JPS6043654B2 - ホウ素拡散によるシリコン基体のド−ピング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、第１の熱処理において、シリコン基体が所
定量のホウ素及び酸素を含む混合ガスに晒 されること
により、多くとも部分的にマスクされたシリコン基体の
表面を覆うホウ素ガラスの層及び上記表面の真下のマス
クされていない領域にＳｉ氏層が生成され、第２の熱処
理において少なくともホウ素の部分がシリコンにドライ
ブ・インされる、ホウ素の拡散によるシリコン基体のド
ーピ ング方法に関するものである。

ホウ素をシリコンに拡散することに関しては、カプセ
ル拡散方法が知られ、この方法は、反応管を流れホウ素
源を含むガスの流れにシリコン基体を晒すことである。

カプセル拡散では、非常に均質で再生可能な結果が得ら
れる。しかしながら、必要な材料及び装置が非常に高価
であるという欠点を有する。例えば、各バッチに対して
高価なりオルツのカプセルが必要であり、高真空ポンプ
及び接続される焼成炉が必要である。さらに、カプセル
拡散は比較的多くの手動操作を含むので、プロセスは自
動処理ラインに組み込まれるのに適していない。カプセ
ル拡散はまた、次のような拡ｊ散、例えば拡散の後で、
マスキングのために次の拡散に必要とされる酸化物が成
長しなければならないようなバイポーラ・トランジスタ
のベース拡散においても、有利でない。装置及び材料に
関しては、ホウ素源を含みシリコン基体を通過して流れ
る（以下“゜開管拡散゛と呼ぶ）ガスの流れによるホウ
素の拡散は、たいして複雑でない。すなわち操作員はほ
とんど介入する必要がないので、この型の拡散は自動生
産ラインに全く適している。一般に使用される開管拡散
においては、ホウ素ガラスはホウ素でドープされるシリ
コン基体の表面に作られるように、高温に加熱されたシ
リコン基体が酸化ホウ素を含むガスの流れに晒される。
酸化ホウ素については、高温に加熱されＢ２Ｏ３で被覆
された窒化ホウ素ウェハを通過するように導かれてガス
の流れの中に入れられる即ちガスの流れの中の酸素が、
室温で液体又は気体のホウ素を含む材料と反応するよう
に用いられる。ホウ素源として好ましいＢ２Ｏ３で被覆
された窒化ホウ素を用いる開管拡散、例えばＧｅｒｍａ
ｎＯｆｆｅｎｌｅｇｕｎｇｓｓｃｈｒｉｆｔ２３ｌ６５
２Ｏ号に述べられている。

室温で液体であるＢＢｒ３がホウ素源として用いられる
開管拡散は、米国特許第３６７６２３１号及びジャーナ
ル′６Ｓ０１１ｄＳｔａｔｅＥ１ｅｃｔｒ０ｎｉｃｓ１
１９７１年、１４巻第２８１頁以下の６６ＴｈｅＩｎｆ
１ｕｅｎｃｅ０ｆｔｈｅＲｅａｃｔｉ０ｎＫｉｎｅｔｉ
ｃｓ０ｆ０２ａｎｄＳ０ｕｒｃｅＦＩ０ｗＲａｔｅｓ０
ｎＴｈｅＵｎｉｆＯｒｍｉｔｙＯｆＢＯｒＯｎａｎｄＡ
ｒ′ＳｅｎｉｃＤｉｆｆｕｓｉＯｎｓｌ３及びＰ．Ｃ．
Ｐａｒｅｋｈ及びＤ．Ｒ．ＧＯｌｄｓｔｅｉｎ著、ジャ
ーナル６６Ｐｒ０ｃｅｅｄｉｎｇｓ０ｆｔｈｅＩＥＥＥ
“゜第５７巻、第９号、１９６師９月第１５０頂以下の
′６ＴｈｅＩｎｆＩｕｅｎｃｅ０ｆＲｅａｃｔｉ０ｎＫ
ｉｎｅｔｉｃｓＢｅｔｗｅｅｎＢＢｒ３ａｎｄ０２０ｎ
ｔｈｅＵｎｉｆ０ｒｍｉＴｙＯｆＢａｓｅＤｉｆｆｕｓ
ｉＯｎ゛に述べられている。ホウ素源として室温で気体
状のＢ２Ｈ６を用いるホウ素の開管拡散は、例えばＫ．
Ｍ．Ｂｕｓｅｎ等著、６６Ｊ０ｕｍａ１０ｆｔｈｅＥＩ
ｅｃｔｒ０ｃｈｅｍｉｃａ１Ｓ０ｃｉｅｔｙ１３第１１
５巻１９６詳３月第２９１頁以下の４６Ｅ１１１ｐｓ０
ｍｅｔｒｉｃＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉ０ｎ０ｆＢ０ｒ０
ｎＲｉｃｈＬａｙｅｒｓ０ｎＳｉＩｉｃ０ｎ２１に述べ
られζている。そしＢ：０２の比があまり低くないから
、シリコンの豊富なホウ素相は、上記Ｋ．Ｍ．Ｂｕｓｅ
ｎにより述べられているように、ホウ素ガラスが直接シ
リコン上に付着されて得られる。

