JPS6043831A - 半導体装置製造用エツチング液 - Google Patents
半導体装置製造用エツチング液Info
- Publication number
- JPS6043831A JPS6043831A JP58151601A JP15160183A JPS6043831A JP S6043831 A JPS6043831 A JP S6043831A JP 58151601 A JP58151601 A JP 58151601A JP 15160183 A JP15160183 A JP 15160183A JP S6043831 A JPS6043831 A JP S6043831A
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- JP
- Japan
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- etching
- film
- corrosion
- solution
- psg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
- H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（航業上の利用分野）
本発明はＡＪの表面をほとんど腐蝕せずに、かつ、５ｉ
ｎ２膜又はＰＳＧ膜を適当なエツチング速度でエツチン
グする半導体装置の製造に用いられるエツチング液に関
するものである。
ｎ２膜又はＰＳＧ膜を適当なエツチング速度でエツチン
グする半導体装置の製造に用いられるエツチング液に関
するものである。
（従来技術）
半導体装置の製造において、ＡＪが存在する場合に、こ
れをほとんどＦ！１蝕させずに、Ｓ１０□やＳｉ３Ｎ、
。
れをほとんどＦ！１蝕させずに、Ｓ１０□やＳｉ３Ｎ、
。
、０２０３等の絶縁物をエツチングしたり、洗浄する。
エツチング液としてエチレングリコール（以下ＦＧと略
す）と緩街弗酸液（以下ＢＨＦと略す）と純水（以下Ｈ
，０と略す）の混合液が知られている。
す）と緩街弗酸液（以下ＢＨＦと略す）と純水（以下Ｈ
，０と略す）の混合液が知られている。
これはティ、ニー、シャンコオフ（Ｔ、Ａ、５ｃｈａｎ
ｋＯｆｆ）らによる文献（Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍ、 Ｓｏｃ、 Ｐ。４６７゜Ｖｏｌ、 １２５． Ｎ
Ｏ，３、１９７８）に詳細に記載されている。
ｋＯｆｆ）らによる文献（Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍ、 Ｓｏｃ、 Ｐ。４６７゜Ｖｏｌ、 １２５． Ｎ
Ｏ，３、１９７８）に詳細に記載されている。
この液の組成は第１表の最下段に示すように、ＥＧ／ｎ
２ｏ／（Ｎｎ４ｙ−Ｈｙ）＝１／ｘ／ｘ である。
２ｏ／（Ｎｎ４ｙ−Ｈｙ）＝１／ｘ／ｘ である。
第１表
（注）液温約１７°Ｏ，ＨＦは５０Ｖｏ’１％、 ＮＨ
４Ｆは４０ｗｔ％、ｘＧはエチレングリコール、最下段
の（ＮＨ４Ｆ −ＨＦ ）は（４０ｗｔ％ＮＪＴ４Ｆ
） ／ （ｓｏ俤ＨＦ）＝７／ｌ この論文によれば、上記混合液はＡＪ−配線が存在する
場合の前処理工程に使用され、処理後のＡ１表面には、
単純なアルミニウムの酸化物ではなくて、アルミニウム
オキシフロライドが形成場れ、Ａ１表面は少し腐蝕され
てその表面が荒れる。シャンコツ（５ｈａｎｋｏｆｆ
）らが報告した混合液によるＡ１の腐蝕の程度、および
大規模集積回路でＡＪの下地の絶縁膜としてしばしは使
用されるＰＳＧ膜と熱酸化膜のエツチング速度の実験結
果全第１表の最下段に示す。ＡＪは少し腐蝕され、ＰＳ
Ｇ膜のエツチング速度は３８００λ／分、熱酸化膜のエ
ツチング速度は２９０Ａ／分である。上記混合液による
Ａ１の〃〈１蝕はエツチング中に気泡の発生を伴ない、
