JPS604286A - レ−ザ−ダイオ−ド - Google Patents
レ−ザ−ダイオ−ドInfo
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- JPS604286A JPS604286A JP58113083A JP11308383A JPS604286A JP S604286 A JPS604286 A JP S604286A JP 58113083 A JP58113083 A JP 58113083A JP 11308383 A JP11308383 A JP 11308383A JP S604286 A JPS604286 A JP S604286A
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- Japan
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- laser diode
- epitaxial layer
- electrode
- laser
- region
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は化合物半導体を用いた半導体レーザーダイオー
ドに関するものである。
ドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、光を利用した各種産業分野、例えば光；重信、光
情報処理、光記録等々の発展は著るしいものがあり、そ
ういった光利用システム、各種機器の構成上欠かすこと
の出来ない要素部品の１つとして発光装置を挙げること
が出来る。発光装置としては一般的ＶＣいって、いわゆ
る発光ダイオード（ＬＥＤ）とレーザーダイオード（Ｌ
Ｄ）が良く知られ、とりわけレーザーダイオードは優れ
た光のコヒーレンシーとｔ７（−波長、史には畠出力と
いった点で極めて有用な発光装置である。
情報処理、光記録等々の発展は著るしいものがあり、そ
ういった光利用システム、各種機器の構成上欠かすこと
の出来ない要素部品の１つとして発光装置を挙げること
が出来る。発光装置としては一般的ＶＣいって、いわゆ
る発光ダイオード（ＬＥＤ）とレーザーダイオード（Ｌ
Ｄ）が良く知られ、とりわけレーザーダイオードは優れ
た光のコヒーレンシーとｔ７（−波長、史には畠出力と
いった点で極めて有用な発光装置である。
以下に従来のレーザーダイオードについて説ＩＪＪ ヲ
する。まず始めに最も簡単なＩｎＧａＡｓＰストライプ
型レーザーダイオードを例にとって説明する。
する。まず始めに最も簡単なＩｎＧａＡｓＰストライプ
型レーザーダイオードを例にとって説明する。
第１図は従来のストライブ型レーザーダイオードの基本
的な断面構造図であって、１はｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、
２はｎ−１ｎＰバツフ ７一層、３はＩｎＧａＡｓＰ活
性層、４はＰ−ＩｎＰクラッド層、５１ｄ：Ｐ −Ｉｎ
ＧａＡｓ Ｐキャップ層、６はＳ １０２絶縁１摸、７
はＺｎ拡散領域、８はＰ電極９はｎ電極であって、Ｐ電
極８とｎ電極９の間に印加された直圧によってＰ電極８
から注入された゛電流はＺｎ拡散によって低抵抗化され
たＺｎｎ拡散１域域７通ってＩｎＧａＡｓＰ活性層３に
達する。そこでＩｎＧａＡｓＰ 活性層３で励起された
重子と正孔の結合に基ずくレーザー発振を起すことＶＣ
なる。この従来例では、第１図から明らかなようＶＣＰ
［４Ｑはレーザーダイオードの上部から、ｎ電極は下
部、即ちｎ −ＩｎＰ 基板１の裏面から」反出されて
いて、レーザーダイオードを弔−で用いる場合にｔｄ、
このような−極構成でさしたる障害にはならない。しか
し、レーザーダイオードを光ＩＣ装置の１要素部品とし
て構成される場合、例えばレーザーダイオードと駆動用
電気素子、光変調用回路素子、光出力安定１胴准気回路
