JPS6042830A - プラズマｘ線露光装置 - Google Patents
プラズマｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS6042830A JPS6042830A JP58150999A JP15099983A JPS6042830A JP S6042830 A JPS6042830 A JP S6042830A JP 58150999 A JP58150999 A JP 58150999A JP 15099983 A JP15099983 A JP 15099983A JP S6042830 A JPS6042830 A JP S6042830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- ray
- generated
- ray exposure
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Public Health (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半尋体集積回路製造のための敵側・ゼタン転
写用Ｘ線露光装置に用いる高出力に１７て、高安定な軟
ｘＨを発生するプラズマＸ線露光装置に関するものであ
る。
写用Ｘ線露光装置に用いる高出力に１７て、高安定な軟
ｘＨを発生するプラズマＸ線露光装置に関するものであ
る。
Ａｔ、〜ｉｏ、Ｐｄ等の金属に電子縁を照射して、Ｘ線
を発生させる電子線励起方式のＸ線源に比べ、）ご線の
発生効率が高く、高出力のＸ線が得られ゛ることか期待
できるプラズマＸ線源が注目されていＡ’Ｌゾラズ〜Ｘ
線源の一方法として相対している２つの′−電極間Ｋｒ
＊ Ａ ｒ ｒ Ｎｏ等のがスを瞬間的に噴射させ、
同時に電極間で放電させることにより、シラでマを発生
させ、前記の円柱状のプラズマの中心軸方向（以後、プ
ラズマ軸方向−とｄう）に沿って流五る電流により、電
流の作る磁場による自己収束作用でプラズマを圧縮し、
高温、−高密度のプラズマを発生させ、プラズマ中のイ
オンと′ｄ子の相互作用でＸυを発生させるものがある
。
を発生させる電子線励起方式のＸ線源に比べ、）ご線の
発生効率が高く、高出力のＸ線が得られ゛ることか期待
できるプラズマＸ線源が注目されていＡ’Ｌゾラズ〜Ｘ
線源の一方法として相対している２つの′−電極間Ｋｒ
＊ Ａ ｒ ｒ Ｎｏ等のがスを瞬間的に噴射させ、
同時に電極間で放電させることにより、シラでマを発生
させ、前記の円柱状のプラズマの中心軸方向（以後、プ
ラズマ軸方向−とｄう）に沿って流五る電流により、電
流の作る磁場による自己収束作用でプラズマを圧縮し、
高温、−高密度のプラズマを発生させ、プラズマ中のイ
オンと′ｄ子の相互作用でＸυを発生させるものがある
。
高温、高密度プラズマからは、ＸＩ！ｉＩのは、かに、
光等の各種′−磁波プラズマを構成するイオンや電子、
高温ガスあるいは゛ｄ電極構成物質が放出される。プラ
ズマから発生するＸ線でバタン転写をする場合には第１
図に示すように、プラズマおよびＸ線発生部１１とＸ線
マスク９間にプラズマから発生するＸ線以外の上述した
光、イオン、電子＠ｆ：ｍ断し、さらＫＸ線マスクを保
護するための保−膜が８壺であり、＋＝さｌＯ〜３０μ
ｍ程度の８８膜等が用いられている。Ｘ ｉ）取り出し
窓２にはプラズマ中の大きなエネル１？をもつ電子、イ
オン、ガス３ｆｃならびに放電で消耗する電極構成物質
等が直接照射されるため、１ｖさ１０〜３０４ｍ ４１
．０Ｙ４暎であるＸ線取り出し窓７にはイオンや電子の
＆Ｊ肖之によりｔ波千屓される危１．夷がある。とくに
、プラズマＩＩｊ１１方向ではそれらの衝５１１がプラ
ノマ軸と１σ角方向ζ比べ大きいため、プラズマ軸方向
ｂイ光は困録とされていた。
光等の各種′−磁波プラズマを構成するイオンや電子、
高温ガスあるいは゛ｄ電極構成物質が放出される。プラ
ズマから発生するＸ線でバタン転写をする場合には第１
図に示すように、プラズマおよびＸ線発生部１１とＸ線
マスク９間にプラズマから発生するＸ線以外の上述した
光、イオン、電子＠ｆ：ｍ断し、さらＫＸ線マスクを保
護するための保−膜が８壺であり、＋＝さｌＯ〜３０μ
ｍ程度の８８膜等が用いられている。Ｘ ｉ）取り出し
窓２にはプラズマ中の大きなエネル１？をもつ電子、イ
オン、ガス３ｆｃならびに放電で消耗する電極構成物質
