JPS6046525A - 駆動回路内蔵アクテイブマトリクスパネル - Google Patents
駆動回路内蔵アクテイブマトリクスパネルInfo
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- JPS6046525A JPS6046525A JP15545783A JP15545783A JPS6046525A JP S6046525 A JPS6046525 A JP S6046525A JP 15545783 A JP15545783 A JP 15545783A JP 15545783 A JP15545783 A JP 15545783A JP S6046525 A JPS6046525 A JP S6046525A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アクティブマトリクス液晶パネル、特にシフ
トレジスタ等の駆動回路を内蔵した透明基板より成るア
クティブマトリクス液晶パネルに関する。
トレジスタ等の駆動回路を内蔵した透明基板より成るア
クティブマトリクス液晶パネルに関する。
近年、単結晶シリコン基板や透明基板にスイクチングト
ランジスタアレイを形成して成るアクティブマトリクス
パネルが開発され実用化されつつある。従来のアクティ
ブマトリクスパネル、特に薄膜トランジスタによる透明
形アクティブマトリクスパネルは、第１図（α）に示す
ごとく、スイクチングトランジスタアレイ１０４が形成
されたアクティブマトリクス基板１０１．対向電極１０
３、及び、該アクティブマトリクス基板１０１と該対向
電極１０６との間に封入された液晶１０２とから成って
おり、シフトレジスタ等の駆動回路はすべてアクティブ
マトリクスパネルの外部に形成されていた。通常、画像
表示を前提としたアクティブマトリクス基板は、第１図
Ｃｈ）に示すごとくＭ本のゲート線ｉ 、０５ 、 Ｍ
本のデータ線１０６、及び、それらの交点に形成された
ＭＸ１１個の画素１０７，１０８，１０９，１１０．・
・・・・・より成り、ゲート線の本数Ｍは２００本〜２
５０本。
ランジスタアレイを形成して成るアクティブマトリクス
パネルが開発され実用化されつつある。従来のアクティ
ブマトリクスパネル、特に薄膜トランジスタによる透明
形アクティブマトリクスパネルは、第１図（α）に示す
ごとく、スイクチングトランジスタアレイ１０４が形成
されたアクティブマトリクス基板１０１．対向電極１０
３、及び、該アクティブマトリクス基板１０１と該対向
電極１０６との間に封入された液晶１０２とから成って
おり、シフトレジスタ等の駆動回路はすべてアクティブ
マトリクスパネルの外部に形成されていた。通常、画像
表示を前提としたアクティブマトリクス基板は、第１図
Ｃｈ）に示すごとくＭ本のゲート線ｉ 、０５ 、 Ｍ
本のデータ線１０６、及び、それらの交点に形成された
ＭＸ１１個の画素１０７，１０８，１０９，１１０．・
・・・・・より成り、ゲート線の本数Ｍは２００本〜２
５０本。
データ線の本数Ｎは１００本〜２５０本程反である。従
って、アクティブマトリクスパネルには少なくともＭ＋
Ｎ個の入力端子が必要であり、外部駆動回路との接続も
同数必要となる。従って、従来方式によると、アクティ
ブマトリクスパネルと外部駆動回路との接続部の占有体
積が大きくなり一パネルユニットの小型化・薄型化を妨
げる。また、外部駆動回路用ＬＳＩのチップコスト、実
装コストに起因して、パネルユニットのコスト増大を招
く。
って、アクティブマトリクスパネルには少なくともＭ＋
Ｎ個の入力端子が必要であり、外部駆動回路との接続も
同数必要となる。従って、従来方式によると、アクティ
ブマトリクスパネルと外部駆動回路との接続部の占有体
積が大きくなり一パネルユニットの小型化・薄型化を妨
げる。また、外部駆動回路用ＬＳＩのチップコスト、実
装コストに起因して、パネルユニットのコスト増大を招
く。
本発明は、前述のごとき、従来の薄膜アクティブマトリ
クスパネルが有していた欠点を解消し、小型かつ薄型で
しかも安価な、薄膜トランジスタによる、駆動回路内蔵
アクティブマトリクスパネルを提供することを目的とす
る。更に、本発明は、駆動回路を内蔵したことによる製
造工程の複雑化を排除し、画素アレイ部分と完全に同一
