JPS604271A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は太陽電池の製造方法（二係り、特（二高４゛孕
性を維持しながら低コスト化を満足する結晶粒ｙｒ−を
有する半導体基板を用いた太陽電池の製造エイ呈の改良
に関するものである。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来、太陽光な光電変換するにはシ１ｊコン単結れてい
る。

その−例を第１図（二より説明すると、例え（ず厚さ０
．３〜０．４非のＰ型シリコン単結晶基板（１）の表面
から０．２〜０．６μｍの深さく二熱拡散等の方法によ
ｌＪｉ拡散層（２）が設けられて破線で示すｐｎ接合部
を形成しており、この計拡散層（２）（二元が当るよう
（二格子電極（３）、Ｐ型シリコン単結晶基板（１）の
裏面（二は全面（−わたり裏面電極が形成されている。

また空気中から計拡散層（２）Ｌ二元が入射するとき（
二表面で光の一部が反射されるが、この反射（−よる損
失を改善するため（二通常表面には反射防止膜（５）が
形成されている。これはｎ型シリコン単結晶基板にｐ＋
拡散層を形成したものでも同じである。

このような太陽電池の製造方法（二は槙々のものが知ら
れているが、太陽電池の製造方法はｐＨ接合形成工程、
電極形成工程２反射防止膜形成工程の３工程に大別でき
る。

このうちｐＨ接合形成工程には、従来より基板と異なる
導電型の不純物を含む雰囲気中で基板を高温に保ち、不
純物の４１；３により基板中に不純物を拡散させる拡散
炉を用いる方法が一般的であり。

均一性、量産性の点から広く採用されている。その他、
ｐｎ接合の形成にはイオン注入法やエピタキシ苓ル成長
法も半尋体＃、業界では行われているが。

太陽電池用としては生産性が低いため、あまり使用され
ていない。

また反射防止膜形成工程には従来蒸着法、スピンコーテ
ィング法などが一般に試みられてきたが、実用的には特
別にコーティング層を設けない方法エツチング性を利用
した異方性エツチング面を形成する方法がとられている
。

上述のようにｐｎ接合形成工程と、反射防止膜形成工程
については現状の単結晶シリコン基板を用いて低価格化
を指向した場合、それぞれ、不純物熱拡散と異方性エツ
チング面が、現状では最も好ましい。

一方、シリコン基板自体に安価な多結晶シリコンや、リ
ボン結晶シリコンを使用することが最近試みられ、一部
製晶化されている。これらについては基板中にさまざま
な方位の結晶粒が存在するところから、異方性エツチン
グを行っても良好な反射防止効果が得られない。

すなわち（１００）面に近い方位の而は比較的異方性エ
ツチングされるが、他の方位を有する面は等性的にエツ
チングされたり、そのレートが異なるため、単に粒界に
段差が生じるのみで反射防止（二ならない。従ってこの
ような結晶粒界を有する安価な基板に対しては反射防止
膜を形成しなければならず、この場合、仮封防止材料に
予め、ドーパントを混入した溶液を塗布形成後、焼成に
よって反射防止膜形成と接合形成とを同時に行う方法が
現状では一谷船縮された工程と考えられる。

次（二集電菟極を形成する１１１極形成工程について幻
、蒸儀法やスパッタリング法により、金属薄膜を形成す
る方法がＪνも信頼性の点で優れているものの、極めて
処理能力が低いものとして低価格を指向の点では優れて
いるものの、極めて処理能力が低いものとして、低価格
を指向した量産工程からは敬遠されている。

このｔｉ量産工程実用化されている電極形成工程として
は、印刷法によるものと、めっき法によるものとがある
。

この内、印刷法（二よるものは原飼料として高価な銀を
多嵐に含むベーストを使用することが通常であり、現状
ではともがく、近い将来における全体コストの低下時に
は使用がむずがしくなる。この銀に替イっる卑金属を主
成分とするペースト甲、現在のところ、太陽電池用には
Ｐ型の高濃度層（８８Ｆ）を作る場合のアルミニウムペ
ーストがあるが、このアルミニウムペーストｔｒｉ、　
電極用として使用することがむずかしい。

