JPS6046457B2 - Memory check method - Google Patents
Memory check methodInfo
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- JPS6046457B2 JPS6046457B2 JP55110092A JP11009280A JPS6046457B2 JP S6046457 B2 JPS6046457 B2 JP S6046457B2 JP 55110092 A JP55110092 A JP 55110092A JP 11009280 A JP11009280 A JP 11009280A JP S6046457 B2 JPS6046457 B2 JP S6046457B2
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1076—Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems
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- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はECC方式を採用するメモリのエラーチェッ
ク方式に係り、特に書込み直前の情報をチェックしてそ
のエラー・アドレスを記憶し、読出しエラーのあつた場
合に、エラー原因を究明するためのエラー・アドレスの
記憶内容を参照するメモリチェック方式に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an error checking method for a memory that employs the ECC method, and in particular, it checks information immediately before writing, stores the error address, and, in the event of a read error, checks the cause of the error. The present invention relates to a memory check method that refers to the stored contents of an error address in order to determine the error address.
半導体メモリ素子の高集積度化に伴つて、メモリ装置
の大容量化が進みメモリ装置に対する高信頼性の要求が
いつそう強くなつている。2. Description of the Related Art As the degree of integration of semiconductor memory devices increases, the capacity of memory devices increases, and the demand for high reliability of memory devices increases.
ECC方式を採用するメモリ装置(略してメモリ)では
、いわゆるソフトエラー対策を施した2ビット・エラー
訂正可能な方式が各種提案されている状況にある。しか
し、これらはメモリそのものを構成しているメモリアレ
ー、アドレスデコーダなどに関する故障対策てある。
ところで、ECC方式を採用しているメモリに おいて
も、読込み直前の情報にエラーが生じている場合には、
その書込み情報を再び読出すと、ECC機構によつて訂
正され得るために通常は問題が生じない。For memory devices (memories for short) that employ the ECC method, various methods have been proposed that are capable of correcting 2-bit errors with so-called soft error countermeasures. However, these are measures against failures related to the memory array, address decoder, etc. that constitute the memory itself.
By the way, even with memory that uses the ECC method, if an error occurs in the information immediately before reading,
Reading the written information again usually does not cause problems as it can be corrected by the ECC mechanism.
しかし、この場合書込み情報の送出側ないしは、ECC
機構の一部であるチェック・ビット生成の機能に間欠的
に発生するエラー原因などがある場合は真のエラー原因
が判明せずソフトエラーとして見過ごされる可能性があ
る。このため、そのようなエラーと真のソフトエラーと
が重なりシステム・ダウンにつながる訂正不能な多ビッ
ト・エラーが頻発するなどして、余分な保守時間が要る
などの問題を生じる可能性がある。 本発明の目的はE
CC方式を採用したメモリにおいて、読出しエラーが検
出したとき、その原因が書込み時に起因しているか否か
を簡易に知る方法を提供することにある。However, in this case, the sending side of the write information or the ECC
If there is an error cause that occurs intermittently in the check bit generation function that is part of the mechanism, the true cause of the error may not be identified and may be overlooked as a soft error. Therefore, when such errors and true soft errors overlap, uncorrectable multi-bit errors that can lead to system failure occur frequently, which can lead to problems such as the need for extra maintenance time. . The purpose of the present invention is to
It is an object of the present invention to provide a method for easily knowing whether or not the cause of a read error is caused during writing when a read error is detected in a memory adopting the CC method.
本発明によればECC方式を採用するメモリにおいて
、メモリヘの書込み時に書込み情報をチエ・ツクするチ
ェック回路と、そのチェック回路によつて検出された書
込み時のエラー・アドレスを記憶するアドレス記憶と、
メモリ読出しにおいて読出しエラーを検出した時に、前
記アドレス記憶を参照して読出しアドレスと比較する機
能とを設・け、読出しエラーは書込み時のエラーに起因
するか否かの識別を可能にするメモリチェック方式が得
られる。According to the present invention, in a memory that employs the ECC method, a check circuit that checks written information when writing to the memory, an address memory that stores an error address detected by the check circuit during writing;
A memory check is provided with a function that refers to the address storage and compares it with the read address when a read error is detected during memory read, and makes it possible to identify whether the read error is caused by an error during writing. method is obtained.
