JPS6043031B2 - 赤外線検知装置 - Google Patents
赤外線検知装置Info
- Publication number
- JPS6043031B2 JPS6043031B2 JP53132825A JP13282578A JPS6043031B2 JP S6043031 B2 JPS6043031 B2 JP S6043031B2 JP 53132825 A JP53132825 A JP 53132825A JP 13282578 A JP13282578 A JP 13282578A JP S6043031 B2 JPS6043031 B2 JP S6043031B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- gate electrode
- input
- infrared detection
- charge storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は赤外線検知素子と電荷転送素子とを結合した赤
外線検知装置において、両素子間に形成する赤外線検知
素子からの信号電荷を蓄積する領域の構造に関するもの
である。
外線検知装置において、両素子間に形成する赤外線検知
素子からの信号電荷を蓄積する領域の構造に関するもの
である。
シリコン（Ｓｉ）を材料とする電荷転送素子は赤外線に
対して感度をほとんど有しないため、多元半導体を材料
とする赤外線検知素子と５１を材料とする電荷転送素子
とを結合した赤外線検知装置はすでに周知てある。
対して感度をほとんど有しないため、多元半導体を材料
とする赤外線検知素子と５１を材料とする電荷転送素子
とを結合した赤外線検知装置はすでに周知てある。
上記赤外線検知装置は検知すべき対象物体における温度
差、すなわち対象物体からの輻射エネルギーの差を光電
変換して電気エネルギーに変換して検知するものである
が、一般に対象物以外の背景の輻射量が非常に大きく、
この様な背景の輻射量に起因するエネルギーを光電変換
し、この光電変換して得られた電荷を電荷転送装置へ転
送すると、転送電荷量が多いために該電荷転送装置の転
送ゲート電極の形状を大きくしなければならず、このよ
うに転送ゲート電極を大きくすると高速で信号を処理す
ることが困難となる。
差、すなわち対象物体からの輻射エネルギーの差を光電
変換して電気エネルギーに変換して検知するものである
が、一般に対象物以外の背景の輻射量が非常に大きく、
この様な背景の輻射量に起因するエネルギーを光電変換
し、この光電変換して得られた電荷を電荷転送装置へ転
送すると、転送電荷量が多いために該電荷転送装置の転
送ゲート電極の形状を大きくしなければならず、このよ
うに転送ゲート電極を大きくすると高速で信号を処理す
ることが困難となる。
このような背景の輻射量に起因するキャリアを放出する
赤外線検知装置の電荷蓄積領域の従来の構造ならびに電
荷転送素子の構造を平面図および断面図として第１図お
よび第２図に示す。
赤外線検知装置の電荷蓄積領域の従来の構造ならびに電
荷転送素子の構造を平面図および断面図として第１図お
よび第２図に示す。
第１図、第２図に示すようにＰ型のＳｉ基板１上には赤
外線検知素子により光電変換された電荷を電荷蓄積領域
へ入力する入力ダイオード２と上記入力ダイオードと赤
外線検知素子とを接続する電極３が上記Ｓｉ基板上にＳ
ｉ酸化膜４を介して形成されている。
外線検知素子により光電変換された電荷を電荷蓄積領域
へ入力する入力ダイオード２と上記入力ダイオードと赤
外線検知素子とを接続する電極３が上記Ｓｉ基板上にＳ
ｉ酸化膜４を介して形成されている。
上記電荷蓄積領域は前記のＰ型のＳｉ基板上に形成され
ており、一つの赤外線検知素子より入力される信号電荷
と他の赤外線検知素子より入力される信号電荷とが混合
しないようにチャンネルストップ５で前記電荷蓄積領域
をかこんでいる。
ており、一つの赤外線検知素子より入力される信号電荷
と他の赤外線検知素子より入力される信号電荷とが混合
しないようにチャンネルストップ５で前記電荷蓄積領域
をかこんでいる。
このチャンネルストップは硼素等を拡散することてＰ型
の導電型を有する高濃度拡散層として形成したものであ