等が直接照射されるため、１ｖさ１０〜３０４ｍ ４１
．０Ｙ４暎であるＸ線取り出し窓７にはイオンや電子の
＆Ｊ肖之によりｔ波千屓される危１．夷がある。とくに
、プラズマＩＩｊ１１方向ではそれらの衝５１１がプラ
ノマ軸と１σ角方向ζ比べ大きいため、プラズマ軸方向
ｂイ光は困録とされていた。
なお、１はＸ空室、２は上部筒４・メ、ｓｌｔよ下部軍
ｆｉｇ ｓ’ Ｊ ハ）ｆスパルプ、５はコンテンツ、
６は放電スイッチ、８はウェハ、１０は真空４？ンゾで
ある。
ｆｉｇ ｓ’ Ｊ ハ）ｆスパルプ、５はコンテンツ、
６は放電スイッチ、８はウェハ、１０は真空４？ンゾで
ある。
本発明は、プラズマ軸方向にイ光で生ずるこれらの欠点
を解決するため、放゛ば電極の１２光側電極に、プラズ
マから発生する電子ｆイオンを最小限に押′えるための
孔めき゛祇極を用いて、さらに、孔から通過してくる′
−子や−ｆオンｔ：’ Ｍ ｊ、ｕ ＋−ど【り曲げる
ことにより、プラズマ軸上にあるＸ線取り出１−慾の損
傷を防止し、プラズマ軸方向ｘ ＊ＩＮ Ｍ光用マスク
およびウェハを配置できるようにしたもので以下、図面
について詳細に説明する。
を解決するため、放゛ば電極の１２光側電極に、プラズ
マから発生する電子ｆイオンを最小限に押′えるための
孔めき゛祇極を用いて、さらに、孔から通過してくる′
−子や−ｆオンｔ：’ Ｍ ｊ、ｕ ＋−ど【り曲げる
ことにより、プラズマ軸上にあるＸ線取り出１−慾の損
傷を防止し、プラズマ軸方向ｘ ＊ＩＮ Ｍ光用マスク
およびウェハを配置できるようにしたもので以下、図面
について詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例であって、１は真借室、２は
上部電極、３はＸ１ｌｌｌｉ！通過孔を設けた下部′電
極、４はがスパルゾ、５はコンデンサ、６は）、′４を
電スイッチ、７はＸ＠椴り出し窓、８は被照射物の一例
としてのウエノＮ％ ９はＸ線ｄ光用マスク、１０は真
空ポンプ、１１はプラズマおよびＸ線発生部、１２は磁
気回路、１３はウェハ８と平行な成分を有する磁界、Ｉ
４は軟Ｘ、線束てあり、Ｘ線ｍ光用マスク９およびウェ
ハ８の装着４％ｅ ｈｔはマスク９およびウェハ８が円
柱状のプラズマの中心軸方向になるように設けられる。
上部電極、３はＸ１ｌｌｌｉ！通過孔を設けた下部′電
極、４はがスパルゾ、５はコンデンサ、６は）、′４を
電スイッチ、７はＸ＠椴り出し窓、８は被照射物の一例
としてのウエノＮ％ ９はＸ線ｄ光用マスク、１０は真
空ポンプ、１１はプラズマおよびＸ線発生部、１２は磁
気回路、１３はウェハ８と平行な成分を有する磁界、Ｉ
４は軟Ｘ、線束てあり、Ｘ線ｍ光用マスク９およびウェ
ハ８の装着４％ｅ ｈｔはマスク９およびウェハ８が円
柱状のプラズマの中心軸方向になるように設けられる。
これらを動作するためＫは、真空室１を１０−５〜１０
Ｔｏｒｒｌ、２の真空にし、〃スパルｆ４を瞬間的に
開いて、電極間にがス塊を形成し、同時に放電スイッチ
６を閉じることにより、上部′成極２と下部電極３との
間にプラズマを発生させる。
Ｔｏｒｒｌ、２の真空にし、〃スパルｆ４を瞬間的に
開いて、電極間にがス塊を形成し、同時に放電スイッチ
６を閉じることにより、上部′成極２と下部電極３との
間にプラズマを発生させる。
このプラズマ軸方向に沿って流れる′−流の作る磁場に
よるプラズマの自己収束作用によりプラズマを圧縮し、
極めて小さい円柱状すなわち［Ｕ線状の高温、高密度プ
ラズマを発生させ、この高密度プラズマ中のイオンと電
子の相互作用により軟ｘＨを発生させる。この高密度シ
ラｆ ？の崩壊過程で、周囲にイオンやＷ、子、高温ガ
ス等が放射される。とくにプラズマ軸方向に対して大き
なエネルギを持ったイオンや電子が放出される。下部電
極３に、収束したプラズマの直径に近い孔あきｄ極を用
いているため、前記の大きなエネルギを持ったイオンや
′ぼ子がプラズマ軸方向へ飛散する址を制限するしぼり
効果看・有する。孔から咳出したイオンや電子は、磁気
ることはなく、Ｘ縁取り出し窓７の損１３．Ｉｊを防止
できる。したがって、孔あき電極、磁気回路、マスク・
ウェハ装６４ｍ構を組合せることにより、プラズマ輔方
向露光が可能である。さらに、高速１イ子が磁力作用に
よ＼り曲げられるため、Ｘ線取り出し窓７やマスク９を
通過し、ウェー・８上のレゾストを感光させたり、電子
がマスクを通過する際に発生する二次Ｘ線によりレゾス