また印刷法による電極では、後処理として高温の焼成工
程が必要であるし、Ｈ７ｆにその後、表面の酸化した層
をエツチング除去しないと、半ＦＢのつきが悪＜、実用
化できない。捷た、このエツチング除去には通常弗酸を
使用するが、この場合、印刷電極金属が介在すると、基
板にステイニング現象を起こし、１．み状の汚れを生じ
ることがある。

また銀が表面に露出した電極は、長期的な使用時に酸化
が進行し、更にかつ色に変色して商品価値を低下させた
（３、賽子のｉＦｉ列抵抗抵抗９大して、特性の低下を
きたすことがしばしばあった。更に印刷電極は基板との
密着性が悪く、電極剥離事故を起すことがあり、信頼性
の点で問題がある。

他方、めっき電極は、ニッケル、銅など、比較的安価に
材料を効率よく形成できるので量産用にむいているが、
電極を形成しない部分の基板上にマスクを形成する工程
と従来の単結晶シリコン基板では密煎件の点で電極形成
後に４００〜５００℃のシンターを行う工程を有し、工
程を複雑なものにしていた。即ち、マスクを形成する工
程≦二おいてけ半稈体ノ、１・折中への汚染の混入を嫌
い、半導体工業で一般的なフォトレジストの塗布・乾燥
、光露光、現像、エツチングをＪｌｌｊ′ｉ次行う方法
が用いられる。また高温でのシンターに金１の基板中へ
の拡散を併う点から効率向上に有利とされている接合深
さを浅くすることが不可能である。

以上より、太陽電池低価格化の為に結晶粒界を有する安
価な基板を用い、複雑なめっき用マスク形成工程や高温
でのシンタ一工程を省き、かっ電イ返の密着性、零子イ
ｑ；の良好なめつき電極形成工程が要望されていた。

〔発明の目的〕

本発明は上述した問題点及び要望（二鑑みｋされたもの
であり、めっきの下地と々る基板を密着性の点から好ま
しい結晶粒界を有する基板に選び、高温シンタ一工程が
省け、／ハつその結果、安価なめつき、レジストを最初
からパター状（＝形成することができるよう（−して工
程の簡略化を計った高性能、低価格の太陽電池を得るこ
とが可能力太陽電池の製造方法を提供することを目的と
している。

〔発明の軒要〕

本発明の太陽電池の製造方法は、結晶粒界に多少の段差
を有し、めっき電極として好ましい状態の半導体基板を
用意し、この半導体基板の表面（二この半導体基板とは
異なるクイズのドーパントを含み、かつ反射防止膜を形
成する溶液を塗する工程と焼成により反射防止膜の形成
とドーパントのドーピングを同時に行ってｐｎ接合を形
成する工程と、基板の裏面（二裏面電極を形成するため
のＭ−８ｉの合金層をアルミニウムペーストの印刷とそ
れ（二続く焼成（二より行う。この焼成Ｃ二も、めっき
電極を密着性良く均一につけるために焼成条件を適正化
するととが大事である。即ち合金層の凹凸が著しく増加
する８００’０を越える焼成温度を避け７００〜ｓｏｏ
”ｏの間で１０〜３０秒程度の最高温度保持短時間焼成
とする。続いて通常のめっき用レジストからフィラー及
び顔料２色素等を除去した組成Ｊ：りなるめっきレジス
トをスクリーン印刷法により、所望の７１’Ａ部を残［
２て形成し、この溝部からエツチング（二より反射防止
＋＝ａを除去し、半導体基板の−さ面をｉ′！で出させ
た後、このパさせた半導体基板の表面及び半導体基板の
裏面のＡＩ　−Ｓ　ｉ合金層上にニッケル＋：・：ｑを
弓１ｉ極下地として無′屯解めつき法（二より形成し、
シンターを行うか、または行イつず（−ニッケルｊｊり
上（二はんだ層を形成することを特徴とする太陽°「（
旬１１Ｌの製造方法である。このシンターは通常必要な
いがパターンＡｉ’ｉ！幅が狭い場合（二は、１５０〜
３００″ＣＩ位のシンターをｆＩへした力が密着性が向
上する場合がある。