の工程で製造された駆動回路をアクティブマトリクス基
板内に内蔵することを目的とする。
クスパネルが有していた欠点を解消し、小型かつ薄型で
しかも安価な、薄膜トランジスタによる、駆動回路内蔵
アクティブマトリクスパネルを提供することを目的とす
る。更に、本発明は、駆動回路を内蔵したことによる製
造工程の複雑化を排除し、画素アレイ部分と完全に同一
の工程で製造された駆動回路をアクティブマトリクス基
板内に内蔵することを目的とする。
以下、実施例に基づいて、本発明の特徴、構成及び作用
を詳述する。
を詳述する。
第２図（α）に、本発明の駆動回路内蔵アクティブマト
リクスパネルの構成の一例を示す。同図において、Ｇ１
．Ｇ２．Ｇ３．・・・・・・、ＧＭはゲート線でその本
数はＭ本であり、ＤＩ、Ｄ２．Ｄ５、・・・・・・、Ｄ
Ｎはデータ線でその本数はＭ本である。また、２０１．
２０２，２０３．：２０４等は、第２図Ｃｂ）に示すご
とく、簿膜トランジスタ（以下、薄膜トランジスタをＴ
ＰＴと略記する。）２５１、液晶容Ｍ２５２等より成る
画素であり、画素がマトリクス状に配列されて表示部２
０５が形成される。２０６，２０７はアクティブマトリ
クス基板２０８上に形成された駆動回路である。
リクスパネルの構成の一例を示す。同図において、Ｇ１
．Ｇ２．Ｇ３．・・・・・・、ＧＭはゲート線でその本
数はＭ本であり、ＤＩ、Ｄ２．Ｄ５、・・・・・・、Ｄ
Ｎはデータ線でその本数はＭ本である。また、２０１．
２０２，２０３．：２０４等は、第２図Ｃｂ）に示すご
とく、簿膜トランジスタ（以下、薄膜トランジスタをＴ
ＰＴと略記する。）２５１、液晶容Ｍ２５２等より成る
画素であり、画素がマトリクス状に配列されて表示部２
０５が形成される。２０６，２０７はアクティブマトリ
クス基板２０８上に形成された駆動回路である。
２０６はゲートａｔ駆動回路であり、その具体的な回路
構成例を第３図（α）及び同図Ｃｂ）に示す。第６図（
α）は、Ｐ型ＴＦＴのみ又はＮ型ＴＦＴのみを構成要素
とするダイナミックシフトレジスタであり、同図におい
て、３０１．５０２はクロックライン、３０３はコモン
電位を与えるライン、３０４，３０５，３０６，３０７
，３０８はいずれも同一極性のＴＰＴである。声だし、
３０８はソースとドレインが接続されたＭＯ８容量とし
て動作する。第３図Ｃｈ）は、相補型ダイナミックシフ
トレジスタであり、同図において、３１１．３１２はク
ロックライン、３１３はデータ入力端子を示す。また、
Ｐ Ｗ Ｔ Ｉ’ Ｔ ３１４とＮ型ＴＦＴ３１５は相
補型アナログスイッチを形成し、３１６は相補型インバ
ータである。一方、第２図において、２０７はデータ線
駆動回路であり、その具体的な回路構成例を第４図（α
）、及び同図Ｃｈ）に示す。データ線駆動回路は、シフ
トレジスタとアナログスイッチとから成り映像信号のサ
ンプルホールドを行なう。第４図（α）＋［１ｔｌ−ｔ
ｉ性のＴＩＦＴにより構成されたダイナミックシフトレ
ジスタであり、同図において、４０１及び４０２はクロ
ックライン、４０３はデータ入力端子、４０４はコモン
電位を与えるライン、４０５，４０６及び４０７は映像
信号ライン、４０８，４０９．４１０，４１１．４１２
は同一極性のＴＰＴである。ここで、ＺＦＴ４１１はソ
ースとドレインが接続されたＭＯＢ容量として動作し、
ＴＦＴ４１２はアナログスイッチとして動作する。第４
図Ｃｂ）は、相補型ダイナミックシフトレジスタと相補
型アナログスイッチとから成る。同図において、４２１
．４２２はクロックライン、４２３はデータ入力端子、
４２４，４２５及び４２６は映像信号ラインである。Ｐ
型Ｔ Ｉｌ”Ｔ ４２７及びＮ型ＴＦＴ４２８は相補型
アナログスイッチを形成し、４２９及び４３０は相補型
インバータであり、Ｐ型ＴＦＴ４３１とＮ型ＴＦＴ４５
２とでサンプルホールド用アナログスイッチを形成して
いる本発明の第一の特徴は、上述のごとく、駆動回路を
薄ｉ％積回路としてアクティブ寸トリクス基板内に作り
込むことにあるが、更に、第二の特徴は、前記薄膜集積
回路内のすべての配線をシリコン薄膜及び透明導電膜例
えば、’ｘ Ｔ Ｏ（インジウム・ティン・オキサイド
） を用いて形成することにある。第５図は、配’ｔｍ
Ｐ？ｊとしてシリコン薄膜及び透明導電膜の他に金属−