素子等々多数のレーザー制御卸用屯気回路素子とモノリ
シック一体化構造の光ＩＣを７溝成する場合には、前記
従来例に見られるように夫々異なる２面（表面及び裏面
）から電極を取出すような方法では、レーザーダイオー
ドを含めて各種眠気素子間の電気的接続は極めて困難で
あることは鱈を１だない。
的な断面構造図であって、１はｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、
２はｎ−１ｎＰバツフ ７一層、３はＩｎＧａＡｓＰ活
性層、４はＰ−ＩｎＰクラッド層、５１ｄ：Ｐ −Ｉｎ
ＧａＡｓ Ｐキャップ層、６はＳ １０２絶縁１摸、７
はＺｎ拡散領域、８はＰ電極９はｎ電極であって、Ｐ電
極８とｎ電極９の間に印加された直圧によってＰ電極８
から注入された゛電流はＺｎ拡散によって低抵抗化され
たＺｎｎ拡散１域域７通ってＩｎＧａＡｓＰ活性層３に
達する。そこでＩｎＧａＡｓＰ 活性層３で励起された
重子と正孔の結合に基ずくレーザー発振を起すことＶＣ
なる。この従来例では、第１図から明らかなようＶＣＰ
［４Ｑはレーザーダイオードの上部から、ｎ電極は下
部、即ちｎ −ＩｎＰ 基板１の裏面から」反出されて
いて、レーザーダイオードを弔−で用いる場合にｔｄ、
このような−極構成でさしたる障害にはならない。しか
し、レーザーダイオードを光ＩＣ装置の１要素部品とし
て構成される場合、例えばレーザーダイオードと駆動用
電気素子、光変調用回路素子、光出力安定１胴准気回路
素子等々多数のレーザー制御卸用屯気回路素子とモノリ
シック一体化構造の光ＩＣを７溝成する場合には、前記
従来例に見られるように夫々異なる２面（表面及び裏面
）から電極を取出すような方法では、レーザーダイオー
ドを含めて各種眠気素子間の電気的接続は極めて困難で
あることは鱈を１だない。
又、他の従来例としては、レーザーダイオードと駆動用
ＦＥＴを一体化し、同一表面からのみ電極を取出した例
がある。第２図ばＧａＡ Ｉ Ａｓレーザーダイオード
とｉ＋ｌＩｔ用ＦＥＴの一体化例であって、１１は半絶
縁体ＧａＡｓ基板、１２はｎ−ＧａＡｓ 。
ＦＥＴを一体化し、同一表面からのみ電極を取出した例
がある。第２図ばＧａＡ Ｉ Ａｓレーザーダイオード
とｉ＋ｌＩｔ用ＦＥＴの一体化例であって、１１は半絶
縁体ＧａＡｓ基板、１２はｎ−ＧａＡｓ 。
１３はｎ −ＧａＡＩＡｓ 、 １４ばｎ−ＧａＡｓ
、、 １５はｎ −ＧａＡＩＡｓ 、１６けＳ １０２
．１７はＢｅ 注入領域、１８はレーザーのＰ電極、１
９−：レーザーのｎ電極に相当する部分で本しｌでは駆
動用ＦＥＴのドレイン成極、２０はゲート電極、２１は
ンース電極である。レーザーダイオードのＰ′８ｆ極１
８極部８用ＦＥＴのソース成極２１の間に印加された電
流は１．駆動用ＦＥＴのゲート１ａ極２０への印加「氏
１王によって叩Ｊ１卸されることになり、レーザーダイ
オードの活性層１４からのレーサー発光か制御される。
、、 １５はｎ −ＧａＡＩＡｓ 、１６けＳ １０２
．１７はＢｅ 注入領域、１８はレーザーのＰ電極、１
９−：レーザーのｎ電極に相当する部分で本しｌでは駆
動用ＦＥＴのドレイン成極、２０はゲート電極、２１は
ンース電極である。レーザーダイオードのＰ′８ｆ極１
８極部８用ＦＥＴのソース成極２１の間に印加された電
流は１．駆動用ＦＥＴのゲート１ａ極２０への印加「氏
１王によって叩Ｊ１卸されることになり、レーザーダイ
オードの活性層１４からのレーサー発光か制御される。
第２図の例では第１図の従来列で示したものと、シ
異なり、両祇極共に１表面上しこあって、第１図従末列
で述べた光ＩＣ構成−１−の困難は緩和されはするもの
の、第２図からも明らかなように、レーザーダイオ−ド
部とＦＥＴ部との間には少なくとも数μｍの段差が発生
し、この段差間にわたる配線を行うような場合には通常
の金属蒸着による簡便な手法を採用することは極めて困