〔発明の実施例〕

本発明は／１−！？にめつきの晋ｆｎ性を向させるよう
にしプこところに特徴があり、その結果、性能の向上と
工程の短縮化が達成されろ。

このためＣ二めつき下地となる基板の表裏面の状態を改
良した。　′ まず表面は異方性エツチングが不可能なことから、平滑
にし、反射防止膜を形成する。この平滑にする方法とし
ては、混酸によるエッチ−ジグを行えばよい。ステイニ
ングが生じる。・扇合（二は高濃度のアルカリ液でイつ
ずか）Ｉエツチングをする方法が有効である。ご−の平
滑穴は反射防止性や後工程への影、Ｈｔを出さない程度
に結晶粒界でのｉ役ｌΩを高々故μつけてやることが、
この２１掲合、密着性の点から肝要である。

裏面）二ついては、その形状に太き７）変化を与えずに
ＡＩ！−Ｓ　ｉ　、　１３３１ｉ’ｋｊ刀イ成を、や（
けり−１′４シい起伏の生じｋい条件で行うことにより
・−ｆ二成できる。

即ち、Ａ／ペーストを印にコリし、乾テ学しに、後、迎
春外線による短時間アニールにより合金化させる。

この方向ｉ−を従〕：４の雰囲気加熱炉を用いた方法に
比較し、めっきの密着性に対し２、−メキしく良好な！
噂面状二・ηとなる。

とりわけ合金化が光分に行、（つれる７００″Ｏ以上の
ピーク温度で数１０秒のアニール条ｆ、’ｐ）５；よぐ
、８００Ｃυ上にすると面の凹凸が不規則に大きくなっ
たり、アルミニラｌ、の球状析出現宏が起ζり好下しぐ
ない状態となるので、これ以下の温！疋ζニすることが
大切である。これＣ二対、し従来の雰囲気加熱法だと８
００〜８５０°Ｃにしないと十分な特性が得られず凹凸
の発生を阻止できなかった。

以上の表裏面の処理により、めっきののりが良くなり、
密着性が向上する。その結果、更（二工程の工夫により
性能の向上と、工程の短縮化が可能と々る。

まず性能の向上であるが、従来の太陽電池を安価に形成
するプロセスでは、電極の形成に印刷法やＪｌ常のめつ
き方法が用いられ、いずれも４５０〜８００℃の焼成を
必要とした。このような高い温度は電極金属の半導体基
板中への拡散を著しく促進するために接合深さを通常０
．５μ以上（二しないと、いわゆるつきぬけ現象、即ち
、電極金属が基板表面の拡散層を通り抜は基板本来の導
電型の領域（二まで達する現象が発生して素子特性を著
しく悪化していた。しかし、その０．５μ゛以上の接合
とすると短波長の光に対する利用効率が少なく、変換効
率向上の一因子がこれ（二より、さまたげられていた。

これに対し本発明では低温で密着性の良いめっき法を採
用すること（二より接合深さを０，３μ程Ｊｇｌ　ｉで
浅くでき、これにより、特性の向上が達成された。

また４００°Ｃ以上の高温での焼成は印刷インク、めっ
き溶液などに含まれる不純物をも多く基板中にとりこみ
、これが従来の不艮の原因の大きな部分を占めていたが
、本発明（二より著しく軽減された。