上記Ｋ．Ｍ．ｌＢｕｓｅｎ等により述べられているよう
に、ＳｉＢ湘の形成は良く制御されたホウ素拡散に対し
て効果がある。しかしながら、この好都合な効果は、第
２の熱処理でのホウ素のドライブ●インに先立つてＳｉ
ＢＧ相が取り除かれる時にのみ現われる。Ｂｌ］Ｓｅｎ
等は、ＳｉＢ８相の除去に対してシリコンを食刻する食
刻剤に特徴がある、即ち第１のステップにおいて相が１
扮間蒸発する濃硝酸中で、次に３扮間希釈匪中で処理さ
れる２段階処理を用いることを提案している。シリコン
食刻剤の使用は、シリコン・ウェハが集積回路を実装す
るように処理される時には好ましくないし、２段階処理
は、ＳｉＢ６相が完全に取り除かれることを保証するた
めに、前ノ記論文に述べられているように数回用いなけ
ればならない。食刻処理の信頼性の欠如という点から、
２段階方法は製造プロセスには適していない。それゆえ
に、Ｄ．Ｍ．ＢｒＯｗｎ及びＰ．Ｒ．ＫｅｎｎｉｃＯｔ
ｔ著、 ″ＪＯｕｒｎａＩＯｆｔｈｅＥＩｅｃｔｒＯ
ｃｈｅｍｉｃａＩ・ＳＯｃｉｅｔｙ゛第１１８巻、１９
７１年２月第２９３頁以下の″ＧｌａｓｓｓＯｕ！″Ｃ
ｅＢＤｉｆｆｕｓｉＯｎｉｎＳｊａｎｄＳｉＯ２５′で
は、Ｂｕｓｅｎ等による論文に比べてＳｉＰ）６相の形
成を避けたホウ素拡散を提案している。もちろんこれは
また、Ｓｉ八相の利点も除外されている。Ｇｅｒｎｌａ
ｎＯｆｆｅｎＩｅｇｕｎ？ＳＣｈｒｉｆｔ２３ｌ６５２
Ｏ号に述べられている方法では、Ｋ．Ｍ．Ｂｕｓｅｎの
主張した利点はＢｕｓｅｎにより述べられた方法に用い
られている。すなわち、Ｓｉ八相は形成の後、高温酸化
ステップで、第２の熱処理に先立つて取り除かれるよう
に容易に溶ける酸化物に変えられる。これらの処理ステ
ップにもかかわらず、上記ＧｅｒｍａｎＯｆｆｅｎｌｅ
ｇｕｎｇｓｓｃｈｒｉ旧こ述べられている方法によると
、シリコン基体及び全バッチ上の非常に狭い許容誤差範
囲内の低ドーピング拡散領域（表面抵抗〉３００Ω／口
、浸透の深さほぼ１μｍ）の製造では、均一で再生成可
能な結果は得られない。ぎつしり詰つた高集積回路への
傾向が強くなつているので、上記ＧｅｒｍａｎＯｆｆｅ
ｎｌｅｇｌｌｎ？Ｓｃｈｒｉｆｔに述べられている方法
により得られる結果ではもはや十分満足できるものでな
くなつた。非常にドープされた領域を製造するのに、ホ
ウ素酸化物被覆後の徹底的な酸素処理（それゆえに以下
に詳細に述べられるのだが）は、ある場合には非常に不
都合な効果を持つ。本発明の目的は、時間を節約し、廉
価で非常に均一で高い再生成の結果を提供し、広く用い
られ簡単に制御と検査ができ、自動製造ラインに適用で
きる、ホウ素を用いてシリコンをドーピングする拡散プ
ロセスを提供することである。

ドライブ・インに先立つて、シリコンの豊富な相ではな
くてホウ素ガラスのみを取り除く場合は、Ｋ．Ｍ．Ｂｕ
ｓｅｎ等により述べられた前記論文からの試験は正しい
ことが知られている。

しかしながら、そこで述べられている結果によると、Ｂ
ｕｓｅｎ等は好ましい拡散結果を得るためにはドライブ
・インに先立つてＳｉＢ６相は取り除かれなければなら
ないので、これらの試験は各問題を解決するための考え
としては用いることができないと結論してしまつた。驚
いたことに、本発明により開示された方法では、低抵抗
ゾーン同様高抵抗の製造においても非常に狭い許容誤差
範囲で高均一（シリコン基体及びバッチに対して）で高
再生成の結果が得られる。これらの好ましい特徴から、
本発明により開示された方法は、特にぎつしり詰つた、
非常にしばしば用いられる高集積回路の製造に適してい
る。本発明により開示された方法の利点は、特に、この
方法を用いて高集積回路を作る場合、ベース・ゾーンの
製造及びサブコレクタ領域を伴なうサブ アイソレーシ
ヨン（ＳｕｂｉｓＯｌａｔｉＯｎ）を示す構造体の製造
の両方に対して、バイポーラ●トランジスタのエミッタ
●コレクタ・ショート回路の数が、公知の方法を用いる
小さな集積密度の回路製造の楊合よりもさらに小さくな
ることである。

緩衝フッ化水素酸中では完全に取り除かれないが、まず
フッ化水素酸で次に熱硝酸でそして最後にもう一度フッ
化水素酸中で処理することにより、残留物を残さずに取
り除かれるホウ素ガラスが得られるような方法で、単位
時間当りの混合ガスに加えられる０２：Ｂの比及びホウ
素源の量は有利に決められる。

水で１：１０の比に希釈されたフッ化水素酸に１＠間、
それから９５゜Ｃに加熱された濃硝酸に１紛間、そして
最後にフッ化水素酸（１：１０）に３０８間、シリコン
基体をつけることが都合良い。この食刻処理はシリコン
を浸食しないので、特に集積回路が作られるシリコン基
体の処理において重要である。さらにホウ素ケイ酸ガラ
スは、ＳｉＢ６相がさほど重要な影響を受けることなし
に、この食刻処理で確実に取り除かれるので、この方法
は大規模生産に非常に適している。非常に重要な点は、
この食刻処理により得られる高再生成可能な結果である
。ホウ素源としてＢＢｒ３を用い、被覆温度ではＢＢｒ
３及び０２で形成された、流れるキャリヤー・ガスに含
まれる混合ガスにシリコン・ウェハを晒すと都合良い。

第１の熱処理では、反応管の内径はほぼ８Ｃ７７！と仮
定するがキャリヤー・ガスの流れは２乃至５リットル／
分で、また０．５乃至１リットル／分の安定した流れで
操作し、被覆の際キャリヤー・ガスにほぼ１５乃至３０
ミリグラム／分のＢＢｒ３量を加え、且つ少なくとも被
覆の際ほぼ２０乃至６５の０２：ＢＢｒ３のモル比でＢ
Ｂｒ３量に酸素量を加えることが好ましい。もし挿作が
内径ほぼ１１Ｃ！ｒｌの反応管で起こるなら、適したキ
ャリヤー・ガスの流れは３．５乃至８．５リットル／分
であり、適したＢＢｒ３の量はほぼ１８乃至３６ミリグ
ラム／分である。第１の熱処理の際には、シリコン・ウ
ェハの形で存在するシリコン基体はガスの流れに垂直に
してボートに配置されるのだか、フラットな温度プロフ
ィールを示し、管の軸に垂直に提供されてほぼ管の断面
積を満たすように穴をあけられたプレートを通るように
混合用チェンバーからの混合ガスが向けられ、穴をあけ
たプレート及び管の軸に垂直に提供された２つのクオル
ツ・ディスクから成るバッフルで終端を成す反応ゾーン
に上記シリコン基体は都合良く置かれる。

