JPS6047574A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6047574A JPS6047574A JP58154961A JP15496183A JPS6047574A JP S6047574 A JPS6047574 A JP S6047574A JP 58154961 A JP58154961 A JP 58154961A JP 15496183 A JP15496183 A JP 15496183A JP S6047574 A JPS6047574 A JP S6047574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- amorphous silicon
- areas
- photoconductive film
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は固体撮像装置に関する。
近年、走査部を形成した半導体基板上に光導電膜を設け
、この光導’４膜で発生した信号電荷を走査部によって
読み出す固体撮像装置が開発されている。即ちこの固体
撮像装置は、第１図に示すように、例えばｐ型の半導体
基板（２）に第１のｎ＋型不純物領域＋４３ 、 （６
）がマトリクス状に設けられ、この第１のｎ＋型不純物
領域に隣接してゲーＩ・領域（８）。
、この光導’４膜で発生した信号電荷を走査部によって
読み出す固体撮像装置が開発されている。即ちこの固体
撮像装置は、第１図に示すように、例えばｐ型の半導体
基板（２）に第１のｎ＋型不純物領域＋４３ 、 （６
）がマトリクス状に設けられ、この第１のｎ＋型不純物
領域に隣接してゲーＩ・領域（８）。
＋ＩＩを介して第２のｎ＋型不純物領域圓、 （１４１
が夫々設けられている。このｎ＋型不純物領域ａ’ａ
、 （１４１は、インターライン転送方式のＣＣＤなら
ばＣＯＤチャンネルとなる。また第１．第２のｎ十型不
純物領域（４）。
が夫々設けられている。このｎ＋型不純物領域ａ’ａ
、 （１４１は、インターライン転送方式のＣＣＤなら
ばＣＯＤチャンネルとなる。また第１．第２のｎ十型不
純物領域（４）。
ａりを１単位としてこれら単位間を分離するｐ＋型のス
トッパー領域（１Ｇ） 、 ｆｆａ 、 （２ｆ）が設
けられてしる。更にゲート領域、第２のｎ＋型不純物領
域及びストッパー領域が位置する基板（２）上には、ゲ
ート絶縁膜０ツ。
トッパー領域（１Ｇ） 、 ｆｆａ 、 （２ｆ）が設
けられてしる。更にゲート領域、第２のｎ＋型不純物領
域及びストッパー領域が位置する基板（２）上には、ゲ
ート絶縁膜０ツ。
（２）、（１）を介して転送飛極である多結晶シリコン
のゲート電極ｅ）Ａ 、 （３Ｉ、 ６２１が設けられ
てしる。ゲート電極を含む基板上には、第１のｎ＋型不
純物領域（４）。
のゲート電極ｅ）Ａ 、 （３Ｉ、 ６２１が設けられ
てしる。ゲート電極を含む基板上には、第１のｎ＋型不
純物領域（４）。
（６）の一部を除いて絶縁膜（３４）が設けられ、この
絶縁膜上には、コンタクト・ホール（３０，（財）を介
して第１のｎ＋型不純物領域＋４） 、 （６）と接続
され、各々独立した複数の第１の電極（４Ｑ 、 （４
２が設けられている。
絶縁膜上には、コンタクト・ホール（３０，（財）を介
して第１のｎ＋型不純物領域＋４） 、 （６）と接続
され、各々独立した複数の第１の電極（４Ｑ 、 （４
２が設けられている。
第１の電極及び絶縁膜上には、光導電膜（４４）が全面
だ被覆され、この光導電膜上には透明電極０６）が被覆
されている。
だ被覆され、この光導電膜上には透明電極０６）が被覆
されている。
上述の固体撮像装置は、透明電極（４６）に所定の電圧
を印加させた状態で光導電膜（４４）に光が照射される
と、光導電膜で光電変換されて信号電荷が発生すると共
に、その信号電荷は第１の電極（４１ｍ 、 （４３を
通って逆バイアスされたｐ型半導体基板（２）の第１の
ｎ＋型不純物領域＋４１ 、 （６）Ｋ主として蓄積さ
れる。
を印加させた状態で光導電膜（４４）に光が照射される
と、光導電膜で光電変換されて信号電荷が発生すると共
に、その信号電荷は第１の電極（４１ｍ 、 （４３を
通って逆バイアスされたｐ型半導体基板（２）の第１の
ｎ＋型不純物領域＋４１ 、 （６）Ｋ主として蓄積さ
れる。
こうして蓄積された信号電荷は、任意の蓄積時間後にゲ
ート電極０秒、（３０）、（３２に電圧を印加すること
により、ゲート領域（８）、α０を通って第２のｎ型不
純物領域ａ”ａ 、 ａｍに読み出される。
ート電極０秒、（３０）、（３２に電圧を印加すること
により、ゲート領域（８）、α０を通って第２のｎ型不
純物領域ａ”ａ 、 ａｍに読み出される。
光導電膜（４荀には、光導電型撮像管の光導電ターゲッ
ト材料を中心に種々の材料が使用されている。
ト材料を中心に種々の材料が使用されている。
その中で特にアモルファスシリコン膜が注目されている
。他の材料はＳｂ２Ｓ３． （Ｃｄ 、 Ｚｎ ）Ｔｅ