次に工程の短縮化の効果（二ついて述べる。

即ち、本発明では従来、全面（二形成後パターン状にエ
ツチングしていためつき用のフォトレジストを低温でも
剥離可能な組成のめつきレジストにすることにより、最
初からパターン状に印刷できるようＣ二して工程を省略
した。これは、めっきの密着性が低温処理でも十分良く
力ったことに帰因し、前述の如く、高温処理時（二考慮
しなければならなかった不純物、とりわけ、めっきレジ
スト中の不純物を、それ程厳しく考える必要がなくなっ
たことＣ二関連する。つ韮り従来の高温処理をしなけれ
ば密着性が保てないような場合（二は、一般的な印刷法
（二よるめっきレジストは高温処理中の不純物の基板へ
の１受入があるので使用できなく、半導体工業に実績の
あるフォトレジストのみであった。実際、めっき用とし
て市販されているようなパターン印刷レジストを使用す
ると充分な特性のものが得られなかった。これに対し、
本発明では。

このようなめっき用レジスト（プリント配線などに用い
る一般的なもの）でも充分良い特性が得られた。

しかも本発明では残渣として残り、初期特性（二は影響
しないが、長期的な素子劣化をもたらす、密着性を増す
シリカ、アエロジル等のフィラー成分や顔料、色紫分を
除いた、めっきレジストを用いている。このフィラー成
分はレジストの密着性を上げるため（二条用されている
が、ここでは、めっきと同様レジストの密″／１′Ｙ性
も下地の基板の状態の最適化により充分良好なものとな
っておりフィラーはいらないことがわかった結果である
。

色素や顔料は下地基板との色の対比によりパターンを見
易くするため（二添加されるものであるが、本発明では
表面の凹凸とレジストの光反射状態の差（二より、特別
にこのようなものを添加しなくても充分コントラストが
つきパターンが認識できることがわかり、これを除くこ
とが可能となった。

以上のようにして工程の短縮化が達成された。

次に本発明（−到る重要実験結果、特（二温度範囲や工
程の選択等、本発明のポイント（二ついてωで１明する
。

先ず従来技術では、めっきの密着性が悪く、これを良好
にするために高温処理（４５０″Ｃ〜６０（１’０）を
していたが、本発明では下Ｊｄｔ、の状態を制〈ｆして
高温処理無しでも充分密着性が上った結果を説明する。

即ち、基板の表面のエツチングはＦ（ｉ”　；　ＣＨ３
ＣＯ０Ｈ；ＨＮＯ，を１６　：　１５　：　ｌで混合し
たものがコ゛：送も平滑な表面になることがわかったが
、その後、２０襲ＮａＯＨ水溶液を１１０℃に加熱して
１分間エツチングすると密着性の点で好しいことがわか
った。即ち、９５２図に示すように２０％Ｎ　ａ　ＯＨ
；ｙＪＣ溶液を使用して０分間乃至５分間とエツチング
を行なった場合付着力は曲線０に示すようになり、１分
ｍｊ程度が最も好しいことが４）が６゜これは結晶粒界
（二１１ジも好しい４ｄ度の段差がでさ帝ンメ１性を上
げているものと考えられる。

この付・、′ｊ力のテストは、ｊＩＬ京大学出版会発行
「物ＪＶ工学冥１・７・Ｑ　ｊ）　、　７ｆゲｊ良の基
本技術」７１２５に記載の引張り法で行なった。

この引張り法は薄膜の面に垂直の方向にカを加えて；−
ｑ　、ｌｊＡを引剥がす方法であり、具体的にはステン
レス１浬の平らな底面をもつ円板を１場の表面に強力な
（妾着７１すで貼りつけて円板を面に垂直の方向（二引
張り、ｊＪＪｊがれＬｉ’ｌ　１ｉ４ＪのカをＪｊｉＪ
定し／こ。