そして混合ガスは、バイブによりクオルツ・ディスク間
から排気され、安定化ガスがバッフルとグランド・キャ
ップでふたをした管の間に導入される（第１図参照）。
ボートのシリコン・ウェハのすべてが同じ条件で晒され
る場合は、反応管の設計及びガスの流れにより反応ゾー
ンが決まる。反応条件は、さらに次のように統一される
。もし管内ではバッチでなく、プリ・ドープされないな
ら、反応ゾーンは連続して被覆温度に保たれる。また管
は酸素でリンスされる。そして所定の期間管内ではバッ
チ処理されないなら、管は再び用いられる前に被覆温度
で所定の期間プリ・ドープされる。また被覆処理の間、
混合ガスの流れは管を通るように向けられる。これゆえ
に、反応ゾーンを取り囲む管のすべての部分が、バッチ
処理の間は反応ガスに等しいホウ素ガラスの層で被覆さ
れ、それでシリコン・ウェハが置かれる反応ゾーンに沿
つた条件の均一性がさらに改良される。もし第１の熱処
理の際、ほぼ８５０乃至６５０℃の温度で、ほぼ２０乃
至６５の０２：ＢＢｒ３のモル比で、ほぼ１５乃至３０
ミリグラム／分の量のＢＢｒ３が加えられ、全体量がほ
ぼ３．５リットル／分で操作され、そして第２の熱処理
が酸素雰囲気中で行なわれるなら、第２の熱処理の後ほ
ぼ０．５乃至１μｍの浸透の深さＸｊを有し、ほぼ３０
０乃至７００Ω／口の表面抵抗Ｒｓを示すドープされた
領域を製造するのに適している。これゆえに第１の熱処
理は、厚さ及び食刻可能性に関しての高い均一性のホウ
素ガラスを提供する。本発明により開示された方法のこ
のような特別な特徴は、また、本発明により開示された
方法の実施例には、個々のシリコン・ウェハ上ばかりで
なく全バッチ上の低ホウ素ドーピングのような領域には
今まで到達できなかつた結果の均一性及び再生成性（第
３の熱処理の後±５％（表１参照））が存在するという
事実にも現われている。それゆえに、大変きびしい製造
条件に従わなければならないような場合に、特にこの方
法は適している。本発明により開示された方法のこの実
施例は、特に高度に集積化されぎつしり詰つた回路のバ
イポーラ●トランジスタのベース●ゾーンを作るのに適
している。エミッタ・コレクタ・ショート回路が十分避
けられるように、非常に小さなベース幅で狭い許容誤差
範囲内にとどめることが可能である。浸透の深さがほぼ
０．７５μｍで表面抵抗Ｒｓが４００±２０Ω／口にド
ープされたゾーン（第３の熱処理後）は、次のようにし
て都合良く作ることができる。すなわち、８７５±１℃
の温度で、３．２リットル／分のアルゴンと０．０８リ
ットル／分の酸素とから成る混合ガスが、１紛間、内径
がほぼ８ｃｍの反応管に設置されたシリコン・ウェハ上
に向けられる。次に前もつて５℃の温度で臭化ホウ素に
浸された０．０８リットル／分のアルゴンが加えられた
この混合ガスは、２紛間ウェハ上に注がれ、そして最後
にさらに１紛間最初の混合ガスが使われる。そして冷却
の後、ホウ素ガラス層が取り除か−れ、続いて９２５±
１℃で１．５リットル／分の酸素を１扮間、次に５１分
間水蒸気を、そして最後にさらに１扮間１．５リットル
／分の酸素をシリコン・ウェハ上に注ぎ、ほぼ０．２０
０ｐｍの二酸化シリコンがこのプロセスで得られる。第
１の熱処理ではドーピングに必要なホウ素を最小の酸素
でほぼ９００乃至１０００℃の温度でシリコンに導入し
、及び第２の熱処理では不活性ガス雰囲気で操作する時
に低抵抗のドーピング●ゾーンを作ると都合良い。

第１の熱処理ではシリコン・ウェハが酸素とホウ素源の
両方を含む混合ガスにわずかに晒され、残りの時間にア
ルゴンの流れにのみ晒されるようにして、最小になるよ
うに都合良く、プロセスで用いる酸素は減らされる。本
発明により開示された方法の上記実施例は、絶縁、特に
サブ・アイソレーシヨン領域を作るのに都合良い。特に
サブ●アイソレーシヨン領域の製造においては、エピタ
キシャル層が基板上に成長でき・るように全酸化物層は
十分取り除かれるので、もし再酸化の必要がないなら上
記実施例は好ましい。ホウ素ガラスの除去後に非常に磨
かれた表面が得られることは、エピタキシャルにとつて
都合良い。さらに、エピタキシャル層へのサブ・アイソ
レーシヨン拡散の際に作られた領域からの横方向の外方
拡散は、他の公知の拡散プロセスを用いる場合より本発
明により開示された方法の方がさらに低い。この方法は
さらに時間が節約できて廉価である。低抵抗のドーピン
グ領域の製造では、結果の均一性及び再生成性は高抵抗
ドーピング領域ほど問題にならないが、しかし本発明に
より開示された方法は低抵抗ドーピング領域についても
また、結果の高い均一性及び再生成性を可能にしている
ことは、やはり指摘されるべきだ。浸透の深さが０．８
μｍで表面抵抗Ｒｓが３２Ω／口であるドープされた領
域を作るのには、次のようにすると都合良い。すなわち
、シリコン・ウェハをほぼ２２分の間、ほぼ９００乃至
９７０℃のアルゴン雰囲気中で加熱し、続いて９７０゜
Ｃで４分間それらを３．６リットル／分のアルゴン、０
．１リットル／分の酸素及び前もつて＋５℃の温度でＢ
Ｂｒ３に浸された０．１リットル／分のアルゴンの混合
ガスの流れに晒し、次に５分間１．５リットル／分のア
ルゴンの流れに晒し、続いてアルゴンの流れを保ちなが
らウェハを９７０℃からほぼ９００℃まで２紛の間冷し
、炉から取り出してホウ素ガラスを完全に取り除き、最
後にシリコン・ウェハを８扮間１０００℃で窒素又はア
ルゴン雰囲気中で処理すると都合良い。本発明により開
示された方法の実施例から、ホウ素でドープされたサブ
●アイソレーシヨン領域がヒ素でドープされたサブコレ
クタ領域に近接して設けられる構造体の製造に本発明の
方法は実際に適用できることがわかる。