る。また上記電荷蓄積領域内には上記背景の輻射に起因
する電荷を放出するためのドレイン領域６が形成されて
いる。このドレイン領域は、りん等を拡散することでｎ
型の導電型を有する拡散層として形成されている。また
各電荷蓄積領域およびドレイン領域上に形成される各種
電極を絶縁するためのＳ１酸化膜を形成し、該酸化膜上
に、上記赤外線検知素子からの入力電荷を上記電荷蓄積
領域へ入力する入力ゲート電極７および上記蓄積された
電荷を電荷転送素子へ転送する出力ゲート電極８が、ア
ルミ等の導電性材料で形成されている。同様にドレイン
領域６へ電荷を放出するときに電圧を印加するためのリ
セットゲート電極９および、上記赤外線検知素子より入
力された信号を蓄積する蓄積ゲート電極１０が導電性材
料であるポリシリコン等にて形成されている。更に上記
ドレイン領域６およびリセットゲート電極９上にはＳｉ
酸化膜を介して、ドレインバス配線１１およびリセツト
ゲートバズ配線１２が、アルミニウムの蒸着により形成
されている。また出力ゲート電極によつて電荷転送装置
に送られてきた信号を上記電荷転送装置の出力部に転送
するためめの転送電極１３，１４，１５，１６が、アル
ミニウムの蒸着により上記シリコン基板上にシリコン酸
化膜を介して形成される。
の導電型を有する高濃度拡散層として形成したものであ
る。また上記電荷蓄積領域内には上記背景の輻射に起因
する電荷を放出するためのドレイン領域６が形成されて
いる。このドレイン領域は、りん等を拡散することでｎ
型の導電型を有する拡散層として形成されている。また
各電荷蓄積領域およびドレイン領域上に形成される各種
電極を絶縁するためのＳ１酸化膜を形成し、該酸化膜上
に、上記赤外線検知素子からの入力電荷を上記電荷蓄積
領域へ入力する入力ゲート電極７および上記蓄積された
電荷を電荷転送素子へ転送する出力ゲート電極８が、ア
ルミ等の導電性材料で形成されている。同様にドレイン
領域６へ電荷を放出するときに電圧を印加するためのリ
セットゲート電極９および、上記赤外線検知素子より入
力された信号を蓄積する蓄積ゲート電極１０が導電性材
料であるポリシリコン等にて形成されている。更に上記
ドレイン領域６およびリセットゲート電極９上にはＳｉ
酸化膜を介して、ドレインバス配線１１およびリセツト
ゲートバズ配線１２が、アルミニウムの蒸着により形成
されている。また出力ゲート電極によつて電荷転送装置
に送られてきた信号を上記電荷転送装置の出力部に転送
するためめの転送電極１３，１４，１５，１６が、アル
ミニウムの蒸着により上記シリコン基板上にシリコン酸
化膜を介して形成される。
このような構造の赤外線検知装置の電荷蓄積領域の動作
について第３図〜第６図を用いて説明する。
について第３図〜第６図を用いて説明する。
まず、第３図のように、上記入力ダイオード２に入力さ
れた電荷２１は入力ゲート電極７に電圧を印加して該ゲ
ートを開き、同時に蓄積ゲート電極１０に電圧を印加し
てポテンシャルの井戸を形成することで上記電荷２１が
蓄積ゲート電極１０下に貯えられる。次に第４図に示す
ように出力ゲート電極８に電圧を印加して該ゲートを開
くことにより、上記電荷の一部２２すなわち対象物から
の輻射量に起因する電荷が電荷転送素子の方へ転送され
る。このようにして転送された電荷は第１図に示すよう
に電荷転送素子の転送電極１３，１４，１５，１６にφ
２，φ３，φ４，φ１の転送電圧を順次印加して電荷転
送素子を形成するＳ１基板下にポテンシャルの井戸を順
次切換え形成して矢印の方向に転送される。その後第５
図に示すように上記出力ゲートを閉じる。
れた電荷２１は入力ゲート電極７に電圧を印加して該ゲ
ートを開き、同時に蓄積ゲート電極１０に電圧を印加し
てポテンシャルの井戸を形成することで上記電荷２１が
蓄積ゲート電極１０下に貯えられる。次に第４図に示す
ように出力ゲート電極８に電圧を印加して該ゲートを開
くことにより、上記電荷の一部２２すなわち対象物から
の輻射量に起因する電荷が電荷転送素子の方へ転送され
る。このようにして転送された電荷は第１図に示すよう
に電荷転送素子の転送電極１３，１４，１５，１６にφ
２，φ３，φ４，φ１の転送電圧を順次印加して電荷転
送素子を形成するＳ１基板下にポテンシャルの井戸を順
