JPS604837B2 - 酸素を介してケイ素に結合したオキシム基を有するケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
酸素を介してケイ素に結合したオキシム基を有するケイ素化合物の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0834—Compounds having one or more O-Si linkage
- C07F7/0892—Compounds with a Si-O-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少くとも1個の同一のケイ素原子にSiON
=C−結合以外の加水分解可能な結合を少くとも3個有
するケイ素化合物とオキシムとの置換反応によって、酸
素を介してケイ素と結合したオキシム基を有するケイ素
化合物を製造する方法に関する。
=C−結合以外の加水分解可能な結合を少くとも3個有
するケイ素化合物とオキシムとの置換反応によって、酸
素を介してケイ素と結合したオキシム基を有するケイ素
化合物を製造する方法に関する。
本発明によると、少くとも1個の同一のケイ素原子にS
jON=C−結合以外の加水分解可能な基を少くとも3
個有するケイ素化合物として、加水分解可能な結合がS
IN−結合であるものが用いられる。今ではオキシムの
置換反応によって酸素を介してケイ素と結合したオキシ
ム基を有するケイ素化合物を製造する場合に、少くとも
1個の同一のケイ素原子にSiON=C−結合以外の加
水分解可能な結合を少くとも3個有するケイ素化合物と
して、加水分解可能な結合がSiーハロゲンー結合であ
るようなケイ素化合物が用いられ、好ましくは同時に、
例えばトリヱチルアミンのような酸結合剤が用いられた
(例えば、米国特許公報第3674738号:1972
年7月4日特許権取得、SiegriedNibsch
e等、Wacker−Chemie○.m.b.日への
譲渡人参照)、この公知の方法に比べて、本発明による
方法はより短時間内に、費用のかかる酸結合剤を用いる
ことなく顕著な収率が得られると云う利点を有している
。
jON=C−結合以外の加水分解可能な基を少くとも3
個有するケイ素化合物として、加水分解可能な結合がS
IN−結合であるものが用いられる。今ではオキシムの
置換反応によって酸素を介してケイ素と結合したオキシ
ム基を有するケイ素化合物を製造する場合に、少くとも
1個の同一のケイ素原子にSiON=C−結合以外の加
水分解可能な結合を少くとも3個有するケイ素化合物と
して、加水分解可能な結合がSiーハロゲンー結合であ
るようなケイ素化合物が用いられ、好ましくは同時に、
例えばトリヱチルアミンのような酸結合剤が用いられた
(例えば、米国特許公報第3674738号:1972
年7月4日特許権取得、SiegriedNibsch
e等、Wacker−Chemie○.m.b.日への
譲渡人参照)、この公知の方法に比べて、本発明による
方法はより短時間内に、費用のかかる酸結合剤を用いる
ことなく顕著な収率が得られると云う利点を有している
。
本発明の対象は、一般式
RaSi<NR圭)b(〇N=X)4−a−b〔この式
においてRは1価の、場合によって置換された脂肪族、
脂環式または芳香族炭化水素残基であり、RIは水素で
あるかまたはRと同じ意味を持ち、×は式にRRIまた
はCR2(ここでRおよびRIはそれぞれ前記の意味を
持ち、R2は2価の、場合によって置換された脂肪族、
脂環式または芳香族炭化水素残基であり、aは0または
1であり、bは0,1,2または3であり、a+bの合
計はせし、ぜい3である)で表わされる基である〕で表
わされるケイ素化合物の製造法において、一般式RaS
j(NR卓)4−a (この式においてR,RIおよびaは前記の意味を持つ
)で表わされるケイ素化合物を、一般式 HONiX (この式においてXは前記の意味を持つ)で表わされる
オキシムと反応させることを特徴とする製造方法である
。
においてRは1価の、場合によって置換された脂肪族、
脂環式または芳香族炭化水素残基であり、RIは水素で
あるかまたはRと同じ意味を持ち、×は式にRRIまた
はCR2(ここでRおよびRIはそれぞれ前記の意味を
持ち、R2は2価の、場合によって置換された脂肪族、
脂環式または芳香族炭化水素残基であり、aは0または
1であり、bは0,1,2または3であり、a+bの合
計はせし、ぜい3である)で表わされる基である〕で表
わされるケイ素化合物の製造法において、一般式RaS
j(NR卓)4−a (この式においてR,RIおよびaは前記の意味を持つ
)で表わされるケイ素化合物を、一般式 HONiX (この式においてXは前記の意味を持つ)で表わされる
オキシムと反応させることを特徴とする製造方法である
。
オキシムとしては、本発明による方法においても今まで
Siと結合したハロゲン、特にSiと結合した塩素との
置換反応に用いられることのできた全てのオキシムが用
いられる。