従来、密シが性の良くなかっ／こ−っの要因としては前
述の」：うなセ２作の適正化が人落していたものである
。

次にｊ、４面に述いてＣ尻切ｒると、従来めっき工程を
用い九′電極の形１戎にあ−ってけ、Ｊ、３Ｓｉ−を入
れることはあまり行われ−（（へなかった。それは、こ
のだめのアルミニウム層や゛ｒルミニウムペース）　Ｊ
ｉ　カ躾面に形成され、）」８１”を形成するために焼
成されると、必ず面に凹凸が生じ、めっきの密着性を悪
くする原因になっていたからである。これに対し、本発
明では従来のアルミニウムペーストを使用しながら、′
その焼成方法を変更することにより、平滑な焼成後の面
を有するＢＳｆＩ″の入った基板をつくる条件を発見し
条件化している。

即ち、第３図は焼成温度と付着性の関係を示す図であり
曲線ａ湯かられかるように従来の雰囲気加熱（炉焼成）
法では８００〜８５０°Ｃの高温にしなければＢＳＦ効
果即ちＳｉとＡ／の合金化層の効果が得られなかったが
、近赤外線ランプによる焼成では６５０〜８００℃で充
分、この効果がイカられることがわかった。しかも、と
の温度範囲では面の平滑性が保たれ曲線Ｑ壜のように密
着性が良いものになっている。焼成時間は最高温度を１
０〜３０秒程度とし、立ち上り５分以内、立ち下り１０
分程度のスケジュールで行えば良い。

次にめっきレジストの溝巾であるが、これは。

電極の巾とほぼ等しい。印刷法での限界はｌＯｏμであ
り、下限はこれにより決まる。上限については実験結果
から最小線巾を３００μ以上にすると極端に変換効率の
低下をひきおこす。これは電／１１！、（二より影にな
り、光があたらない部分が増加する７にめである。そこ
で電極の最小巾を１００〜３００μとするが、この時、
　１５０〜３（１０μでは、まったく熱処理を行なイ）
なくでも長期にわたり、密着性がよかったがｉｏｏ〜１
５０μでは、数年間の耐環境試験に相当する熱と光、温
度サイクルの促進曝露試験を行ったところ密着性の不良
がわずがながら発生した。そこで線巾と一定密Ｍ性（３
００μ巾のめっき）ｖｄの熱処理なしの密着性）を保つ
ための焼成温度を調べたのが、第４図の曲線０□□□で
ある。ν１」ち線１晶１００μの限界値まで考えると筒
くとも３００’Ｏの焼成があれば良いことがイっがる。

この焼成は（９）分間窒素中で行なった。なお量産には
不向きであるが実験的に作成した５０　＝　１００μ巾
のめっき層も同時に示しである。

以上のように工程の−Ｊｒｉ　した検討と、条件の適正
化が総合され、この発明が完成した。工程はいろいろ変
化の余地があるが上述したポイントをおさえることが本
発明の主旨であり、まま発明の製造工程を規定するもの
である。

次（二本発明の具体的な実７Ａ列を第５図により説明す
る。

即ち、第５図は方位（１００）　、厚さ４５０　ｐ、比
抵抗１０Ω１１の；トヤペラリ法（二より製造されたＩ
ＱｃＩＩＬ角のＰ型シリコンリボン結晶基板シηを用い
た太陽電池の製造方法の説明図である。この場合キャス
ティング法による同一性状のシリコノ基板（二ついても
、まったく同一の工程で同（〕（の特１生が得られる。