次切換え形成して矢印の方向に転送される。その後第５
図に示すように上記出力ゲートを閉じる。
さらに第６図に示すようにリセットゲート電極９に電圧
を印加してゲートを開いて背景の輻射量に起因した電荷
を矢印のようにドレイン６に放出する。従来このような
電荷蓄積領域は第１図に示したようにチャンネルストッ
プにより画定された領域内で１つの赤外線検知素子から
の信号電荷が入力される入力ダイオード１個に対して１
つのドレイン領域６が形成されている。
を印加してゲートを開いて背景の輻射量に起因した電荷
を矢印のようにドレイン６に放出する。従来このような
電荷蓄積領域は第１図に示したようにチャンネルストッ
プにより画定された領域内で１つの赤外線検知素子から
の信号電荷が入力される入力ダイオード１個に対して１
つのドレイン領域６が形成されている。
このドレイン領域は上記したごとくＰ型のＳｉ基板にり
んを拡散してｎ型の拡散層を形成したものである。また
上記チャンネルストップはＰ型基板にボロンを拡散して
Ｐ型の高濃度層を形成したもので、このドレイン領域お
よびチャンネルストップ間の距離Ａは第１図に示すごと
くりんを拡散するときにりんが横方向に拡がるため最小
で１０〜１５μｍ位は必要である。またドレイン領域の
幅Ｂは処理する信号量の大きさから最低１０〜１５μｍ
位は必要である。したがつて各赤外線検知素子からの信
号電荷の通路を画定するチャンネルストップ間の距離（
払＋Ｂ）は約５０μｍ前後は必要であつた。上記したよ
うな赤外線検知装置にあつては、１つのチップ中に形成
される電荷転送装置に出来るだけ多くの赤外線検知素子
を結合させて高密度化を図りもつて１つのチップででき
るだけ多くの信号量を処理することが望ましい。本発明
は上記した赤外線検知装置の高密度化を図るもので、複
数の赤外線検知素子を有し、各々の赤外線検知素子によ
つて光電変換された信号電荷を入力ダイオードを介して
導入する電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域からの信号
電荷を出力ゲートを介して導入する電荷転送装置をそな
え、さらに各赤外線検知素子からの信号電荷の通路を画
定するチャンネルストップを各入力ダイオード領域から
電荷転送装置の対応ビットにわたつて設けた赤外線検知
装置において、隣接する２つの蓄積領域ごとに１つのド
レイン領域を両電荷蓄積領域の境界に設けるとともに、
前記２つの電荷蓄積領域からドレイン領域への放出電荷
量を制御するル・−プ状のリセットゲート電極を設けた
ことを特徴とする新規な赤外線検知装置を提供せんとす
るものである。
んを拡散してｎ型の拡散層を形成したものである。また
上記チャンネルストップはＰ型基板にボロンを拡散して
Ｐ型の高濃度層を形成したもので、このドレイン領域お
よびチャンネルストップ間の距離Ａは第１図に示すごと
くりんを拡散するときにりんが横方向に拡がるため最小
で１０〜１５μｍ位は必要である。またドレイン領域の
幅Ｂは処理する信号量の大きさから最低１０〜１５μｍ
位は必要である。したがつて各赤外線検知素子からの信
号電荷の通路を画定するチャンネルストップ間の距離（
払＋Ｂ）は約５０μｍ前後は必要であつた。上記したよ
うな赤外線検知装置にあつては、１つのチップ中に形成
される電荷転送装置に出来るだけ多くの赤外線検知素子
を結合させて高密度化を図りもつて１つのチップででき
るだけ多くの信号量を処理することが望ましい。本発明
は上記した赤外線検知装置の高密度化を図るもので、複
数の赤外線検知素子を有し、各々の赤外線検知素子によ
つて光電変換された信号電荷を入力ダイオードを介して
導入する電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域からの信号
電荷を出力ゲートを介して導入する電荷転送装置をそな
え、さらに各赤外線検知素子からの信号電荷の通路を画
定するチャンネルストップを各入力ダイオード領域から
電荷転送装置の対応ビットにわたつて設けた赤外線検知
装置において、隣接する２つの蓄積領域ごとに１つのド
レイン領域を両電荷蓄積領域の境界に設けるとともに、
前記２つの電荷蓄積領域からドレイン領域への放出電荷
量を制御するル・−プ状のリセットゲート電極を設けた
