JPS6046844B2 - 搬送波変換装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、周波数変調された搬送波を、直接に振幅変調
された搬送波に変換する搬送波変換装置（ＦＭ−ＡＭ変
換装置）に関する。

第１図は従来のＦＭ−ＡＭ変換装置の原理を示す回路図
である。

周波数変調（ＦＭ変調）された入力の周波数をｆ、とし
、その中心周波数をｆ。とし、振幅変調（ＡＭ変調）さ
れるべき搬送波の周波数をｆ。とする。第１図に於いて
、１はＦＭ変調波ｆ、の入力端子で、２は周波数の変化
に応じて、その伝達特性が変化する回路であり、その中
心周波数はｆ。

に−設定されている。３はダイオードで、４は方向性結
合器やサーキユレータなどの如く方向性を有する回路手
段で、５は搬送波ｆ２の入力端子で、６は振幅変調を受
けた搬送波ｆ。

の出力端子を示し、７はダイオード３の整流電流Ｉｄを
一巡させ、しかも高周波は阻止するための低域通過回路
であり、８はダイオードて生するＩｍｆ、±ｎｆ。１（
但し、ｍ、ｎはＯを含まない整数）及び（ｍ＋１）ｆ、
、及び（ｎ＋１） ｆ。

成分の適当な成分を短絡するための回路で、９はｊ２波
の阻止回路で、１０はｆｌ波の阻止回路てある。以下第
１図の動作原理を説明する。

端子１に加えられた入力搬送波ｆ、は回路２によつて、
その周波数に応じて伝達特性の変化を受けて例えは第２
図の如き特性になる。尚、第２図においてＥ１はダイオ
ード３に加わる搬送波ｆ、の振幅を表わす。搬送波Ｅ、
によつて、ダイオード３に整流電流Ｉｄが生じ、その整
流電流もＥ、の振幅変化に応じて変化することになり、
その結果、ダイオード３の小信号インピーダンス（以下
Ｒｄと略す）がＩｄに従つて変化し、結局、入力搬送波
ｆ、の周波数変化に応じて第３図の如くＲｄが変化する
ことになる。今、端子５より回路４を経てダイオード３
に、充分小振幅の搬送波ｆ。を印加すれば端子６に現れ
る搬送波ｆ２の振幅Ｅ。は第１式の如くなる。Ｅ２■に
・・・・・・・・・（１） Ｒｄ＋ Ｒｏ 但し、には定数、Ｒｏは方向性を有する回路４の特性イ
ンピーダンスを表わす。

すなわち、前記Ｒｄの変化に応じて、ＲｄがＲｏに等し
いときは、端子６にｆ２波は現れず、又ｆｌ波の周波数
を変化させて第３図に従つてＲｄがＲｏより大になるか
、又は小になれば、その大きさに応じて第１式に従つて
端子６にＦ２波の出力が現れることになり、結局、端子
１の入力搬送波ｆ１の周波数変化に応じて、例えは第４
図の如く端子６のＦ２波の振幅Ｅ２が変化することにな
り、ＦＭ波ｆ１の周波数偏移をＡＭ波Ｆ２の振幅変化に
変換することができる。

然しながら、第１図の如き従来の回路では、ダイオード
３にｆ１とＦ２との２種類の周波数が印加される結果１
ｍハ±Ｎｆ２ｌの周波数が発生し、このＩｍｆｌ±Ｎｆ
２ｌがＡＭ波Ｆ２の伝送帯域内に落ち込む場合には、フ
ィルター回路を通過して出力端子に現れて妨害波となる
。

このためＦ，とＦ２との周波数を任意に選定することが
困難であるという欠点があつた。又、前記回路２の直線
性と、ダイオードに印加されるｆ１波の振幅Ｅ１とダイ
オードの小信号インピーダンスとの関係の直線性と、小
信号インピーダンスとＦ２波出力振幅との関係の直線性
等があまり良くないことが原因して、第４図の特性の直
線性が良くない欠点があつた。

又、入力端子１に印加されるＦＭ波の振幅が変動すると
Ｒｄが変動して、出力Ｆ２波の振幅Ｅ２が変動するので
、入力ＦＭ波の振幅変動による雑音を受けないためには
充分にｗ成分を抑圧した信号を印加する必要があり、本
ＦＭ−ＡＭ変換装置のために高性能の振幅制限回路を前
段に付加しなければならないと云う欠点があつた。