トを感光させる間ｌ′ｉＩ！）が防止できるため、高解
像度のノ（タン転写が可能である。さらに、Ｘ線をプラ
ズマ軸方向に取り出せるため、マスク９、ウェハ８方向
から見たＸ線源は、微小な円形のビーヱ形状となる。Ｘ
線露光では一般に第３図に示す主うに、Ｘ ｉｔ１発生
部１１とマスク９間距１’１ｔｉ１１１ 、ウェハ８と
マスク９間隔Ｓ１Ｘ〜源径ｄ。
よるプラズマの自己収束作用によりプラズマを圧縮し、
極めて小さい円柱状すなわち［Ｕ線状の高温、高密度プ
ラズマを発生させ、この高密度プラズマ中のイオンと電
子の相互作用により軟ｘＨを発生させる。この高密度シ
ラｆ ？の崩壊過程で、周囲にイオンやＷ、子、高温ガ
ス等が放射される。とくにプラズマ軸方向に対して大き
なエネルギを持ったイオンや電子が放出される。下部電
極３に、収束したプラズマの直径に近い孔あきｄ極を用
いているため、前記の大きなエネルギを持ったイオンや
′ぼ子がプラズマ軸方向へ飛散する址を制限するしぼり
効果看・有する。孔から咳出したイオンや電子は、磁気
ることはなく、Ｘ縁取り出し窓７の損１３．Ｉｊを防止
できる。したがって、孔あき電極、磁気回路、マスク・
ウェハ装６４ｍ構を組合せることにより、プラズマ輔方
向露光が可能である。さらに、高速１イ子が磁力作用に
よ＼り曲げられるため、Ｘ線取り出し窓７やマスク９を
通過し、ウェー・８上のレゾストを感光させたり、電子
がマスクを通過する際に発生する二次Ｘ線によりレゾス
トを感光させる間ｌ′ｉＩ！）が防止できるため、高解
像度のノ（タン転写が可能である。さらに、Ｘ線をプラ
ズマ軸方向に取り出せるため、マスク９、ウェハ８方向
から見たＸ線源は、微小な円形のビーヱ形状となる。Ｘ
線露光では一般に第３図に示す主うに、Ｘ ｉｔ１発生
部１１とマスク９間距１’１ｔｉ１１１ 、ウェハ８と
マスク９間隔Ｓ１Ｘ〜源径ｄ。
によって決まるｌ−ｆけ￥Ｊ１δを生じる。ぼけ寸δは
、’ −ｄ ｓ／Ｄで表わされ、微小Ｘ腺源径では、ぼ
けｌδが小さくなるため、微細・やタン転写が可能と在
る。したがって、以上に述べたプラズマ軸方向１．・、
（光では、Ｘ線径が小さくなるので、ぼけｌＩｉ″δが
小さくなり、倣ガＪ ／４’タン転写が可能となる。
、’ −ｄ ｓ／Ｄで表わされ、微小Ｘ腺源径では、ぼ
けｌδが小さくなるため、微細・やタン転写が可能と在
る。したがって、以上に述べたプラズマ軸方向１．・、
（光では、Ｘ線径が小さくなるので、ぼけｌＩｉ″δが
小さくなり、倣ガＪ ／４’タン転写が可能となる。
また、磁気２［１１路は、プラズマ軸と直角方向に設置
ｔ した場合も、前述と回イ朶に、イオンや′東予を取
り除くのに有効に作用する。
ｔ した場合も、前述と回イ朶に、イオンや′東予を取
り除くのに有効に作用する。
また、下部幅極の孔径を極めて小さくすることにより、
Ｘ線取り出し悪に到達するイオンや電子、ガス流→を減
少さすることができるため、磁気回路を設けることなく
、ノラｌマｌ！４１＋方向ト・を光を行なうことも可能
である。
Ｘ線取り出し悪に到達するイオンや電子、ガス流→を減
少さすることができるため、磁気回路を設けることなく
、ノラｌマｌ！４１＋方向ト・を光を行なうことも可能
である。
以上説明［７たように、孔あき電極と４１＆界を寿える
磁気回路を組合せて、直子やイオンがＸ、陣１１Ｍり出
し窓へ与える横１易を防止させることができるため、プ
ラズマ軸方向にＸ線を取り出すことができる。さらに、
Ｘ線をプラズマ軸方向に取り出すため、マスク９から見
たＸ線１１１Ｑ イ：’＋５がプラズマ軸と直角方向に
比べ非常に小さく々る。
磁気回路を組合せて、直子やイオンがＸ、陣１１Ｍり出
し窓へ与える横１易を防止させることができるため、プ
ラズマ軸方向にＸ線を取り出すことができる。さらに、
Ｘ線をプラズマ軸方向に取り出すため、マスク９から見
たＸ線１１１Ｑ イ：’＋５がプラズマ軸と直角方向に
比べ非常に小さく々る。
ぼけ鼠δを一定とした場合、イ１．１．小Ｘ線ン原存で
は、ウェー・・マスク間隔を大きく取ることができ、−
マスクとウェハの接へ虫する危１（灸がなく、マスク川
面の観点から有効である。さらにＸ線源とマスク間距離
りを近づけても一定の解イホ度が保障されるため、Ｍ光
時間の短縮が図れる利点がある。
は、ウェー・・マスク間隔を大きく取ることができ、−
マスクとウェハの接へ虫する危１（灸がなく、マスク川
面の観点から有効である。さらにＸ線源とマスク間距離