Siと結合したハロゲン、特にSiと結合した塩素との
置換反応に用いられることのできた全てのオキシムが用
いられる。
これらのオキシムは一般式:HON=×
によって表わすことができる。
この式において×は式CRRIおよびCR2(式中、R
,RIおよびR2は前記の意味を持つ)で表わされる基
を意味する。炭化水素残基RおよびRIに対する例は、
メチル−,エチル一,n−プロピル−,イソフ。ロピル
−,n−ブチル−およびsec−ブチル残基ならびにオ
クタデシル残基のようなアルキル残基;ビニル−および
アリル残基のようなアルケニル残基:シクロベンチルー
およびシクロヘキシル残基ならびにメチルシクロヘキシ
ル残基のような脂環式飽和炭化水素残基:シクロヘキセ
ニル残基のような炭素−炭素多重結合を有する脂環式炭
化水素残基:フェニル残基ならびにキセニルーおよびナ
フチル−残基のようなアリール残基;ペンジル−、Pー
フエニルエチル−およびB−フエニルプロピルー残基の
ようなアラルキル残基;ならびにトリル残基のようなア
ルカリール残基である。置換された炭化水素残基Rおよ
びRIとしては、例えば3,3,3−トリフルオルプロ
ピル−残基のようなベルフルオルァルキルェチル残基、
およびクロルフェニル残基のようなハロゲンアリール残
基ならびに8−シアンエチル残基のようなシアンアルキ
ル残基が特に望ましい。R2残基に対する例は、C=O
Nなるグループの炭素原子と共に環を形成する2価の、
場合によっては置換された炭化水素残基に対しては次式
;−C比(CH2)3CQ−−C比(CH2)4Cは− −C6比C6日4一 ‐CH2〔C(CH3)2〕CQC日2一およびのよう
なものであり、このような炭化水素残基のハロゲンによ
って置換されたものは次式;−CQCHC1(CH2)
3ー ーC6はC6日よ】ー ーCF2(CF2)3CF2− −CQCH2〔C(CC13)2)C批−のようなもの
である。
,RIおよびR2は前記の意味を持つ)で表わされる基
を意味する。炭化水素残基RおよびRIに対する例は、
メチル−,エチル一,n−プロピル−,イソフ。ロピル
−,n−ブチル−およびsec−ブチル残基ならびにオ
クタデシル残基のようなアルキル残基;ビニル−および
アリル残基のようなアルケニル残基:シクロベンチルー
およびシクロヘキシル残基ならびにメチルシクロヘキシ
ル残基のような脂環式飽和炭化水素残基:シクロヘキセ
ニル残基のような炭素−炭素多重結合を有する脂環式炭
化水素残基:フェニル残基ならびにキセニルーおよびナ
フチル−残基のようなアリール残基;ペンジル−、Pー
フエニルエチル−およびB−フエニルプロピルー残基の
ようなアラルキル残基;ならびにトリル残基のようなア
ルカリール残基である。置換された炭化水素残基Rおよ
びRIとしては、例えば3,3,3−トリフルオルプロ
ピル−残基のようなベルフルオルァルキルェチル残基、
およびクロルフェニル残基のようなハロゲンアリール残
基ならびに8−シアンエチル残基のようなシアンアルキ
ル残基が特に望ましい。R2残基に対する例は、C=O
Nなるグループの炭素原子と共に環を形成する2価の、
場合によっては置換された炭化水素残基に対しては次式
;−C比(CH2)3CQ−−C比(CH2)4Cは− −C6比C6日4一 ‐CH2〔C(CH3)2〕CQC日2一およびのよう
なものであり、このような炭化水素残基のハロゲンによ
って置換されたものは次式;−CQCHC1(CH2)
3ー ーC6はC6日よ】ー ーCF2(CF2)3CF2− −CQCH2〔C(CC13)2)C批−のようなもの
である。
種々のオキシムの混合物が用いられることができる。
本発明によって用いる少くとも1個の同一のケィ素原子
に少くとも3個のSIN−結合を有するケイ素化合物は
、1分子当り1個のケイ素原子または1個以上のケイ素
原子を含有し得る。
に少くとも3個のSIN−結合を有するケイ素化合物は
、1分子当り1個のケイ素原子または1個以上のケイ素
原子を含有し得る。
少くとも個のSIN−結合を有するケイ素原子を1個有
するケイ素化合物としては、次の一般式;RaSj(N
R室)4−a (式中、RおよびRIは前記と同じ意味を有し、aは0
または1である)を有するものが特に望ましい。
するケイ素化合物としては、次の一般式;RaSj(N
R室)4−a (式中、RおよびRIは前記と同じ意味を有し、aは0
または1である)を有するものが特に望ましい。
1分子当り1個以上のケイ素原子を有し、少くとも1個
の同一のケイ素原子に少くとも3個のSIN−結合を有
するケイ素化合物としては、1分子当り2〜22個のケ
イ素原子を有するものが特に望ましい。
の同一のケイ素原子に少くとも3個のSIN−結合を有
するケイ素化合物としては、1分子当り2〜22個のケ
イ素原子を有するものが特に望ましい。
1分子当り1個以上のケイ素原子を含有し、少くとも1
個の同一のケイ素原子に少くとも3個のSIN−結合を
有するこれらのケイ素化合物の中でも、窒素および1価
の、場合によっては置換した炭化水素務基によって飽和
されたケイ素の原子価ではなくてシロキサンー酸素原子