そしこれらの領域の重ね合いを避けるなら、サブ・アイ
ソレーシヨンとサブコレクタ領域は互いに十分離されな
ければならない。半導体技術ではさらに高い実装密度及
び高集積回路の傾向を強めつつあるにもかかわらず、こ
れは多くのスペースを必要とする。しかしながら、今ま
では、少なくともサブ・アイソレーシヨン領域が開管拡
散により作らなければならない場合には、とにかく重ね
合いは避けねばならなかつた。これは、シリコン結晶で
は重ね合つた領域に転位が現われるので必要であつた。
転位は単結晶物質の欠陥である。その上結晶内では広が
る傾向にあるこれらの欠陥の付近では、ドーピング不純
物は乱されていない結晶ゾーンにおける場合よりさらに
速く拡散するので、転位はしばしばバイポーラ・トラン
ジスタのコレクタ●エミッタ●ショート回路の原因にな
る。さらに転位はかなりの数のコレクタ絶縁破壊を生じ
る。Ｇ．Ｓｃｈｃｒｅｒ及びＥ．Ｂｉｅｄｅｒｍａｎｎ
はＡＳ／Ｂの重ね合つた領域の転位を厳密に試験した。
彼らは結果を゜゜Ｇｅｎｅｒａｔｉ０ｎ０ｆＤｉｓ１０
ｃａｔｉ０ｎｓｉｎＡｓ／ＢＤＯｕｂｌｅ−Ｄｉｆｆｕ
ｓｅｄ．ＡｒｅａｓｉｎＳｌｌｌｌｃＯｎ２３（ＥＳＳ
ＤＥＲＣ７７、ＢｒｉｇｈｔＯｎｌ９７７年で行なわれ
た講演の要旨、第１４頁以下参照）の論文に述べられて
いる。彼らの調査では、最初にヒ素拡散に晒され、続い
て当分野では公知の方法を用いて、第１の熱処理ではホ
ウ素による被覆が行なわれ、次に第２の熱処理ではホウ
素ガラスを前もつて取り除くことなしに、ホウ素がさら
に酸化雰囲気中でシリコンにドライブ●インされるホウ
素の開管拡散に晒されたシリコン・ウェハが用いられた
。彼らは転位を発見し、゛゜６０９００の転位゛と呼ば
れる２つの型の転位が実際に．は存在すると結論した。
さらに彼らは、“６０際の転位゛が第１の熱処理の後に
すでに現われるのに、４“９０のの転位置は酸化ドライ
ブ・インの際に形成されることがわかつた。転位はホウ
素の拡散の他にヒ素の拡散に晒されたこれらのシリコン
・ゾーンにのみ現われることがわかつたので、高濃度の
ホウ素及びヒ素が同時に存在することにより転位の形成
が促進されると考えられた。驚いたことに、本発明によ
り開示された方法を用いると、゜゜６００の転位゛も“
゜９０方の転位も現われないこと−がわかつた。これは
、本発明により開示された方法を用いた場合、ヒ素でド
ープされた領域（１σ１ヒ素原子／ａｌくヒ素表面濃度
ＣＯ）が、ＳｉＢ６形成のためのホウ素被覆の後はほぼ
１σ２ホウ素原子／ｄのホウ素表面濃度ＣＯを、及びド
ライブ・インの後は７刈『ホウ素原子／ｃ！ｌ（７）Ｃ
Ｏを示す事実の点からも全く驚くことである。これらの
値は、公知の方法を用いて得られる対応する値よりも高
い。これゆえに本発明により開示された方法を用いるこ
とにより、ヒ素及びホウ素でドープされた領域の重なり
合いが例外的な場合には許容できるばかりでなく、この
ような領域が必然的に重なり合わなければならないよう
な場合にそのような効】果を決定できるような非常にぎ
つしり詰つた半導体構造体を作るための仕様が可能とな
つた。こうして以前得られたよりももつと高密度のパッ
ケージングができる。以下の説明では、ＢＢｒ３は始終
ホウ素源として用いられている。

しかしながら、本発明により開示された方法はこのホウ
素源材料の使用に限定されるものでないことを指摘して
おく。シリコン基体としてディスクの形のシリコン・ウ
ェハが通常集積回路を作るために用いられるように使わ
れる。概して、本発明により開示された方法は３つの処
理ステップから成る。第１の処理ステップは第１の熱処
理からなる。これはホウ素ガラスとシリコンの豊富な相
（ＳｉＢ６）を形成して、シリコン・ウェハはホウ素酸
化物で被覆される。開管拡散であるこの第１の熱処理で
は、少なくとも一時的にある形態のホウ素及び酸素から
成るガスの流れがシリコン・ウェハ上に注がれる。第２
の処理ステップでは、形成されたホウ素ガラスを取り除
き、第３の処理ステップでは、ホウ素は少なくとも部分
的にシリコンにドライブ●インされる。第１の熱処理に
対しては、通常半導体技術で使われる管状の炉が用いら
れる。これらの炉は反応管を取り囲む円筒の加熱成分を
含む。熱的には、炉の中央で加熱成分の軸に沿つて３０
乃至６０Ｃ！Ｒｉの距離にわたり、均一な温度が±１℃
の精度で維持できるように設計されている。すなわち加
熱成分の軸に沿つた温度のプロフィールは、炉の中央で
ほぼ３０乃至６０Ｃ！ｎの長さにわたりフラットな部分
を示す。本発明の方法を実施するのに用いられる反応管
は種々の型の設計が可能である。第１図には都合良い実
施例が示されている。第１図は、高さと長さの比が特に
スケール的に正しくない。円の断面を有する反応管１は
シリコン・ウェハ１３を含むボート１２が挿入されて、
端には開口２が示されている。開口２はグランド・キャ
ップ３で閉められる。反応管１の他の閉じた端では、同
軸になつた供給管６を含む供給管４がほぼ管の軸に沿つ
て反応管１に挿入されている。反応管１の外では、供給
管５が供給管４に接続されている。入つてきたガスを集
中的に混ぜるために用いられ、そして開口２に面する側
には穴の開いたプレート１０が示されている混合チェン
バー９に、供給管４及び６は挿入される。混合チェンバ
ーは円筒形であり、その外径は反応管１の内径よりわず
かに小さい。開口２の近くで、供給管７は反応管１に挿
入され、上記供給管７と穴の開いたプレート１０の間に
は、排気管８が分岐している。排気管８の分岐地点で、
バッフル１１が反応管に提供されている。上記バッフル
は互いに平行にそして管の軸に対して同軸で且つ垂直に
配置され、直径が管１の内径よりわずかに小さい２つの
相互に関係した円形のディスクより成る。穴の開いたプ
レート１０とバッフル１１の間に、プロセスの際にシリ
コン●ウェハ１３を含む反応ゾーンがある。このプロセ
スでは、シリコン・ウェハ１３はボート１２の溝に挿入
されて垂直にそして互いに平行に立てられる。続いて、
グランド・キャップ３及びバッフル１１が取り除かれた
後、ボート１２は管１の反応ゾーンへ開口２を通つて挿
入される。この場合、直径が管の内径のほぼ３ノ４であ
るシリコン・ウェハ１３は反応管の軸に垂直に置かれる
。そして、バッフル１１は元の位置に戻され、開口２は
グランド・キャップ３で閉められる。再びボートが取り
出され、上記プロセスが逆にして繰り返される。第１図
に示された部分はすべてもちろんシリコン●ウェハを除
いて、クオルツでできている。反応管１のガスの供給及
び排気は次のように行なわれる。