ことを特徴とする新規な赤外線検知装置を提供せんとす
るものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第７図は本発明に係る赤外線検知装置の平面図であり、
第８図は第７図のＹ−Ｙ″の断面図である。
第８図は第７図のＹ−Ｙ″の断面図である。
これらの図に示すように上記検知装置はＰ型のＳｉ基板
３１上に形成されたもので、赤外線検知素子により光電
変換された電荷が入力される入力ダイオード３２，３３
が上記Ｐ型のＳｉ基板にりんを拡散したｎ型の拡散層と
して形成されている。また入力ダイオード３２と赤外線
検知素子とを接続する電極３４がＮにて上記Ｓｉ基板上
にＳｉ酸化膜３５を介して形成されている。また上記の
入力ダイオード３２，３３に入力される信号電荷が蓄積
領域に転送されたとき互いに混合しないようにチャンネ
ルストップ３６が、硼素等を拡散することでＰ型の導電
型を有する高濃度拡散層として形成されている。また第
７図に示すように導電性のポリシリコンにてＳｉ酸化膜
上に形成され、かつドレイン領域３８へ電荷を放出する
ときに電圧を印加するリセットゲート電極３７の二辺の
中央部からチャンネルストップ３６の一部が入力ダイオ
ード３２，３３および電荷転送装置の近傍へ張り出すよ
うな形状をしている。また背景の輻射に起因する電荷を
放出するため、ドレイン領域３８が上記Ｓ１基板にりん
の拡散によつてｎ型の拡散層として相隣る電荷蓄積領域
に共通するよう形成されている。
３１上に形成されたもので、赤外線検知素子により光電
変換された電荷が入力される入力ダイオード３２，３３
が上記Ｐ型のＳｉ基板にりんを拡散したｎ型の拡散層と
して形成されている。また入力ダイオード３２と赤外線
検知素子とを接続する電極３４がＮにて上記Ｓｉ基板上
にＳｉ酸化膜３５を介して形成されている。また上記の
入力ダイオード３２，３３に入力される信号電荷が蓄積
領域に転送されたとき互いに混合しないようにチャンネ
ルストップ３６が、硼素等を拡散することでＰ型の導電
型を有する高濃度拡散層として形成されている。また第
７図に示すように導電性のポリシリコンにてＳｉ酸化膜
上に形成され、かつドレイン領域３８へ電荷を放出する
ときに電圧を印加するリセットゲート電極３７の二辺の
中央部からチャンネルストップ３６の一部が入力ダイオ
ード３２，３３および電荷転送装置の近傍へ張り出すよ
うな形状をしている。また背景の輻射に起因する電荷を
放出するため、ドレイン領域３８が上記Ｓ１基板にりん
の拡散によつてｎ型の拡散層として相隣る電荷蓄積領域
に共通するよう形成されている。
このドレイン領域は第７図に示すようにリセットゲート
電極３７の中央部に島状の形となつて形成されている。
つまり上記ドレイン領域３８の周辺にループ状のリセッ
トゲート電極３７が形成されている。また上記Ｓｉ酸化
膜３５上には、上記赤外線検知素子からの信号電荷を電
荷蓄積部へ入力する入力ゲート電極３９および上記入力
された電荷を電荷転送装置へ転送する出力ゲート電極４
０がＡｌの蒸着により形成されている。
電極３７の中央部に島状の形となつて形成されている。
つまり上記ドレイン領域３８の周辺にループ状のリセッ
トゲート電極３７が形成されている。また上記Ｓｉ酸化
膜３５上には、上記赤外線検知素子からの信号電荷を電
荷蓄積部へ入力する入力ゲート電極３９および上記入力
された電荷を電荷転送装置へ転送する出力ゲート電極４
０がＡｌの蒸着により形成されている。
また赤外線検知素子からの信号電荷を蓄積する蓄積ゲー
ート電極４１がシリコン基板上にシリコン酸化膜を介し
て導電性ポリシリコンにて形成されている。また上記リ
セットゲート電極及びドレイン領域上にはＳｉ酸化膜を
介してリセットゲート電極バス配線４２及びドレイン領
域バス配線４３が形成されている。また電荷転送装置へ
送られた信号電荷を上記電荷転送装置の出力部へ転送す
るための転送電極４４が上記Ｓｉ基板上にＳｉ酸化膜を
介してＡ１で形成されている。このような構造の赤外線
検知装置の動作について説明する。
ート電極４１がシリコン基板上にシリコン酸化膜を介し
て導電性ポリシリコンにて形成されている。また上記リ
セットゲート電極及びドレイン領域上にはＳｉ酸化膜を
介してリセットゲート電極バス配線４２及びドレイン領