かつｈＪ−表面の荒れ、および数十分のエツチングでＡ
Ｊ薄膜０摸厚約０．５〜１．０μｍ）が消失することに
よって観察される。Ａ１表面の荒れは、一様にＡＪ−の
膜厚が減少するのではな（、Ａｉの溶解が微ｄＱ部分に
おいて深さ方向に急速に進行し、この様な微小部分の数
が時間とともにＡ１の全面に不規則にかつ急速に′Ｊ、
Ｈ’ｌ加するように進行する。
４Ｆは４０ｗｔ％、ｘＧはエチレングリコール、最下段
の（ＮＨ４Ｆ −ＨＦ ）は（４０ｗｔ％ＮＪＴ４Ｆ
） ／ （ｓｏ俤ＨＦ）＝７／ｌ この論文によれば、上記混合液はＡＪ−配線が存在する
場合の前処理工程に使用され、処理後のＡ１表面には、
単純なアルミニウムの酸化物ではなくて、アルミニウム
オキシフロライドが形成場れ、Ａ１表面は少し腐蝕され
てその表面が荒れる。シャンコツ（５ｈａｎｋｏｆｆ
）らが報告した混合液によるＡ１の腐蝕の程度、および
大規模集積回路でＡＪの下地の絶縁膜としてしばしは使
用されるＰＳＧ膜と熱酸化膜のエツチング速度の実験結
果全第１表の最下段に示す。ＡＪは少し腐蝕され、ＰＳ
Ｇ膜のエツチング速度は３８００λ／分、熱酸化膜のエ
ツチング速度は２９０Ａ／分である。上記混合液による
Ａ１の〃〈１蝕はエツチング中に気泡の発生を伴ない、
かつｈＪ−表面の荒れ、および数十分のエツチングでＡ
Ｊ薄膜０摸厚約０．５〜１．０μｍ）が消失することに
よって観察される。Ａ１表面の荒れは、一様にＡＪ−の
膜厚が減少するのではな（、Ａｉの溶解が微ｄＱ部分に
おいて深さ方向に急速に進行し、この様な微小部分の数
が時間とともにＡ１の全面に不規則にかつ急速に′Ｊ、
Ｈ’ｌ加するように進行する。
従って、上記エツチング液を大規模集積回路のＡＪ。
配線に用いる場合、エツチング時間を小さくする必要が
ある。ＡＬ配翻の幅が大きい場合は問題ないがＡ１配線
として、幅が２〜３μｍ程度、あるいはそれ以下の幅の
微細なＡ１配線に対しでは、上記の急速なエツチングが
Ａ１配線をしばしは断線するため使用できない。一方、
ＰＳＧ膜のエツチング速度は３８００Ａ／分とあ１りに
も犬きくエツチング量の制御がむすかしいため、Ｐｂ
Ｇ膜が存在する場合は上記エツチング液は前処理工程と
しては使用に適さない。以上説明した様に、大観４”４
５−積回路において微、ｔＩｌｌなＡＪ配線が使用さ′
Ｉ’ｌ−、その下地としてＰＳＧ膜が用いられている場
合、前処Ｊ１１］川のエツチング液として従来知られて
いるＫＧ／Ｈ２０／（ＮＨ４Ｆ−ＨＦ ）混合液は、こ
の徽細なＡ１配線をしばしば断線し、かつＰｌ’ｌＧ膜
を急速に溶解し峰のエツチング速度をｆｌｊｉＪ御でき
ないという欠点をもっていた。
ある。ＡＬ配翻の幅が大きい場合は問題ないがＡ１配線
として、幅が２〜３μｍ程度、あるいはそれ以下の幅の
微細なＡ１配線に対しでは、上記の急速なエツチングが
Ａ１配線をしばしは断線するため使用できない。一方、
ＰＳＧ膜のエツチング速度は３８００Ａ／分とあ１りに
も犬きくエツチング量の制御がむすかしいため、Ｐｂ
Ｇ膜が存在する場合は上記エツチング液は前処理工程と
しては使用に適さない。以上説明した様に、大観４”４
５−積回路において微、ｔＩｌｌなＡＪ配線が使用さ′
Ｉ’ｌ−、その下地としてＰＳＧ膜が用いられている場
合、前処Ｊ１１］川のエツチング液として従来知られて
いるＫＧ／Ｈ２０／（ＮＨ４Ｆ−ＨＦ ）混合液は、こ
の徽細なＡ１配線をしばしば断線し、かつＰｌ’ｌＧ膜
を急速に溶解し峰のエツチング速度をｆｌｊｉＪ御でき
ないという欠点をもっていた。
第１表にＰＳＧ膜、 ５ｉｎ２膜に苅する仙のエツチン
グ液を比較のだめに示す。Ｈ２０／ＨＦ （＝＝ ｕ＋
ｏ／３）の混合液に比べて、ＮＨ４Ｆ／ＩＦ （＝＝
１００／３ ）の混合液ｉｒＬ熱酸化膜のエツチング速
度を約２．３倍に増加きせるが、 ＰＳＧ膜のエツチン
グ速度を約１１５ Ｋ減少させ、かつＡＪの腐蝕も大幅