または2価の炭化水素残基によって飽和されたものが特
に望ましい。
個の同一のケイ素原子に少くとも3個のSIN−結合を
有するこれらのケイ素化合物の中でも、窒素および1価
の、場合によっては置換した炭化水素務基によって飽和
されたケイ素の原子価ではなくてシロキサンー酸素原子
または2価の炭化水素残基によって飽和されたものが特
に望ましい。
1分子当り1個以上のケイ素原子を含有し少くとも1個
の同一のケイ素原子に少くとも3個のSIN−結合を有
するケイ素化合物は、例えば次式によって表わされる:
R3Si。
の同一のケイ素原子に少くとも3個のSIN−結合を有
するケイ素化合物は、例えば次式によって表わされる:
R3Si。
(R2Si。)nSi(NR茎)8,(R室N)3Si
○(R2Si○)鷹i(NR室)3,R3Si(C比)
2Si(NR室)3,(R茎N)3Si(CH2)2S
iくNR室)30上記5つの全ての式において、Rおよ
びRIはそれぞれ前記と同じ意味を有し、nは0または
1から20までの全ての数を表わす。
○(R2Si○)鷹i(NR室)3,R3Si(C比)
2Si(NR室)3,(R茎N)3Si(CH2)2S
iくNR室)30上記5つの全ての式において、Rおよ
びRIはそれぞれ前記と同じ意味を有し、nは0または
1から20までの全ての数を表わす。
オキシム中の置換したおよび置換しない炭化水素残基R
およびRIに対する例は、窒素原子と結合したRおよび
RI残基としてのビニル残基を例外として、少くとも1
個の同一のケイ素原子に少くとも3個のSIN一結合を
有するケイ素化合物としての上記の全ての式中の置換し
たまたは置換しない炭化水素残基RおよびRIに対して
も全範囲にわたって通用する。
およびRIに対する例は、窒素原子と結合したRおよび
RI残基としてのビニル残基を例外として、少くとも1
個の同一のケイ素原子に少くとも3個のSIN一結合を
有するケイ素化合物としての上記の全ての式中の置換し
たまたは置換しない炭化水素残基RおよびRIに対して
も全範囲にわたって通用する。
窒素と結合したRおよびRI残基に対する他の例はte
rt−ブチルー,3,5,5−トリメチルシクロヘキシ
ル−および2,3,4ートリェチルシクロヘキシル残基
である。種々のケイ素化合物から成る混合物も用いられ
ることができる。本発明による方法によると、ケイ素と
結合した窒素のグラム原子あたりに1モル以下のオキシ
ムを用いるならば、最初のSIN−結合の1部分のみを
SjON=C一結合によって置換したケイ素化合物を製
造することが可能である。
rt−ブチルー,3,5,5−トリメチルシクロヘキシ
ル−および2,3,4ートリェチルシクロヘキシル残基
である。種々のケイ素化合物から成る混合物も用いられ
ることができる。本発明による方法によると、ケイ素と
結合した窒素のグラム原子あたりに1モル以下のオキシ
ムを用いるならば、最初のSIN−結合の1部分のみを
SjON=C一結合によって置換したケイ素化合物を製
造することが可能である。
また本発明による方法によると、ケイ素と結合した窒素
のグラム原子当り少くとも1モル、好ましくは1〜2モ
ルまでのオキシムを用いるならば、最初のSIN−結合
を全てSiON=C一によって置換したケイ素化合物を
製造することができる。それ故に本発明による方法によ
って、ケイ素化合物として次の一般式:RaSi(NR
茎)4−a のケイ素化合物を用いるならば、酸素を介してケイ素と
結合したオキシム基を有する次の一般式:RaSi(N
R室)bくON=X)4‐a‐b(式中、R,R1,×
およびaはそれぞれ前記と同じ意味を有し、bは0,1
,2または3を表わすが、a+bの合計はせし、ぜし、
3である)のケイ素化合物を製造することができる。
のグラム原子当り少くとも1モル、好ましくは1〜2モ
ルまでのオキシムを用いるならば、最初のSIN−結合
を全てSiON=C一によって置換したケイ素化合物を
製造することができる。それ故に本発明による方法によ
って、ケイ素化合物として次の一般式:RaSi(NR
茎)4−a のケイ素化合物を用いるならば、酸素を介してケイ素と
結合したオキシム基を有する次の一般式:RaSi(N
R室)bくON=X)4‐a‐b(式中、R,R1,×
およびaはそれぞれ前記と同じ意味を有し、bは0,1
,2または3を表わすが、a+bの合計はせし、ぜし、
3である)のケイ素化合物を製造することができる。
本発明による方法は0〜15ぴ○、特に15〜500○
の温度において行なわれるのが望ましい。
の温度において行なわれるのが望ましい。
このことはごくわずかな費用を要するにすぎないので、
本発明による方法は周囲の大気の圧力で、すなわち76
Q岬日夕(絶対圧力)または約76仇奴日夕(絶対圧力
)で行なわれるのが望ましい。しかしながら、所望の場
合には、本発明による方法をこれより低圧または高圧に
おいて行なうことも可能である。本発明による方法は水
を加えて行なうのが合目的である。
本発明による方法は周囲の大気の圧力で、すなわち76