したがつて本発明の目的は、これらの欠点を排除し、然
も従来の回路と同様、簡単な構成のＦＭ一Ｍ変換装置を
提供することである。

第５図は本発明の原理を示す回路図である。

同図に於いて１１はＦＭ変調波ｆ１の入力端子、１２は
周波数の変化に応じてその二つの入力端子への伝達特性
が互いに異なつて変化する分波回路で、例えば第１２図
にその一例を示す如く、入力端子１１に接続された分配
器５５によつて出力端子５１と５２とに入力信号を分配
して、その各々に共振周波数が異る直列共振回路５３及
び５４が接続されている。１５はｗ変調されるべき搬送
波Ｆ２の入力端子であり、１６は例えば方向性結合器な
どの分配回路で、１７および１８は例えば方向性結合器
や分配器などの合成回路である。

１９はＡＭ変調を受けた搬送波Ｆ２の出力端子であり、
２１と２２は高周波信号を阻止する低域通過回路あるい
は帯域阻止回路てある。

分岐回路１２からの２つの出力は、検波回路としてはた
らくダイオード１３を含むダイオード回路３１、及び同
様に検波回路としてはたらくダイオード１４を含むダイ
オード回路３２にそれぞれ供給される。ダイオード１３
と１４及び３３と３４とは各々、例えば接合ダイオード
や、ショットキーバリアダイオードやトンネルダイオー
ド等であり、２７と２８、及び２９と３０とはバイアス
電源である。２３と２４とは（ｍ＋１）ｆ１成分を短絡
するための回路であり、２５と２６とは（ｎ＋１）Ｆ２
成分を短絡するための回路てある。

ダイオード回路３１，３２の出力はそれぞれ低域通過回
路２１，２２を経たあと、伝送量制御回路としてはたら
くダイオード３３を含むダイオード回路３５、及び同様
に伝送量制御回路としてはたらくダイオード３４を含む
ダイオード回路３６へそれぞれ供給される。ダイオード
１３と３３、及び１４と３４とは、低域通過回路２１及
び２２によつて電流が各々一巡出来るように接続されて
いる。以下第５図に従つて本発明の動作を詳細に説明す
る。

ＦＭ変調された入力波ｆ１は端子１１より分波回路１２
に加えられる。分波回路１２はその二つの出力端子への
伝達特性が周波数に応じて互いに異なつて変化し、しか
もその周波数特性が対象とする周波数範囲において、例
えば第６図の如く中心周波数Ｆ。を対称軸としてほぼ対
称な特性の回路てある。尚、第６図に於いてＥｌｌはダ
イオ”−ド１３に加えられる分波回路１２の出力振幅で
、Ｅｌ。はダイオード１４に加えられる分波回路１２の
出力振幅である。振幅Ｅｌｌ及びＥｌ。のｆ１波によつ
てダイオード１３及び１４には各々整流電流が流れ生じ
、それはダイオード３３及び３４の．バイアス電流を変
化させてその結果各々ダイオード３３及び３４の小信号
インピーダンスＲｄｌ及びＲｄ２を変化させることにな
り、このＲｄｌ及びＲｄ２は第７図に示す如く、対象と
する周波数範囲でＦ。を対称軸として対称な特性となる
。ノ 今、端子１５より分配回路１６を経て、ダイオー
ド回路３５及び３６に充分小振幅の搬送波Ｆ２を印加し
た場合の各々の回路の伝達特性は例えば第８図の如くな
る。これも第７図と同様ＦＯを対称軸とする対称な特性
となる。第８図に於いてＧ１及びＧ２は各々ダイオード
回路３５及び３６の伝達特性てある。分配回路１６及び
合成回路１７の各端子に第５図の如く、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
，Ｅ，Ｆと記号をつけ端子Ａ（５Ｂ，Ａ（５Ｃ，Ｅ（５
Ｄ，ＦとＤ間の伝達特性の位相量を各々くＡＢ，くＡＣ
，〈ＥＤ，〈ＦＤと表わすと、第２式を満足するように
例えはく佃を００，〈ＡＣを００，〈ＥＤを００，くＦ
Ｄを１８０〈とするような方向性結合器を分配回路１６
及び合成回路１７として採用すれば、端子１５より分配
回路１６を経てダイオード回路３５及び３６に充分小信
号のＦ２搬送波を印加すれは合成回路１７の出力端子Ｄ
に現れるＦ２波の振幅Ｅ２３は、ダイオード回路。

