得られないために直流および高周波信号に対す
る直列抵抗が太きくなるという欠点をもっている。
第２図は第１図の構造の場合とブレークダウン電圧、容
量等の点で同じ電気的特性を満足しかつ直列抵抗を減少
せんとするための構造である。これは第１図と同様に所
定の間隔をへだてた２層２゜ｎ 層３を形成する部分の
シリコン基板１にエツチングにて所定の深さのポケット
状の穴４を形成した後にＰ 層２． ｎ 層３をそれぞ
れ拡散等によって形成したものである。この構造は直流
および高周波信号に対する直列抵抗を減少することが出
来るがその製造が複雑化するとともにポケット状に開け
た穴４上の電極リード８が平面性を失ない、大端部にお
いて断切れを起こす等量産性には極めて不向きである。
量等の点で同じ電気的特性を満足しかつ直列抵抗を減少
せんとするための構造である。これは第１図と同様に所
定の間隔をへだてた２層２゜ｎ 層３を形成する部分の
シリコン基板１にエツチングにて所定の深さのポケット
状の穴４を形成した後にＰ 層２． ｎ 層３をそれぞ
れ拡散等によって形成したものである。この構造は直流
および高周波信号に対する直列抵抗を減少することが出
来るがその製造が複雑化するとともにポケット状に開け
た穴４上の電極リード８が平面性を失ない、大端部にお
いて断切れを起こす等量産性には極めて不向きである。
本発明の目的は上記の欠点を解消し、直列抵抗が小さく
量産効果の大きいＰＩＮダイオードを提供することにあ
る。
量産効果の大きいＰＩＮダイオードを提供することにあ
る。
本発明のマイクロ波ダイオードは一導電型のシリコン基
板に所定の間隔を有する導電型の異なった２個の多結晶
シリコン領域を有し、一方の多結晶シリコン領域から一
導電型の不純物がシリコン基板の第１の領域に拡散され
、他方の多結晶シリコン領域から他の導電型を有する不
純物がシリコン基板の第２の領域に拡散され、これら第
１０領域と＠２の領域とは互いに対向して設けられてい
るものである。
板に所定の間隔を有する導電型の異なった２個の多結晶
シリコン領域を有し、一方の多結晶シリコン領域から一
導電型の不純物がシリコン基板の第１の領域に拡散され
、他方の多結晶シリコン領域から他の導電型を有する不
純物がシリコン基板の第２の領域に拡散され、これら第
１０領域と＠２の領域とは互いに対向して設けられてい
るものである。
以下、図面を参照して本発明のマイクロ波ダイオードと
してのＰＩＮダイオードの一実施例をよシ詳細に説明す
る。
してのＰＩＮダイオードの一実施例をよシ詳細に説明す
る。
第３図及び第４図は本発明による実施例のビームリード
形ＰＩＮダイオードの平面図と断面図を示す。これは高
比抵抗シリコン基板ｌｏ内の所定の部分に３〜５μ程度
の深さ穴を形成し、この穴をＡｓ等の不純物を含んだＮ
型多結晶シリコン１１によって充填してシリコン基板１
０表面と多結晶シリコン１１表面とを同じくする。又、
シリコン基板上のＮ型多結晶シリコン１】を有する穴と
対向する所定の位置に先と同様の穴を形成し、この穴に
Ｂ等の不純物を含んだＰ型多結晶シリコン１２を充填す
る。これら多結晶シリコンの充填は、シリコン基板１０
の所定部を陽極酸化によシ多孔質化し、ここに不純物を
拡散しても良い。その後、酸化膜、窒化膜等の絶縁膜１
３を形成し、所定の温度によって高抵抗シリコン基板１
０へ多結晶シリコン１１，１２に含まれるＡ ８１ Ｂ
等をそれぞれ拡散することによって高抵抗領域１４をは
さんでＮ 領域１５とＰ 領域１６が形成される。この
時、シリコン基板１０および多結晶シリコン１１゜１２
上には絶縁膜１３が形成されているが、このうち多結晶
シリコン１１．１２上の絶縁膜をエツチング等により選
択的に除去して電極窓１７ｔ−開ける。そしてこの電極
窓１７を通して蒸着、メッキ法等によシビームリード用
金属導体１８を形成し、ＰＩＮダイオードを形成する。
形ＰＩＮダイオードの平面図と断面図を示す。これは高
比抵抗シリコン基板ｌｏ内の所定の部分に３〜５μ程度
の深さ穴を形成し、この穴をＡｓ等の不純物を含んだＮ
型多結晶シリコン１１によって充填してシリコン基板１
０表面と多結晶シリコン１１表面とを同じくする。又、
シリコン基板上のＮ型多結晶シリコン１】を有する穴と
対向する所定の位置に先と同様の穴を形成し、この穴に
Ｂ等の不純物を含んだＰ型多結晶シリコン１２を充填す
る。これら多結晶シリコンの充填は、シリコン基板１０
の所定部を陽極酸化によシ多孔質化し、ここに不純物を
拡散しても良い。その後、酸化膜、窒化膜等の絶縁膜１
３を形成し、所定の温度によって高抵抗シリコン基板１
０へ多結晶シリコン１１，１２に含まれるＡ ８１ Ｂ
等をそれぞれ拡散することによって高抵抗領域１４をは
さんでＮ 領域１５とＰ 領域１６が形成される。この
時、シリコン基板１０および多結晶シリコン１１゜１２
上には絶縁膜１３が形成されているが、このうち多結晶
シリコン１１．１２上の絶縁膜をエツチング等により選
択的に除去して電極窓１７ｔ−開ける。そしてこの電極
窓１７を通して蒸着、メッキ法等によシビームリード用
金属導体１８を形成し、ＰＩＮダイオードを形成する。
そしてダイオード機能を持った部分以外のシリコン基板
１ｏを化学エツチング等によシ除去しビームリード形Ｐ
ＩＮダイオードが形成される。
１ｏを化学エツチング等によシ除去しビームリード形Ｐ
ＩＮダイオードが形成される。
このようにして形成した本実施例のＰＩＮダイオードに
よれば、不純物を含んだ多結晶シリコン１１゜１２が高
抵抗シリコン基板１０に設けられた所定ノ深すの穴に充
填され、この多結晶シリコン１１゜１２中に含まれる不
純物が拡散源となっているため・第１図に示す従来の実