域バス配線４３が形成されている。また電荷転送装置へ
送られた信号電荷を上記電荷転送装置の出力部へ転送す
るための転送電極４４が上記Ｓｉ基板上にＳｉ酸化膜を
介してＡ１で形成されている。このような構造の赤外線
検知装置の動作について説明する。
赤外線検知素子により光電変換された信号電荷は、チャ
ンネルストップにより画定された入力ダイオード３２に
送られ、その後人力ゲート電極３９に電圧を印加して該
ゲートを開き同時に蓄積ゲート電極４１にも電圧を印加
して上記蓄積ゲート電極下にポテンシャルの井戸を形成
することで蓄積ゲート電極下に貯えられる。更に入力ゲ
ート電極３９に印加された電圧をもとに戻して入力ゲー
トを閉じる。
ンネルストップにより画定された入力ダイオード３２に
送られ、その後人力ゲート電極３９に電圧を印加して該
ゲートを開き同時に蓄積ゲート電極４１にも電圧を印加
して上記蓄積ゲート電極下にポテンシャルの井戸を形成
することで蓄積ゲート電極下に貯えられる。更に入力ゲ
ート電極３９に印加された電圧をもとに戻して入力ゲー
トを閉じる。
次に出力ゲート電極４０に所望の電圧を印加して該ゲー
トを開いて上記蓄積電荷の一部、すなわち対象物体の輻
射量に起因する電荷を電荷転送装置の方へ送出する。こ
のように送出された信号電荷を第７図に示すように電荷
転送装置の転送電極４４，４５，４６，４７にφ２，φ
３，φ４，φ１の転送電圧を順次印加してポテンシャル
の井戸を上記電荷転送装置を形成するＳｉ基板下に形成
して、該電荷転送装置の出力部の方へ転送する。このよ
うにすれば、入力ダイオード３２，３３，に入力された
赤外線検知素子からの対象物体の輻射に起因する信号電
荷がチャンネルストップ及びリセットゲート電極によつ
て混合されないで電荷転送装置の方へ転送される。
トを開いて上記蓄積電荷の一部、すなわち対象物体の輻
射量に起因する電荷を電荷転送装置の方へ送出する。こ
のように送出された信号電荷を第７図に示すように電荷
転送装置の転送電極４４，４５，４６，４７にφ２，φ
３，φ４，φ１の転送電圧を順次印加してポテンシャル
の井戸を上記電荷転送装置を形成するＳｉ基板下に形成
して、該電荷転送装置の出力部の方へ転送する。このよ
うにすれば、入力ダイオード３２，３３，に入力された
赤外線検知素子からの対象物体の輻射に起因する信号電
荷がチャンネルストップ及びリセットゲート電極によつ
て混合されないで電荷転送装置の方へ転送される。
次に電荷転送装置に所要の信号電荷を転送したのち、蓄
積ゲーート下に貯えられている主として背景の輻射量に
起因する電荷をドレイン領域に放出する機構について述
べる。
積ゲーート下に貯えられている主として背景の輻射量に
起因する電荷をドレイン領域に放出する機構について述
べる。
第９図に示すようにチャンネルストップ及びリセットゲ
ート領域で２分された蓄積ゲーート４１下には赤外線検
知素子より入力された信号電荷のうち所望の電荷を放出
したあとの主として背景の輻射量に起因する信号電荷５
１Ａおよび信号電荷５１Ｂが貯えられている。上記５１
Ａの電荷は第７図の入力ダイオード３３より入力された
電荷で、５１Ｂの電荷は入力ダイオード３２より入力さ
れた電荷である。次に第１０図に示すようにリセットゲ
ート電極３７に電圧を印加してゲートを開いて共通のド
レイン領域３８に矢印のように上記信号電荷を放出する
。上記のように二つの赤外線検知素子からの入力信号の
うち背景の輻射に起因する電荷を共通して放出できるよ
うなドレイン領域を設けることで上記赤外線検知装置の
電荷蓄積部の集積度が向上する。ちなみに従来の電荷蓄
積部において一つの赤外線検知素子の信号を入力する入
力ダイオードが幅約５０μｍのチャンネルストップ内で
画定されていたのに対し、本発明によれば１つの赤外線
検知素子の信号を入力する入力ダイオードが幅約３５μ
ｍのチャンネルストップ内に画定されることになり、集
積度が約１．３倍にも向上する。
ート領域で２分された蓄積ゲーート４１下には赤外線検
知素子より入力された信号電荷のうち所望の電荷を放出
したあとの主として背景の輻射量に起因する信号電荷５
１Ａおよび信号電荷５１Ｂが貯えられている。上記５１
Ａの電荷は第７図の入力ダイオード３３より入力された
電荷で、５１Ｂの電荷は入力ダイオード３２より入力さ