５による振幅Ｅ２ｌとダイオード回路３６による振幅Ｅ
２２の和であり、例えば第９図の如くなる。

即ち、前記Ｇ１とＧ２とがＦ。を対称軸として対称な特
性であるから、Ｅ２ｌとＥ２２の絶対値もＦ。を対称軸
として対称な特性となり、又、第２式の関係からＥ２ｌ
とＥ２２とは位相が逆になつているから、例えはＥ２ｌ
の位相を基準にすれは第９図の如くハ軸上のｆ１ ＝Ｆ
Ｏの点に関してＥ２ｌとＥ２２とはほ＼゛点対称となる
。従つて、前記１Ｅ１１１と１Ｅ１。Ｉの周波数間隔及
び周波数変化特性を適当に設定れば、第９図のＥ２ｌと
Ｅ２。との周波数間隔及び周波数変化特性が適当に設定
されて、Ｅ２３は第９図に例示する如くＦ。にて０とな
るほＳ゛直線のグラフとなる。以上の如くｆ１波の周波
数変化に応じて、合成回路１７の出力端子Ｄに現れるＦ
２波の振幅は第９図のＥ２３のグラフの如くほ＼゛直線
に変化することになり、このグラフの直線性は、従来の
回路の直線性（それは、例えは第９図のＥ２ｌの直線性
と同程度てある）よりも良好な特性が得られる。

次に合成回路１７の出力てあるＥ２３は、他の合成回路
１８によつて更にＦ２搬送波の適当な振幅ＥｃがＥ２ｌ
と同相か、又はＥ２２と同相に加えられる。その結果、
出力端子１９に現れるＦ２波の振幅をＥ２とすると、端
子１１に加えられるｆ１波の周波数変化に応じて端子１
９に現れるＦ２波の振幅Ｅ２を表わすグラフは、前記第
９図のＥ２３のグラフを縦軸方向にＥｃだけ平行移動さ
せたグラフとなり例えば第１０図の如き特性となる。従
つて、端子１１に加えられるｆ１波の周波数に応じて、
端子１９のＦ２波の振幅は、良好な直線性を保つて変化
させることができ、前記Ｅｃを適当に設定すれば、必要
とするｆ１波の周波数において、Ｆ２波の振幅を０に設
定することができる。即ち入力ＦＭ波を充分高い変調度
のＡＭ波に良好な直線性を保つて変換することが容易に
出来る。本回路によれば、ダイオード１３及び１４又は
３３及び３４に印加される高周波信号はそれぞれノｆ１
又はＦ２の一種類であるから、！Ｍｆｌ±Ｎｆ２ｌの周
波数の発生がなく、従来の回路に見られる妨害の恐れが
なく、ｆ１とＦ２とは完全に任意に選定することが出来
る特長を有する。また、ダイオード３３及び３４にてＦ
２周波数の高調波・が発生する恐れがあるが、これも例
えば第３式の如く合成回路１７の位相を設定すれぱ、ダ
イオード３３側とダイオード３４側とは合成回路１７に
よつて逆相に加えられるので、前記高調波は大幅に減少
させることができる。第１０図の例では合成回路１８に
よつて振幅ＥＣ（７）Ｆ２波をＥ２ｌと同相に加えて、
Ｅ２３のグラフの縦軸の正の方向に平行移動させた。

この場合、入力ＦＭ変調波ｆ１が、例えば、映像信号で
変調されていて、その変調の極性が同期信号負極性方式
（すなわち、同期信号部分に相当するｆ１波の瞬時周波
数が中心周波数より低い方式）の場合、第１０図て例示
する如く出力ＡＭ変調波Ｆ２は同期信号正変調方式（す
なわち、同期信号に相当する部分て搬送波が平均振幅よ
り大となる方式）となる。まつたく同様にして合成回路
１８によつて振幅ＥＣ（７）Ｆ２波をＥ２。と同相に加
えれば、Ｅ２の変化のグラフは例えば第１１図の如く、
前記Ｅ２３のグラフをＥｃだけ縦軸の負の方向に平行移
動したグラフとなり、同様の同期信号負極性の映像信号
変調波のＦＭ入力信号に対して出力ＡＭ変調波は同期信
号負変調方式（すなわち、同期信号に相当する部分で搬
送波が平均振幅より小となる方式）とすることが出来る
。このように、本発明によれば、Ｅｃを加える位相を変
えることにより（例えば合成回路１８を方向性結合器で
構成している場合には、その接続端子を変更すれば位相
を変えることが出来る）同じＦＭ入力波に対して出力Ａ
Ｍ波の変調極性を正又は負に設定することが簡単に出来
る、これも本発明の特徴てある。ＦＭ入力波Ｆ，が中心
周波数Ｆ。

