JPS6044813A - 集束イオンビ−ムを用いた位置検出方法 - Google Patents
集束イオンビ−ムを用いた位置検出方法Info
- Publication number
- JPS6044813A JPS6044813A JP58152714A JP15271483A JPS6044813A JP S6044813 A JPS6044813 A JP S6044813A JP 58152714 A JP58152714 A JP 58152714A JP 15271483 A JP15271483 A JP 15271483A JP S6044813 A JPS6044813 A JP S6044813A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- mark
- ion source
- ion beam
- eutectic alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集束イオンビーム装置における重ね合わせマ
ーク位置検出方法に関するものである。
ーク位置検出方法に関するものである。
従来、集束イオンビーム装置の重ね合わせマーや十字型
の重ね合わせ位置マークを形成し、イオン注入や、エツ
チングやリソグラフィーの所要プロセスに用いるイオン
種そのものを重ね合わせマークの段差上に走査し、重ね
合わせマーク位置の検出を行なっていた。イオン注入や
、エツチングやリソグラフィーに対して色々なイオン種
が所望され、その多くの重いイオン種は試料表面に設け
られた重ね合わせマークをマーク位置検出のために走査
する場合スパッター効果によシ、重ね合わせマークに損
傷を与え、位置検出信号が変化し、重ね合わせマーク位
置検出が困難であるという欠点を有していた。
の重ね合わせ位置マークを形成し、イオン注入や、エツ
チングやリソグラフィーの所要プロセスに用いるイオン
種そのものを重ね合わせマークの段差上に走査し、重ね
合わせマーク位置の検出を行なっていた。イオン注入や
、エツチングやリソグラフィーに対して色々なイオン種
が所望され、その多くの重いイオン種は試料表面に設け
られた重ね合わせマークをマーク位置検出のために走査
する場合スパッター効果によシ、重ね合わせマークに損
傷を与え、位置検出信号が変化し、重ね合わせマーク位
置検出が困難であるという欠点を有していた。
本発明の目的は、重ね合わせマーク位置を検出する際に
、重ね合わせマークに損傷を与えない軽元素を用いるマ
ーク位置検出方法を与えることである。
、重ね合わせマークに損傷を与えない軽元素を用いるマ
ーク位置検出方法を与えることである。
本発明によれば、試料表面上に設けられた重ね合わせ位
置マークに集束イオンビームを照射して前記マークの位
置を検出する方法において、イオン源の共晶合金成分と
して前記マークを損傷しない軽い元素を有し、この軽い
元素を前記マークに照射して位置の検出を行なうことを
特徴とする集束イオンビームを用いた位置検出方法が得
られる。
置マークに集束イオンビームを照射して前記マークの位
置を検出する方法において、イオン源の共晶合金成分と
して前記マークを損傷しない軽い元素を有し、この軽い
元素を前記マークに照射して位置の検出を行なうことを
特徴とする集束イオンビームを用いた位置検出方法が得
られる。
以下、本発明について図面を参照托して説明する。第１
図は集束イオンビーム装置の概略構成図である。イオン
源１１、レンズ１２、質量分析器１３、ビーム偏向器１
４及び試料１６がセットされる移動ステージ１５から成
シ、ステージ位置はレーザビーム位置合せ装置で測定さ
れる。本実施例ではイオン源としてＡｕ−Ｂｅ Ｓｉの
共晶合金を用いる。この共晶合金イオン源からＡｕイオ
ン、Ｂｅイオン、Ｓｓイオンがとシ出される。質量分析
器１３によシ分離され、Ａｕイオン又はＢｅイオン又は
Ｓｔ イオン１７が所望の要求に応じて試料１６に照射
される。本実施例では試料１６としてＳｓ ウェハに重
ね合わせマークが直接食刻されたものを用い、重ね合わ
せマーク位置検出用の軽元素としてはＳｌをほとんど損
傷しないＢｅを用いた。一方イオン注入、エツチング、
リングラフイー用にＡｕ、Ｓｉイオンを用いた。このよ
うにすれば重ね合わせマークがほとんど損傷されず、容
易にしかも高精度に位置を検出できる。
図は集束イオンビーム装置の概略構成図である。イオン
源１１、レンズ１２、質量分析器１３、ビーム偏向器１
４及び試料１６がセットされる移動ステージ１５から成
シ、ステージ位置はレーザビーム位置合せ装置で測定さ
れる。本実施例ではイオン源としてＡｕ−Ｂｅ Ｓｉの
共晶合金を用いる。この共晶合金イオン源からＡｕイオ
ン、Ｂｅイオン、Ｓｓイオンがとシ出される。質量分析
器１３によシ分離され、Ａｕイオン又はＢｅイオン又は
Ｓｔ イオン１７が所望の要求に応じて試料１６に照射
される。本実施例では試料１６としてＳｓ ウェハに重
ね合わせマークが直接食刻されたものを用い、重ね合わ
せマーク位置検出用の軽元素としてはＳｌをほとんど損
傷しないＢｅを用いた。一方イオン注入、エツチング、
リングラフイー用にＡｕ、Ｓｉイオンを用いた。このよ
うにすれば重ね合わせマークがほとんど損傷されず、容