供給管４から好ましくはアルゴンから成るキャリヤー・
ガスＡｒ′ｏの流れが供給され、被覆の際にはＢＢｒ３
を含む比較的少量のアルゴンが反応管の外から供給管５
より供給される。比較的少量のアルゴンが流体ＢＢｒ３
を通して注がれることによりＢＢｒ３により変えられる
。ＢＢｒ３の温度での飽和量に対応してアルゴンはＢＢ
ｒ３を吸収する。結局、アルゴン中の所定のＢＢｒ３の
濃度は、ＢＢｒ３が所定の温度に保たれることにより定
まる。必要なら、管６から酸素が供給される。シリコン
・ウェハがホウ素酸化物で被覆される実際の温度に保た
れた混合チェンバーに到達してはじめてＢＢｒ３は酸素
と混合される。供給管７を通して所定量のアルゴンＡｒ
ｓがシリコン●ウェハ１３の上を流れるガスを安定する
ために流れる。反応管１へ流れるガスは排気管８から排
気される。ホウ素をドライブ◆インするために、被覆プ
ロセスに対して用いられる型の炉が通常用いられる。ド
ライブ・インのために用いられる反応管はグランド・キ
ャップで閉めることができる開口端を持ち、ここからバ
ッチを炉内へ挿入したり取り出したりする。管の他の端
には、必要とされるガス雰囲気に依存して窒素又はアル
ゴンあるいは酸素又は水蒸気が各々導入されるガス入口
がある。必要なら、入つて来るガスの均一な分布を確実
にするために、バッフルがガス入口と管のほぼ中央の軸
と同軸のボートに互いに平行に配置されたシリコン・ウ
ェハとの間に設置される。反応管へ流れを導くために、
水が反応管の外で蒸気にされて、それから混合されない
ように又は酸素の流れと混合して、反応炉へ自らの圧力
により流れる。ドライブ●インに対しては、被覆プロセ
スの際と同じボートが用いられる。シリコン・ウェハは
、本発明の方法により、シリコン・ウェハの全表面を含
むドープされた領域を作るために、又はシリコン・ウェ
ハの被選択表面領域のみをドーピングするために処理さ
れる。これは大規模な使用ではおそらく最も標準のプロ
セスである。後者の場合は、公知の方法による好ましく
は二酸化シリコンより成り、そしてホウ素がシリコンに
拡散される場合にはこれらのスポットではシリコンまで
伸びた窓を示す拡散マスクで覆われる。ウェハが第１の
熱処理に晒される前に、もしバッチ処理からある時間が
経過しているなら、反応管を前もつて処理しなければな
らない。

即ち反応管をきれいにする。この事前処理については、
必要な温度プロフィールが維持されるように反応管を被
覆温度まで加熱する。それから、管内にシリコン・ウェ
ハを入れずに、あたかもホウ素が本発明の方法によりシ
リコン・ウェハに付着するかのように同じ構成を示す反
応管内を流れる混合ガスが作られる。このプリ・ドープ
により、反応管の壁、バッフル及び混合チェンバー上に
ホウ素ガラスを形成する。もしこのプリ・ドープが到達
する平衡まで行なわれるなら、もしシリコン・ウェハの
バッチ処理が行なわれるなら、前記クオルツ部分に付着
することによりホウ素が失われることはないことが確か
められる。ドーピングのために必要な時間は、シリコン
・ウェハが製造ウェハと同じ条件の下でプロセスに晒さ
れ、続いて試験ウェハ上で特定の表面抵抗及び浸透の深
さ又はドーピング・プロフィールが見い出せるかどうか
がわかることにより決まる。もしこれがそうでなければ
、プリ・ドーピングは続けられる。もしバッチ処理され
ずプリ・ドーピングも存在しないから、反応管はいつも
被覆温度に保たれ、酸素でリンスされることをここで指
摘しておく、多くの数がバッチ（ｍ程度）処理されると
上記のプロセスの条件が観測されたにもかかわらず、抵
抗値は立ち上がつたり又は下がつたりすることが明らか
になる。もしこの立ち上がり又は下がりが大変強くて、
観測値が特定の範囲外となるから、第１の熱処理で用い
られる反応管及び他のすべてのクオルツ装置はホウ素ガ
ラスを取り除いてきれいにしなければならない。第１の
熱処理に晒されることになつているシリコン・ウェハは
、両端で幾つもの十分酸化されたシリコン・ウェハが挿
入できるようにボートの中央部分に配置されることが好
ましい。

