JPS6049231A - 多重層モノクロメ−タとそれを用いた多重層モノクロメ−タ装置 - Google Patents
多重層モノクロメ−タとそれを用いた多重層モノクロメ−タ装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体結晶層料の結晶１ソ１を？１見察するた
めの多重層モノクロメークと、それを利用した３重層モ
ノクロメータ装置に関するものである。。 〔発明の背景〕 従来、半導体４ＡＦｌの結晶１ソ１を観察する「段とし
てはＬａｕｅ法、Ｂｅｒｇ −ＢａｒｃＬＬ法かあった
。ｌこ、（ｌ＋ッｕ）方法は金属陰極から放射される１
１性Ｘ線をツリーツノ、ゲルマニウム等の単結晶モノク
■１メータにより分光し、この１−ｙ性Ｘ線を結晶材料
に照射してフラッグ条件をＭ：＋：ｉ足する反射面にお
ける反！Ａ−１’ Ｘ線の強弱から結晶の良否の情報を
１１１でいた１、！１１に３．１１品表面近くの結晶性
をＢｃｒｇ−ＢａｒｃＬＬ法により観察する場合には金
属陰極としてＣｒ、 Ｃ（１，ＣＬ、、 ＭＯ。 Ａｇ等か用いられる。これらの全社；１（ス極によるｒ
ｊ性Ｘ線の波長はＣｒ ： ２２８ｃ＞６Δ、ＣＯ：
１．７８８！］ Ａ、あり、４＋Ｊ性Ｘ線か結晶に侵入
する深さｆＪ、Ａ１４゜Ｍｏ ） Ｃｕ ） ＣＯ、＞
Ｃｒ ノ順＋ｃ ５：ｔノ＜なり、４金ｂ：ｉ Ｉ’
、２４”＋ｌを変えて特定な反射面での反射を行うと順
次表面近傍の結晶性の情報が得られる。各陰極を月１い
て−Ｊｌ対称反射によりＩｎ Ｐ （１００） 結晶で
との程度の深さ才での情報か？！Ｉられるかを第１図に
示す。低次の（Ｉｌｌ ）反射条件は２ｊｉ：ｉ足され
ないので（／１２２）（”、、ｒ ］ ］、 ）の反射
而を使用した。このＩＩ′ｌのＸ線の消衰ｉ／１ｉｉｌ
ｌｌｔｉｌｌ！ 、 ｔｕ ＝ ’／２Ｓ 、 Ｓ ＝
ｒｅλ／ｖｓｉｎ ｅＢ ・Ｆｇて７ｊりめられる。 ここで’ｅ ＝ ｅ２／ｍｃ２、■は単位体積、λは波
長、Ｆｇは構造因子である。またＸ線か結晶に侵入する
深さＺは、非対称反則によって（１，００）而に傾いて
入射したＸ線の浦哀距ｉ１ｆ： ＬＬｌにｆＬ〔ｉさｆ
ｆＪ ｃｔ ）正弦を乗したもので、Ｚ ＝ １１ Ｘ
ｓｉｎαである。この結果から反射面とＸ線の波長を
適゛１１に組合ぜることによって、表面から５０ＯＡ近
傍における１１１１品性の情ｆｌｕが得られることを示
唆され、さらにＸ線の波長を長くすることと低次の非対
称反射面を使用すれば上記消衰距離の式から、より表面
返イ兄の’１１’ｉ報かｊＩＪられるものと朋ｉ、’ｊ
される。１しかしさらに長い波長が利用できる金属陰極
は存在しない。また広い波長分布をもつ放射光（Ｓ Ｏ
Ｒ）を利用したトボクラフ撮影ては、Ｓｉｕ、＋、＋）
、Ｇｃ（１１１）、Ｌｉ Ｆ （１００）等のモノクロ
メータを用い、ブラックの反則条イ’１２ｃｌ ｓｉｎ
ｅ ＝ ｎλを’ｄ：ｌ：」足する波長の放射光を分
光している。第２図は各Ｉ・トモノクロメークの種類と
分光領域の波長を示し、図におけるＬ２，３はそれぞれ
Ｓｉ（＋＋＋）、ＧＣ（＋＋＋）、１ｉＦ（，１００）
