JPS6047492A - 半導体レ−ザ−ウエハの分割方法 - Google Patents

半導体レ−ザ−ウエハの分割方法

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Publication number
JPS6047492A
JPS6047492A JP58156726A JP15672683A JPS6047492A JP S6047492 A JPS6047492 A JP S6047492A JP 58156726 A JP58156726 A JP 58156726A JP 15672683 A JP15672683 A JP 15672683A JP S6047492 A JPS6047492 A JP S6047492A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
laser wafer
division
sheet
dividing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58156726A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuzo Fujimura
祐三 藤村
Koichi Kawamura
河村　幸一
Masanobu Takada
高田　政信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS6047492A publication Critical patent/JPS6047492A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202—Cleaving

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野２発明の目的〉 本発明は、短冊状半み体レーザーウェハの分割方法に係
り、特に、分割後の半導体レーサーチップが飛散するこ
とのない方法の提供を目的とするものである。
〈実施例〉 第１図（断面図）及び第２図（斜視図）に示すように、
スクライブ後の短冊状半導体レーザーウェハ１を薄い粘
着シート２に貼り付け、セロ・・ンのような薄いシート
３で覆い被ぜ、該二枚のシートの両端に張力Ｔを与えな
がら、一定温度（ヒーター５内蔵）の円柱４に巻きつけ
分割する。シートは温度と張力で伸び、分割後の半導体
レーザーチップ６は、−直線状に間隔をもつ。分割され
たチップは粘着シートにより飛散することはない。
く効果〉 以上説明したように本発明によれば、分割後の半導体レ
ーザーチップが飛散することのない、きわめて有用な半
導体レーザーウェハの分割方法を得ることができるもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は断面図、第２図は斜視図である。 符号の説明 Ｉ：短冊状半導体レーザーウニ・・、２８粘ス゛″１シ
ート、３：薄いシート、４：円柱、５　ヒーター、６：
半導体レーザーチップ、Ｔ：張力。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）手続補正書 （特許庁　殿） １、事ヂ１の表示 特願昭５．８−１５６７２６ ２、発明の名称 半導体レーザーウェハの分割方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 ４、代理人 （−１所　曇５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号
別紙のとおり　以　上 ２、特許請求の範囲 した後、粘着シートに貼り伺けると共に、セロハンの様
な薄いシートで覆い被せ、該両シートの両端に張力を与
えながら、一定温度の円柱に巻きつけることによって、
」１記短冊状半導体レーザーウェハを分割することを特
徴とする半導体レーザーウェハの分割方法。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、スクライブ後の短冊状半導体レーザーウェハを粘着
    シートに貼りイリけると共に、セロハンの様な薄いシー
    トで覆い被せ、該両シートの両端に張力を与えながら、
    一定温度の円柱に巻きつけることによって、上記短冊状
    半導体レーザーウェハを分割することを特徴とする半導
    体レーザーウェハの分割方法。
JP58156726A 1983-08-25 1983-08-25 半導体レ−ザ−ウエハの分割方法 Pending JPS6047492A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62296578A (ja) * 1986-06-17 1987-12-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体結晶の分離方法
JPH01270288A (ja) * 1988-04-21 1989-10-27 Nec Corp 半導体レーザの製造方法
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JP2019175927A (ja) * 2018-03-27 2019-10-10 株式会社東京精密 ウェーハ分割装置及び方法

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