JPS6046368A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
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- JPS6046368A JPS6046368A JP15352783A JP15352783A JPS6046368A JP S6046368 A JPS6046368 A JP S6046368A JP 15352783 A JP15352783 A JP 15352783A JP 15352783 A JP15352783 A JP 15352783A JP S6046368 A JPS6046368 A JP S6046368A
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- target
- substrate
- sputtering
- film
- sputtering target
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパッタリングに用いろスノツタリングター
ゲットに関する。
ゲットに関する。
周知のようにスパッタリングは、グロー放電またはアー
ク放成により生成したプラズマイオンを、平板状のター
ゲツト面に衝突させ、この衝撃によりターゲットから飛
び土す原子または分子を被覆対象物の表面に堆積させて
行なっている。ところで、従米のスパッタリング装置に
おいてに、ターゲット近傍に発生させるプラズマの密夏
の同上及びプラズマの空間的は均−注の向上が難しく、
このこめにスパッタ率（換言すれば、単位時間あこりの
被覆績斌量が小さく、生産性が低いという問題があつこ
。
ク放成により生成したプラズマイオンを、平板状のター
ゲツト面に衝突させ、この衝撃によりターゲットから飛
び土す原子または分子を被覆対象物の表面に堆積させて
行なっている。ところで、従米のスパッタリング装置に
おいてに、ターゲット近傍に発生させるプラズマの密夏
の同上及びプラズマの空間的は均−注の向上が難しく、
このこめにスパッタ率（換言すれば、単位時間あこりの
被覆績斌量が小さく、生産性が低いという問題があつこ
。
これに対してプラズマ密度を宣めろこぬに、ターゲット
の放射面近傍の空間に、ターゲットと柄版との間に与え
られに心弁の方向に対して直角方向に磁束を与えるよう
にしこ装置（いわゆるマグネトロン式の装置）が知られ
ている。ところが、この種の装置では、ターゲット近傍
の必要とされる空間領域内に均一な磁束分布を与えるこ
とが困難であり、まこターゲットが強磁性体である場合
には、磁束がターゲット内に吸収されて所期の目釣が達
成されない等のこめに、充分な生産性の向上を図ること
ができなかつこ。
の放射面近傍の空間に、ターゲットと柄版との間に与え
られに心弁の方向に対して直角方向に磁束を与えるよう
にしこ装置（いわゆるマグネトロン式の装置）が知られ
ている。ところが、この種の装置では、ターゲット近傍
の必要とされる空間領域内に均一な磁束分布を与えるこ
とが困難であり、まこターゲットが強磁性体である場合
には、磁束がターゲット内に吸収されて所期の目釣が達
成されない等のこめに、充分な生産性の向上を図ること
ができなかつこ。
また、ターゲット近傍のプラズマを発生させる空間に向
けてタングステンフィラメント等を加熱して熱電子を放
出させ、大岐流のアークプラズマによりプラズマ密度を
高めろようにしこ装置が知られているが、ターゲツト面
に対して均一なアークプラズマを発生せしめるには高度
な技術を必要とし、これを実現するこめには装置が複雑
化すると共に高価格化し、従つて生産コストが著しく高
騰するという問題をかかえていに。
けてタングステンフィラメント等を加熱して熱電子を放
出させ、大岐流のアークプラズマによりプラズマ密度を
高めろようにしこ装置が知られているが、ターゲツト面
に対して均一なアークプラズマを発生せしめるには高度
な技術を必要とし、これを実現するこめには装置が複雑
化すると共に高価格化し、従つて生産コストが著しく高
騰するという問題をかかえていに。
不発明は上記事湾に鑑み、生産コストを低く迎え得ると
共にスパッタリングの能率の同上を図ることができるス
パッタリングターゲッを提供することを目的としてなさ