、 Ａｓ −５ｅ−Ｔｅ 等などのようにシリコン素
子の製造工程にあまりなじみのない■族の材料が含まれ
ているが、アモルファスシリコン膜は材料的に同一であ
るため従来の製造工程にもとり入れ易い利点を有してい
る。
。他の材料はＳｂ２Ｓ３． （Ｃｄ 、 Ｚｎ ）Ｔｅ
、 Ａｓ −５ｅ−Ｔｅ 等などのようにシリコン素
子の製造工程にあまりなじみのない■族の材料が含まれ
ているが、アモルファスシリコン膜は材料的に同一であ
るため従来の製造工程にもとり入れ易い利点を有してい
る。
上述の固体撮像素子においては、走査部の凹凸が１〜２
μｍ程度あるため、光導電膜を積層させると第２図に拡
大図を示すように、凹凸の端部において光導電膜の内部
クラック（４η、（機を起こし易い。
μｍ程度あるため、光導電膜を積層させると第２図に拡
大図を示すように、凹凸の端部において光導電膜の内部
クラック（４η、（機を起こし易い。
この内部クラックは、内部応力が端部に！中する為に生
じるもので、画像欠陥の原因となる。従って光導電膜が
堆積される面は、撮像管のターゲットの場合と同様可能
な限り平担な面とするのが望ましい。
じるもので、画像欠陥の原因となる。従って光導電膜が
堆積される面は、撮像管のターゲットの場合と同様可能
な限り平担な面とするのが望ましい。
上記走査部表面の凹凸を軽減する手段として、平滑化層
を設けることが提案されている。即ち第３図に示すよう
に、第１の電極ＧｉＯ、（４２、ｌｌ’ｉ［Ｉｌを形成
後、絶縁材料６つで走査部の凹凸を覆うことによってそ
の表面を平滑化するものである。絶縁材料（１５２には
コンタクト・ホール（５４） 、 （５６）が設けられ
、絶縁材料上には容筒１の電極と接続する第２の電極ｔ
５１ 、 （６０） 。
を設けることが提案されている。即ち第３図に示すよう
に、第１の電極ＧｉＯ、（４２、ｌｌ’ｉ［Ｉｌを形成
後、絶縁材料６つで走査部の凹凸を覆うことによってそ
の表面を平滑化するものである。絶縁材料（１５２には
コンタクト・ホール（５４） 、 （５６）が設けられ
、絶縁材料上には容筒１の電極と接続する第２の電極ｔ
５１ 、 （６０） 。
嗜が設けられ、その上に光導電膜（４４）、透明電極（
４［９が順次積層されている。絶縁材料としては、Ｓｔ
Ｏ□。
４［９が順次積層されている。絶縁材料としては、Ｓｔ
Ｏ□。
Ｓｉ３Ｎ、 、 ８ｉＣなどの無機絶縁材料或はポリイ
ミド系の耐熱性有機絶縁材料が用いられる。この平滑化
手段を用いたものでは、第２図に示すような内部クラッ
クの発生は与られず、良好な画像が得られる。
ミド系の耐熱性有機絶縁材料が用いられる。この平滑化
手段を用いたものでは、第２図に示すような内部クラッ
クの発生は与られず、良好な画像が得られる。
しかしながら、これら平滑化手段を用いた場合にも、次
のような問題点があることが明らかにな）つた。即ち、
第２の電極６８１． ｔＧｏ） 、 （ａ邊は、平滑化
層（５湯上に導電膜を被着後エツチングにより個々の画
素に対応して分離されて形成される。この場合第２の電
極１５樽、［Ｆ］０．霞の端部が鋭角にエツチングされ
ると、第２図に見られるのと同様な内部クラック（財）
。
のような問題点があることが明らかにな）つた。即ち、
第２の電極６８１． ｔＧｏ） 、 （ａ邊は、平滑化
層（５湯上に導電膜を被着後エツチングにより個々の画
素に対応して分離されて形成される。この場合第２の電
極１５樽、［Ｆ］０．霞の端部が鋭角にエツチングされ
ると、第２図に見られるのと同様な内部クラック（財）
。
−が発生し、画像欠陥の一因となることが判った。
この問題に対しては、テーパエツチング法を採用し第２
の電極端部の鋭角部分をなくすこと、例えばエツチング
速度が順次異なる材料を積層させた多層４造導電膜をエ
ツチングして第２のｄ極を形成することが考え得る。し
かしながら第２の電極−ｙ １６０） 、嗜は、間隔が
３μｍ穆度でまた厚さが２０００Ａ程度であるため、再
現性よくテーパ角を制御することは困難である。
の電極端部の鋭角部分をなくすこと、例えばエツチング
速度が順次異なる材料を積層させた多層４造導電膜をエ
ツチングして第２のｄ極を形成することが考え得る。し
かしながら第２の電極−ｙ １６０） 、嗜は、間隔が
３μｍ穆度でまた厚さが２０００Ａ程度であるため、再
現性よくテーパ角を制御することは困難である。
本発明は、第２の電極の端部における光導電膜の内部ク
ラックｄ発生がない固体撮像装置を提供するものである
。
ラックｄ発生がない固体撮像装置を提供するものである
。
本発明は、個々の画素に対応して分離された第２０′峨
極を、導電膜のエツチングによって形成するのではなく
、第２の電極材料としてｎ型のアモルファスシリコンを
用匹、画素に対応した磁極の分離形成をイオン注入によ
って行い、エツチングをすることなく電気的に絶縁分離
させたものである。
極を、導電膜のエツチングによって形成するのではなく
、第２の電極材料としてｎ型のアモルファスシリコンを
用匹、画素に対応した磁極の分離形成をイオン注入によ
って行い、エツチングをすることなく電気的に絶縁分離