難であり、ワイヤーボンディング等のリード線配線によ
ることになる。これは結果的に配線容新の増大をもたら
し、１、各々高速化が要求されてくる光ＩＣにとって致
命的な欠陥となる。さらＶ（、第２図の如く、単一のレ
ーザーとｔｌｌ−のＦＥＴといった規模の小さい装ｊｄ
では、上記の段差はさして大きな間、頂でないとしても
、多数の素子から成るようなデバイスで、あちこちに段
差部が生じてぐると、もはや素子間配線１は不１１」能
といってよい。
で述べた光ＩＣ構成−１−の困難は緩和されはするもの
の、第２図からも明らかなように、レーザーダイオ−ド
部とＦＥＴ部との間には少なくとも数μｍの段差が発生
し、この段差間にわたる配線を行うような場合には通常
の金属蒸着による簡便な手法を採用することは極めて困
難であり、ワイヤーボンディング等のリード線配線によ
ることになる。これは結果的に配線容新の増大をもたら
し、１、各々高速化が要求されてくる光ＩＣにとって致
命的な欠陥となる。さらＶ（、第２図の如く、単一のレ
ーザーとｔｌｌ−のＦＥＴといった規模の小さい装ｊｄ
では、上記の段差はさして大きな間、頂でないとしても
、多数の素子から成るようなデバイスで、あちこちに段
差部が生じてぐると、もはや素子間配線１は不１１」能
といってよい。
発明のト１的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、−レーザ
ーダイオードにおけるＰ゛電極びｎ電極の２つの一極を
平担な同−平向上に形成することによって、レーザーダ
イオードを含む大規模モノリシック光ＩＣの形成を容易
ならしめることを目的とする。
ーダイオードにおけるＰ゛電極びｎ電極の２つの一極を
平担な同−平向上に形成することによって、レーザーダ
イオードを含む大規模モノリシック光ＩＣの形成を容易
ならしめることを目的とする。
発明の構成
本発明は半絶縁性半尋体基根上Ｖ（連続して形成された
１導祇型をもった第１のエピタキシャル層、第２のエピ
タキシャル層ｚ及び第１のエピタキシャル層と異った４
市型の第３のエピタキシャル層と少なくとも３層以上の
エピタキシャル層でもって構成されたレーザーダイオー
ドの第１の電極をレーザーダイオードの発光部の上面に
、第２の電極を第１の電極と同一エピタキシャル層の平
担な平面上の他の部分に杉成し、第１の′を電極と第２
の電極の間に絶縁領域で分離すると共に第２のＩ−電極
の下部に第１のエピタキシャル層と同じ導゛１Ｅ型で且
つ第１のエピタキシャル層に達する尋屯６１１域を設け
た構造をもつレーザーダイオードで、光ＩＣの構成を極
めて容易にするものである。
１導祇型をもった第１のエピタキシャル層、第２のエピ
タキシャル層ｚ及び第１のエピタキシャル層と異った４
市型の第３のエピタキシャル層と少なくとも３層以上の
エピタキシャル層でもって構成されたレーザーダイオー
ドの第１の電極をレーザーダイオードの発光部の上面に
、第２の電極を第１の電極と同一エピタキシャル層の平
担な平面上の他の部分に杉成し、第１の′を電極と第２
の電極の間に絶縁領域で分離すると共に第２のＩ−電極
の下部に第１のエピタキシャル層と同じ導゛１Ｅ型で且
つ第１のエピタキシャル層に達する尋屯６１１域を設け
た構造をもつレーザーダイオードで、光ＩＣの構成を極
めて容易にするものである。
実施例の説明
第３図はＩ ｎＧａＡｓ Ｐストライプレーザーダイオ
ードを例とした本発明の第１の実施例におけるし−１ノ
ー−ダイオードの所面ｔＭ造図を示すものである。
ードを例とした本発明の第１の実施例におけるし−１ノ
ー−ダイオードの所面ｔＭ造図を示すものである。
説明を容易ｅこするため、以下の１ン１而では従来１夕
ηと共Ｊ１αの構成゛ル素の一＋ｊ♀号ｉ、Ｊ：１Ａｒ
１図と同じ番号を付している。第３図において、１０１
は半絶縁性ＩｎＰ基１反、１０２はｎ−ＩｎＰ２と同じ
４醒型にするため、不純物の４１１人もしくは熱波１１
