JPS6048860B2 - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
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- JPS6048860B2 JPS6048860B2 JP7737179A JP7737179A JPS6048860B2 JP S6048860 B2 JPS6048860 B2 JP S6048860B2 JP 7737179 A JP7737179 A JP 7737179A JP 7737179 A JP7737179 A JP 7737179A JP S6048860 B2 JPS6048860 B2 JP S6048860B2
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- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
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- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/49—Pick-up adapted for an input of electromagnetic radiation other than visible light and having an electric output, e.g. for an input of X-rays, for an input of infrared radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、赤外線像、あるいは熱線像を撮像するための
撮像管に関する。
撮像管に関する。
(従来の技術)
赤外線像を撮像する撮像管として数多くの提案がされて
いる。
いる。
代表的なものとして、光導電形の光電面を用いた赤外線
ビジコンや、焦電効果素子をターゲットに用いたビジコ
ンが知られている。
ビジコンや、焦電効果素子をターゲットに用いたビジコ
ンが知られている。
熱による温度変化に対応した電荷が結晶に現れることを
焦電効果という。(発明が解決しようとする問題点) 前記光導電形の光電面を用いた赤外線ビジコンは近赤外
領域では極めて有効であるが、より長い波長により形成
される像の測定には適さないとか、場合によつては冷却
が必要になる等の問題がある。
焦電効果という。(発明が解決しようとする問題点) 前記光導電形の光電面を用いた赤外線ビジコンは近赤外
領域では極めて有効であるが、より長い波長により形成
される像の測定には適さないとか、場合によつては冷却
が必要になる等の問題がある。
また焦電効果素子をターゲットに用いたビジコンは、入
射する赤外線をチョッパ等によつてj断続する必要があ
るとか、撮像光学系が複雑になるという問題がある。本
発明の目的はすでに提案されている赤外線または熱線像
の撮像装置とは全く異なる動作原理により、極めて簡単
な構成で赤外線像、あるいは熱・線像を撮像するための
撮像管を提供することにある。
射する赤外線をチョッパ等によつてj断続する必要があ
るとか、撮像光学系が複雑になるという問題がある。本
発明の目的はすでに提案されている赤外線または熱線像
の撮像装置とは全く異なる動作原理により、極めて簡単
な構成で赤外線像、あるいは熱・線像を撮像するための
撮像管を提供することにある。
(問題を解決するための手段)
前記目的を達成するために本発明による撮像管は、入射
窓を有する真空気密容器と、前記入射窓の内面に設けら
れ、赤外線を透過させかつ電子を受けいれる面状の電極
と、多数のガラス管を結束した形状で、各チャンネルの
内壁の表面に二次電子放出特性をもちその部分の温度が
上昇すると抵抗値が小さくなる層が形成されており、前
記各チャンネル内壁の一方端に第1の面が、前記各チャ
ンネル内壁の他方端に前記第1の面と平行な第2の面が
設けられており、前記第1の面を前記面状J電極に近接
させて前記真空容器内に配置されている変調器と、前記
変調器の第2の面に向けて配置された電子銃と、前記電
子銃からの電子流を前記変調器の第2の面を掃引するよ
うに走査する走査手段とから構成されている。
窓を有する真空気密容器と、前記入射窓の内面に設けら
れ、赤外線を透過させかつ電子を受けいれる面状の電極
と、多数のガラス管を結束した形状で、各チャンネルの
内壁の表面に二次電子放出特性をもちその部分の温度が
上昇すると抵抗値が小さくなる層が形成されており、前
記各チャンネル内壁の一方端に第1の面が、前記各チャ