のモノクロメータ、４および、５はそれそＡｔＧａＡｓ
と、’Ｖ Ａｓの多重層モノクロメータ素子と軟Ｘ線に
よる多重層モノクロメータおよび回＋Ｊｉ格Ｊ’を用い
たモノクし了メータを・」＜ず。」−記第２図に小すよ
うに５ｉ（１１１）、Ｇｅ（１１，］）、ＬｉＦ（１０
０）のモノクロメータｌ、 ２．３はいずれも波長領域
か１：＋ｊ、 ＜ 、波長かより長い５Ａ近傍領域の分
光はできていんずい１゜また回折格子を用いるモノクロ
メーク５てはｊ）Ａ程度の回折格子を正確に作り出すこ
とか９１１ Ｌ ＜ 実用的なものが存在しない。 〔発明の目的〕 本発明は５Ａ近傍領域の軟Ｘ線を分光する超惰ｒ−の多
層（１１４造によって形成された多重層モノクロメータ
を１！）るとともに、この多千層モノク
めの多重層モノクロメークと、それを利用した３重層モ
ノクロメータ装置に関するものである。。 〔発明の背景〕 従来、半導体４ＡＦｌの結晶１ソ１を観察する「段とし
てはＬａｕｅ法、Ｂｅｒｇ −ＢａｒｃＬＬ法かあった
。ｌこ、（ｌ＋ッｕ）方法は金属陰極から放射される１
１性Ｘ線をツリーツノ、ゲルマニウム等の単結晶モノク
■１メータにより分光し、この１−ｙ性Ｘ線を結晶材料
に照射してフラッグ条件をＭ：＋：ｉ足する反射面にお
ける反！Ａ−１’ Ｘ線の強弱から結晶の良否の情報を
１１１でいた１、！１１に３．１１品表面近くの結晶性
をＢｃｒｇ−ＢａｒｃＬＬ法により観察する場合には金
属陰極としてＣｒ、 Ｃ（１，ＣＬ、、 ＭＯ。 Ａｇ等か用いられる。これらの全社；１（ス極によるｒ
ｊ性Ｘ線の波長はＣｒ ： ２２８ｃ＞６Δ、ＣＯ：
１．７８８！］ Ａ、あり、４＋Ｊ性Ｘ線か結晶に侵入
する深さｆＪ、Ａ１４゜Ｍｏ ） Ｃｕ ） ＣＯ、＞
Ｃｒ ノ順＋ｃ ５：ｔノ＜なり、４金ｂ：ｉ Ｉ’
、２４”＋ｌを変えて特定な反射面での反射を行うと順
次表面近傍の結晶性の情報が得られる。各陰極を月１い
て−Ｊｌ対称反射によりＩｎ Ｐ （１００） 結晶で
との程度の深さ才での情報か？！Ｉられるかを第１図に
示す。低次の（Ｉｌｌ ）反射条件は２ｊｉ：ｉ足され
ないので（／１２２）（”、、ｒ ］ ］、 ）の反射
而を使用した。このＩＩ′ｌのＸ線の消衰ｉ／１ｉｉｌ
ｌｌｔｉｌｌ！ 、 ｔｕ ＝ ’／２Ｓ 、 Ｓ ＝
ｒｅλ／ｖｓｉｎ ｅＢ ・Ｆｇて７ｊりめられる。 ここで’ｅ ＝ ｅ２／ｍｃ２、■は単位体積、λは波
長、Ｆｇは構造因子である。またＸ線か結晶に侵入する
深さＺは、非対称反則によって（１，００）而に傾いて
入射したＸ線の浦哀距ｉ１ｆ： ＬＬｌにｆＬ〔ｉさｆ
ｆＪ ｃｔ ）正弦を乗したもので、Ｚ ＝ １１ Ｘ
ｓｉｎαである。この結果から反射面とＸ線の波長を
適゛１１に組合ぜることによって、表面から５０ＯＡ近
傍における１１１１品性の情ｆｌｕが得られることを示
唆され、さらにＸ線の波長を長くすることと低次の非対
称反射面を使用すれば上記消衰距離の式から、より表面
返イ兄の’１１’ｉ報かｊＩＪられるものと朋ｉ、’ｊ
される。１しかしさらに長い波長が利用できる金属陰極
は存在しない。また広い波長分布をもつ放射光（Ｓ Ｏ