れこもので、プラズマイオンの衝撃を受けて成分原子ま
こは分子を放出するスパッタリングターゲットの放射面
を、被覆対象物に向けて開いた断面Ｕ字状の曲面もしく
は断面凹状の而に形成したことを脣債とするものがある
。
共にスパッタリングの能率の同上を図ることができるス
パッタリングターゲッを提供することを目的としてなさ
れこもので、プラズマイオンの衝撃を受けて成分原子ま
こは分子を放出するスパッタリングターゲットの放射面
を、被覆対象物に向けて開いた断面Ｕ字状の曲面もしく
は断面凹状の而に形成したことを脣債とするものがある
。
以下、本発明を図面な舒照して詳細に説明する。
第１図、第２図は、不発明のスパッタリングターゲット
を用いこスパッタ装置の一例を示す図である。これらの
図中、符号１はクーゲット、２は磁石、３は基板である
。
を用いこスパッタ装置の一例を示す図である。これらの
図中、符号１はクーゲット、２は磁石、３は基板である
。
ターゲット１は、長方形状の貨板４，４を２枚、平行に
定向配置し、それらの長辺方向の下町社部間を底板５に
より連結してなる断面Ｕ手状に形成されていろ。そして
、そのＵ字状の開口部１ａを基板３に向けて設置されて
いる、このクーゲット１は、その材料として、スパック
リングにより形成しようとする被膜の成分と同じ成分を
もったものが用さらｔ、この実施例においては純鉄つも
はっている。
定向配置し、それらの長辺方向の下町社部間を底板５に
より連結してなる断面Ｕ手状に形成されていろ。そして
、そのＵ字状の開口部１ａを基板３に向けて設置されて
いる、このクーゲット１は、その材料として、スパック
リングにより形成しようとする被膜の成分と同じ成分を
もったものが用さらｔ、この実施例においては純鉄つも
はっている。
まこ、ターゲット１の開口部１ａを除く外耐は、シール
ド６によって覆われている。このシールト６に、例えば
鋼等の導成住材料（好ましくは、導電性かつ非磁性材料
）の板体を断面Ｕ字状に折曲加工して形成され、前記タ
ーゲット１の外面をら若干離間させた状態で配置され、
このシールド６に対してターゲット１はその上宿縁部で
絶縁材７を弁して固定されている。そして、ターゲツト
１外面とシールド６内面との間には、図示しないが金属
製の水冷ジャケットがターゲット１に密着させて設けら
し、このジャケット内部がターゲット１冷却用の冷卸水
通路８となっている。
ド６によって覆われている。このシールト６に、例えば
鋼等の導成住材料（好ましくは、導電性かつ非磁性材料
）の板体を断面Ｕ字状に折曲加工して形成され、前記タ
ーゲット１の外面をら若干離間させた状態で配置され、
このシールド６に対してターゲット１はその上宿縁部で
絶縁材７を弁して固定されている。そして、ターゲツト
１外面とシールド６内面との間には、図示しないが金属
製の水冷ジャケットがターゲット１に密着させて設けら
し、このジャケット内部がターゲット１冷却用の冷卸水
通路８となっている。
また磁石２．２に、前記ターゲット１の側板４．４外面
側に沿って配置されている。これらの磁石２，２のうち
の一方の磁石はＮ極をターゲット１に向け、他方の磁石
はＳ極をクーゲット１に向けて設置され、図示しよい固
定手段により強固に固定すれている。各磁石２．２のタ
ーゲット１に町り面には、それぞれ磁石ヨーク１０，１
０が固足さしてる。各ヨーク１０．１０は、ターゲット
１の開口部１ａ側でターゲット１とヨーク１０との間の
距離が最も小さくなるように形成されており、従って磁
石２．２による磁束は、ターゲット１の開口部１ａ近傍
で最も密反が旨くはっティる。
側に沿って配置されている。これらの磁石２，２のうち
の一方の磁石はＮ極をターゲット１に向け、他方の磁石
はＳ極をクーゲット１に向けて設置され、図示しよい固
定手段により強固に固定すれている。各磁石２．２のタ
ーゲット１に町り面には、それぞれ磁石ヨーク１０，１
０が固足さしてる。各ヨーク１０．１０は、ターゲット
１の開口部１ａ側でターゲット１とヨーク１０との間の
距離が最も小さくなるように形成されており、従って磁
石２．２による磁束は、ターゲット１の開口部１ａ近傍
で最も密反が旨くはっティる。
まこ、この例において第１図に示すようにクーグツト１
の一漏部にタングステンフィラメント１１が設けられる
と共に、他端部に陽愼板１２が設けられており、これら