ンネル内壁の他方端に前記第1の面と平行な第2の面が
設けられており、前記第1の面を前記面状J電極に近接
させて前記真空容器内に配置されている変調器と、前記
変調器の第2の面に向けて配置された電子銃と、前記電
子銃からの電子流を前記変調器の第2の面を掃引するよ
うに走査する走査手段とから構成されている。
(実施例)
以下、面図等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第1図は、本発明の撮像管の縦断面に偏向コイルと出力
回路の一部を加えた図である。
回路の一部を加えた図である。
ガラス製の円筒状気密容器1の入射窓2を形成する面に
は、赤外線を散乱することなく透過するために弗化カル
シウムの平板からなる窓に設けられている。
は、赤外線を散乱することなく透過するために弗化カル
シウムの平板からなる窓に設けられている。
前記真空容器の窓2に対向する面には、後述す−る各電
極に動作の電圧を与えるための導入線11・・・・・・
11が植設されている。
極に動作の電圧を与えるための導入線11・・・・・・
11が植設されている。
平面状電極3は、前記入射窓2に平行に配置されており
、入射光を実質的に遮らず、かつ、後述する変調器4か
ら放出される信号電子を充分に捕.獲する程度の開孔率
をもつメッシュ状電極により形成されている。
、入射光を実質的に遮らず、かつ、後述する変調器4か
ら放出される信号電子を充分に捕.獲する程度の開孔率
をもつメッシュ状電極により形成されている。
変調器4は、その第1の面が前記平面状電極3に平行に
なるように真空容器1内に配置されている。
なるように真空容器1内に配置されている。
第2図は変調器の拡大端面図てある。図中左こ側が前記
平面状電極に対向する面、右側が後述する電子銃側であ
る。この変調器4の基本的な構成は2次元電子増倍装置
として知られているマイクロチャンネルプレートの構成
と基本的には異ならない。
平面状電極に対向する面、右側が後述する電子銃側であ
る。この変調器4の基本的な構成は2次元電子増倍装置
として知られているマイクロチャンネルプレートの構成
と基本的には異ならない。
第1図では第1の面および第2の面に動作電圧を供給す
る手段を省略している。
る手段を省略している。
マイクロチャンネルプレートは196師項に発明(特公
昭39−3871,USP3128408等)され、実
用に供されている。
昭39−3871,USP3128408等)され、実
用に供されている。
従来のマイクロチャンネルプレートは光電面の発生した
電子をその発生位置を保つて増幅する用途等に広く用い
られている。
電子をその発生位置を保つて増幅する用途等に広く用い
られている。
マイクロチャンネルプレートは薄板に多数の近接した一
様な密度のチャンネルが設けられた特殊ガラスで形成さ
れており、チャンネルの内面は2次電子面として活性化
され、各チャンネルがそれぞれ独立した連続ダイノード
としての働きをする。
様な密度のチャンネルが設けられた特殊ガラスで形成さ
れており、チャンネルの内面は2次電子面として活性化
され、各チャンネルがそれぞれ独立した連続ダイノード
としての働きをする。
また前記各チャンネルの内壁は、わずかな導電性が与え
られている。この実施例による変調器4はチャンネル(
細い孔)の内壁の表面に酸化鉛の層を形成した内径20
μm程度のチャンネルを60万本程度有する円板状の形
状で、両端面は平行な平面となつている。
られている。この実施例による変調器4はチャンネル(
細い孔)の内壁の表面に酸化鉛の層を形成した内径20
μm程度のチャンネルを60万本程度有する円板状の形
状で、両端面は平行な平面となつている。
厚さは177177Eで、平行な2つの面にそれぞれア
ルミニウムの薄膜で形成した電極面が形成されている。
前記酸化鉛の層は2次電子放出能をもち、比較的小さい
導電性が与えられている。しかし、酸化鉛の層の温度が
上昇すると、その温度の上昇した部分の抵抗値が低くな
る。第2図には略4つのチャンネルが示されており、各
チャンネルの中心軸を含む平面で切断されている。
ルミニウムの薄膜で形成した電極面が形成されている。
前記酸化鉛の層は2次電子放出能をもち、比較的小さい
導電性が与えられている。しかし、酸化鉛の層の温度が
上昇すると、その温度の上昇した部分の抵抗値が低くな
る。第2図には略4つのチャンネルが示されており、各
チャンネルの中心軸を含む平面で切断されている。
チャンネルの中心軸は前記入射窓の中心と後述する電子
銃を結ぷ線に対して傾けられている。
銃を結ぷ線に対して傾けられている。
図中A,bは赤外線の光路例、cは電子ビームの軌跡の
例を示している。電極5,6,7および8は、電子線を