させたものである。
第４図及び第５図を参照して本発明を説明する。
図中、第３図と同一の参照番号を符したものは同等部を
示す。まず第３図に示す従来例と同様にして、平滑化層
（５ツまでを形成する。この後、コンタクトホール６４
） 、 （５６）を平滑化層６２に設ける。次だ第２の
電極材料としてｎ型のアモルファスシリコン（財）を平
滑化層（５３上に全面に約２０ｏｏＸ穆度積層する。本
実施例では、Ｈ２で希釈された１０％５ｉｌ（、ガスと
、ＰＨ３／ＳｉＨ４比テ１ｏｏｏｐｐｍ〕濃度を有する
ＰＨ３ガスとを混合し、圧力２．ＯＴｏ ｒ ｒ 、温
度２５０ ”Ｑ、投入電力８Ｗの条件下でグロー放電分
解することによって積層させた。このとき、ｎ型アモル
ファスシリコン（６Ｆｊの暗比抵抗は１０〜Ｚｏｏ（０
口）程度であった。次にレジス） ｆｆｏ）を塗布し、
所定の画素パターンを形成した。この後レジストの画素
パターンをマスクとして、イオン注入装置でＡｒのイオ
ン注入を行った。Ａｒイオンｆｆ２１は、加速電圧５゜
］（Ｖ、ドーズ量５ Ｘ １０” ｃｍ−’で素子全面
に打ち込んだ。このときのｎ型アモルファスシリコン（
６秒への平均的なＡｒの進入の深さは３ｏｏｏｉ程度で
あった。進入の深さは加速電圧を適宜調整することによ
って行なわれる。Ａ「イオン６のによって分離領域（７
４） 、 （７ｅＯｎ型アモルファスシリコンは５ｉ−
Ｐの結合が切断され、且つ膜内にＡｒが存在することに
なるのでダンプリングボンドが急激に増大し、暗比抵抗
は１０１２〜１ ｏｊ３ （ΩｃＩｎ）まで著しく増加
した。
示す。まず第３図に示す従来例と同様にして、平滑化層
（５ツまでを形成する。この後、コンタクトホール６４
） 、 （５６）を平滑化層６２に設ける。次だ第２の
電極材料としてｎ型のアモルファスシリコン（財）を平
滑化層（５３上に全面に約２０ｏｏＸ穆度積層する。本
実施例では、Ｈ２で希釈された１０％５ｉｌ（、ガスと
、ＰＨ３／ＳｉＨ４比テ１ｏｏｏｐｐｍ〕濃度を有する
ＰＨ３ガスとを混合し、圧力２．ＯＴｏ ｒ ｒ 、温
度２５０ ”Ｑ、投入電力８Ｗの条件下でグロー放電分
解することによって積層させた。このとき、ｎ型アモル
ファスシリコン（６Ｆｊの暗比抵抗は１０〜Ｚｏｏ（０
口）程度であった。次にレジス） ｆｆｏ）を塗布し、
所定の画素パターンを形成した。この後レジストの画素
パターンをマスクとして、イオン注入装置でＡｒのイオ
ン注入を行った。Ａｒイオンｆｆ２１は、加速電圧５゜
］（Ｖ、ドーズ量５ Ｘ １０” ｃｍ−’で素子全面
に打ち込んだ。このときのｎ型アモルファスシリコン（
６秒への平均的なＡｒの進入の深さは３ｏｏｏｉ程度で
あった。進入の深さは加速電圧を適宜調整することによ
って行なわれる。Ａ「イオン６のによって分離領域（７
４） 、 （７ｅＯｎ型アモルファスシリコンは５ｉ−
Ｐの結合が切断され、且つ膜内にＡｒが存在することに
なるのでダンプリングボンドが急激に増大し、暗比抵抗
は１０１２〜１ ｏｊ３ （ΩｃＩｎ）まで著しく増加
した。
これによシ、アモルファスシリコンからなる第２の電極
ｆｆＬ（財）、（８２は連続体であるが、電気的には各
画素て応じてそれぞれ完全に絶縁分離された。この後レ
ジストσ０を除去し、再びグロー放電装置内ニ設置し、
第２の電極たるアモルファスシリコン（至）上に、光導
’Ｉ！１ＦＪｋ４）としてｉ型のアモルファスシリコン
を約３μｍ堆積した。次に透明電極（財）を約１００Ｏ
Ａ堆潰して第５図に示される固体撮像装置を得た。
ｆｆＬ（財）、（８２は連続体であるが、電気的には各
画素て応じてそれぞれ完全に絶縁分離された。この後レ
ジストσ０を除去し、再びグロー放電装置内ニ設置し、
第２の電極たるアモルファスシリコン（至）上に、光導
’Ｉ！１ＦＪｋ４）としてｉ型のアモルファスシリコン
を約３μｍ堆積した。次に透明電極（財）を約１００Ｏ
Ａ堆潰して第５図に示される固体撮像装置を得た。
上述した本発明の固体撮像装置は、光導電膜（７樽が被
着される面て段差がなく、第３図に示す従来例で見られ
た光導１侃膜の内部クラックは発生せず、画質欠陥のな
ｚａ好な撮像装置であった。また光導′硫膜の成長は一
般に一ド地の材質の影響を受け易く、例えば第３図に示
すものにおいては第２の「北極Ｇ樽、 ｆＧＯ） 、
（Ｇ″ＩＪとその分離領域つまり平滑化層上に成長する
ため、両者の上に成長する光導電膜は電気的、光学的に
特性が異っていて画像に悪影響を与える。しかしながら
、本発明においては、光導電膜が被着される面が全面に
同一材料で形成されておシ、電気的、光学的に均一な膜
成長が行なわれ、より画質欠陥のない高品質の固体撮像
装置が提供される。
着される面て段差がなく、第３図に示す従来例で見られ
た光導１侃膜の内部クラックは発生せず、画質欠陥のな
ｚａ好な撮像装置であった。また光導′硫膜の成長は一
般に一ド地の材質の影響を受け易く、例えば第３図に示
すものにおいては第２の「北極Ｇ樽、 ｆＧＯ） 、
（Ｇ″ＩＪとその分離領域つまり平滑化層上に成長する
ため、両者の上に成長する光導電膜は電気的、光学的に