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
図は本発明の一実施例を示すブロック図である。1はE
CC方式を採用し、データ・ビットとそれに付属するチ
ェック・ビットを記憶するメモリ、2はアドレス・デコ
ーダ、3はデータ・ビットからエラー訂正用に冗長ビッ
トを生成するチェック・ビット生成回路、4はデータ・
ビットとチェック・ビットとから書込み情報をチェック
するチェック回路、5はメモリ1の読出し情報をチェッ
クして1ビット・エラーの場合は訂正し、2ビット以上
エラーの場合はアラームを発生するECC回路、6はメ
モリ1への書込み時に検出されたエラー信号によつて、
メモリ1のエラー●アドレスをアドレス記憶手段である
連想メモリ、7は連想メモリ6のアドレス指定回路、1
1はメモリ1へ書込みされるデータ・ビットが転送され
る信号線、11aはメモリ1から読出しされたデータ・
ビットで、ECC回路5を介して外部へ転送される信号
線、12はメモリ1のメモリアドレスを転送する信号線
、13はチェック・ビット生成回路3によつて作成され
たチェック・ビットをメモリ1へ転送する信号線、14
,15はそれぞれ連想メモリ7を読出し/書込み制御す
る信号線である。The figure is a block diagram showing one embodiment of the present invention. 1 is E
2 is an address decoder, 3 is a check bit generation circuit that generates redundant bits for error correction from data bits, and 4 is a memory that uses the CC method and stores data bits and check bits attached to them data·
A check circuit that checks written information from bits and check bits; 5 is an ECC circuit that checks read information from memory 1 and corrects it if there is a 1-bit error; and generates an alarm if there is an error of 2 or more bits; 6 is caused by the error signal detected when writing to memory 1.
Error in memory 1 ●Associative memory which is an address storage means, 7 is an address specification circuit of associative memory 6, 1
1 is a signal line through which data bits written to memory 1 are transferred, and 11a is a signal line for data bits read from memory 1.
12 is a signal line that transfers the memory address of memory 1, and 13 is a signal line that transfers the check bit generated by check bit generation circuit 3 to the outside through ECC circuit 5. signal line to be transferred to, 14
, 15 are signal lines for controlling read/write of the associative memory 7, respectively.
図においてメモリ1に情報を書込むときは、チェック・
ビット生成回路3によつて、データ●ビットについて1
ビット●エラー訂正用チェック●ビットが付加され、信
号線12が伝えるメモリ・アドレスヘデータ●ビットと
チェック●ビットが書込みされる。In the figure, when writing information to memory 1, check and
The bit generation circuit 3 generates 1 for the data bit.
A bit●check●bit for error correction is added, and the data●bit and check●bit are written to the memory address conveyed by the signal line 12.
チェック回路4はチェック・ピン.卜生成回路3がデー
タ●ビットにチェック●ビットを付加したときと同じ規
則に従つて、データ・ビットとチェック●ビットとを組
合せパリテイー・チェックを行いエラーがあるか否かを
判定する回路である。チェック回路4がエラー検出する
と、連想メモリ6に対して信号線14を介し書込み制御
信号が伝えられ、連想メモリ6はメモリ1の書込みにお
いてエラー検出されたメモリ・アドレスを記憶する。Check circuit 4 is a check pin. This is a circuit that performs a parity check by combining data bits and check bits according to the same rules as when the data generating circuit 3 adds check bits to data bits to determine whether or not there is an error. . When the check circuit 4 detects an error, a write control signal is transmitted to the associative memory 6 via the signal line 14, and the associative memory 6 stores the memory address where the error was detected in writing to the memory 1.
ここで、連想メモリ6は記憶内容によつてア・ドレス指
定することのできる記憶装置であり、上述のようにメモ
リ1への書込みにおいて、書込み情報にエラーが検出さ
れると、そのエラー・アドレスを順次記憶するアドレス
記憶である。メモリ1が読出しされ、ECC回路5にお
いて1ビット◆エラー訂正ないし2ビット・エラー検出
された場合には、信号線12,15を介してアドレス指
定回路7へ、メモリ参照内容(読出しエラーの検出され
たメモリ・アドレス)と、読出し制御信号とが伝えられ
る。Here, the associative memory 6 is a storage device that can be addressed according to the stored content, and as mentioned above, when an error is detected in the written information when writing to the memory 1, the error address This is address storage that stores sequentially. When the memory 1 is read and the ECC circuit 5 corrects a 1-bit error or detects a 2-bit error, the memory reference contents (read error detected) are sent to the addressing circuit 7 via signal lines 12 and 15. memory address) and a read control signal.