加速する電極を形成している。熱電子源9と前記電極9
により電子銃が形成されている。真空容器1の外側には
、前記電子銃からの細いビーム径の電子を偏向して変調
器4の第2の面を掃引させるための偏向コイル10が設
けられている。
例を示している。電極5,6,7および8は、電子線を
加速する電極を形成している。熱電子源9と前記電極9
により電子銃が形成されている。真空容器1の外側には
、前記電子銃からの細いビーム径の電子を偏向して変調
器4の第2の面を掃引させるための偏向コイル10が設
けられている。
破線て示す回路12は、前述した平面状の電極に動作電
圧を供給し、変調器4で変調された信号の交流成分を取
出すための回路を形成している。図示されていない回路
および前記回路12により前記撮像管の各部の電極に次
のような動作電圧を与える。
圧を供給し、変調器4で変調された信号の交流成分を取
出すための回路を形成している。図示されていない回路
および前記回路12により前記撮像管の各部の電極に次
のような動作電圧を与える。
平面状電極(メッシュ状電極)3 ・・・1260V変
調器4の平面状電極に対向する面 ・・・1250V変
調器4の電子銃側の面 ・・・250V加速電極5およ
び6 ・・・250V 加速電極7 ・・・250V 電極8 ・・・−50V 熱電子源9 ・・・0V 平面状電極(メッシュ状電極)3の電圧は、変調器4の
対向する面の電圧より大きく、増倍された電子は平面状
電極3に捕捉さる。
調器4の平面状電極に対向する面 ・・・1250V変
調器4の電子銃側の面 ・・・250V加速電極5およ
び6 ・・・250V 加速電極7 ・・・250V 電極8 ・・・−50V 熱電子源9 ・・・0V 平面状電極(メッシュ状電極)3の電圧は、変調器4の
対向する面の電圧より大きく、増倍された電子は平面状
電極3に捕捉さる。
前記撮像管の前記状態で、図示してない駆動電源によつ
て偏向コイル10を駆動することにより、電子銃の電子
線が変調器4の第2の面を掃引している状態で入射窓2
を通して変調器4の第1の面に図示しない光学手段で赤
外線像を投影する。
て偏向コイル10を駆動することにより、電子銃の電子
線が変調器4の第2の面を掃引している状態で入射窓2
を通して変調器4の第1の面に図示しない光学手段で赤
外線像を投影する。
赤外線像を形成する赤外線はその強度に応じて、前述し
チャンネルの左側の部分を加熱する。その結果、チャン
ネルの左側の部分に、入射赤外線に対応する温度変化が
現れる。この温度の変化つまり、赤外線の入射量により
変調器4のチャンネルごとの増倍率が変えられる。
チャンネルの左側の部分を加熱する。その結果、チャン
ネルの左側の部分に、入射赤外線に対応する温度変化が
現れる。この温度の変化つまり、赤外線の入射量により
変調器4のチャンネルごとの増倍率が変えられる。
つまり赤外線像により増倍率が変調される。この動作機
構をさらに第3図、第4図を参照して説明する。第3図
は、前記変調器のチャンネル内の電位勾配を示すグラフ
である。
構をさらに第3図、第4図を参照して説明する。第3図
は、前記変調器のチャンネル内の電位勾配を示すグラフ
である。
図において横軸は第2図に示したチャンネルの管軸方向
の位置に対応し、縦軸は当該位置に対応する電圧を示す
。
の位置に対応し、縦軸は当該位置に対応する電圧を示す
。
X軸の左端は変調器4の平面状電極3に対応する面に相
当し、この点での各チャンネルの電圧は前述したように
1250Vである。
当し、この点での各チャンネルの電圧は前述したように
1250Vである。
X軸の右端は変調器4の電子銃側の面に相当jし、この
点での各チャンネルの電圧は前述したように250Vで
ある。
点での各チャンネルの電圧は前述したように250Vで
ある。
理解を容易にするために第2図に関連して次のような赤
外線像のモデルを設定する。
外線像のモデルを設定する。
第2図に示すチャンネル41に矢印aで示す強度単位2
の赤外線が入射し、チャンネル43に矢印bで示す強度
単位置の赤外線が入射し、チャンネル42には赤外線が
入射しなかつたとする。
の赤外線が入射し、チャンネル43に矢印bで示す強度
単位置の赤外線が入射し、チャンネル42には赤外線が
入射しなかつたとする。
チャンネル内壁の赤外線に照射した部分、およびその近
辺の温度は入射した赤外線の量に応じて フ上昇する。
各チャンネルの内壁面は、前述のように酸化鉛層が形成
されており、酸化鉛はn形半導体であるため、温度の上
昇に伴つて電気抵抗が下る。
辺の温度は入射した赤外線の量に応じて フ上昇する。
各チャンネルの内壁面は、前述のように酸化鉛層が形成
されており、酸化鉛はn形半導体であるため、温度の上