れた電荷である。次に第１０図に示すようにリセットゲ
ート電極３７に電圧を印加してゲートを開いて共通のド
レイン領域３８に矢印のように上記信号電荷を放出する
。上記のように二つの赤外線検知素子からの入力信号の
うち背景の輻射に起因する電荷を共通して放出できるよ
うなドレイン領域を設けることで上記赤外線検知装置の
電荷蓄積部の集積度が向上する。ちなみに従来の電荷蓄
積部において一つの赤外線検知素子の信号を入力する入
力ダイオードが幅約５０μｍのチャンネルストップ内で
画定されていたのに対し、本発明によれば１つの赤外線
検知素子の信号を入力する入力ダイオードが幅約３５μ
ｍのチャンネルストップ内に画定されることになり、集
積度が約１．３倍にも向上する。
またこのような構造にすればドレイン領域コンタクト孔
およびリセットゲート電極のコンタクト孔の形成個数が
大幅に少なくなり、製造が容易となり歩留も向上する。
また上記リセットゲート電極によりドレインに電荷を放
出するとき以外にも電圧を少し印加して、あるレベルに
保てばブルーミング防止の機能も併わせ持つことも可能
となる。
およびリセットゲート電極のコンタクト孔の形成個数が
大幅に少なくなり、製造が容易となり歩留も向上する。
また上記リセットゲート電極によりドレインに電荷を放
出するとき以外にも電圧を少し印加して、あるレベルに
保てばブルーミング防止の機能も併わせ持つことも可能
となる。
第１図および第２図は従来の赤外線検知装置の電荷蓄積
部の平面図および断面図で、第３〜６図は上記赤外線検
知装置の動作説明図である。 第７図および第８図は本発明に係る赤外線検知装置の電
荷蓄積部の平面図および断面図で、第９図および第１０
図は本発明に係る赤外線検知装置の動作説明図である。
１：シリコン基板、２：入力ダイオード、３：接続用電
極、４：シリコ酸化膜、５：チヤンネルストップ、６：
ドレイン領域、７：入力ゲート電極、８：出力ゲート電
極、９：リセツトゲート電極、１０：蓄積ゲート電極、
１１：ドレイン領域バス配線、１２：リセツトゲート電
極バス配線、１３，１４，１５，１６：転送電極、２１
：蓄積電荷、２２：対象物の輻射に起因する電荷、３１
：シリコン基板、３２，３３：入力ダイオード、３４：
接続電極、３５：シリコン酸化膜、３６：チヤンネルス
トツプ、３７：リセツトゲート電極、３８：ドレイン領
域、３９：入力ゲート電極、４０：出力ゲート電極、４
１：蓄積ゲート電極、４２：リセツトゲート電極バス配
線、４３：ドレイン領域バス配線、４４，４５，４６，
４７：転送電極、５１Ａ，５１Ｂ：背景の輻射に起因す
る電荷、Ａ：チヤンネルストツプとドレイン・間の距離
、Ｂ：ドレイン領域の幅φ１，φ２，φ３，φ４：転送
電圧。
部の平面図および断面図で、第３〜６図は上記赤外線検
知装置の動作説明図である。 第７図および第８図は本発明に係る赤外線検知装置の電
荷蓄積部の平面図および断面図で、第９図および第１０
図は本発明に係る赤外線検知装置の動作説明図である。
１：シリコン基板、２：入力ダイオード、３：接続用電
極、４：シリコ酸化膜、５：チヤンネルストップ、６：
ドレイン領域、７：入力ゲート電極、８：出力ゲート電
極、９：リセツトゲート電極、１０：蓄積ゲート電極、
１１：ドレイン領域バス配線、１２：リセツトゲート電
極バス配線、１３，１４，１５，１６：転送電極、２１
：蓄積電荷、２２：対象物の輻射に起因する電荷、３１
：シリコン基板、３２，３３：入力ダイオード、３４：
接続電極、３５：シリコン酸化膜、３６：チヤンネルス
トツプ、３７：リセツトゲート電極、３８：ドレイン領
域、３９：入力ゲート電極、４０：出力ゲート電極、４
１：蓄積ゲート電極、４２：リセツトゲート電極バス配
線、４３：ドレイン領域バス配線、４４，４５，４６，
４７：転送電極、５１Ａ，５１Ｂ：背景の輻射に起因す
る電荷、Ａ：チヤンネルストツプとドレイン・間の距離
、Ｂ：ドレイン領域の幅φ１，φ２，φ３，φ４：転送
電圧。
Claims (1)
- １ 複数の赤外線検知素子を有し、各々の赤外線検知素
子によつて光電変換された信号電荷を入力ダイオードを
介して導入する電荷蓄積領域と、該電荷蓄積領域からの
信号電荷を出力ゲートを介して導入する電荷転送装置を