りを近づけても一定の解イホ度が保障されるため、Ｍ光
時間の短縮が図れる利点がある。
−また、磁気回路の磁界によって、プラ］ぐマから発生
ずる′電子やイオンの除去は、プラズマ軸方向のの、４
らず、フ０ラズマ軸と直角方向からＸ線を取り出す唱す
−にも有効である。
ずる′電子やイオンの除去は、プラズマ軸方向のの、４
らず、フ０ラズマ軸と直角方向からＸ線を取り出す唱す
−にも有効である。
４１凶ｊｕｊの間Ｊ４Ｌな説明
銀１１」は従来のプラズマＸ線ｈオ光装置を示す’＋ｊ
４成説明図、第２図は本発明の一実施例を示す！＋４＋
ｉし１ｄシｌ明１囚、’；Ｉｓ ３図はＸ線源とウエノ
）・マスクのイ）′ＬＭ １則・峠を吹わす模式図であ
る。
４成説明図、第２図は本発明の一実施例を示す！＋４＋
ｉし１ｄシｌ明１囚、’；Ｉｓ ３図はＸ線源とウエノ
）・マスクのイ）′ＬＭ １則・峠を吹わす模式図であ
る。
１・・・貞空至、２・・・上部１ｄ極１．ヲ・・下部′
電極、４・・・Ｉ′スパルプ、５・・・コンデンｆ、ｈ
・・・放電スイツチ、７ Ｘ４ｊ取り出し窓、８・・ウ
ニｔｚ、９・・マスク、ＩＯ・・真空ポンプ、１１・・
・／フス９７山・よびに、腺元生８１ｔ、’２・・・磁
気１輔路、１３・・・磁！、イ、１４・・・Ｘ線束。
電極、４・・・Ｉ′スパルプ、５・・・コンデンｆ、ｈ
・・・放電スイツチ、７ Ｘ４ｊ取り出し窓、８・・ウ
ニｔｚ、９・・マスク、ＩＯ・・真空ポンプ、１１・・
・／フス９７山・よびに、腺元生８１ｔ、’２・・・磁
気１輔路、１３・・・磁！、イ、１４・・・Ｘ線束。
矛ｔｔ！！１
矛２ｆ！１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ 相対している放電′−電極間プラズマを発生さ
♂、このプラズマに流れる電流の作る磁場による圧ネ１
６作用で、プラズマが自己収束することにより、極めて
小さい円柱状の高温、＾密度プラズマを形成し、その円
柱状のプラズマから発生するＸ７をＸｉ源として用いる
軟Ｘ線露光用プラズマＸ線露光装置において、上記のイ
ｄ対している２つの放電電極のいずれか一方にＸ４ｉ通
過孔を設けたことを特徴とするプラズマＸ線露光装置ｉ
１゜ （２）相対している放電電極間にｆレズマを発生させ、
このプラズマに流れる電３に：の作る磁場による圧、ｉ
、１ｄ作用で、プラズマが自己収束することにより、極
めて小さい円柱状の高諷、高密度プラズマを形成し、そ
の円柱状のゾスズマから発生ずるＸ線をＸ線源として用
いる軟Ｘ線露光用プラズマＸ線露光装置において、上記
の相対。 している２つの放電電極のいずれか一方にＸ線通過孔を
設け、前記の円柱状のプラズマと佼照射物の間に、彼照
射物と平行な成分を有する磁界を設けたことを特徴とす
るプラズマＸ Ａｙｆｉ ’ｆｎイ光装置。 （３）Ｘ線露光用マスクおよびウニ・・の装着機構を、
マスクおよびウニ・・が円柱状のプラズマの中心軸方向
になるように設けることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載のプラズマＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150999A JPS6042830A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | プラズマｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150999A JPS6042830A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | プラズマｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042830A true JPS6042830A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15509068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58150999A Pending JPS6042830A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | プラズマｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042830A (ja) |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP58150999A patent/JPS6042830A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61158656A (ja) | Ｘ線装置に使用する濾過装置および方法 | |