タングステンフィラメント１１と陽極板１２とにターゲ
ット１の側板４、４間の空間に熱電子を供給するアーク
プラズマ発生装置を構成している。
の一漏部にタングステンフィラメント１１が設けられる
と共に、他端部に陽愼板１２が設けられており、これら
タングステンフィラメント１１と陽極板１２とにターゲ
ット１の側板４、４間の空間に熱電子を供給するアーク
プラズマ発生装置を構成している。
しかして、上記のスパッタ装置でに、第２図に示すよう
にクーゲット１に列して基板３が正電位（通常５００〜
１０００Ｖ）をもつように范圧が印加される。まこ、ア
ークプラズマ発生装置の陽極板１２にはタングステンフ
ィラメント１１に対して正電圧が印加しると共て、タン
グステンクイラメント１１にはこれを加熱つるための鷺
力が供給されるようになっている。
にクーゲット１に列して基板３が正電位（通常５００〜
１０００Ｖ）をもつように范圧が印加される。まこ、ア
ークプラズマ発生装置の陽極板１２にはタングステンフ
ィラメント１１に対して正電圧が印加しると共て、タン
グステンクイラメント１１にはこれを加熱つるための鷺
力が供給されるようになっている。
次に、上記のスパッタ装置の作用及びターゲット１の作
用を説明する。
用を説明する。
まず、雰囲気を所定の圧力に減圧し、ターゲット１と基
板３との間に電圧を印加すると共にタングステンフィラ
メント１１に通電してこれを加熱し、かうタングステン
フィラメント１１と陽極板３２との間に電圧を印加する
。これによってターゲット１と征圧３との間にはグロー
放電またはアーク放電よるプラズマが生じ、その原子ま
たは電子のイオンがターゲット１の表面に衝突してター
ゲット１の表面の金属原子をイオン化して叩き出す。タ
ーゲット１の表面から放出された多数の金属イオンは、
ターゲット１表面に対して様々な方向の運動量をもつが
、本発明のターゲット１においては、開口部１ａによっ
て金属イオンの散乱方向が制限される。すなわち、ター
ゲット１の底板５からこの底板５の面に略直角な方向の
運動量をもって放出された金属イオンは、基板３に向け
て飛び出し、また劉隅６の面に対して直角以外の方向の
運動量をもって放出された金属イオンは、軌道が側板４
、４によって制限され、開口部１ａを通過し得る方向の
運動量をもった金属イオンがターゲット１から飛び丁ま
。また、ターゲット１の側仮４．４から叩ご出されこ金
属イオンも開口部１ａにより飛び出し方向が制限される
。矢って、上記のようなターゲットによれば、このター
ゲット１から叩き出されろ原子イオンの放出方向に、基
板３に同いこ方向性を与えることかでざる。
板３との間に電圧を印加すると共にタングステンフィラ
メント１１に通電してこれを加熱し、かうタングステン
フィラメント１１と陽極板３２との間に電圧を印加する
。これによってターゲット１と征圧３との間にはグロー
放電またはアーク放電よるプラズマが生じ、その原子ま
たは電子のイオンがターゲット１の表面に衝突してター
ゲット１の表面の金属原子をイオン化して叩き出す。タ
ーゲット１の表面から放出された多数の金属イオンは、
ターゲット１表面に対して様々な方向の運動量をもつが
、本発明のターゲット１においては、開口部１ａによっ
て金属イオンの散乱方向が制限される。すなわち、ター
ゲット１の底板５からこの底板５の面に略直角な方向の
運動量をもって放出された金属イオンは、基板３に向け
て飛び出し、また劉隅６の面に対して直角以外の方向の
運動量をもって放出された金属イオンは、軌道が側板４
、４によって制限され、開口部１ａを通過し得る方向の
運動量をもった金属イオンがターゲット１から飛び丁ま
。また、ターゲット１の側仮４．４から叩ご出されこ金
属イオンも開口部１ａにより飛び出し方向が制限される
。矢って、上記のようなターゲットによれば、このター
ゲット１から叩き出されろ原子イオンの放出方向に、基
板３に同いこ方向性を与えることかでざる。
まこ、上記のターゲット１でに、これと基板３との間に
発生すろプラズマが、側板４．４と紙板５とによって囲
まれており、従ってプラズマイオンがターゲット１に衝
突する確率が従来の平板状のターゲットに比べて著しく
筒くするため、址属イオンの放出量か従来のものより増
加する。
発生すろプラズマが、側板４．４と紙板５とによって囲
まれており、従ってプラズマイオンがターゲット１に衝