に減少する。混合液中のＨＦの量は同一であシ、混合液
Ｈ２０／ＨＦ ＝１００／３のＰＨが約２．５．混合液
ＮＩ（４Ｆ／Ｈ丁＝ｘｏｏ／３のＰＨが約７であること
から、混合液のＰ）ｉを約７にすればＡＪの腐蝕とＰＥ
ＩＧの大きなエツチング速度を低減できることがわかる
。しかし、このＮＨ４Ｆ／ＨＦ＝１００／３の混合液も
Ａｉの腐蝕の進行程度は前記のＥＧ／Ｈ２ｏ／（ＮＨ４
Ｆ −ＨＦ ） と同程度であり、微細なＡ１配線に対
してはしばしば断線を生じさせ問題となる。ＮＨ４Ｆは
Ｎｍ４ｙ／Ｈｐ＝ １００／３に比べてＡＪの腐蝕は同
程度でちると同時に、 ＰＳＧ膜と５ｉｎ２膜のエツチ
ング速度がともに約ｌ／１１倍に減少しエツチング速度
が小さすぎるという特性のため、上記の前処理工程に用
いることができない。この様に従来報告されているエツ
チング液にはいずれもＡＪ−配線の腐蝕をおさえて、Ｐ
ＳＧ股と５ｉＯＪに対し゛Ｃ適当なエツチング速度をも
つ混合液がなかっ・た。
グ液を比較のだめに示す。Ｈ２０／ＨＦ （＝＝ ｕ＋
ｏ／３）の混合液に比べて、ＮＨ４Ｆ／ＩＦ （＝＝
１００／３ ）の混合液ｉｒＬ熱酸化膜のエツチング速
度を約２．３倍に増加きせるが、 ＰＳＧ膜のエツチン
グ速度を約１１５ Ｋ減少させ、かつＡＪの腐蝕も大幅
に減少する。混合液中のＨＦの量は同一であシ、混合液
Ｈ２０／ＨＦ ＝１００／３のＰＨが約２．５．混合液
ＮＩ（４Ｆ／Ｈ丁＝ｘｏｏ／３のＰＨが約７であること
から、混合液のＰ）ｉを約７にすればＡＪの腐蝕とＰＥ
ＩＧの大きなエツチング速度を低減できることがわかる
。しかし、このＮＨ４Ｆ／ＨＦ＝１００／３の混合液も
Ａｉの腐蝕の進行程度は前記のＥＧ／Ｈ２ｏ／（ＮＨ４
Ｆ −ＨＦ ） と同程度であり、微細なＡ１配線に対
してはしばしば断線を生じさせ問題となる。ＮＨ４Ｆは
Ｎｍ４ｙ／Ｈｐ＝ １００／３に比べてＡＪの腐蝕は同
程度でちると同時に、 ＰＳＧ膜と５ｉｎ２膜のエツチ
ング速度がともに約ｌ／１１倍に減少しエツチング速度
が小さすぎるという特性のため、上記の前処理工程に用
いることができない。この様に従来報告されているエツ
チング液にはいずれもＡＪ−配線の腐蝕をおさえて、Ｐ
ＳＧ股と５ｉＯＪに対し゛Ｃ適当なエツチング速度をも
つ混合液がなかっ・た。
（発明の目的）
本発明は、これらの欠点即ちＡＪ−の腐蝕と、ＰＳＧ膜
の大きなエツチング速度の問題を解決するため提案され
たもので（ＮＨ４Ｆ−ＨＦ）混合液とエチレングリコー
ル（ＥＧ ）の混合溶液によって、微細なＡＪ配線とＰ
ＳＧ膜、又はＳｉｎ、膜が共に存在する試料に対して、
ＡＪ−の腐蝕の程度が少く、実用」二好ましいエツチン
グ速度を有するエツチング液を与えることを目的とする
ものである。
の大きなエツチング速度の問題を解決するため提案され
たもので（ＮＨ４Ｆ−ＨＦ）混合液とエチレングリコー
ル（ＥＧ ）の混合溶液によって、微細なＡＪ配線とＰ
ＳＧ膜、又はＳｉｎ、膜が共に存在する試料に対して、
ＡＪ−の腐蝕の程度が少く、実用」二好ましいエツチン
グ速度を有するエツチング液を与えることを目的とする
ものである。
（発明の構成）
上記の目的を達成するため、本発明はフッ化アンモニウ
ムとフン酸の混合溶液にエチレングリコールを加えた組
成から成ることを特徴とする半導体装置製造用エツチン
グ液を発明の要旨とするものである。要約すれば本発明
のエツチング液は、従来のエツチング液に比べて、液中
に含有される水分の量を少くした点に特徴を有するもの
である。
ムとフン酸の混合溶液にエチレングリコールを加えた組
成から成ることを特徴とする半導体装置製造用エツチン
グ液を発明の要旨とするものである。要約すれば本発明
のエツチング液は、従来のエツチング液に比べて、液中
に含有される水分の量を少くした点に特徴を有するもの
である。
次に本発明の実施例を添附図面について説明する。なお