附近の場合、入力端子１１の入力波の振幅が多少変動し
ても、分波回路１２の二つの出力振幅Ｅｌｌ，Ｅｌ．も
同じ割合で変動し、従つてＲｄｌとＲｄ２も同じ割合で
変動し、従つてＧ１とＧ２も同じ割合で変動し、従つて
Ｅ２ｌとＥ２２も同じ割合で振幅が変動するが第９図で
明らかの如く、ｆ１＝ＦＯてはＥ２３はＯて変動せす、
従つて、第１０図又は第１１図におけるＥ２振幅のｆ１
＝ＦＯに於ける振幅は変動せず、又ＦＯ附近の変動も少
ない。従つて本発明によるＦＭ−ＡＭ変換回路は、従来
の変換回路よりも、ＦＭ入力波の振幅変動による雑音を
受けずらいことになる。以上の説明では分波回路１２の
例として第１２図の回路例を述べ、又同図にて５３及び
５４を並列接続された直列共振回路としたが、これ等を
各々直列接続された並列共振回路又は帯域阻止フィルタ
ーて置換することもできる。

分波回路１２の他の例として第１３図、第１４図、第１
５図、第１６図、第１７図等の回路図の如き原理の回路
でも同様の特性が得られることは明らかである。

尚、第１３図に於いて、５９と６０とは各々共振周波数
の異る並列共振回路であり、５９と６０の代りに直列接
続された直列共振回路か、又は帯域通過フィルターを使
用しても前記同様の特性が得られる。又第１４図に於い
て６１及び６２は低域通過フィルター及び高域通過フィ
ルターてあり、第１５図に於いて６３及び６４は方向性
結合器であり、θ１及びθ２は各々の線路の電気長であ
り、θ１とθ２とは適当な長さだけ異るものてある。又
第１７図に於いて６５及び６６は方向性結合器又はマジ
ックＴであり、６７は共振回路で、６８は短絡線路てあ
る。又以上の各種の分波回路の入出力端子又は途中に増
巾器又は減衰器又はアイソレータ等の方向性を有する回
路を接続しても同様のＦＭ−Ｍ変換特性が得られる。以
上の説明に於いてダイオード１３及び１４及び３３及び
３４は並列接続されているが、第１８図の如く、１つ以
上のダイオードを直列接続としても前記と同様の動作特
性が得られる。

尚、第１８図に於いても８１と８２と８３と８４は高周
波信号を阻止する回路である。又、ダイオード１３と３
３又は１４と３４の組のうち、いずれか一方又は両方の
組の極性を逆にしても、前記と同様の動作特性が得られ
る。又ダイオード１３と１牡及び３３と３４の代りとし
て、前記のダイオード以外の非直線素子、例えばトラン
ジスタや電子管等を使用して、その適当な端子間のダイ
オード特性を利用しても前記と同様の動作特性が得られ
ることは明らかである。又回路３１及び３２としては、
入力Ｅｌｌ及びＥｌ２の振幅に応じて直流成分の変化を
生ずる所謂検波回路であればよく、例えば前記の説明に
あるダイオードを２個以上使用した整流回路は勿論のこ
と、例えば、バイポーラ・トランジスタや、電界効果ト
ランジスタや、ガンダイオードや、インパットダイオー
ド等を使用した半導体非直線回路や、電子管非直線回路
を使用しても同様の特性が得られる。