特性が異っていて画像に悪影響を与える。しかしながら
、本発明においては、光導電膜が被着される面が全面に
同一材料で形成されておシ、電気的、光学的に均一な膜
成長が行なわれ、より画質欠陥のない高品質の固体撮像
装置が提供される。
第１図は従来の一例の固体撮像装置の要部断面図、第２
図は第１図示の固体撮像装置における問題点を説明する
図、第３図は他の従来例を示す固体撮像装置の要部断面
図、第４図及び第５図は本発明の一実施例の固体撮像装
置を説明する図である。 （５の・・平滑化層、 （５４）、ｅｉ６）・コンタク
トホール、（財）・・ｎ型アモルファスシリコン、σ４
）、（“７［９・・分離領域、 （財）・・・光導電膜
（８６）・・・透明電極。 第１図 第 ２ 図 第 ４ 図 第 ５ 図
図は第１図示の固体撮像装置における問題点を説明する
図、第３図は他の従来例を示す固体撮像装置の要部断面
図、第４図及び第５図は本発明の一実施例の固体撮像装
置を説明する図である。 （５の・・平滑化層、 （５４）、ｅｉ６）・コンタク
トホール、（財）・・ｎ型アモルファスシリコン、σ４
）、（“７［９・・分離領域、 （財）・・・光導電膜
（８６）・・・透明電極。 第１図 第 ２ 図 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 接合部及びこれと隣接した走査部を有する半導体基板と
、該接合部に接続された第１の電極と、該第１の電極上
知積層された平滑化層と、該平滑化層に設けられたコン
タクト・ホールを介して前記第１の電極と接続され前記
平滑化層上に形成された第２の電極と、該第２の電極上
に積層され入射光により信号電荷を発生する光導電膜と
、該光導電膜層上に設けられた透明電極とを備え、前記
信号電荷を前記走査部で読み出す固体撮像装置において
、前記第２の電極はｎ型のアモルファスシリコンからな
シ、且つ該第２の電極は画素に対応してイオン注入法に
よって電気的に絶縁分離されていることを特徴とする固
体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154961A JPS6047574A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154961A JPS6047574A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047574A true JPS6047574A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15595686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154961A Pending JPS6047574A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047574A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222163A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | イメ−ジスキヤナ |
| US5245201A (en) * | 1991-01-11 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device and image processing apparatus utilizing the same |
| US6013928A (en) * | 1991-08-23 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interlayer insulating film and method for forming the same |
| JP2000340780A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-12-08 | Agilent Technol Inc | アモルファスシリコンダイオードによるイメージセンサアレイ装置 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154961A patent/JPS6047574A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222163A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | イメ−ジスキヤナ |
| US5245201A (en) * | 1991-01-11 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device and image processing apparatus utilizing the same |