Q岬日夕(絶対圧力)または約76仇奴日夕(絶対圧力
)で行なわれるのが望ましい。しかしながら、所望の場
合には、本発明による方法をこれより低圧または高圧に
おいて行なうことも可能である。本発明による方法は水
を加えて行なうのが合目的である。
しかしながら「水の添加はオリゴマーの形成が製造を妨
げないならば必要ではない。本発明による方法の場合に
不活性溶剤を共に用いることは、有利ではあるが必ずし
も必要なことはない。しかし除外されるべきことでもな
い。本発明による方法において用いられ得る不活性溶剤
としての例は、石油エーテル、ベンゼンおよびトルェン
のような炭化水素;酢酸エチルェステルのようなエステ
ル;ジエチルエーテル、ジーn−ブチルエーテル、ジオ
キサンおよびテトラヒドロフランのようなエーテル;ア
セトンのようなケトン;塩化メチレンのような塩素化炭
化水素:ならびにへキサメチルジシロキサンである。本
発明による方法は断続的に、連続的または半連続的に行
なわれることができる。ケイ素と結合した式NR室なる
基とオキシムとの置換反応において生成するアンモニア
もしくはこの置換反応で生成するアミンならびに過剰な
オキシムは、周囲の大気の圧力またはこれより低い圧力
における蒸留によって容易に分離されることができるの
で、簡単な方法で純粋な生成物が得られることになる。
げないならば必要ではない。本発明による方法の場合に
不活性溶剤を共に用いることは、有利ではあるが必ずし
も必要なことはない。しかし除外されるべきことでもな
い。本発明による方法において用いられ得る不活性溶剤
としての例は、石油エーテル、ベンゼンおよびトルェン
のような炭化水素;酢酸エチルェステルのようなエステ
ル;ジエチルエーテル、ジーn−ブチルエーテル、ジオ
キサンおよびテトラヒドロフランのようなエーテル;ア
セトンのようなケトン;塩化メチレンのような塩素化炭
化水素:ならびにへキサメチルジシロキサンである。本
発明による方法は断続的に、連続的または半連続的に行
なわれることができる。ケイ素と結合した式NR室なる
基とオキシムとの置換反応において生成するアンモニア
もしくはこの置換反応で生成するアミンならびに過剰な
オキシムは、周囲の大気の圧力またはこれより低い圧力
における蒸留によって容易に分離されることができるの
で、簡単な方法で純粋な生成物が得られることになる。
本発明によって製造した、酸素を介してケイ素に結合し
たオキシム基を有するケイ素化合物は、縮合し得る末端
基を有するジオルガノポリシロキサンと架橋するケイ素
化合物との混合によって、無水状態で貯蔵され室温で水
を加えるとェラストマ−に硬化し得る材料を製造する場
合の架橋するケイ素化合物として特に適している。
たオキシム基を有するケイ素化合物は、縮合し得る末端
基を有するジオルガノポリシロキサンと架橋するケイ素
化合物との混合によって、無水状態で貯蔵され室温で水
を加えるとェラストマ−に硬化し得る材料を製造する場
合の架橋するケイ素化合物として特に適している。
実施例 1〜10
次表に記載したシラン1モルずつに、次表に記載したオ
キシムを同様に次表に記載した量で混合する。
キシムを同様に次表に記載した量で混合する。
かくて得られた混合物を無水状態で30℃において3時
間燈拝し、次に反応混合物の揮発性成分を10〜2仇舷
日夕(絶対圧力)および100〜120午0の範囲内の
温度までの格温度において蒸留分離させる。蒸留残澄は
次表に記載した化学式と、同様に次表に記載した物理的
性質とを有する。次表に記載した、生成したシランの化
学式中の指数は、これらの指数が整数でない場合には、
平均値をそれぞれ表わしている。収率はそれぞれ用いた
シランに関する理論量の重量%である。“C6日,.”
はシクロヘキシル残基を意味する。
間燈拝し、次に反応混合物の揮発性成分を10〜2仇舷
日夕(絶対圧力)および100〜120午0の範囲内の
温度までの格温度において蒸留分離させる。蒸留残澄は
次表に記載した化学式と、同様に次表に記載した物理的
性質とを有する。次表に記載した、生成したシランの化
学式中の指数は、これらの指数が整数でない場合には、
平均値をそれぞれ表わしている。収率はそれぞれ用いた
シランに関する理論量の重量%である。“C6日,.”
はシクロヘキシル残基を意味する。
実施例 11a 反応速度の測定のために、NMR−4
・管内でメチルトリスー(シクロヘキシルアミノ)シラ
ンをメチルエチルケトキシムと、オキシル4モルに対し
てシラン1モルの割合で、混合する。
・管内でメチルトリスー(シクロヘキシルアミノ)シラ
ンをメチルエチルケトキシムと、オキシル4モルに対し
てシラン1モルの割合で、混合する。
5分後にアミノシランの全てのNMR−シグナルが消失
し、純粋なメチルトリス(メチルエチルケトキシム)ー
シランのメチルプロトンシグナルがわずかに確認される
にすぎなくなる。
し、純粋なメチルトリス(メチルエチルケトキシム)ー
シランのメチルプロトンシグナルがわずかに確認される
にすぎなくなる。
それ故、非常に迅速で定量的に進行する置換反応である