即ち、回路３１及び３２の代りに各々例えば第１９図に
示す如き、非直線トランジスタ増幅回路を使用すれば、
このトランジスタ回路は非直線特性を有しているから、
その入出力端のｆ１波の波形は歪みを受け、その結果入
出力信号には直流成分を生じ、又入力ｆ１波は分波回路
によつて振幅変化を受けているから、前記直流成分もそ
れに対応して変化し、結局端子１１の入力ＦＭ信号に応
じて、トランジスタ回路に検波信号を生ずることになり
、これを低域通過回路２１及び２２を通して回路３５及
び３６に印加すれば前記の説明と同様のＦＭ−ＡＭ変換
特性を得ることが出来る。又電子管を使用して第２０図
に例示する如・き回路を検波回路３１及び３２として使
用しても同様のＦＭ−ＡＭ変換特性が得られる。ダイオ
ード３３および３４として前記説明例にあるダイオード
以外にも、流れる電流によつてそのインミツタンスが変
化するダイオード例えばＰＩＮダイオードなどを使用し
てもよく、又ダイオードを２個以上使用した回路を回路
３５及び３６とすることもできる。

また、回路３５又は３６の各々入力端子に第５図の如く
記号をつけて、即ち検波信号の入力をＪＧ，ｆ２波の入
力をＨ，ｆ２波の出力をＩとすると、回路３５及び３６
としては、一般にＧに印加される電圧又は電流によつて
ＨとＩ間のＦ２波に対する伝達量を制御出来る回路であ
ればよく、以上の動作原理を示す回路図の例以外に、例
えば、第２１図の如く２対のダイオードを使用した平衡
形回路てもよく、又第２２図の如く、４対のダイオード
を使用して２重平衡形回路としても、前記同様のＦＭ−
ＡＭ変換特性が得られることは明らかである。

又第２３図の如く、ダイオード８６と、例えばブリッジ
回路又は方向性結合器又はサーキユレータなどの方向特
性を有する回路８５とを組合せて、ダイオード８６の小
信号インピーダンスの変化による反射係数の変化を利用
しても第８図と同様の伝達特性が得られて、前記同様の
ＦＭ−ＡＭ変換特性が得られる。

尚、第２３図において、８６は前記の説明にあるダイオ
ード以外に流れる電流によつてそのインミツタンスの変
化するダイオード例えばＰＩＮダイオードや、インパッ
トダイオードやガンダイオードなどを使用することもで
きる。

又、以上の説明では回路３５及び３６として、ダイオー
ドを使用した例を述べたが、本回路としては例えばバイ
ポーラ・トランジスタや、電界効果トランジスタや、電
子管などの如く、バイアス電流又は電圧の変化に対して
そのインミツタンスが変化する素子を使用した回路でも
よく、例えばトランジスタのコレクターとエミッター間
のインミツタンスのバイアス依存性を利用した回路例を
第２４図に示す。

又第２４図のトランジスタを直列形に使用すれば第２５
図の例の如くなる。尚、第２４図、第２５図において、
Ｈ．！１．Ｉ端子を入れかえても同様の動作をすること
は明らかである。又前記のダイオードを使用した回路の
ダイオードの代りに前記第２４図又は第２５図の例の如
くトランジスタ等の電極間のインミツタンスのバイアス
による変化を利用しても前記と同様に伝達量を制御出来
ることは明らかてある。又第２６図の如く２ゲート形の
電界効果トランジスタを使用して１つのゲートにＦ２波
を、他の１つのゲートに検波信号を印加しても検波信号
によつて電界効果トランジスタのＦ２波に対する利得即
ちＦ２波に対する伝達量を制御出来て、前記同様の変換
特性が得られる。

又以上の説明ではダイオード又はトランジスタのバイア
スの変化に対するインミツタンスの変化を利用した伝達
量制御回路について説明したが、例えばバイポーラ・ト
ランジスタや電界効果トランジスタや電子管などの印加
バイアスの変化に対する順方向又は逆方向の利得の変化
即ち伝達量の変化を利用して伝達量制御回路３５及ひ３
６を構成することも出来て、例えば第２７図に示す如く
検波信号によつてトランジスタのベース●バイアスを制
御すれば、エミッタ接地トランジスタ増幅器のベースと
コレクター間のＪ２波に対する利得即ち伝達量を変化さ
せることが出来る。