昇に伴つて電気抵抗が下る。
第3図に示す線Cは、赤外線が入射しなかつたチャンネ
ル42にの電位勾配を示す。チャンネル42に内の導電
率は均一であるから電位勾配は直線となる。第3図に示
す線Bは、強度単位置の赤外線が入射したチャンネル4
3の電位勾配を示す。
ル42にの電位勾配を示す。チャンネル42に内の導電
率は均一であるから電位勾配は直線となる。第3図に示
す線Bは、強度単位置の赤外線が入射したチャンネル4
3の電位勾配を示す。
赤外線が入射した平面状電極3側の温度上昇のために、
抵抗値が減少し、図示のような曲線となる。同様にして
、チャンネル41には、2強度単位の赤外線が入射する
ので、さらに抵抗値の低い領域が拡大される。第4図は
変調器の第2面側から均一な電子ビームて照射したとき
の赤外線の入射強度と電子増倍率の関係を示すグラフで
ある。
抵抗値が減少し、図示のような曲線となる。同様にして
、チャンネル41には、2強度単位の赤外線が入射する
ので、さらに抵抗値の低い領域が拡大される。第4図は
変調器の第2面側から均一な電子ビームて照射したとき
の赤外線の入射強度と電子増倍率の関係を示すグラフで
ある。
第4図に示すA,B,Cの各点は前述したチャンネル4
1,43,42の増倍率を示している。
1,43,42の増倍率を示している。
この図から赤外線の入射量が大きいほど、増倍率が低下
していることが理解できる。これは、抵抗値の減少する
領域が大きくなると2次電子増倍を行う領域が短くなる
から増倍率が低下すると考えてよい。
していることが理解できる。これは、抵抗値の減少する
領域が大きくなると2次電子増倍を行う領域が短くなる
から増倍率が低下すると考えてよい。
走査コイル10により順次変調器4の第2の面の異なる
位置にもたらされた電子ビームは対応するチャンネルで
増倍され、増倍された電子は変調器4の第1の面から平
面状電極3に到達する。
位置にもたらされた電子ビームは対応するチャンネルで
増倍され、増倍された電子は変調器4の第1の面から平
面状電極3に到達する。
換言すれば、その電子に相当する電流が回路12の電源
から供給される。この電流により電源と前記平面状電極
3を接続する抵抗に電圧降下が生じるので、この変動が
コンデンサを介して外部回路に取り出される。
から供給される。この電流により電源と前記平面状電極
3を接続する抵抗に電圧降下が生じるので、この変動が
コンデンサを介して外部回路に取り出される。
理解を容易にするためにチャンネル単位の説明を行つた
が、隣接するチャンネルから同時に出力が得られても問
題は生じない。前記チャンネルの数は通常のテレビジョ
ン方式・の画素の数またはそれ以上に対応するものであ
る。
が、隣接するチャンネルから同時に出力が得られても問
題は生じない。前記チャンネルの数は通常のテレビジョ
ン方式・の画素の数またはそれ以上に対応するものであ
る。
したがつて、電子銃と偏向コイル10によつて、一定の
密度と径の電子線で変調器の面を走査すれば、平面状電
極3から赤外線像の映像信号を得ることができる。;(
発明の効果) 以上詳しく説明したように、本発明による撮像管は、入
射窓を有する真空気密容器内にチャンネルの内壁が2次
電子放出特性をもち、その部分の温度が上昇すると抵抗
値が小さくなるマイクロチヤンネルプレート状の変調器
を内蔵し、電子ビームで前記チャンネルの増倍率の変化
を取り出すように構成してある。
密度と径の電子線で変調器の面を走査すれば、平面状電
極3から赤外線像の映像信号を得ることができる。;(
発明の効果) 以上詳しく説明したように、本発明による撮像管は、入
射窓を有する真空気密容器内にチャンネルの内壁が2次
電子放出特性をもち、その部分の温度が上昇すると抵抗
値が小さくなるマイクロチヤンネルプレート状の変調器
を内蔵し、電子ビームで前記チャンネルの増倍率の変化
を取り出すように構成してある。
したがつて、赤外線像の強度に対応する映像信号を電子
ビームの走査により取り出すことができる。構造は簡単
であるが、赤外線像を温度の変化に変換して撮像するも
のであるから、従来の光導電形の光電面を用いた赤外線
ビジコンのように赤外線の波長分布の影響を受けにくい
という特徴が得られる。
ビームの走査により取り出すことができる。構造は簡単
であるが、赤外線像を温度の変化に変換して撮像するも
のであるから、従来の光導電形の光電面を用いた赤外線
ビジコンのように赤外線の波長分布の影響を受けにくい
という特徴が得られる。
また前述した焦電形の装置に比較して撮像光学系が簡単
になるという特徴も得られる。
になるという特徴も得られる。
第1図は、本発明の撮像管の縦断面図および関連する回