突する確率が従来の平板状のターゲットに比べて著しく
筒くするため、址属イオンの放出量か従来のものより増
加する。
上記のスパッタ装置において、タングステンフィラメン
ト１１と陽極板１２とからなるアークプラズマ発生装置
は、側板４，４と底板５とに囲まれたターゲット１内の
空間に熱電子を放出し、もってターゲット１と基板３と
の間の放電を容易にしてプラズマ密度の向上を促す作用
をする。
ト１１と陽極板１２とからなるアークプラズマ発生装置
は、側板４，４と底板５とに囲まれたターゲット１内の
空間に熱電子を放出し、もってターゲット１と基板３と
の間の放電を容易にしてプラズマ密度の向上を促す作用
をする。
まだ、上記のスパツタ装置において磁石２．２は、ター
ゲット１の開口部１ａ近傍の空間に、ターゲット１と基
板３との間に生じろ電昇方向に対して直角方向の磁場を
高い密度で発生させる。この磁場は、ターゲット１と基
板３との間に発生するプラズマを、ターゲット１の近傍
に集束させる作用をして基板３への電荷の流入を抑え、
基板３の温度上昇を防止する作用をする。
ゲット１の開口部１ａ近傍の空間に、ターゲット１と基
板３との間に生じろ電昇方向に対して直角方向の磁場を
高い密度で発生させる。この磁場は、ターゲット１と基
板３との間に発生するプラズマを、ターゲット１の近傍
に集束させる作用をして基板３への電荷の流入を抑え、
基板３の温度上昇を防止する作用をする。
しかして上記のような不発明のターゲットによれば、そ
の形状を断面Ｕ竿状まこは凹字状とし、開口部を被覆対
象物に向けて用いるようにし、かつプラズマをＵ字状ま
には凹字状に形成されたターゲットの内面側に発生させ
ろようにしこものであるから、プラズマイオンの衝撃に
よりスノソタされる粒子の数が多く、かつスパッタされ
た定子の飛翔方向が開口部により制限されて破暖対象物
に向けて方向性を与えられるこめ、単侍時間あたりの被
膜生成量を著しく同上させろごとができ、従って生産性
の高いスパッタ装置を夾現することができる。
の形状を断面Ｕ竿状まこは凹字状とし、開口部を被覆対
象物に向けて用いるようにし、かつプラズマをＵ字状ま
には凹字状に形成されたターゲットの内面側に発生させ
ろようにしこものであるから、プラズマイオンの衝撃に
よりスノソタされる粒子の数が多く、かつスパッタされ
た定子の飛翔方向が開口部により制限されて破暖対象物
に向けて方向性を与えられるこめ、単侍時間あたりの被
膜生成量を著しく同上させろごとができ、従って生産性
の高いスパッタ装置を夾現することができる。
まに、不発明のターゲットは、アークプラズマ発生装置
な潮えろことによってプラズマ密度を高め、被膜生成速
度を更に向上させることができ、更にはターゲットを断
面Ｕ手状（まこは凹字状）とすることによってターゲッ
トが強磁性体である場合も磁石により与えこ磁束密度を
ターゲットの開口部近傍の空間で胃くすることが可能と
なり、従って磁束によりプラズマを集束させてプラズマ
の利用効率の向上及び基板への電荷の流入防止効果の向
上を図ることができる等の効果を得ろことがでさる。
な潮えろことによってプラズマ密度を高め、被膜生成速
度を更に向上させることができ、更にはターゲットを断
面Ｕ手状（まこは凹字状）とすることによってターゲッ
トが強磁性体である場合も磁石により与えこ磁束密度を
ターゲットの開口部近傍の空間で胃くすることが可能と
なり、従って磁束によりプラズマを集束させてプラズマ
の利用効率の向上及び基板への電荷の流入防止効果の向
上を図ることができる等の効果を得ろことがでさる。
なお、上記の実施例においては、ターゲットを平板を結
合して断面凹壬状に形成しこ例を示しこが、これに限定
されるものではなく、貧属板をプレス成形法等により断
面Ｕ字状の曲面をもにせこ形状とすることもできろ。
合して断面凹壬状に形成しこ例を示しこが、これに限定
されるものではなく、貧属板をプレス成形法等により断
面Ｕ字状の曲面をもにせこ形状とすることもできろ。
仄に実験例をあげて本光明を更に具体的に説明する。
〔実験例１、磁束密度の分布状態〕
第１図、第２図に示したターゲット１を以下に示す材質
及び寸法により形成しこ。
及び寸法により形成しこ。
・材質：純鉄
・厚さ：５ｍｍ
・開口部寸法：３０ｍｍ
・高さ（内のり）：７０ｍｍ
・長さ：２００ｍｍ