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い！ｉ［で、種々の変更あるいは改良を行いうろことは
云うまでもない。
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い！ｉ［で、種々の変更あるいは改良を行いうろことは
云うまでもない。
本発明は、 ＰＳＧやＳｉＯ□に対して適当なエツチン
グ速度をもち、Ａｉの腐蝕も小さな（ＮＨ４Ｆ−ＨＦ
）混合液に、ＡＪの腐蝕を抑制する効果をもつＥＧを加
えた混合液を提案する。その実験結果を第２表に示す。
グ速度をもち、Ａｉの腐蝕も小さな（ＮＨ４Ｆ−ＨＦ
）混合液に、ＡＪの腐蝕を抑制する効果をもつＥＧを加
えた混合液を提案する。その実験結果を第２表に示す。
第２表
（注）エツチング液ＢＨＦは（４ｏｗｔづＮＨ４Ｆ）／
（ｓ。
（ｓ。
ｖｏＪ％ＨＦ ） ＝ １００／３ 、液温２１°Ｃ表
よシ判るように、ＥＧ／ＢＨＦ中のＫＧを増加させるに
従って、Ａ１の腐蝕の程度は徐々に減少し、腐蝕されな
くなる。又、 ｐｓＧ膜、Ｓ１０□膜は第１図に示すよ
うにエツチング速度は徐々に減少する。
よシ判るように、ＥＧ／ＢＨＦ中のＫＧを増加させるに
従って、Ａ１の腐蝕の程度は徐々に減少し、腐蝕されな
くなる。又、 ｐｓＧ膜、Ｓ１０□膜は第１図に示すよ
うにエツチング速度は徐々に減少する。
一方、混合液中のＥＧの割合をあ甘り増すことはＥＧの
粘性がＨ２Ｏよりも大きいため、均一なエツチングに不
利となる。第２図〔Ａ〕〜（Ｄ）は本発明によるエツチ
ング液の実施例である。図において１は半導体基板、２
は絶縁膜、３はＡｚ Ｂ泉、４はレジストパターン、５
は方向性を有し、かつ低温で薄膜堆積のｂ」能な堆積法
、例えばＥＯＲ型プラズマ堆積法、イオンビームスパッ
タ法、マグネトロンスパッタ法等によって堆積した絶縁
膜である。第２図（Ａ）はレジスト４をマスクにしてＡ
２１漠３を例えば平行平板型エツチングで、サイドエツ
チングなしにエツチングした構造である。１１）２図Ｃ
Ｂ）は、その上に上述の低温でかつ方向性を有する膜堆
積法で例えは５１０２膜シを堆積した構造である。この
Ｉｌｊ、、１ＡＪ Ｍ ３およびレジスト膜４のイ則壁
にＪｉｌ二石１［シたル・ｊ質は粗で平坦部分に堆積し
た膜に比べてエツチング速度が極めて太きい。ＳｉＯ□
膜ヲライトエッチング［７て第２図（０］の構造を得た
後、リフトオフ、１〜て第２図（Ｄ）を得る。第２図（
０）のライトエツチングの工程に対して、本発明のエツ
チング液の効果は大きい。第２表に示す様に、ＢＨＦＫ
ＥＧを加えるとＡ１は贋蝕されずにＳｉＯ□膜がライト
エツチングされて良好なリフトオフが行われるが、ＫＧ
の量が増加しＢＨＦよりもＥＧの方が混合液中で多くな
るとエツチング速度の減少と、エツチング液の粘性増大
によるエツチングの不均一性の増加のため、リフトオフ
残）が生じる。第２図の絶縁膜がＳｉＯ□は勿論のこと
、ＰＳＧ膜の賜金、本発明によるエツチング液の効果は
大きい。即ち第２図に示す様に ４ＰＳＧｌｉのエツチ
ング速度は余り大きくないので、第２図（Ｃ）のライト
エツチングの工程においてＰＳＧ膜２に対するエツチン
グ量を極力小ブくすることができる。従来のエツチング
液ではこの効果は得られない。
粘性がＨ２Ｏよりも大きいため、均一なエツチングに不
利となる。第２図〔Ａ〕〜（Ｄ）は本発明によるエツチ
ング液の実施例である。図において１は半導体基板、２
は絶縁膜、３はＡｚ Ｂ泉、４はレジストパターン、５
は方向性を有し、かつ低温で薄膜堆積のｂ」能な堆積法
、例えばＥＯＲ型プラズマ堆積法、イオンビームスパッ
タ法、マグネトロンスパッタ法等によって堆積した絶縁
膜である。第２図（Ａ）はレジスト４をマスクにしてＡ
２１漠３を例えば平行平板型エツチングで、サイドエツ
チングなしにエツチングした構造である。１１）２図Ｃ
Ｂ）は、その上に上述の低温でかつ方向性を有する膜堆