| TW543099B (en) | Method and device for generating light in extreme ultraviolet notably for lithography | |
| US5991360A (en) | Laser plasma x-ray source, semiconductor lithography apparatus using the same and a method thereof | |
| JP2014216286A (ja) | 極端紫外光光源装置 | |
| KR20110106885A (ko) | 고속 이온 발생기 및 그 제조 방법 | |
| KR102178632B1 (ko) | 다중 소형 사이클로트론이 구비된 중성자 포획치료 장치 및 그 제어방법 | |
| US11252810B2 (en) | Short-wavelength radiation source with multisectional collector module and method of collecting radiation | |
| JP7549313B2 (ja) | マルチセクションの集光モジュールを備えた短波長放射線源 | |
| US6654446B2 (en) | Capillary discharge source | |
| JPS6042830A (ja) | プラズマｘ線露光装置 | |
| RU2743572C1 (ru) | Высокояркостный источник коротковолнового излучения (варианты) | |
| JP2001217096A (ja) | レーザプラズマｘ線源 | |
| CN106605450B (zh) | 极紫外（euv）辐射源 | |
| KR102802111B1 (ko) | 다중 섹션 컬렉터 모듈을 구비한 단파장 방사선 소스 | |
| KR20240001665A (ko) | 데브리 저감 장치 및 이것을 구비한 광원 장치 | |
| Juha et al. | Ablation of organic polymers and elemental solids induced by intense XUV radiation | |
| Turcu et al. | Calibration of an excimer laser-plasma source for X-ray lithography | |
| JPS59163741A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JP3265475B2 (ja) | 強力レーザ光線の発生方法と装置及びそれを用いた核融合方法と装置。 | |
| RU2024367C1 (ru) | Способ электроэрозионной обработки диэлектриков | |
| HK40086326A (zh) | 具有多段式集光器模块的短波长辐射源和辐射收集方法 | |
| Alharbi et al. | Photon Masks for the ILC Positron Source with 175 and 250 GeV Electron Drive Beam | |
| Fornaciari et al. | Discharge source with gas curtain for protecting optics from particles | |
| McPherson et al. | Discussion of Limiting Deposition Power Densities in Laser Target Materials | |
| RU2282318C1 (ru) | Способ получения мягкого рентгеновского излучения |