さらに２乃至３個の試験用ウェハが製造ウェハと共に処
理される。それから、ボートは被覆温度か又は７０乃至
１０００Ｃの温度の反応ゾーンに移入される。後者の場
合、管は２扮間ほぼ被覆温度まで加熱される。最初、シ
リコン・ウェハはアルゴンのみ又は少し酸素が混入した
アルゴンより成るガスの流れに晒される。後で少量のシ
リコン窒化物をシリコンに形成できるので、アルゴンよ
りも窒素の方が好ましい。ホウ素を含む、又はもし第１
のリンスイングがアルゴンのみで行なわれるなら、ホウ
素及び酸素を含むガス雰囲気に晒される前に、シリコン
・ウェハを±１℃の精度で所定の被覆温度に加熱しなけ
ればならない。シリコン・ウェハ上にホウ素ガラスが付
着するのを可能にするために、反応ガスはホウ素と酸素
を含まなければならない。先に指摘したように、ＢＢｒ
３を含むアルゴンがこのために供給管５から、キャリヤ
ー・ガスとして機能し供給管４を流れるアルゴンに注が
れる。供給管４は酸素を供給する管６と共に混合チェン
バーまで伸びている。拡散を均一にし且つ再生成できる
ようにするには、被覆温度で酸素及びＢＢｒ３が互いに
反応することが重要である。このために、混合チェンバ
ー９は温度プロフィールのフラットな部分に実際あるよ
うに反応管に設置される。混合チェンバーでは、混合ガ
スは激しく混ざり、穴の開いたプレート１０を通り抜け
てチェンバーを離れる。穴の開いたプレート１０とバッ
フル１１の形成、穴の開いたプレート１０とバッフル１
１の反応ゾーンに関しての幾何的配置、排気管８による
ガスの排気、供給管７による付加アルゴンの流れの導入
とを含むいくつかの要素の結合により、バッチのシリコ
ン・ウェハのすべてが互いに同じガス雰囲気に正確に全
表面にわたつて晒されることが確かめられた、ガス雰囲
気のこの均一性は、均一で再生成できる拡散結果を得る
ためには重要である。しかしながら、０２：ＢＢｒ３の
比及び１分当り反応管を流れるＢＢｒ３の量がどのよう
に決定されるかということも重大な要素である。ＳｉＢ
６相は６５より大きい０２：ＢＢｒ３のモル比でさえも
形成される。しかしながら、この０２：ＢＢｒ３の比を
越えることは好ましくない。比較的低い酸素を含むこと
が拡散結果の均一性及び再生成性を改良することになる
。詳細に指摘すると、ホウ素で非常にドープされた領域
の特性にとつて、この製造において酸素の影響ができる
限り低く保たれることが重要である。結果が均一で再生
成できるための他の重要な要素は、もし反応管が内径が
ほぼ８ａＴｔであり、またもし全ガスの流れがほぼ２乃
至５リットル／分であるなら、ＢＢｒ３の毎分量はほぼ
１５乃至３０ミリグラムになることである。厳密に観測
されなければならない所定の被覆時間は、所望の表面抵
抗及び被覆温度、並びに第２の熱処理では操作が酸化又
は不活性ガスの雰囲気中で起こるかという事実に依存し
ている。被覆の後、炉から取り出す前に、シリコン・ウ
ェハは正確な所定の時間、被覆温度に維持されるか、あ
るいは始めから上記のように保たれているかどちらかで
ある。続いて、ほぼ２Ｃｙ１３−間７０乃至１００℃に
冷却され、従つて炉が冷却される。所定の時間はまた必
要な拡散プロフィールに依存する。室温までウェハを冷
却してから、ホウ素ガラスは取り除かれる。

ホウ素ガラスの食刻性は、製造中に用いられた０２：Ｂ
Ｂｒ３の比に依存している。比較的多くの量の酸素が存
在して作られたホウ素ガラスは、希釈フッ化水酸酸に容
易に溶解する。しかしながら、希釈フッ化水素酸はまた
ＳｉＯ２をも溶かすので、それゆえにシリコン●ウェハ
がマスキング及び表面安定化のために必要とされるＳｉ
Ｏ２層を示す場合には、これらの層が制御できずに浸食
されるので、希釈フッ化水素酸でホウ素ガラスを食刻す
ることは都合が悪い。本発明の方法により作られたホウ
素ガラスは、希釈フッ化水素酸によつては完全に取り除
かれない。完全にそして確実に取り除くために、シリコ
ン・ウェハが最初にｗ秒間、希釈フッ化水素酸（フッ化
水素酸が１に対して水が１０）に浸され、続いて１紛間
、９５℃まで加熱された濃硝酸で処理され、最後に３０
秒間、もう１度希釈フッ化水素酸（１：１０）に浸され
る食刻サイクルが開発された。これらの条件では、存在
するＳｉＯ２は除去プロセスではほとんど取り除かれな
い。本発明により開示された除去プロセスは、さらにＳ
ｉＢｆ！ｊ相及びシリコンが実際に影響を受けないとい
う利点を有する。ホウ素ガラスを除去後、シリコン●ウ
ェハは第２の熱処理に晒される。

ここでは、正確な所定の時間、シリコン・ウェハを不活
性又は酸化雰囲気に晒し、厳密に所定の温度に保つこと
のみが重要である。これらの条件は容易に今日の実験及
び装置で観測される。作られる領域が高ドーピングか低
ドーピングかに依存して、幾分本質的な点が異なる、本
発明により開示された方法の特定の実施例を行なうのが
都合良い。

低ドーピング領域を作る場合、すなわち浸透の深さＸｊ
（Ｐ／Ｎ接合の深さ）がほぼ０．５乃至１μｍで表面抵
抗がほぼ３００乃至６００Ω／口を示すような領域では
、高再生成性を有し、シリコン・ウェハ及びバッチで均
一な結果を得ることは、今まで！実際に複雑であつた。

先行技術を用いて得られた表面抵抗値の最小許容誤差は
±１３％より大きい値であつた。低ドーピング領域を作
るために、本発明による方法を用いた場合、もつと良い
許容誤差が観測されることがわかつた。驚いたことに、
被・覆プロセスでは、特定の０２：ＢＢｒ３の比の観測
及び所定量の範囲でのＢＢｒ３の毎分の使用量が重要で
ある。異なる０２：ＢＢｒ３のモル比に対してＢＢｒ３
の毎分の量に関してプロットされているのだが、バイポ
ーラ●トランジスタの製造においてはベース拡散からさ
らにシリコン・ウェハが晒される全く高い温度のプロセ
スに晒された後、ホウ素ドープされた領域で測定された
表面抵抗値を表わすダイヤグラムを示す第２図により、
上記の事実は例証される。例１乃至４では、他のプロセ
ス・パラメータは同じであつた（表１参照）。第２図で
は、もしＢＢｒ３の少量から多量へ及び比較的低い０２
：ＢＢｒ３のモル比から高いモル比への変化が起ｌこる
なら、各々表面抵抗値は、これら２つのパラメータの交
換に関しては徐々に無関係になることを示している。０
２：ＢＢｒ３のモル比がほぼ６５の値より大きくなると
、ホウ素ガラスの均一性が減少し、表面抵抗値の広がり
が増加することが、さらにわかつたので、最良の０２：
ＢＢｒ３のモル比はほぼ２０乃至６０であることが明ら
かになつた。