ことになる。b 本発明による次の置換反応: 三SIN=十日○N=×→ニSiON=×+HN=にお
ける平衡状態を調べるために、メチルトリスー(メチル
エチルケトキシム)−シランをシクロヘキシルアミンと
、アミン2モルに対してシラン1モルの割合で、混合し
て60午0までに加熱する。
ことになる。b 本発明による次の置換反応: 三SIN=十日○N=×→ニSiON=×+HN=にお
ける平衡状態を調べるために、メチルトリスー(メチル
エチルケトキシム)−シランをシクロヘキシルアミンと
、アミン2モルに対してシラン1モルの割合で、混合し
て60午0までに加熱する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 RaSi(NR^1_2)b(ON=X〉_4_−_a
_−_b〔この式においてRは1価の、場合によって置
換された脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素残基であ
り、R^1は水素であるかまたはRと同じ意味を持ち、
Xは式CRR^1またはCR^2(ここでRおよびR^
1はそれぞれ前記の意味を持ち、R^2は2価の、場合
によって置換された脂肪族、脂環式または芳香族炭化水
素残基であり、aは0または1であり、bは0,1,2
または3であり、a+bの合計はせいぜい3である)で
表わされる基である〕で表わされるケイ素化合物の製造
方法において、一般式RaSi(NR^1_2)_4_
−_a(この式においてR,R^1およびaは前記の意
味を持つ)で表わされるケイ素化合物を、一般式 HON=X (この式においてXは前記の意味を持つ)で表わされる
オキシムと反応させることを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2719008.5 | 1977-04-28 | ||
| DE19772719008 DE2719008A1 (de) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | Verfahren zum herstellen von ueber sauerstoff an silicium gebundene oximgruppen aufweisenden siliciumverbindungen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53135937A JPS53135937A (en) | 1978-11-28 |
| JPS604837B2 true JPS604837B2 (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=6007550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53049376A Expired JPS604837B2 (ja) | 1977-04-28 | 1978-04-27 | 酸素を介してケイ素に結合したオキシム基を有するケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4126630A (ja) |
| JP (1) | JPS604837B2 (ja) |
| AU (1) | AU521453B2 (ja) |
| BE (1) | BE866475A (ja) |
| CA (1) | CA1110645A (ja) |
| DE (1) | DE2719008A1 (ja) |
| FR (1) | FR2388820A1 (ja) |
| GB (1) | GB1580595A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55120516A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Antitumor drug comprising organic silicon compound as chief ingredient |
| US4400527A (en) * | 1981-12-17 | 1983-08-23 | Allied Corporation | Producing oximinosilanes, oximinogermanes and oximinostannanes |
| US4380660A (en) * | 1982-07-01 | 1983-04-19 | Allied Corporation | Producing alkoxysilanes and alkoxy-oximinosilanes |
| US4384131A (en) * | 1982-07-13 | 1983-05-17 | Union Carbide Corporation | Process for the preparation of oximatohydridosilanes and aminoxyhydridosilanes |