同様にして検波信号をエミッターに印加する例を第２８
図ｂに、又コレクターに印加する例を第２９図に例示す
る。尚以上の説明におけるトランジスタはエミッター接
地で使用されているがベース接地又はコレクター接地と
して使用しても、まつたく同様の特性が得られることは
明らかであり、又、前記のトランジスタ以外に、電界効
果トランジスタや電子管などを使用しても、同様の特性
が得られることは明らかである。又以上の説明における
回路図において、高周波信号は直流阻止コンデンサーを
通して、トランジスタ又はダイオード等に印加されてい
るが、高周波トランスを使用しても同様の特性が得られ
ることは明らかである。

又以上、説明のトランジスタ回路などを第２１図又は第
２２図のダイオードの例と同様に、平衡形、及び２重平
衡形としても同様の特性が得られる。

又以上の説明の原理図に於いて、分配回路１６及び合成
回路１７を、方向性結合器としたが、例えば、マジック
ーＴや、ブリッジ回路でも同様の特性を得ることが出来
ることは勿論のこと、例えば第３０図に等価回路を示す
如きハイブリッド・トランス回路でもよく、又使用する
端子を変更して、第３１図や第３２図の如き接続のハイ
ブリッド・トランス回路で同様の特性が得られて、更に
第３３図又は第３４図に例示するような中点タップ付の
高周波トランス回路や、第３５図に例示するような分布
定数形分波回路や、第３５図を集中定数形に変換した回
路や、更に第３６図の如き単にＴ分岐回路でも使用可能
である。

尚、第３６図において１１及び１．は適当な長さの電気
長を示す。又以上の回路は主として集中定数形等価回路
で示したが、ストリップラインや導形管回路の如き分布
定数回路て構成することもてきる。又第３７図の如く能
動素子を使用した分配又は合成回路を使用することも出
来て、又以上の分配又は合成回路の入力又は出力部分に
減衰器や増幅器やアイソレータなどを挿入しても同様の
特性が得られる。又以上の合成又は分配回路の入出力端
子に適当な電気長の線路を挿入して等価的に前記の第２
式又は第３式の条件を満足させることも出来る。又前記
の伝達量制御回路３５と３６との伝達特性の位相量に差
がある場合には、その位相量の差を分配回路１６又は合
成回路１７の位相量に組み入れて考え、分配又は合成回
路の各端子間の位相量及び挿入線路の電気長を設定すれ
ば、同様に第２式及び第３式の条件を満足させることが
出来る。合成回路１８を省略して、第３８図の例の如く
合成回路１７の出力端子を、出力端子１９に接続して、
例えは合成回路と伝達量制御回路３６との間に減衰器９
０を挿入すれば、第９図と同様に合成回路１７の出力に
於けるＦ２波の振幅は、第３９図の如くＥ２２の振幅は
減衰され、Ｅ２ｌとＥ２２の合成である出力振幅Ｅ２３
のグラフとｆ１軸との交点をすらすことが出来て、あら
かじめ分波回路１２の共振周波数を適当にずらしておけ
ば、第３９図の如く入力周波数ｆ１の中心周波数付近に
於いて必要な振幅のＦ２波を出力とすることができ、合
成回路１８なしで、前記の回路例より簡単に前記同様の
ＦＭ−ＡＭ変換特性を得ることが出来る。

但し、第３８図の原理図によれば、前記の回路の場合に
比べて、平衡がずれているので、前記の動作の特徴が多
少そこなわれるが、従来の回路より良好てあることは明
らかてある。尚、第３８図に於いて、減衰器９０を分配
回路と伝達量制御回路の間に挿入するか、分配回路及び
合成回路の分配又は合成量を不平衡にしても同様の特性
が得られることは明らかてある。又減衰器９０を挿入す
る代りに分波回路１２の２つの出力端子の出力振幅を異
ならせて、検波回路３１及び３２の検波電流の大きさを
異ならせるか、又は低域通過回路２１及ひ２２に減衰器
を挿入して、その結果伝達量制御回路３５及ひ３６に印
加される検波電流又は電圧の大きさを異ならせて、伝達
特性Ｇ１およびＧ２の大きさを異ならせても、第３９図
の特性が得られる。第４０図に例示する如く、位相量制
御回路３５及び３６に並列に抵抗９１及び９２を挿入し
ても等価的に伝達特竹連，とＧ２とを異ならせることが
出来て、第３９図の特性が得られる。