積法で例えは５１０２膜シを堆積した構造である。この
Ｉｌｊ、、１ＡＪ Ｍ ３およびレジスト膜４のイ則壁
にＪｉｌ二石１［シたル・ｊ質は粗で平坦部分に堆積し
た膜に比べてエツチング速度が極めて太きい。ＳｉＯ□
膜ヲライトエッチング［７て第２図（０］の構造を得た
後、リフトオフ、１〜て第２図（Ｄ）を得る。第２図（
０）のライトエツチングの工程に対して、本発明のエツ
チング液の効果は大きい。第２表に示す様に、ＢＨＦＫ
ＥＧを加えるとＡ１は贋蝕されずにＳｉＯ□膜がライト
エツチングされて良好なリフトオフが行われるが、ＫＧ
の量が増加しＢＨＦよりもＥＧの方が混合液中で多くな
るとエツチング速度の減少と、エツチング液の粘性増大
によるエツチングの不均一性の増加のため、リフトオフ
残）が生じる。第２図の絶縁膜がＳｉＯ□は勿論のこと
、ＰＳＧ膜の賜金、本発明によるエツチング液の効果は
大きい。即ち第２図に示す様に ４ＰＳＧｌｉのエツチ
ング速度は余り大きくないので、第２図（Ｃ）のライト
エツチングの工程においてＰＳＧ膜２に対するエツチン
グ量を極力小ブくすることができる。従来のエツチング
液ではこの効果は得られない。
以上の結果から、本発明においては、エチレングリコー
ルの混合割合は、実用上緩衝弗酸液に対して、体積比で
０．１〜１の範囲が好ましい。
ルの混合割合は、実用上緩衝弗酸液に対して、体積比で
０．１〜１の範囲が好ましい。
（発明の効果）
以上のように本発明によるエツチング液によればＡ１を
ほとんど腐蝕させずに、ＰＳＧ膜やＳｉＯ□膜をエツチ
ングできる。従ってこのエツチング液を、ＡＪ、配線が
形成きれ、かつ下地材料にＰＳＧ膜、又は５１０２膜が
露出している試料の前処理工程に使用す扛は好適である
。あるいはＡ１配線のリフトオフ工程においてＳｉＯ□
ｊ換をエツチングする二ｌ１ｉ４．ｊ Ｉ／ｃおいても
、本発明によるエツチング液イｊはＡＪｌ、はとんど腐
蝕せずに５ｉＯＪをエツチングするので好適である等の
効果を有するものである。
ほとんど腐蝕させずに、ＰＳＧ膜やＳｉＯ□膜をエツチ
ングできる。従ってこのエツチング液を、ＡＪ、配線が
形成きれ、かつ下地材料にＰＳＧ膜、又は５１０２膜が
露出している試料の前処理工程に使用す扛は好適である
。あるいはＡ１配線のリフトオフ工程においてＳｉＯ□
ｊ換をエツチングする二ｌ１ｉ４．ｊ Ｉ／ｃおいても
、本発明によるエツチング液イｊはＡＪｌ、はとんど腐
蝕せずに５ｉＯＪをエツチングするので好適である等の
効果を有するものである。
第１図は液温２１°Ｃにおけるエツチングｉｔ！ｊ Ａ
ｉ成に対するＰＳＧ １％：ｊ ＋熱酸化膜のエツチン
グ速度、第２図ばＡＬ配線のリフトオフ工程を示す。 ｌ・・半導体基板、２・・・絶縁ｊ換、３・・・Ａ２欣
、４・・レジストパターン、５・・・低温でかつ方向性
を有する薄膜堆猜法で堆積した絶縁膜 特許出願人 第１し１ 工・ソチレフ゛′おえめイ＄、ｉＦ軒し （ＥＧ／ＢＨ
Ｆ）第２図
ｉ成に対するＰＳＧ １％：ｊ ＋熱酸化膜のエツチン
グ速度、第２図ばＡＬ配線のリフトオフ工程を示す。 ｌ・・半導体基板、２・・・絶縁ｊ換、３・・・Ａ２欣
、４・・レジストパターン、５・・・低温でかつ方向性
を有する薄膜堆猜法で堆積した絶縁膜 特許出願人 第１し１ 工・ソチレフ゛′おえめイ＄、ｉＦ軒し （ＥＧ／ＢＨ
Ｆ）第２図
Claims (1)
- フッ化アンモニウムとフッ酸の混合溶液にエチレングリ
コールを加えた組成から成ることを特徴とする半導体装