女によって形成された導′屯領域、１０３Ｊ：Ｐ−電極
８と同一平面上に形成されたｎ ’Ｆ４極、１０４（ｄ
プロトンイオン／１：、人によって形成された絶縁性１
瑣域である。
ηと共Ｊ１αの構成゛ル素の一＋ｊ♀号ｉ、Ｊ：１Ａｒ
１図と同じ番号を付している。第３図において、１０１
は半絶縁性ＩｎＰ基１反、１０２はｎ−ＩｎＰ２と同じ
４醒型にするため、不純物の４１１人もしくは熱波１１
女によって形成された導′屯領域、１０３Ｊ：Ｐ−電極
８と同一平面上に形成されたｎ ’Ｆ４極、１０４（ｄ
プロトンイオン／１：、人によって形成された絶縁性１
瑣域である。
次ＶＣ１木実施例のレ−リ゛−ダイオードの動作を説明
する。Ｐ−（５）極８とｎ−電極１０３の間に印加され
たｌ’Ｗ流は、まず１）１ｊに第１図でもって説明した
と同様に、Ｐ−電極８からＺｎ拡散ｆｉｎ域７、活性層
３をへてバッファ一層２に達する。ここで電流はバッフ
ァ一層中を通って４心頭域１０２をへてｎ−電極１０３
へ抜けていくことＫなる。この際、通常のレーザーダイ
オードと全く同じように活１り：層３でレーザー発振を
生じ発光することになる。この場合、図から明らかにな
るように、Ｐ〜電極８とｎ−電極１０３の間に絶縁明域
１０４が介在するためＶＣＣ副流活性層３を通過するこ
となく、例えばＺｎＭ敵頭域７と導ｒｔ ｉＭｊ域１０
２の間を直接通じ合うことはない。
する。Ｐ−（５）極８とｎ−電極１０３の間に印加され
たｌ’Ｗ流は、まず１）１ｊに第１図でもって説明した
と同様に、Ｐ−電極８からＺｎ拡散ｆｉｎ域７、活性層
３をへてバッファ一層２に達する。ここで電流はバッフ
ァ一層中を通って４心頭域１０２をへてｎ−電極１０３
へ抜けていくことＫなる。この際、通常のレーザーダイ
オードと全く同じように活１り：層３でレーザー発振を
生じ発光することになる。この場合、図から明らかにな
るように、Ｐ〜電極８とｎ−電極１０３の間に絶縁明域
１０４が介在するためＶＣＣ副流活性層３を通過するこ
となく、例えばＺｎＭ敵頭域７と導ｒｔ ｉＭｊ域１０
２の間を直接通じ合うことはない。
以上に述べてきたように本発明のレーザーダイオードは
バッファ一層２を一流格として利用するコトで平担な同
−平ＨＪｊのエピタキシャル向上ＶＣ１Ｐ ＝４極８訃
よびｎ−’ｒＵ・兎１０３か十ｍ成されているため本レ
ーザーダイオードと他の多くのｔｇ気素子とのモノリシ
ック１体化ｕＭＭめて容易Ｖζ行うことが出来る。
バッファ一層２を一流格として利用するコトで平担な同
−平ＨＪｊのエピタキシャル向上ＶＣ１Ｐ ＝４極８訃
よびｎ−’ｒＵ・兎１０３か十ｍ成されているため本レ
ーザーダイオードと他の多くのｔｇ気素子とのモノリシ
ック１体化ｕＭＭめて容易Ｖζ行うことが出来る。
第４図は本発明の第２の実施例であって、第１の実施例
で示し１こプロトン注入による絶縁性頭載１０４のかわ
りＶこエノチンク溝１０５によって分離することによっ
て同−平Ｉａ■のエピタキシャル面上にＰ−、電極８と
ｎ ’Ｌｉ極１０３を形成したｉｌ／ｌである。この第
２の実施１りηｙｃおける動作は１ノリ記第１の実施し
ｌで説明したと全く同様であることはムうまでもない。
で示し１こプロトン注入による絶縁性頭載１０４のかわ
りＶこエノチンク溝１０５によって分離することによっ
て同−平Ｉａ■のエピタキシャル面上にＰ−、電極８と
ｎ ’Ｌｉ極１０３を形成したｉｌ／ｌである。この第
２の実施１りηｙｃおける動作は１ノリ記第１の実施し
ｌで説明したと全く同様であることはムうまでもない。
又、次の第３図の実施例においても全く同様である。
第５図は本発明の第３の実施例である。この実施例では
バノンア一層２の上に図Ｖこ示すように選４ノー的ＶＣ
５Ｉ０２等の、ｅ縁η々１０６をつけた後、活性層３、
クラッド層４を形成している。このようなＬ法を用いた
場合、絶縁１摸１０６の上部のエピタキシャル層３，４
は’１’−ＩＤＥｒ品とならないで高抵抗アモルファス
状態トナリ、図のアモルファス領域１０７を形成するこ