施例のものにくらべよシ深い拡散層が得られる。このた
め、表面再結合５− によるキャリアの寿命の減少を緩和し、ダイオードの直
列抵抗を減少することが出来る◎又、従来例では、直列
抵抗を減少させるために設けた第２図に示しだような穴
４が、本発明の実施例では多結晶シリコン１１・１２に
よって充填されているためリード１８の平面性を保つこ
とができ、量産性に優れたＰＩＮダイオードを製造でき
る。
よれば、不純物を含んだ多結晶シリコン１１゜１２が高
抵抗シリコン基板１０に設けられた所定ノ深すの穴に充
填され、この多結晶シリコン１１゜１２中に含まれる不
純物が拡散源となっているため・第１図に示す従来の実
施例のものにくらべよシ深い拡散層が得られる。このた
め、表面再結合５− によるキャリアの寿命の減少を緩和し、ダイオードの直
列抵抗を減少することが出来る◎又、従来例では、直列
抵抗を減少させるために設けた第２図に示しだような穴
４が、本発明の実施例では多結晶シリコン１１・１２に
よって充填されているためリード１８の平面性を保つこ
とができ、量産性に優れたＰＩＮダイオードを製造でき
る。
第１図、第２図はそれぞれ従来のビームリード形ＰＩＮ
ダイオードを示す断面図、第３図および第４図は、本発
明の一実施例によるビームリード形ＰＩＮダイオードを
示す平面図および断面図である０ １．１０．１４・−・・・・高抵抗シリコン基板、２゜
１６・・・・・・Ｐ 層、３．１５・・・・・・Ｎ 層
、４・・・・・・穴部、６．１３・・・中絶縁膜、８．
１８・・・・・・金属リード、１１・・・・・・Ｎ型多
結晶シリコン、１２・・・・・・Ｐ型多結晶シリコン、
１７・・・・・・電極窓。 代理人 弁理士 内 原 晋Ｇ？ｂ −ら −
ダイオードを示す断面図、第３図および第４図は、本発
明の一実施例によるビームリード形ＰＩＮダイオードを
示す平面図および断面図である０ １．１０．１４・−・・・・高抵抗シリコン基板、２゜
１６・・・・・・Ｐ 層、３．１５・・・・・・Ｎ 層
、４・・・・・・穴部、６．１３・・・中絶縁膜、８．
１８・・・・・・金属リード、１１・・・・・・Ｎ型多
結晶シリコン、１２・・・・・・Ｐ型多結晶シリコン、
１７・・・・・・電極窓。 代理人 弁理士 内 原 晋Ｇ？ｂ −ら −
Claims (1)
- 一導電型の高抵抗シリコン基板上に所定の幅を隔てて、
所定の深さの２個の穴が形成され、この穴のそれぞれに
、異なった導電型を有する多結晶シリコン層が充填され
、これにょシ互に異なった導電型の低抵抗不純物領域が
上記高抵抗シリコンをはさんで形成されることを特徴と
するダイオード０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149885A JPS6041265A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149885A JPS6041265A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041265A true JPS6041265A (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=15484762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149885A Pending JPS6041265A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041265A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188282A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-08-17 | テイア−ルダブリユ− インコ−ポレ−テツド | モノリシツク装置及びその製造方法 |
| US5124066A (en) * | 1989-02-27 | 1992-06-23 | Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. | Storage-stable enzymatic liquid detergent composition |
| JPH0475259U (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-30 |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP58149885A patent/JPS6041265A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188282A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-08-17 | テイア−ルダブリユ− インコ−ポレ−テツド | モノリシツク装置及びその製造方法 |
| US5124066A (en) * | 1989-02-27 | 1992-06-23 | Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. | Storage-stable enzymatic liquid detergent composition |
| JPH0475259U (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-30 |
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