置製造用エツチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151601A JPS6043831A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置製造用エツチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151601A JPS6043831A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置製造用エツチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043831A true JPS6043831A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=15522090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151601A Pending JPS6043831A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 半導体装置製造用エツチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043831A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5326955A (en) * | 1990-04-17 | 1994-07-05 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Standoff control method and apparatus for plasma cutting machine |
| US5830280A (en) * | 1996-03-15 | 1998-11-03 | Tokyo Electron Limited | Washing liquid for post-polishing and polishing-cleaning method in semiconductor process |
| EP0989598A3 (de) * | 1998-09-25 | 2004-03-17 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur Nassätzung einer Halbleiterstruktur |
| US6713237B2 (en) * | 2000-07-27 | 2004-03-30 | Seagate Technology Llc | Single layer lift-off method for making an electronic device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52108351A (en) * | 1976-03-10 | 1977-09-10 | Hitachi Ltd | Etching liquid |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58151601A patent/JPS6043831A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS52108351A (en) * | 1976-03-10 | 1977-09-10 | Hitachi Ltd | Etching liquid |
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| US5830280A (en) * | 1996-03-15 | 1998-11-03 | Tokyo Electron Limited | Washing liquid for post-polishing and polishing-cleaning method in semiconductor process |
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