とになる。従って、このアモルフーアスｉｉｌ’ｉ域１
０７をはさんで両側にＰ −′電極８、ｎ−４極１０３
を形成することによって前記実施り１］１および実施例
２と同様な結果を得ることができる。
バノンア一層２の上に図Ｖこ示すように選４ノー的ＶＣ
５Ｉ０２等の、ｅ縁η々１０６をつけた後、活性層３、
クラッド層４を形成している。このようなＬ法を用いた
場合、絶縁１摸１０６の上部のエピタキシャル層３，４
は’１’−ＩＤＥｒ品とならないで高抵抗アモルファス
状態トナリ、図のアモルファス領域１０７を形成するこ
とになる。従って、このアモルフーアスｉｉｌ’ｉ域１
０７をはさんで両側にＰ −′電極８、ｎ−４極１０３
を形成することによって前記実施り１］１および実施例
２と同様な結果を得ることができる。
なお、以」二に述べてきた実施例においては、半絶縁性
基板上・＼連続してｎ−ＩｎＰ 、 ＩｎＧａＡｓＰ
。
基板上・＼連続してｎ−ＩｎＰ 、 ＩｎＧａＡｓＰ
。
Ｐ−ＩｎＰ と形成した例について示したが、逆の場合
、即ち半絶縁性基板上に順次Ｐ−ＩｎＰ 、 、ＩｎＧ
ａＡｓＰ。
、即ち半絶縁性基板上に順次Ｐ−ＩｎＰ 、 、ＩｎＧ
ａＡｓＰ。
ｎ、−ＩｎＰ としても同様で、この場合、前に述べて
きたＰをｎＶこ、ｎをＰの尋ｉに型に変えることにより
、全てが成立する。
きたＰをｎＶこ、ｎをＰの尋ｉに型に変えることにより
、全てが成立する。
又、説明を簡ｉ）ｉ Ｋするため、ＩｎＧａＡｓＰ の
ストライプレーザーダイオードを例として説明したが、
従来例（第１図）で示したように表面および裏面に夫々
１成極づつ＋Ｉｔｆえた全てのレーザー構・告、レーザ
ー材料について本発明を適用することができる。
ストライプレーザーダイオードを例として説明したが、
従来例（第１図）で示したように表面および裏面に夫々
１成極づつ＋Ｉｔｆえた全てのレーザー構・告、レーザ
ー材料について本発明を適用することができる。
発明の効果
本発明のレーザーダイオード（−Ｊｌ レーザーを発光
せしめるのＶＣ必要な副流注入用の２つの電極が全て表
面の・＋ｉ但な同一・１１而上Ｖこ１１°４成されてい
る。
せしめるのＶＣ必要な副流注入用の２つの電極が全て表
面の・＋ｉ但な同一・１１而上Ｖこ１１°４成されてい
る。
従ってレーザーダイオードの駆動用とか、出力安定回路
、その他の各種の一気回路系をモノリシック１体化する
大規模な光ＩＣの構成に１県しては、レーザーダイオー
ドを含めた各種素子間の一気的結合は極めて容易であり
、通常の蒸着金属１摸による酸気的接続を用いることが
出来る。これは大規模集積化に際しては必要不可欠な条
件である。又本発明の構成では、基板として半絶縁性の
ものを利用し、且つ、レーザーダイオード部分も分４（
［領域でもって分離されているため、レーザーダイオー
ドの容量の低下、即ち高速応答性といった効果も合わせ
て生れてくる。
、その他の各種の一気回路系をモノリシック１体化する
大規模な光ＩＣの構成に１県しては、レーザーダイオー
ドを含めた各種素子間の一気的結合は極めて容易であり
、通常の蒸着金属１摸による酸気的接続を用いることが
出来る。これは大規模集積化に際しては必要不可欠な条
件である。又本発明の構成では、基板として半絶縁性の
ものを利用し、且つ、レーザーダイオード部分も分４（
［領域でもって分離されているため、レーザーダイオー
ドの容量の低下、即ち高速応答性といった効果も合わせ
て生れてくる。
第１図は従来の一般的なレーザーダイオードの構造断面
図、第２図は従来の１５区動素子と１体化されたレーザ
ーダイオード゛の概略ＩＪ、第３１Δ々第５図＝如ミば
ば本発明のレーザーダイオードの実施′クリの・１既略
図である。 １０１・・・半絶縁性半導体Ｍ板、ＩＬ）２−・・・導
岨頭域、１０３・・・・ｎ−（５）極、１Ｑ４ ・・プ
ロトン注入絶縁領域、１０５・・・・・エツチング溝、
１０６−・・・・５ＩＯ２ｅ縁Ｈ’Ａ、１０７・・・ア