| US6013928A (en) * | 1991-08-23 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interlayer insulating film and method for forming the same |
| JP2000340780A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-12-08 | Agilent Technol Inc | アモルファスシリコンダイオードによるイメージセンサアレイ装置 |
| EP1045450A3 (en) * | 1999-04-13 | 2002-05-29 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Image sensor array device |
| US6586812B1 (en) | 1999-04-13 | 2003-07-01 | Agilent Technologies, Inc. | Isolation of alpha silicon diode sensors through ion implantation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6525356B1 (en) | Solid imaging device | |
| EP0139366B1 (en) | Method of manufacturing a soldi-state image pickup device | |
| US4796072A (en) | Solid-state imaging device with potential barriers between pixels | |
| EP0502521B1 (en) | Solid-state image pickup device and method of manufacturing the same | |
| JPS6366117B2 (ja) | ||
| JP3402429B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| US5483090A (en) | Solid-state image pickup device and method for manufacturing such device | |
| JPH01205465A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH10261782A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2509592B2 (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPS5861663A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH0669483A (ja) | 固体撮像素子の画素およびその動作方法とその製造方法 | |
| JPH02166769A (ja) | 積層型固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2666684B2 (ja) | 電荷転送撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2531435B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH07114275B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3451833B2 (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS6273661A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61212056A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5840985A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS61206258A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS59119760A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0362967A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04258140A (ja) | 電荷転送素子の製造方法 | |
| JP2001077340A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 |