まず′ｄＳ　５　図（ａ）　ｉ：　示す、Ｊ：　ウ［−
Ｉｆ’　：　Ｃｋｉ３ＣＯＯＨ：　Ｈｈｌ）３を３ｆ３
　：　１．５　：　ｌの割合で混合したエッチャントに
より、Ｐ型シリコンリボン結晶カリ板（以下率に基板と
云う）　（２１）を薄くする。エラチングレー）Ｕ基板
（２Ｊ）両面で５μｍ分でｍ分間のエツチノグにより、
基板（２１）は最大凹凸３μを有する比較的平滑な面（
二仕上がり基板（２１）の厚味は３５０　／ｌとなった
。このあと表面Ｌ：ステイニングされたノリが残るが、
これをＮａＯＨ−２０％水溶液を１１０″ＣＩに加熱し
た液中で１分間エツチングして除去する。

次に第５図（ｂ）に示すように基板００表面にリンを添
加した反射防止用溶液を塗布、焼成し反射防止膜（社）
を形成する。この反射防止相溶Ｗ＋二は、空気中で焼成
すると酸化チタン膜ができる飼料としてチタン・イソ・
プロコキシド（Ｔ　ｉ　＜ＱＣｓ　Ｈ７）４　〕を３．
５％と１．５ｗｔ％の五酸化リンを含むエタノール七酢
酸エチルの９＝１の混合体に等量のブチラー樹脂を混ぜ
、スピン回転数を２００Ｏｒ　、ｐ　０ｍとして塗布し
た。

次（二人気中で１５０°Ｃ２０分間乾燥させた後、Ｎ２
：０、＝３８：０．３１（７）雰囲気中９００℃テ３０
分間加熱シ、第５図（Ｃ）（二示すように接合深さ０．
４μ、表面濃度２×１０２０ｃＩｒＬ−３にｎ層（ハ）
が形成され、同時（二酸化チタンの反射防止膜ｆ２２）
が形成される。

次（−第５図（ｄ）に示すよう（二裏面にアルミニウム
ペースト（商品名：エンゲルハー）　Ａ　４５３８）　
１２４）をスクリーン印刷性Ｃ二より全面に形成する。

次に、２００℃、１５分間の乾燥後、近赤外線ランプを
装’＋＋ｕｉ　したコンベア式の焼成炉により焼成を行
う。この焼成は最高温度７５０℃で１０秒間、室温から
最高温度まで５分の急峻な立上がりとし、　１０秒間最
高温度で保持したのち、１０分間で室温（二もどすスケ
ジュール口よりＡＩ！ペーストを焼成する。この場合の
雰囲気は空気でよい。この焼成により第５図（ｅ）（二
示すように基板ψυ中にＡＩ！原子が拡散され合金層で
あるｐ＋層ωωが形成される。

次に基板（２Ｉ）のシリコンまたは、アルミニウムの酸
化膜を１０％の弗酸で１５秒間軽くエツチング、除去し
、１５分間の水洗を行い乾燥する。

続いて、第５図（ｆ）に示すよう（二通常のめっきレジ
ストであるアクリル樹脂、植物油誘導体増粘剤。

有機溶媒、フィラー、顔料からフィラーと顔料を除いた
組成よりなるめっきレジスト（２のをスクリーンプリン
ティングにより最小線巾２００μに形成し。

８０°Ｃで１０分間加熱して密着固化させると最小線巾
は１５０μと々る。

次（二第５図（ｇ）に示すよう（二めっきレジストシυ
をマスクとして１０チの弗酸処理（二より反射防止膜（
２りを基板ＣＤのｎ層層（２３）ｉ二連するまでエツチ
ング除去する。

次（二第５図（ｈ）（二示すように通常知られたＮｉ無
電屏めつきをｐ　ｈ　６．６で６５°０２０分間の条件
で行いＮｉ層０７）をｆ４Ｑ　！両面（−形成し、電極
下地とする。