上記のターゲット１に厚さ２ｍｍの銅板からなろシール
ド６を取り付け、鋼板４，４の外面側に活って平行に、
純鉄製のヨーク１０．１０を備えた永久磁石２，２を配
置した。ヨーク１０．１０の上部先端とシールド６との
間の間隔は３ｍｎとしに。
ド６を取り付け、鋼板４，４の外面側に活って平行に、
純鉄製のヨーク１０．１０を備えた永久磁石２，２を配
置した。ヨーク１０．１０の上部先端とシールド６との
間の間隔は３ｍｎとしに。
まこ、ターゲット１の上方に、ターゲット１土端の開口
部１ａから５０ｍｍ離間させ、ターゲット１と平行に、
材質がガラスからなり、幅寸法３０ｍｍ、長さ寸法２０
０ｍｍの基板３を配置しに。
部１ａから５０ｍｍ離間させ、ターゲット１と平行に、
材質がガラスからなり、幅寸法３０ｍｍ、長さ寸法２０
０ｍｍの基板３を配置しに。
上記永久磁石２，２により２０００エルステツドの磁場
を与えた場合のターゲット１内方の梁間に生じる磁束の
密度、及びターゲット側板４の上端部で４と４の中央部
（第３図の長手方向の中央位置で測定）における漏洩磁
場を測定しに。
を与えた場合のターゲット１内方の梁間に生じる磁束の
密度、及びターゲット側板４の上端部で４と４の中央部
（第３図の長手方向の中央位置で測定）における漏洩磁
場を測定しに。
漏洩磁場の測定値は１８０エルステツドであつた。また
、ターゲット１の１両板４，４間中央部での磁束密度の
分布を第３図に示しこ。
、ターゲット１の１両板４，４間中央部での磁束密度の
分布を第３図に示しこ。
第３図から分かろように、不発明のターゲットによれば
、ターゲットの材質が純鉄等の強磁性体である忌合にも
、開口部１ａ近傍の空間に高い密度の磁束を与えろこと
ができる。
、ターゲットの材質が純鉄等の強磁性体である忌合にも
、開口部１ａ近傍の空間に高い密度の磁束を与えろこと
ができる。
〔実験例２、被膜生成速度の測定〕
実験例１で用いこターゲット１、基板３等を圧力１×１
０−３〜１×１０−２Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気宇
において、ターゲット１と基板３との間に基板３を正成
位として６００Ｖの成田を印加しに。この状態で、発生
するプラズマ放電の一流を３Ａに保ち、アークプラズマ
発生装置（第１図中のタングステンフイラメント１１と
陽極板１２）に２０ＶＡの電力を供給しこ場合と、これ
を用いない場合とについて、基板３に対する純鉄被膜の
虫取速度の分布を副足しこ。
０−３〜１×１０−２Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気宇
において、ターゲット１と基板３との間に基板３を正成
位として６００Ｖの成田を印加しに。この状態で、発生
するプラズマ放電の一流を３Ａに保ち、アークプラズマ
発生装置（第１図中のタングステンフイラメント１１と
陽極板１２）に２０ＶＡの電力を供給しこ場合と、これ
を用いない場合とについて、基板３に対する純鉄被膜の
虫取速度の分布を副足しこ。
第４図にはターゲット１の幅方向についての被膜生成速
度の分布を、また第５図にはターゲット１の長手方向に
ついての被膜生成速度の分布な示しである。また、第４
図、第５図ともに、アークプラズマ発生装置を用いこ場
合の結果を実線で、用いない場合の結果を破線で示しで
ある。
度の分布を、また第５図にはターゲット１の長手方向に
ついての被膜生成速度の分布な示しである。また、第４
図、第５図ともに、アークプラズマ発生装置を用いこ場
合の結果を実線で、用いない場合の結果を破線で示しで
ある。
第４図に示すように、不発明のターゲットでは、ターゲ
ットの幅方向の中央部で基板上への被膜の虫取速度が最
大となり、ターゲットからスノツタされた粒子の飛翔方
向がターゲットの開口部が向けられた方同に集中されて
いろことが分かる。また、第５図に示すように、不発明
のターゲットでは、その長さ方向には略均−な被膜生成
速度が得られることが分かる。
ットの幅方向の中央部で基板上への被膜の虫取速度が最
大となり、ターゲットからスノツタされた粒子の飛翔方
向がターゲットの開口部が向けられた方同に集中されて
いろことが分かる。また、第５図に示すように、不発明
のターゲットでは、その長さ方向には略均−な被膜生成
速度が得られることが分かる。
仄に本発明の一実施例を示す。