例えばアルミニウム合金−を用いた薄膜集積回路の構造
の一例を示す図である。同図において、５０１は絶縁基
板、５０２は不純物ドープされた第一のシリコン簿膜、
５０３は不純物ドープされていないか、５０２の逆極性
に不純物ドープされた第一のシリコン薄膜、５０４はゲ
ート酸化膜、５０５は不純物ドープされた第二のシリコ
ン薄膜であり、５１２の部分にＴＰＴが形成されている
。５０６は第一の層間絶縁膜、５０７は第一のコンタク
トホール、５０８は金属配線層、５０９は前記金属配線
層の保護膜を兼ねた第二の層間絶縁力庭、５１０は第二
のコンタクトホール、５１１は透明導電膜である。透明
導電膜５１１は液晶を駆動する駆動電極であり、アクテ
ィブマトリクスパネルに不可欠のものである。透明導電
膜は、金属層に比べ層間絶縁ｊ腐との密着性に優れ、簡
つきにくいため、機械的な配向処理工程にも耐えられ、
保護膜を必要としない。本発明の駆動回路内蔵アクティ
ブマトリクスパネルは、第５図のごとき構造にて形成し
ても構わないが、第６図のごとき構造にて形成すること
により、一層少ない工程数で安価に製造される。第６図
において、６０１は絶縁基板、６０２は不純物ドープさ
れた第一のシリコン薄膜、６０３は不純物ドープされて
いないか６０２と逆極性に不純物ドープされた第一のシ
リコン薄膜、６０４はゲート酸化膜、６０５は不純物ド
ープされた第二のシリコン薄°膜であり、６０９の部分
にＴＰＴが形成されている。６０６は層間絶縁膜、６０
７はコンタクトホール、６０８は透明導電ｊ莫である。
構成例を第３図（α）及び同図Ｃｂ）に示す。第６図（
α）は、Ｐ型ＴＦＴのみ又はＮ型ＴＦＴのみを構成要素
とするダイナミックシフトレジスタであり、同図におい
て、３０１．５０２はクロックライン、３０３はコモン
電位を与えるライン、３０４，３０５，３０６，３０７
，３０８はいずれも同一極性のＴＰＴである。声だし、
３０８はソースとドレインが接続されたＭＯ８容量とし
て動作する。第３図Ｃｈ）は、相補型ダイナミックシフ
トレジスタであり、同図において、３１１．３１２はク
ロックライン、３１３はデータ入力端子を示す。また、
Ｐ Ｗ Ｔ Ｉ’ Ｔ ３１４とＮ型ＴＦＴ３１５は相
補型アナログスイッチを形成し、３１６は相補型インバ
ータである。一方、第２図において、２０７はデータ線
駆動回路であり、その具体的な回路構成例を第４図（α
）、及び同図Ｃｈ）に示す。データ線駆動回路は、シフ
トレジスタとアナログスイッチとから成り映像信号のサ
ンプルホールドを行なう。第４図（α）＋［１ｔｌ−ｔ
ｉ性のＴＩＦＴにより構成されたダイナミックシフトレ
ジスタであり、同図において、４０１及び４０２はクロ
ックライン、４０３はデータ入力端子、４０４はコモン
電位を与えるライン、４０５，４０６及び４０７は映像
信号ライン、４０８，４０９．４１０，４１１．４１２
は同一極性のＴＰＴである。ここで、ＺＦＴ４１１はソ
ースとドレインが接続されたＭＯＢ容量として動作し、
ＴＦＴ４１２はアナログスイッチとして動作する。第４
図Ｃｂ）は、相補型ダイナミックシフトレジスタと相補
型アナログスイッチとから成る。同図において、４２１
．４２２はクロックライン、４２３はデータ入力端子、
４２４，４２５及び４２６は映像信号ラインである。Ｐ
型Ｔ Ｉｌ”Ｔ ４２７及びＮ型ＴＦＴ４２８は相補型
アナログスイッチを形成し、４２９及び４３０は相補型
インバータであり、Ｐ型ＴＦＴ４３１とＮ型ＴＦＴ４５
２とでサンプルホールド用アナログスイッチを形成して
いる本発明の第一の特徴は、上述のごとく、駆動回路を
薄ｉ％積回路としてアクティブ寸トリクス基板内に作り
込むことにあるが、更に、第二の特徴は、前記薄膜集積
回路内のすべての配線をシリコン薄膜及び透明導電膜例
えば、’ｘ Ｔ Ｏ（インジウム・ティン・オキサイド
） を用いて形成することにある。第５図は、配’ｔｍ
Ｐ？ｊとしてシリコン薄膜及び透明導電膜の他に金属−
例えばアルミニウム合金−を用いた薄膜集積回路の構造
の一例を示す図である。同図において、５０１は絶縁基
板、５０２は不純物ドープされた第一のシリコン簿膜、
５０３は不純物ドープされていないか、５０２の逆極性
に不純物ドープされた第一のシリコン薄膜、５０４はゲ
ート酸化膜、５０５は不純物ドープされた第二のシリコ