又、第４０図に於いて、９１及び９２は抵抗に限らず、
インダクター又はキャパシター又はそれ等の複合回路で
もよく、又第４０図では、伝達量制御回路に並列に挿入
されているが、直列に挿入しても同様の特性を得ること
ができる。第３８図又は第４０図のように出力Ｅ２ｌと
、出力Ｅ２２を非対称とせず、第８図の特性のままでも
、第９図のＥ２３のグラフに於いてＦ。

より小又は大の周波数範囲のみを使用すれば前記同様の
ＦＭ−Ｗ変換特性が得られて、変調度の高いＡＭ波を得
ることができ、例えば第５図又は第１８図の合成回路１
８を省略することができる。又第４１図に例示する如く
、検波回路及びインピーダンス変化回路の低周波電流路
と結合した端子１０１を設けて、例えば第４１図の如く
検波回路３１と３２との検波電流の一部を１０１より取
り出せば、これは入力ｆ１波の周波数変化に対して直流
電流振幅が変化する周波数弁別器特性が得られて、例え
ば第４２図に示す系統図の如く本発明になるＦＭ−Ｍ変
換装置１０２及びＦ２搬送波発振器１０８及びミクサー
１０３、中間周波増幅器１０４、リミター１０５、可変
周波数局部発振器１０６等にてスーパーヘテロダイン受
信機を構成し、前記端子１０１の出力によつて前記発振
器１０６の発振周波数を制御すれば、例えば入力端子１
０７に印加されるＦＭ波の中心周波数が変動しても自動
周波数制御動作によつてＦＭ−ＡＭ変換装置１０２に印
加されるＦＭ波の中心周波数は一定になるように制御さ
れて、ＡＭ出力端子１９におけるＭ出力信号の平均搬送
波振幅を入力ＦＭ波の変動にか）わらず一定値に保持す
ることができる。

系統図第４３図に例示する如く、端子１０１の出力を低
周波増幅器１１０等を通して取り出せば、本受信機の入
出力変調信号をモニターすることも出来る。

系統図第４４図に例示する如く、ＦＭ信号入力を切るか
又は、ＦＭ信号入力と同時に、端子１０１に別の外部低
周波入力信号を低周波増幅器１１１等を通して印加すれ
ば、この低周波信号によつてもインピーダンス変化回路
の電流を変化させて、小信号インピーダンスを変化させ
て、伝達量Ｇ１およびＧ２が変化して搬送波Ｆ２をＡＭ
変調することが出来て、このＡＭ変調波を端子１８から
送出することが出来る特徴を有する。

前に説明したような合成回路１８を省略したＦＭ−ＡＭ
変換装置についても、まつたく同様に低周波結合端子１
０１を設けることが出来て、同様の使用方法がある。

第４５図の如く、検波回路２０１と、増幅器２０２と、
レベル制御回路２０３とによつて合成回路１８のＦ２波
出力の振幅の大きさの偏差を検出し、増幅して、合成回
路１８に印加されるＦ２搬送波のレベルを制御すれば、
合成回路１８のＦ２波出力振幅を、あらかじめ設定した
値に自動制御することが出来る。

例えば入力ｆ１波の中心周波数Ｆ。が何らかの原因によ
つて変動すれば、前記第１０図の変換特性を示すグラフ
から明らかなごとく、出力Ｍ波の中心振幅が変動するこ
とになり、例えば入力ｆ１波が第１０図の例の如く映像
信号でＦＭ変調されている場合には、出力ｗ波の中心振
幅を変動させ、従つて出力ＡＭ波の同期尖頭振幅を変動
させることになつて不都合であるが、この時、第４５図
のにおいて、検波器２０１として尖頭値検波器を、又２
０２として前述の中心周波数Ｆ。の変動周期よりも早い
時定数の直流増幅器を使用すれば、出力ｗ波の同期尖頭
振幅，を一定値に保持することが出来る。第４６図の如
く、検波器２１１と信号検出器２１２とによつて合成回
路１８の出力ＡＭ波の変調信号を復調し、その中に含ま
れている特定の信号の大きさを検出し、直流増幅器２１
３とレベル制．御回路２１４によつて分配回路１６に印
加する搬送波Ｆ２の大きさを制御すれば、前記合成回路
１８の出力ＡＭ波の変調振幅を設定値に自動制御するこ
とが出来る。