実施例、（樹脂フイームへの被膜形成）実験例１・２と
同じターゲットを用い、ポリイミドフィルムに鉄被膜を
形成しよ。
同じターゲットを用い、ポリイミドフィルムに鉄被膜を
形成しよ。
基板３′として第６図に示すように断半円状の柱体をタ
ーゲット１と平行に配置し、また、彼覆対象とするフィ
ルムＦは、基板３′の一也方に股けた供給ロール１５か
ら引き出し、基板３′の曲面を経て巻き取りロール１６
に一定速度で巻き取らせるようにした。
ーゲット１と平行に配置し、また、彼覆対象とするフィ
ルムＦは、基板３′の一也方に股けた供給ロール１５か
ら引き出し、基板３′の曲面を経て巻き取りロール１６
に一定速度で巻き取らせるようにした。
スパッタリングの条件は実験例２と同僚であり、まこフ
ィルムＦとしては、厚さ０．１ｍｎ、幅２００ｎｍ、長
さ５ｍのものを用いこ。フィルムＦの移動速度は、１０
ｃｍ／分に設定した。
ィルムＦとしては、厚さ０．１ｍｎ、幅２００ｎｍ、長
さ５ｍのものを用いこ。フィルムＦの移動速度は、１０
ｃｍ／分に設定した。
上記の条件でフイルムＦを全長にわたって処理し、表面
に鉄被膜を形成しこところ、得ろれた鉄被覆フィルムの
全長にわたり、その幅方向には中央部の１３０ｎｍの幅
で厚ざ２０００Ａの均一な鉄被膜が形成されていこ、鉄
被膜の保砕刀を測定しこところ、Ｈｃ＝６０ｅでちって
、磁気将性においても優れたものでらつこ。
に鉄被膜を形成しこところ、得ろれた鉄被覆フィルムの
全長にわたり、その幅方向には中央部の１３０ｎｍの幅
で厚ざ２０００Ａの均一な鉄被膜が形成されていこ、鉄
被膜の保砕刀を測定しこところ、Ｈｃ＝６０ｅでちって
、磁気将性においても優れたものでらつこ。
上記の結果から、不発明のターゲットは、その長さと同
程夏の酊をもったフィルムや板状材料等に、均質なスパ
ッタによる被膜を路戊することがでさ、大計生産に適し
たものであることが分かつた。
程夏の酊をもったフィルムや板状材料等に、均質なスパ
ッタによる被膜を路戊することがでさ、大計生産に適し
たものであることが分かつた。
図面の部用が説月
第１図、第２図は不発明によろターゲットの一実施例を
示す図であって、第１図は斜視図、第２図は正面断面図
、第３図は実験例１における磁束密度の測定結果を示す
図、第４図、第５図は実験例２における被膜生成速度の
分布の測定結果を示す図であって、第４図はターゲット
の幅方向についての速度分布を示す図、第５図はターゲ
ットの高さ方向についての速度分布を示す図、第６図は
実施例において用いたスパッタ装置の概略構成を示す図
である。
示す図であって、第１図は斜視図、第２図は正面断面図
、第３図は実験例１における磁束密度の測定結果を示す
図、第４図、第５図は実験例２における被膜生成速度の
分布の測定結果を示す図であって、第４図はターゲット
の幅方向についての速度分布を示す図、第５図はターゲ
ットの高さ方向についての速度分布を示す図、第６図は
実施例において用いたスパッタ装置の概略構成を示す図
である。
３・・・スパッタターゲット、１ａ・・・開口部、２・
・・磁石、３・・・基板、１１・・・タングステンフィ
ラメント（アークプラズマ発生装置）、３２・・・陽極
板（アークプラズマ発生装置）。
・・磁石、３・・・基板、１１・・・タングステンフィ
ラメント（アークプラズマ発生装置）、３２・・・陽極
板（アークプラズマ発生装置）。
出罪人 昭和電工株式会仕
代理人 弁理士 志賀正武
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被覆対象物に向けられた放射面にプラズマイオノ衝
撃を受けて成分原子まこは数分分子を放出するスパッタ
リングターゲットにおいて、前記数射面が前記被覆対象
物に向けて開いた断面Ｕ字状の曲面もしくは、断面凹状
の面に形成されてなることを特徴とするスパッタリング
ターゲット、 ２、前記放射面近傍の壁間に対して磁場を発生させろ磁
石を備えてなる特許請求の範囲第１項記載のスパッタリ
ングターゲット。 ３、前記放射面近傍の空間に対して電子を供給するアー
クプラズマ発生装置を備えてなろ特許請求の範囲第１項