ン薄膜であり、５１２の部分にＴＰＴが形成されている
。５０６は第一の層間絶縁膜、５０７は第一のコンタク
トホール、５０８は金属配線層、５０９は前記金属配線
層の保護膜を兼ねた第二の層間絶縁力庭、５１０は第二
のコンタクトホール、５１１は透明導電膜である。透明
導電膜５１１は液晶を駆動する駆動電極であり、アクテ
ィブマトリクスパネルに不可欠のものである。透明導電
膜は、金属層に比べ層間絶縁ｊ腐との密着性に優れ、簡
つきにくいため、機械的な配向処理工程にも耐えられ、
保護膜を必要としない。本発明の駆動回路内蔵アクティ
ブマトリクスパネルは、第５図のごとき構造にて形成し
ても構わないが、第６図のごとき構造にて形成すること
により、一層少ない工程数で安価に製造される。第６図
において、６０１は絶縁基板、６０２は不純物ドープさ
れた第一のシリコン薄膜、６０３は不純物ドープされて
いないか６０２と逆極性に不純物ドープされた第一のシ
リコン薄膜、６０４はゲート酸化膜、６０５は不純物ド
ープされた第二のシリコン薄°膜であり、６０９の部分
にＴＰＴが形成されている。６０６は層間絶縁膜、６０
７はコンタクトホール、６０８は透明導電ｊ莫である。
第６図において、’ Ｔ Ｐ Ｔは第一のシリコン薄膜
層中にソース・ドレインが形成される。また、同図にお
いて、いかなる配線も、シリコン薄膜層又は透ＯＡ導電
族層により形成されている。アクティブマトリクス基板
を第６図のごとく、金属を用いずに形成することにより
、製造工程の短縮による低コスト化、パネルの透過率の
向上、各層間のコンタクト特性の向上がもたらされる。
層中にソース・ドレインが形成される。また、同図にお
いて、いかなる配線も、シリコン薄膜層又は透ＯＡ導電
族層により形成されている。アクティブマトリクス基板
を第６図のごとく、金属を用いずに形成することにより
、製造工程の短縮による低コスト化、パネルの透過率の
向上、各層間のコンタクト特性の向上がもたらされる。
（第５図の構造によると金属層の表面に金属酸化物、例
えばＡＬ。
えばＡＬ。
０、が形成されやすく、透明導電膜とのコンタクト特性
が良好ではない。）第６図の構造をもつ薄膜集積回路は
、以上のごとき長所を有する反面、第３図（α）、Ｃｈ
）＃第４図（α） ｌ （ｉのクロックライン、映像信
号ライン、電源ラインをもシート抵抗の高いシリコンＮ
膜、透明導電膜で形成しなくてはならないという欠点を
有する。しかしながら、アクティブマトリクス基板の周
辺には配線スペースが十分に広く存在するため、パター
ン上において配線幅を大きく取ることが可能であり前述
の欠点は完全に解消される。
が良好ではない。）第６図の構造をもつ薄膜集積回路は
、以上のごとき長所を有する反面、第３図（α）、Ｃｈ
）＃第４図（α） ｌ （ｉのクロックライン、映像信
号ライン、電源ラインをもシート抵抗の高いシリコンＮ
膜、透明導電膜で形成しなくてはならないという欠点を
有する。しかしながら、アクティブマトリクス基板の周
辺には配線スペースが十分に広く存在するため、パター
ン上において配線幅を大きく取ることが可能であり前述
の欠点は完全に解消される。
以上に述べたごとく、本発明を適用することにより、小
型かつ薄型で高性能の駆動回路内蔵アクティブマトリク
スパネルが簡単なｆＭ造工程で得られる。このようにし
て得られた駆動回路内蔵アクティブマトリクスパネルは
、映像信号と同期信号を与えるだけで任意の映像を表示
することが可能な超小型パネルユニットへの応用が期待
される。
型かつ薄型で高性能の駆動回路内蔵アクティブマトリク
スパネルが簡単なｆＭ造工程で得られる。このようにし
て得られた駆動回路内蔵アクティブマトリクスパネルは
、映像信号と同期信号を与えるだけで任意の映像を表示
することが可能な超小型パネルユニットへの応用が期待
される。
第１図（α）ｌ Ｃｂ）は従来のアクティブマトリクス
パネルを説明するための図。 好２図（ａ）、（Ａ）は、本発明の概略構成を説明する
ための図。 第３図（α） ＃ （’） 、第４図（α）Ｉ Ｃｂ）
、第５図、第６図は、本発明の具体的な実施例を説明す
るための図。 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 （Ａノ （ｂ） Ｇ１ Ｇ２ Ｇ！５ （σ、） （トノ 第３図