易にしかも高精度に位置を検出できる。
本実施例では、イオン源としてＡｕ−Ｂｅ−８ｉを用い
たが、これに限る必要はない。位置検出用イオンとして
Ｂｅを用いるものは他にＡｕ−Ｇｅ−Ｂｅ。
たが、これに限る必要はない。位置検出用イオンとして
Ｂｅを用いるものは他にＡｕ−Ｇｅ−Ｂｅ。
Ａｕ−Ｂｅ等がある。また前記イオンとしてＬｉを用い
ることもでき、Ａｕ−Ｇｅ−Ｌｌ 、Ｐ ｔ−Ａｓ−Ｌ
ｌ等がある。またＢを用いることもでき、Ｂ−Ｎ１−Ｐ
ｔ。
ることもでき、Ａｕ−Ｇｅ−Ｌｌ 、Ｐ ｔ−Ａｓ−Ｌ
ｌ等がある。またＢを用いることもでき、Ｂ−Ｎ１−Ｐ
ｔ。
Ｐ ｔ −Ｂ 、Ｐａ−Ｎ１−Ｂ、Ｐｄ−Ｎｉ −Ｂ−
Ａｍ 、Ｐ ｔ−Ａｓ −Ｂ 。
Ａｍ 、Ｐ ｔ−Ａｓ −Ｂ 。
５ｂ−ｐｂ−Ａｕ−Ｂ等がある。以上述べたように位置
検出用イオンとしてはＢｅ、Ｌｉ、Ｂが主なものである
が、共晶合金を作製できる場合には、くみあわせて使っ
てもよい。つま多位置検出用イオンを複数種類使っても
よい。また位置検出用イオンをドーピング、リソグラフ
ィ等に兼用してもよい。また位置検出マークは特別な形
状のものを使わなければならないような制限はない。
検出用イオンとしてはＢｅ、Ｌｉ、Ｂが主なものである
が、共晶合金を作製できる場合には、くみあわせて使っ
てもよい。つま多位置検出用イオンを複数種類使っても
よい。また位置検出用イオンをドーピング、リソグラフ
ィ等に兼用してもよい。また位置検出マークは特別な形
状のものを使わなければならないような制限はない。
以上説明した様に、本発明による重ね合わせマーク位置
検出方法では試料表面上に設けた重ね合わせマークが損
傷をうけず、安定した高精度の重ね合わせマーク位置検
出が可能である。
検出方法では試料表面上に設けた重ね合わせマークが損
傷をうけず、安定した高精度の重ね合わせマーク位置検
出が可能である。
第１図は本発明の一実施例を説明するための図で、集束
イオンビーム装置の構成図を示している。 第２図（ａ） 、 （ｂ）は試料表面上に溝又は突起か
らなる段差を設けて重ね合わせに用いられる重ね合わせ
マークを示す模式図。（ａ） 、 ［ｂｌはそれぞれＬ
字型。 十字型のマークを示す模式図。図中の番号は以下のもの
を示している。 １１・・・イオン源、１２−・レンズ系、１３・・・質
量分析器、１４・・・ビーム偏向器、１５−・移動ステ
ージ、１６・・・試料、１７−イオンビーム、２１−Ｌ
字型重ね合わせマーク、２２・−十字型重ね合わせマー
ク。 ６６ 第１図 ７２図
イオンビーム装置の構成図を示している。 第２図（ａ） 、 （ｂ）は試料表面上に溝又は突起か
らなる段差を設けて重ね合わせに用いられる重ね合わせ
マークを示す模式図。（ａ） 、 ［ｂｌはそれぞれＬ
字型。 十字型のマークを示す模式図。図中の番号は以下のもの
を示している。 １１・・・イオン源、１２−・レンズ系、１３・・・質
量分析器、１４・・・ビーム偏向器、１５−・移動ステ
ージ、１６・・・試料、１７−イオンビーム、２１−Ｌ
字型重ね合わせマーク、２２・−十字型重ね合わせマー
ク。 ６６ 第１図 ７２図
Claims (1)
- 試料表面上に設けられた重ね合わせ位置マークに集束−
イオンビームを照射して前記マークの位置を検出する方
法において、イオン源の共晶合金成分として前記マーク
を損傷しない軽い元素を有し、この軽い元素を前記マー
クに照射して位置の検出を行なうことを特徴とする集束
イオンビームを用いた位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152714A JPS6044813A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 集束イオンビ−ムを用いた位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152714A JPS6044813A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 集束イオンビ−ムを用いた位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6044813A true JPS6044813A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15546547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152714A Pending JPS6044813A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 集束イオンビ−ムを用いた位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044813A (ja) |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152714A patent/JPS6044813A/ja active Pending
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