まには第２項記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15352783A JPS6046368A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15352783A JPS6046368A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046368A true JPS6046368A (ja) | 1985-03-13 |
| JPS6331550B2 JPS6331550B2 (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=15564471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15352783A Granted JPS6046368A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046368A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183219A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-07-21 | Varian Assoc Inc | プラズマからのイオン抽出を採用するｐｖｄ装置 |
| JP2008239151A (ja) * | 2005-12-13 | 2008-10-09 | Shimano Inc | 自転車用ブレーキレバー装置用液圧装置。 |
| JP2018115356A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 神港精機株式会社 | マグネトロンスパッタ法による反応膜の形成装置および形成方法 |
| JP2018119185A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 神港精機株式会社 | マグネトロンスパッタ法による装飾被膜の形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207174A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Sputtering device |
| JPS5861461A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Taihei Kogyo Kk | 磁粉探傷における磁粉液散布方法 |
| JPS5861461U (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-25 | 富士通株式会社 | スパツタリング装置 |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15352783A patent/JPS6046368A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207174A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Sputtering device |
| JPS5861461A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Taihei Kogyo Kk | 磁粉探傷における磁粉液散布方法 |
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| JP2018115356A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 神港精機株式会社 | マグネトロンスパッタ法による反応膜の形成装置および形成方法 |
| JP2018119185A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 神港精機株式会社 | マグネトロンスパッタ法による装飾被膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331550B2 (ja) | 1988-06-24 |
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