パネルを説明するための図。 好２図（ａ）、（Ａ）は、本発明の概略構成を説明する
ための図。 第３図（α） ＃ （’） 、第４図（α）Ｉ Ｃｂ）
、第５図、第６図は、本発明の具体的な実施例を説明す
るための図。 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 （Ａノ （ｂ） Ｇ１ Ｇ２ Ｇ！５ （σ、） （トノ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 複数のゲート線、複数のデータ線、該ゲート線と
データ線との交点に形成された薄膜トランジスタアレイ
及び薄膜トランジスタにより構成された駆動回路を具備
して成ることを特徴とする駆動回路内蔵アクティブマト
リクスパネル。 ２ 前記薄膜トランジスタのソース・ドレインがシリコ
ン薄膜で形成されるとともに、前記ゲート線、データ線
及び駆動回路内のすべての配線はシリコン薄膜及び透明
導電膜により形成されて成ることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の駆動回路内蔵アクティブマトリクス
パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15545783A JPS6046525A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 駆動回路内蔵アクテイブマトリクスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15545783A JPS6046525A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 駆動回路内蔵アクテイブマトリクスパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046525A true JPS6046525A (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=15606460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15545783A Pending JPS6046525A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 駆動回路内蔵アクテイブマトリクスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046525A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5885740A (en) * | 1996-09-27 | 1999-03-23 | Titan Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetite particles, a process for producing them and applications thereof |
| KR100285303B1 (ko) * | 1991-09-05 | 2001-04-02 | 이데이 노부유끼 | 액정표시장치 |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15545783A patent/JPS6046525A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100285303B1 (ko) * | 1991-09-05 | 2001-04-02 | 이데이 노부유끼 | 액정표시장치 |
| US5885740A (en) * | 1996-09-27 | 1999-03-23 | Titan Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetite particles, a process for producing them and applications thereof |
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