モルファス半導体の高抵抗領域。 代理人の氏名 弁３４１士 中 尾 赦 男 ほか１名
第１図 第２図 ７
図、第２図は従来の１５区動素子と１体化されたレーザ
ーダイオード゛の概略ＩＪ、第３１Δ々第５図＝如ミば
ば本発明のレーザーダイオードの実施′クリの・１既略
図である。 １０１・・・半絶縁性半導体Ｍ板、ＩＬ）２−・・・導
岨頭域、１０３・・・・ｎ−（５）極、１Ｑ４ ・・プ
ロトン注入絶縁領域、１０５・・・・・エツチング溝、
１０６−・・・・５ＩＯ２ｅ縁Ｈ’Ａ、１０７・・・ア
モルファス半導体の高抵抗領域。 代理人の氏名 弁３４１士 中 尾 赦 男 ほか１名
第１図 第２図 ７
Claims (1)
- ゛ト絶縁性半導体基板上Ｖこ連、読して形成された１導
゛１１を型をもった第１のエピタキシャル層、第２のエ
ピタキシャル層、前記第１のエピタキシャル層と異なる
曲の導電型をもった第３のエピタキシャル層と少なくと
も３層以上のエピタキシャル層からｆ’ｆη成され、レ
ーザー発光部上部の前記第３のエピタキシャル層上に形
成された正（１Ａ） ’Ｆ４極と、１可記第３のエピタ
キシャル層の他部分に形成された負（正）祇極Ｃ１、そ
の両市極間（Ｚｃ設けられた前記ｇ１のエピタキシャル
層迄達するｅ線層もしくはエノチンク溝により分離され
、前記負（正）電極ド部ｅこ［ｊｑ記第１のエピタキシ
ャル層に達する導屯饋域を有することを特徴とするレー
ザーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113083A JPS604286A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113083A JPS604286A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604286A true JPS604286A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14603046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113083A Pending JPS604286A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604286A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108755A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | 三菱化学株式会社 | セメント補強用繊維材 |
| US5061413A (en) * | 1989-02-23 | 1991-10-29 | Nippon Oil Company, Limited | Process for producing pitch-based carbon fibers |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58113083A patent/JPS604286A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108755A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | 三菱化学株式会社 | セメント補強用繊維材 |
| US5061413A (en) * | 1989-02-23 | 1991-10-29 | Nippon Oil Company, Limited | Process for producing pitch-based carbon fibers |
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