連想メモリ6では記憶内容を参照して一致を検出すると
、その一致アドレスの記憶内容を読出して外部へ送出す
る。図示lしていないが、チェック回路4で作成するパ
リテイー●チェック回路の各ビット出力はそのエラー・
ビット位置を示している関係上、連想メモリ6へメモリ
・アドレスを記憶するときにエラー・ビット位置を共に
記憶することも可能であり、記・憶していれば、それだ
け障害要因探索は容易になる。連想メモリ6で一致が検
出されない場合にはメモリ1への書込み時にはエラーが
無いと考えてよいのでメモリ1そのものに何等かのエラ
ー発生要因があると判断できる。従つて、メモl川の読
出しにおいて、エラーが検出されそのエラー原因がメモ
リ1の原因かそれ以外の他の原因かを識別し、その識別
結果及びメモリ・アドレスなどを保守プログラムによつ
て記憶しておくことが可能となり、メモリ装置に起因す
るシステム・ダウンあるいは保守における故障探索に貴
重な手がかりを提供することが可能となる。In the associative memory 6, when a match is detected by referring to the stored contents, the stored contents at the matching address are read out and sent to the outside. Although not shown in the figure, the parity created by the check circuit 4. Each bit output of the check circuit
Since the bit position is indicated, it is also possible to store the error bit position when storing the memory address in the associative memory 6, and the more you memorize it, the easier it will be to search for the cause of the failure. Become. If no match is detected in the associative memory 6, it can be assumed that there is no error when writing to the memory 1, and therefore it can be determined that there is some error occurrence factor in the memory 1 itself. Therefore, when an error is detected when reading the memory 1 river, it is determined whether the cause of the error is caused by memory 1 or another cause, and the identification result and memory address are stored by the maintenance program. This makes it possible to provide valuable clues for searching for system failures caused by memory devices or failures during maintenance.
以上本発明によれはECC方式を採用したメモリ装置に
おいて、メモリへの書込み直前の情報をチェックしエラ
ー●アドレスを記憶しているので、メモリ読出しにおい
て通常は見過ごされている書込み情報の送出側ないし、
チェック・ビット生成回路のエラーが検出可能となり、
メモリ装置の保守を容易にする効果を生ずる。As described above, according to the present invention, in a memory device that employs the ECC method, the information immediately before writing to the memory is checked and the error address is memorized. ,
Errors in the check bit generation circuit can now be detected,
This has the effect of facilitating maintenance of the memory device.
図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
図において1はメモリ、2はアドレス・デコーダ、3は
チェック・ビット生成回路、4はチェック回路、5はE
CC回路、6はアドレス記憶手段である連想メモリ、7
はアドレス指定回路、11,11a,12〜16は信号
線を示す。The figure is a block diagram showing one embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a memory, 2 is an address decoder, 3 is a check bit generation circuit, 4 is a check circuit, and 5 is an E
CC circuit, 6 is an associative memory which is an address storage means, 7
11, 11a, and 12 to 16 indicate an address designation circuit, and signal lines 11, 11a, and 12 to 16, respectively.
Claims (1)
書込み時に書込み情報をチェックするチェック回路と該
チェック回路によつてエラーが検出されたとき、該エラ
ー・アドレスを記憶する連想メモリ手段と、メモリ読出
しにおいて読出しエラーを検出したときに、前記連想メ
モリ手段を参照して、読出しアドレスが書込み時のエラ
ー・アドレスと一致するかを識別する手段を有すること
を特徴とするメモリチェック方式。1. In a memory that employs the ECC method, there is a check circuit that checks written information when writing to the memory, an associative memory means that stores the error address when an error is detected by the check circuit, and an associative memory means that stores the error address when reading the memory. A memory check method characterized by comprising means for referring to the associative memory means to determine whether a read address matches an error address at the time of writing when a read error is detected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55110092A JPS6046457B2 (en) | 1980-08-11 | 1980-08-11 | Memory check method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55110092A JPS6046457B2 (en) | 1980-08-11 | 1980-08-11 | Memory check method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5736500A JPS5736500A (en) | 1982-02-27 |
| JPS6046457B2 true JPS6046457B2 (en) | 1985-10-16 |
Family
ID=14526815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55110092A Expired JPS6046457B2 (en) | 1980-08-11 | 1980-08-11 | Memory check method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046457B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0259843A (en) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Nec Corp | Memory device |
| JPH02236753A (en) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Toshiba Corp | Information storage medium |
-
1980
- 1980-08-11 JP JP55110092A patent/JPS6046457B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5736500A (en) | 1982-02-27 |
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