JPS6043868A - 光起電力装置 - Google Patents

光起電力装置

Info

Publication number
JPS6043868A
JPS6043868A JP58151195A JP15119583A JPS6043868A JP S6043868 A JPS6043868 A JP S6043868A JP 58151195 A JP58151195 A JP 58151195A JP 15119583 A JP15119583 A JP 15119583A JP S6043868 A JPS6043868 A JP S6043868A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
beams
incident
glass plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58151195A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Miyagi
宮城　正英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP58151195A priority Critical patent/JPS6043868A/ja
Publication of JPS6043868A publication Critical patent/JPS6043868A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/488—Reflecting light-concentrating means, e.g. parabolic mirrors or concentrators using total internal reflection
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明はガラス基板上に一方の電極を成す透明導電層を
介して光電素子が固定され、基板を通じて入射する光に
より起電力を発生する光起電力装置に関する。
〔従来技術とその問題点〕
上述のような光起電力装置においてはできるだけ多くの
光量を光電素子に到達させるこ吉が望ましい。そのため
にガラス基板表面の反射を少なくする目的でガラス基板
の表面にガラスの屈折率１．５より小さい１，４の屈折
率を有する二酸化珪素ＳｉＯ□の膜を形成することが行
われる。この５ｉ０２膜の形成は通常ガラス板をアルコ
ール液中にＶ漬したのち焼成することによって行われる
。従ってＳ　ｉ０２膜はガラス板の両面に形成される。
たとえアルコール液を片面だけに塗っても焼成中にアル
コール蒸気が生じてやはり両面に形成される。このよう
に両面にＳｉＯ□膜を備えたガラス板を基板とし、その
上にＩＴＯあるいはＳｎＯ，などの酸化物半冴体からな
る透明導電膜を一方の電極とするアモルファスシリコン
太陽電池などの光′亀素子を固定すると、ガラス板の光
入射面における反射は減少するものの、素子側では屈折
率の小さいＳｉＯ□膜と屈折率２．０の透明導電膜と接
することになってその界面ではノコラス板が直接透明導
電膜と接する場合に比して反射が多くなってしまう。
〔発明の目的〕
本発明はこの欠点を解消してガラス板側からの入射光の
光電素子への到達率がより高い光起電力装置を提供する
ことを目的とする。
〔発明の要点〕
本発明は透明絶縁基板として光の入射面のみを弗化水素
に接触せしめて表面層のナトリウムを除去したソーダガ
ラス板を用いることにより上記の目的を達成する。
〔発明の実施例〕
第１図は本発明の一実施例を示し、ガラス基板゛１の上
に透明導電膜２、ＰＮ接合を有するアモルファスシリコ
ン層３、金属電極４が順次積層された通常の太陽電池の
構造であるが、ガラス基板１は通常の板ガラスの一方の
面のみをＨＦふん囲気に接触せしめて、表面に約２０Ｏ
Ａの厚さでソーダガラス甲のＮａを除去した多孔質の層
１１を形成したものである。この処理は常温で行われる
ので他方の面をマスクすることは容易にできる。表面層
１１はＮａが除去されているためほとんどＳｉＯ□のみ
からなり、従ってその屈折率は１，４である。このよう
な表面層１１が基板１への光５の入射側にのみ存在し、
透明電極２の側には存在しないので、各層の屈折率は表
面層１１の１．４、ガラス板１の１．５、透明導電膜２
の２．０、シリコン層３の３．９と順次高くなっており
、途中での屈折率の逆転がないので反射は華低限に抑制
され、シリコン層３への入射量が増大するため、この光
起電力装置の発生電流値が５〜１０％向上する。
〔発明の効果〕
本発明は光起電力装置のガラス基板として光入射側にＨ
Ｆ処理によりＮａを除去した表面層を有するソーダガラ
ス板を用いるもので、ＨＦ処理は常温でできるため容易
に均一な低屈折率の表面５ｉｎ２層を得ることができ、
表面における光の反射が低減されてより効率の高い先程
電力装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）透明絶縁基板上に一方の電極を成す透明導電層を介
    して光電素子が固定され、基板を通じて入射する光によ
    り起電力を発生するものにおいて、基板として光の入射
    面のみを弗化水素に接触せしめて表面層のすｌ−ＩＪウ
    ムを除去したソーダガラス板が用いられたことを特徴と
    する光起電力装置。
JP58151195A 1983-08-19 1983-08-19 光起電力装置 Pending JPS6043868A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58151195A JPS6043868A (ja) 1983-08-19 1983-08-19 光起電力装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58151195A JPS6043868A (ja) 1983-08-19 1983-08-19 光起電力装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6043868A true JPS6043868A (ja) 1985-03-08

Family

ID=15513334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58151195A Pending JPS6043868A (ja) 1983-08-19 1983-08-19 光起電力装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6043868A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010114314A3 (ko) * 2009-03-31 2011-03-31 엘지이노텍주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010114314A3 (ko) * 2009-03-31 2011-03-31 엘지이노텍주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02202068A (ja) 光透過性導電性積層体膜
KR20120039361A (ko) 태양전지의 제조방법
TWI650872B (zh) 太陽能電池及其製造方法、太陽能電池模組及太陽能電池發電系統
JP3297380B2 (ja) 太陽電池及び太陽電池の製造方法
CN113675300A (zh) 一种异质结电池的制备方法
JP2000223724A (ja) アモルファスシリコン太陽電池とその製造方法
JPS61141185A (ja) 光起電力素子の製造方法
JPS61241983A (ja) 光起電力装置
JPH05206490A (ja) 光電変換装置
JPS6088481A (ja) 太陽電池
JPS5940774B2 (ja) 反射防止ガラスの劣化防止方法
JPS61288314A (ja) 透光性導電酸化物層の加工方法
JPS6269407A (ja) 透明導電膜の粗面化方法
JPH07131040A (ja) 光起電力装置
JPS6269408A (ja) 透明導電膜の粗面化方法
JP3172365B2 (ja) 光起電力装置及びその製造方法
JPS59125669A (ja) 太陽電池
JPS5943101B2 (ja) 非晶質半導体太陽電池
JPS61218178A (ja) アモルフアスシリコン太陽電池
JPS5898985A (ja) 薄膜太陽電池
JPS62179165A (ja) アモルフアスシリコン太陽電池
JP2994716B2 (ja) 光起電力装置
JPS5975679A (ja) 光起電力装置
JPS62137873A (ja) 光電変換装置の製造方法
JPS59152676A (ja) アモルフアスシリコン光起電力素子