もし０２：ＢＢｒ３の比がこの範囲内で、被覆時間が２
０分程度で、８５０乃至９５０℃の温度で操作されるな
ら、ほぼ３００乃至６００Ω／口の表面抵抗値を得るた
めには、ＢＢｒ３の毎分量をほぼ１５乃至３０ミリグラ
ムにすることが都合良い。第１の熱処理の際、ほぼ３乃
至４リットル／分のアルゴンの流れ及びほぼ０．０５乃
至０．１５リットル／分の酸素の流れが、内径がほぼ８
Ｃ！ｒｌの反応管に提供される直径がほぼ５７ｗ＆のシ
リコン・ウェハを通過して流れる。さらに、安定化の機
能を有するほぼ０．５リットル／分のアルゴンの流れが
、反応管の開口の方からＡｒ／０２の混合ガスの方へ流
れる。被覆の際に、アルゴンと共に入つてくるＢＢｒ３
はＡｒ／０２混合ガスに混入される。ホウ素のシリコン
へのドライブ・インはホウ素の低ドープされるゾーンの
製造では酸化雰囲気中で行なわれる。そしてマスキング
及び表面安定化のために用いられるＳｉＯ２層、プロセ
スで成長する。さらにシリコン中のホウ素のかなりの部
分は酸化物に溶け、それで表面抵抗はかなり増す。酸化
は、最初純粋な酸で行ない、続いて酸化プロセスを加速
するためにさらに水蒸気で行ない、そして最後にもう１
度純粋な酸素で行なう。本発明により開示された方法を
用いるホウ素の高ドープされた領域の製造では、結果の
均一性及び再生成性の必要からばかりでなく、ホウ素で
高ドープされた領域がヒ素で高ドープされた領域と重な
り合つたり又はこのような領域に作られるような楊合に
、結晶の転位が形成されないことを保証するために、酸
素の効果は制限される。それゆえに、高ドープされた領
域の製造では、ＢＢｒ３と反応してホウ素酸化物となる
酸素は、シリコン・ウェハ上へのホウ素酸化物の付着の
際にのみ混合ガスに付加される。加熱、次の処理及びウ
ェハの冷却の間、アルゴンを含む混合ガスのみが反応管
を通つてウェハ上を流れる。このガスの流れは、反応管
の開口の方からのアルゴンの流れと出合う。３乃至４分
の間起こる被覆段階では、アルゴンの流れのみがウェハ
上で強められ、それにホウ素及び酸素が加えられる。

好ましくは、第１の熱処理をほぼ９５０乃至１０００℃
の温度で、管の内径がほぼ８Ｃ！ｎで全ガスの流れがほ
ぼ２乃至５リットル／分で行ない、０２：ＢＢｒ３のモ
ル比は６５より大きくなくて、第２の熱処理のドライブ
・イン・プロセスの後に、浸透の深さがほぼ０．５乃至
１μｍで、表面抵抗が３０乃至４０Ω／口を得るために
は、毎分のＢＢｒ３の量をほぼ１５乃至３０ミリグラム
／分にセットすると良い。本発明の方法により高ドープ
された領域を作るには、第２の熱処理のドライブ・イン
の際にほぼ９５０乃至１０５０℃の温度で不活性ガス雰
囲気中で操作が行なわれる。不活性ガス雰囲気中のドラ
イブ・インでは、ある程度ホウ素がシリコンの外に拡散
により失なわれるが、しかし、シリコン中のホウ素の大
部分が成長二酸化シリコンに溶けるような場合、シリコ
ンは酸化ドライブ●インによるよりもほとんどホウ素で
デイプレツシヨンされない。それゆえに、シリコン上に
ホウ素酸化物の必要量を付着するためのこれらの条件の
下では、３乃至５分間の被覆で十分である。もし被覆が
３分以内で行なわれるなら、プロセスを制御することは
困難である。第１及び第２の熱処理の際の典型的な条件
で、本発明による方法を用いて形成したホウ素のプロフ
ィールが第３図に示されている。第３図は、ヒ素を含ま
ないシリコン領域の表面からの距離に対する所与のホウ
素濃度のダイヤグラムを示す。曲線１は第１の熱処理後
のホウ素のプロフィールを示し、曲線■は第２の熱処理
後のホウ素のプロフィールを示す。この図から、第１の
熱処理後は表面でのホウ素の濃度ＣＯＢは１ＣＰホウ素
原子／Ｃ！ｌ程度であり、浸透の深さは０．１μｍより
小さいと結論づけられる。ドライブ●インの後、ホウ素
の表面濃度ＣＯＢはまだ１Ｐホウ素原子／Ｃｌｌ以上で
あり、浸透の深さはほぼ０．７μｍである。ドライブ・
イン後光度測定の分析方法により測定されたホウ素は４
．５×１０１５ホウ素原子／Ｃ！ｌである。先行技術の
通常の方法による高ドープされたホウ素領域の製造にお
いて得られる対応する値は、第１の熱処理の後ではＣＯ
Ｂが５．５×１Ｃｆ！Ｏホウ素原子／ａｌでＸｊが０．
６μｍであり、ドライブ●イン後はＣＯＢが３×１０１
９ホウ素原子／ｄでＸｊが１．４μｍである。これゆえ
に、本発明の方法による高ドープされた領域の製造にお
ける濃度の値は、先行技術の通常の方法によるこのよう
な領域の製造におけるよりも高い。前にも指摘したよう
に、本発明の方法により作られた高度にヒ素ドープされ
た領域（典型的な表面濃度ＣＯＡ３がほぼ１σ１ヒ素原
子／Ｃｌｌ）と高度にホウ素ドープされた領域との間の
重なり合つたゾーンにおいては、先行技術で知られてい
る結晶の転位が現われないことは全く驚くことである。
本発明により開示された方法をさらに説明するために、
第４Ａ乃至第４Ｅ図により半導体構造体の製造が今から
述べられる。