そなえ、さらに各赤外線検知素子からの信号電荷の通路
を画定するチャンネルストップを各入力ダイオード領域
から電荷転送装置の対応ビットにわたつて設けた赤外線
検知装置において、隣接する２つの電荷蓄積領域ごとに
１つのドレイン領域を両電荷蓄積領域の境界に設けると
ともに、前記２つの電荷蓄積領域からドレイン領域への
放出電荷量を共通に制御するループ状のリセットゲート
電極を設けたことを特徴とする赤外線検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53132825A JPS6043031B2 (ja) | 1978-10-26 | 1978-10-26 | 赤外線検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53132825A JPS6043031B2 (ja) | 1978-10-26 | 1978-10-26 | 赤外線検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5558581A JPS5558581A (en) | 1980-05-01 |
| JPS6043031B2 true JPS6043031B2 (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=15090423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53132825A Expired JPS6043031B2 (ja) | 1978-10-26 | 1978-10-26 | 赤外線検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043031B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128235A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Nec Corp | 送信端局装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5793568A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Nec Corp | Semiconductor image pickup element |
| JPS57190353A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of solid-state image pick-up device |
| JPS5874049A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Fujitsu Ltd | マルチプレクサの試験方法 |
| JPS5896467A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-08 | Nec Corp | 固体撮像装置の駆動法 |
| JPS58123280A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-22 | Nec Corp | 固体撮像装置の駆動法 |
| JPS59123372A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-17 | Fujitsu Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS60225465A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Nec Corp | 固体撮像索子 |
| JP2999508B2 (ja) * | 1990-04-18 | 2000-01-17 | パイオニア株式会社 | 時間軸誤差信号発生装置 |
-
1978