即ち、ＦＭ−ＡＭ変換特性を示す第４７図に於いて説明
すると、例えば、映像信！号でＦＭ変調されている入力
ｆ１波をＳＩＧｌと表わし、正規の状態における変換特
性のグラフを２１６とすると、この時の出力Ｆ２波の振
幅変化特性は同第４７図のＳＩＧ２となる。今、例えば
温度特性変化等によつて、変換特性が２１７の如く変く
化したとすると、出力振幅変化特性はＳＩＧ２″の如く
変化することになるが、検波器２１１と信号検出器２１
２によつて、例えば、ＳＩＧ２″信号の同期信号の振幅
の減少を検出して、その変化量によつて、分配回路１６
に印加されるＦ２搬送波のレベルを制御して増加させれ
ば変換特性の勾配△Ｅ２／Δｆ１は印加されるＦ２搬送
波のレベルに比例するから、２１７の変換特性を２１６
の変換特性まで勾配を補正することが出来て、結局出力
ＡＭ波はＳＩＧ２に保つことが出来る。前記の説明の同
期信号以外にも、例えば多重信号で変調されている場合
にはその多重信号の中の特定の信号の大きさを検出して
前記同様に、Ｆ２）搬送波の印加レベルを制御すること
によつて、出力Ｍ振幅を一定に保持することが出来る。

第４６図の如く、分配回路１６へのＦ２搬送波の印加量
を制御する代りに、第４８図の如く合成回路１７の出力
にレベル制御回路２１４を挿入し−てもまつたく同様の
特性が得られる。

又、第４９図の如く、レベル制御回路２１４を分波回路
１２の入力部に挿入して、分波回路１２に印加されるｆ
１波の大きさを制御しても、前記と同様に変換特性２１
６の勾配を変化させるこ、とが出来て、出力Ｍ振幅を補
正することが出来る。前記第４５図に例示した補正と、
第４６図又は第４８図又は第４９図に例示した補正を同
時に行えば、例えば出力ＡＭ信号波の尖頭値と変調度を
補正することが出来る。

前記の補正量が、例えば温度変化特性の如く、あらかじ
めわかつている場合には、例えば第５０図の如く、逆温
度変化特性の減衰器又は増幅器等の如き補正回路２１５
，２１６，２１７，２１８を使用すれば、前記同様の補
正を簡単に行うことが出来る。

尚以上の補正方法は、例示の回路のみならず、前記の説
明にあるすべてのＦＭ−Ｍ変換回路について行うことが
出来ることは明らかである。

又以上の説明における低域通過回路２１及び２２の代り
として第５１図の如く低域通過回路２５１と２５３の間
に例えばエンフアシス回路２５２を付加した回路を使用
すれば、容易に変調信号に対して周波数特性（すなわち
エンフアシス特性）を持たせることが出来ることも、本
発明の特徴である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のＦＭ−ＡＭ変換装置を示す原理図、第２
，３，４図は従来の回路の特性を示すグラフ、第５図は
本発明の一実施例のブロック図、第６，７，８，９，１
０，１１図は本発明の装置の特性を示すグラフ、第１２
，１３，１４，１５，１６，１７図は分波回路の例を示
す図、第１８図は本発明の他の実施例のブロック図、第
１９，２０図は検波回路の例を示す図、第２１，２２，
２３，２４，２５，２６，２７，２８，２９図は伝達量
制御回路の例を示す図、第３０，３１，３２，３３，３
４，３５，３６，３７図は分配又は合成回路の例を示す
図、第３８図は本発明のさらに他の実施例のブロック図
、第３９図は本発明の装置の特性例を示すグラフ、第４
０，４１，４２，４３，４４，４５，４６，４８，４９
，５０図は本発明の他の実施例のブロック図、第４７図
は本発明の装置の特性を示すグラフ、第５１図は低域通
過回路の他の例を示す図てある。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 周波数変調された信号を受け周波数に応じて伝送特
   性が互いに異つて変化する２つの出力を取り出す分波回
   路と、前記分波回路からの２つの出力をそれぞれ受ける
   第一及び第二の検波回路と、前記第一の検波回路の出力
   と搬送波とを受ける第一の伝送量制御回路と、前記第二
   の検波回路の出力と搬送波とを受ける第二の伝送量制御
   回路と、前記第一及び第二の伝送量制御回路の出力を合
   成する合成回路とを具備し、前記分波回路に印加された
   周波数変調された信号を前記搬送波に対する振幅変調波
   に変換することを特徴とする搬送波変換装置。