次に第５図（１）に示ずようにＣＨ２Ｃｌ！２　に浸漬
して、めつきレジス）　（２ｉｉ１を除去後、２００℃
、３０分間加熱し密着性を強化する。このあとサンドグ
ラインダーなどにより唱面を研唐して整形したのちたん
だ用のフラツクス（二基板をディップ後、１５０’ＯＴ
−て１０分間加熱し、溶融したＡｇの２％入つだｐｂ、
ｓｎの６−３はんだ中（＝約３秒間浸漬し、引き上げる
と両面のＮ１層上（−たんだＭｒ　（２８）が形成され
る。次（二表面に残っている、はんだ用のフラツクスな
トリフレ／の超音波洗浄（二より除去し、鏑ζ二半田め
っきしたリード、ｉｉ！ｉｌ（ハ）を結線し、太陽電池
を完成する。

次（二上述の太陽′ｉ池をＡＭ　（Ａ、ｉｒＭａｓｓ　
）　１．５　、へ射パワー１０ｏ　ｍｗ／ｍ、　２８°
Ｃの条件でソーラーシュミレータ−により特性を測定し
た結果、変換効率１２．５％を得ることができた。これ
は従来の低コストプロセスで作成したものの性能（二比
べ高い値となっている。即ち、同一の基板を用い、印刷
法による銀ペーストの「Ｅ極を用いた太１６電池は接合
深さが０．６μと深く、効率はｌ　０１１％、従来の４
５０°Ｃの熱処理を行った、めつき′電極を冶する太陽
電池では効率１１．０％と、いずれも本発明（二劣るも
のであった。

また本発明の製造方法（二よれば光露光を用いた複雑々
めつきマスク形成工程や・５高温でのシンタ一工程を省
くことができ工程も短軸可能であり、また生産性も上げ
られるものである。更（二印刷電極を用いた太陽′４池
に比べ半田層が表面（二形成されていることから長期（
、ｍイクたる谷イ虫のイ誤碩住試験（二対しても安定で
あつノと。

〔発明の効果〕

上述のように不発明の太陽電池の製造方法によれば量雄
性９個頼性に優れた低１ｉ１ｉｉ洛の太陽電池を得るこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の太陽電池の構造を示す槻略断面図、第２
図乃至第４図は本発明の太陽電池の製造方法の基礎実験
結果を示す図であり、第２図は基板表面のエツチング時
間とめっきの付着力との明！ 巾と暁成況度との１刀保を示ずグフフ、第せ図は本発明
の太陽電油の製造カ法の−′Ａ施例を裂造工婦Ｊ［＋：
　示を説明用断面図−〇・ある。 ２１・・・シリコン基板　２２川反Ｊ村防止族２３・・
・ｎ　層　２４・・・アルミニウムペースト２！５・・
・ｐ　層　ｚ５川めっきレジスト２７・・・ニッケル層
２８・・半ＩＢ）り２９　・・・　リ　−　ド才ち。 代理人　弁理士　井　上　−男 第　１　図 第　２　図 エンー！Ｉ−ング時向　（Δト）　− 第　３　図 め７さｌ／シスト課中（μ）−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 結晶粒界を有する半導体基板の表面（＝この半導体基板
   とは異なるタイプのドーパントを含み、かつ反射防止膜
   を形成する溶液を塗布する工程と、焼成により反射防止
   膜の形成とドーパントのドーピングを同時（二行ってｐ
   ｎ接合を形成する工程と、前記半導体基板の裏面ｌニア
   ルミニウムペーストを印刷後近赤外ランプ（二よる焼成
   （二よりＡ／−８４合金層を形成する工程と、前記半導
   体基板の表面Ｃ二所望の溝部を残したパターン状に顔料
   やフィラー類を含まないめっきレジストを印刷法により
   形成する工程と、前記所望の溝部を介して反射防止膜を
   エツチングして前記半導体基板の表面を露出する工程と
   、前記露出された半導体基板の表面及び前記半導体基板
   の裏面の／Ｖ−８ｉ合金属上にニッケル膜を無電解めっ
   き法ｉ二より形成後シンターを行うか、または行わず（
   二前記ニッケル膜上に半田層を形成する工程とを含むこ
   とを特徴とする太１陽１程池の製造方法。