路を示した図である。 第2図は本発明て使用する変調器をその複数のチャンネ
ルの中心軸を含む平面て切断したときの部分拡大端面図
てある。第3図は、前記変調器のチャンネル内の電位勾
配を示すグラフである。第4図は、前記変調器の変調特
性を示すグラフである。1 ・・・円筒状気密容器、2
・・・気密容器の入射窓、3・・・平面状電極、4・・
・変調器、5,6,7,8・・・電子線を加速する電極
、9・・・熱電子源、8,9・・・電子銃、10・・・
偏向コイル、11・・・・・・・・・11・・・導入線
、12・・・平面状電極の動作電圧供給および信号取り
出し回路、41,42,43・・・変調器のチャンネル
。
路を示した図である。 第2図は本発明て使用する変調器をその複数のチャンネ
ルの中心軸を含む平面て切断したときの部分拡大端面図
てある。第3図は、前記変調器のチャンネル内の電位勾
配を示すグラフである。第4図は、前記変調器の変調特
性を示すグラフである。1 ・・・円筒状気密容器、2
・・・気密容器の入射窓、3・・・平面状電極、4・・
・変調器、5,6,7,8・・・電子線を加速する電極
、9・・・熱電子源、8,9・・・電子銃、10・・・
偏向コイル、11・・・・・・・・・11・・・導入線
、12・・・平面状電極の動作電圧供給および信号取り
出し回路、41,42,43・・・変調器のチャンネル
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 入射窓を有する真空気密容器と、前記入射窓の内面
に設けられ、赤外線を透過させかつ電子を受けいれる面
状の電極と、多数のガラス管を結束した形状で、各チャ
ンネルの内壁の表面に二次電子放出動性をもちその部分
の温度が上昇すると抵抗値が小さくなる層が形成されて
おり、前記各チャンネル内壁の一方端に第1の面が、前
記チャンネル内壁の他方端に前記第1の面と平行な第2
の面が設けられており、前記第1の面を前記面状電極に
近接させて前記真空容器内に配置されている変調器と、
前記変調器の第2の面に向けて配置された電子銃と、前
記電子銃からの電子流を前記変調器の第2の面を掃引す
るように走査する走査手段とから構成した撮像管。 2 前記二次電子放出特性をもちその部分の温度が上昇
すると抵抗値が小さくなる層は酸化鉛である特許請求の
範囲第1項記載の撮像管。 3 前記面状電極はメッシュ電極である特許請求の範囲
第1項記載の撮像管。 4 前記変調器の各チャンネルの管軸は前記入射窓の中
心と前記電子銃を結ぶ線に対して傾けられている特許請
求の範囲第1項記載の撮像管。 5 前記走査手段は偏向コイルである特許請求の範囲第
1項記載の撮像管。 6 前記入射窓は弗化カルシウムの平板である特許請求
の範囲第1項記載の撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7737179A JPS6048860B2 (ja) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7737179A JPS6048860B2 (ja) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS561449A JPS561449A (en) | 1981-01-09 |
| JPS6048860B2 true JPS6048860B2 (ja) | 1985-10-29 |
Family
ID=13632033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7737179A Expired JPS6048860B2 (ja) | 1979-06-18 | 1979-06-18 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048860B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366959U (ja) * | 1986-07-09 | 1988-05-06 |
-
1979
- 1979-06-18 JP JP7737179A patent/JPS6048860B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366959U (ja) * | 1986-07-09 | 1988-05-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS561449A (en) | 1981-01-09 |
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