本発明の方法はこのような製造に有利に適用できる。第
４Ａ図は、内にＮ型に高ドープされた領域２２が形成さ
れたＰ型低ドーピング基板を示す。この基板の全表面の
上に、二酸化シリコン層２４が熱酸化により付加されて
いる。この操作の結果が第４Ｂ図に示されている。層２
４では、サブ・アイソレーシヨン拡散のための拡散マス
クが、所定の大きさ及び拡散領域の所定の幾何学的配置
に従つて決められた位置では、基板２０に到達する開口
２６が二酸化シリコン層２４に提供されるように、作ら
れる。この結果、第４Ｃ図に示されている。続いて、構
造体はＰ型の高ドープされた領域２８を作るために、本
発明の方法に従つて処理される。結果は、またヒ素でＮ
型に高ドープされた領域２２とホウ素でＰ型に高ドープ
された領域２８との間の重ね合つたゾーン２９をも示し
ている第４Ｄ図に示されている。それから二酸化シリコ
ン層２４が取り除かれ、エピタキシャル層３０が代つて
全表面上に成長する。外方拡散により、ヒ素原子及びホ
ウ・素原子が部分的にこのプロセスの間領域２２又は２
８からこれらの領域の上のエピタキシャル層の領域へ導
入される。こうして、第４Ｅ図に示されているＮ型に高
ドープされた領域２２゛及びＰ型に高ドープされた領域
２６″が形成される。続いて、構造体は選択的に他のホ
ウ素拡散に晒されて、本発明の方法が有利に適用される
。このホウ素拡散の際に、Ｐ型の低ドーピング領域３２
及び３４が作られ、領域３２は領域２６″と共に絶縁の
ために用いられ、領域３４はバイポーラ・トランジスタ
のベース●ゾーンとして働く。それから、Ｎ型に高ドー
プされた領域３６及び３８が公知の方法で作られ、領域
３６はコレクタ接点を容易にするために及びシリコン表
面とサブコレクタ領域２２″との間の接点として働き、
領域３８はバイポーラ●トランジスタのエミッタ●ゾー
ンとして働く。最終的に作られた構造体は第４Ｅ図に示
されている。第４Ｅ図の構造体を作るために前述のホウ
素拡散における本発明の方法の使用は、公知の方法を用
いるのに比べて種々の多くの利点を有する。そし本発明
の方法がサブ・アイソレーシヨン拡散を行なうために用
いられるなら、重なり合つた領域２９には結晶転位は存
在しない。もし以下の公知の開管拡散プロセスでサブ・
アイソレーシヨン拡散が行なわれるなら、結晶転位は現
われる。第１に、転位はエピタキシャル層３０への領域
２２″及び２６″の制御できない外方拡散を起こすこと
になる。この他、重なり合つた領域２９に近接した構造
体領域への転位の広がりは、バイポーラ●トランジスタ
におけるコレクタ●エミッタ・ショート回路の可能性を
増加させる。サブ・アイソレーシヨン拡散に対する本発
明の方法を使用する他の利点は、拡散の浸透の深さが第
２の熱処理後は先行技術の方法の場合より小さくなるこ
と、その結果エピタキシャル層の成長後のホウ素の横の
外方拡散は、公知のホウ素の拡散プロセス後の場合より
小さくなることである。本発明の方法は低ドープされた
領域例えばベース・ゾーンの製造において、先行技術に
よる方法よりもよりすぐれた均一性及び再生成性の結果
を提供するので、本発明の方法は改良された制御により
、公知のプロセスよりさらに小さなベース幅を可能にす
る。結局、本発明の方法は信頼性のより高いそして同時
により多くぎつしり詰められる集積回路の製造を可能に
すると結論づけることができる。本発明の方法をさらに
説明するために、熱処理で用いられたパラメータ及び６
つの実施例の結果が以下に与えられる。表１の例１乃至
４は低ドープされた領域を作るためのホウ素拡散であり
、表■の例６及び７は高ドープされた領域を作るための
ホウ素拡散である。これらの例では、各々第１の熱処理
後にホウ素ガラスが取り除かれる。例１乃至４では、バ
イポーラ●トランジスタのエミッタを作る場合と同じ温
度条件にシリコン・ウェハが晒される第３の熱処理が行
なわれる。この第３の熱処理の結果がまた表１に与えら
れている。すべての例では、反応管はほぼ８ＣＴｒＬの
内径であり、シリコン・ウェハはほぼ５７ｗ！ｎの直径
である。表では、ｋ日はアルゴンよりなる主な流れを表
わし、Ａｒ，は主な流れの方へ流れる安定化の流れを表
わし、Ａｒ（ＢＢｒ３）は５℃のＢＢｒ３を通るように
注がれアルゴンの１００ミリリットルがＢＢｒ３の２５
ミリリットルを吸収したＢＢｒ３で変化したアルゴンの
流れを表わす。ＲＳｌ，ＲＳ２及びＲＳ３とＸｊｌ，Ｘ
ｊ２及びＸｊ３は、第１，第２及び第３の熱処理後の各
々表面抵抗と浸透の深さを表わす。圧℃はホウ素ガラス
を表わし、Ｈ２ＯＤは水蒸気を表わす。表１は特に最後
の熱処理後のＲｓ値の広がりを示していて、この広がり
は広い抵抗範囲にわたつていることを示している。さら
に例２は、被覆が酸化熱処理により中断された２つのス
テップで行なわれる場合に好ましい結果がまた得られる
ことを示している。表■は特に、第１の熱処理において
は被覆時間の正確な観察が特に重要であることを示して
いる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明により開示された方法のために用いら
れる反応管の概略的な実施例を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 拡散マスクを設けたシリコン基体を準備し、第１の
   熱処理において、ＢＢｒ＿３及びＯ＿２をＯ＿２：ＢＢ
   ｒ＿３のモル比が２０乃至６５となるように含んだ混合
   ガスに上記シリコン基体をさらすことにより、上記シリ
   コン基体を覆うホウ素ガラスの層を形成するとともに、
   上記シリコン基体のマスクされない領域にシリコンの豊
   富なホウ素相を形成し、第２の熱処理に先立つて、上記
   ホウ素相に実質的な影響を及ぼすことなく上記ホウ素ガ
   ラスを取り除き、第２の熱処理において、上記ホウ素相
   からホウ素を上記シリコン基体にドライブ・インするこ
   とを含むホウ素拡散によるシリコン基体のドーピング方
   法。 ２ 最初に希釈フッ化水素酸、次に熱硝酸そして最後に
   もう一度希釈フッ化水素酸中で処理することにより、上
   記ホウ素ガラスを取り除く、特許請求の範囲第１項記載
   のホウ素拡散によるシリコン基体のドーピング方法。