- 1978-10-26 JP JP53132825A patent/JPS6043031B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128235A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Nec Corp | 送信端局装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5558581A (en) | 1980-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4373167A (en) | Solid state image sensor with overflow protection and high resolution | |
| EP1004140B1 (en) | A well to substrate photodiode for use in a cmos sensor on a salicide process | |
| US4198646A (en) | Monolithic imager for near-IR | |
| US4231149A (en) | Narrow band-gap semiconductor CCD imaging device and method of fabrication | |
| US4724470A (en) | Image sensor device having separate photosensor and charge storage | |
| US4087833A (en) | Interlaced photodiode array employing analog shift registers | |
| US4168444A (en) | Imaging devices | |
| JPH04304673A (ja) | 側壁電荷結合撮像素子及びその製造方法 | |
| US4040076A (en) | Charge transfer skimming and reset circuit | |
| US4559695A (en) | Method of manufacturing an infrared radiation imaging device | |
| US4553152A (en) | Monolithic infrared ray charge transfer element | |
| EP0174133A2 (en) | A solid-state image sensor | |
| JP2662062B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US4346395A (en) | Light detecting photodiode-MIS transistor device | |
| JPH04500438A (ja) | ２重ゲート型抗曇り構造を備えたｃｃｄ撮像器 | |
| GB2197986A (en) | Charge transfer devices | |
| US4377904A (en) | Method of fabricating a narrow band-gap semiconductor CCD imaging device | |
| JPH07226495A (ja) | 減少されたフォトダイオード間のクロストークを有するｃｃｄ画像センサー | |
| GB2054961A (en) | Excess Charge Removal in Charge Transfer Devices | |
| EP0275180A2 (en) | Solid state imager device | |
| JPH0621423A (ja) | 赤外線検出装置及びその製造方法 | |
| JPS61198676A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0680811B2 (ja) | Ｃｃｄ画像感知器 | |
| US4721989A (en) | CCD with transfer channel at lower potential than supply channel | |
| JP2901328B2 (ja) | 固体撮像素子 |