| DE3303649A1 (de) * | 1983-02-03 | 1984-08-09 | Wacker-Chemie GmbH, 8000 München | Unter ausschluss von wasser lagerfaehige, bei zutritt von wasser bei raumtemperatur zu elastomeren vernetzende massen |
| DE3633382A1 (de) * | 1986-10-01 | 1988-04-14 | Amazonen Werke Dreyer H | Antriebsvorrichtung |
| US4705878A (en) * | 1987-02-25 | 1987-11-10 | Dow Corning Corporation | Method for preparing aminohydrocarbyl-substituted ketoximosilanes |
| JPH0757757B2 (ja) * | 1990-10-22 | 1995-06-21 | 信越化学工業株式会社 | オキシムシランの着色防止方法 |
| DE69221586T2 (de) * | 1991-11-13 | 1998-01-08 | Shinetsu Chemical Co | Verfahren zur Herstellung von Oximinosilanverbindung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE754740A (fr) * | 1969-08-13 | 1971-02-12 | Wacker Chemie Gmbh | Procede de preparation de matieres a base d'organopolysiloxanes |
| BE758713A (fr) * | 1969-11-12 | 1971-05-10 | Rhone Poulenc Sa | Iminoxyorganoxysilanes |
| US3839386A (en) * | 1970-12-30 | 1974-10-01 | Stauffer Chemical Co | Oximo endblocked disiloxanes and process therefor |
| JPS5176228A (en) * | 1974-12-26 | 1976-07-01 | Shinetsu Chemical Co | Oruganoshiranno seizohoho |
-
1977
- 1977-04-28 DE DE19772719008 patent/DE2719008A1/de active Granted
-
1978
- 1978-03-16 US US05/887,168 patent/US4126630A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-04-07 GB GB13763/78A patent/GB1580595A/en not_active Expired
- 1978-04-24 AU AU35425/78A patent/AU521453B2/en not_active Expired
- 1978-04-26 CA CA302,052A patent/CA1110645A/en not_active Expired
- 1978-04-27 BE BE187193A patent/BE866475A/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-04-27 FR FR7812470A patent/FR2388820A1/fr active Granted
- 1978-04-27 JP JP53049376A patent/JPS604837B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2388820B1 (ja) | 1980-04-04 |
| FR2388820A1 (fr) | 1978-11-24 |
| BE866475A (fr) | 1978-10-27 |
| GB1580595A (en) | 1980-12-03 |
| DE2719008A1 (de) | 1978-11-02 |
| AU3542578A (en) | 1979-11-01 |
| CA1110645A (en) | 1981-10-13 |
| AU521453B2 (en) | 1982-04-01 |
| JPS53135937A (en) | 1978-11-28 |
| DE2719008C2 (ja) | 1988-05-05 |
| US4126630A (en) | 1978-11-21 |
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