Ｒ）を利用したトボクラフ撮影ては、Ｓｉｕ、＋、＋）
、Ｇｃ（１１１）、Ｌｉ Ｆ （１００）等のモノクロ
メータを用い、ブラックの反則条イ’１２ｃｌ ｓｉｎ
ｅ ＝ ｎλを’ｄ：ｌ：」足する波長の放射光を分
光している。第２図は各Ｉ・トモノクロメークの種類と
分光領域の波長を示し、図におけるＬ２，３はそれぞれ
Ｓｉ（＋＋＋）、ＧＣ（＋＋＋）、１ｉＦ（，１００）
のモノクロメータ、４および、５はそれそＡｔＧａＡｓ
と、’Ｖ Ａｓの多重層モノクロメータ素子と軟Ｘ線に
よる多重層モノクロメータおよび回＋Ｊｉ格Ｊ’を用い
たモノクし了メータを・」＜ず。」−記第２図に小すよ
うに５ｉ（１１１）、Ｇｅ（１１，］）、ＬｉＦ（１０
０）のモノクロメータｌ、 ２．３はいずれも波長領域
か１：＋ｊ、 ＜ 、波長かより長い５Ａ近傍領域の分
光はできていんずい１゜また回折格子を用いるモノクロ
メーク５てはｊ）Ａ程度の回折格子を正確に作り出すこ
とか９１１ Ｌ ＜ 実用的なものが存在しない。 〔発明の目的〕 本発明は５Ａ近傍領域の軟Ｘ線を分光する超惰ｒ−の多
層（１１４造によって形成された多重層モノクロメータ
を１！）るとともに、この多千層モノク
【コメータを用
いて結晶の極表面の構造をトポクラフ的に観察−Ｃきる
多重層モノクロメータ装置を７ｉｊることを目的とする
。 〔発明の概要〕 −に記の目的を達成するために本発明による多重層モノ
クロメータは基板結晶−１−に交１口こ順次成長させた
２種３ｆｊの半導体結晶層よりなる超格子（Ｉ１１′、
造の多・Ｒ層モノクロメータ素子と、該多重層上ツク１
］メータ素子に照射する放射光とにより・１１６成し、
−１−記放’Ｉｆ−１光を波長５人近傍領域の放射光に
分光するようにするとともに、」二記多正層モノクロメ
ータと、放射光を調づ′とする手段と、観察試料を固定
する試料台と、作見察試料からの反射光を検知する検知
２；：と、上記試料台および検知器を同時に移動さぜる
同１す１走査゛装置と４多重層モノクロメータ装置に？
１ｌｌＩえることによって、観察試ｆ′Ｆ結晶の極表面
の構造を＋−；１４’タラフ的に観察てきるようにした
ち（・１）である５゜ 〔究明の実施例〕 −）きに奉スと明の実施例を図面とともに説明する。 第３図は本発明による多重１＋’７ｉモノク■」メータ
の一実施例における多重層モノクロメータ、”ｔ’；−
Ｆ′の［１）１面図、第４図は本発明による１、記名Φ
層千ツクＩＴメータを用いた多重層モノクロメータ装置
の一実施例の構成を示す図、第５図は七記実ｈ１１！例
のご中層モノクロメークシし置による化合物産、導体の
極表面の１ｆ見察を説明する図、第（１図は七記多中層
士ノクロメータにより分光された軟Ｘ線の波長と該軟Ｘ
線か結晶に侵入する深さとの関係を示す図である。 第゛３図は基板となる結晶層として（ｉａ Ａｓ Ｉｐ
’ｉ’ ６ ”：ｉ用い、その」二にＡｅΔ８層７とＧ
、ＪＡｓｌｌｌｉ （’＋とを順次交互にエビタキソヤ
ル成長させた化合物゛１″−］、９層により構成した多
１Ｆ層モノクロメータ素ｒ・のＩ）Ｕｒ而面である。Ｇ
ａＡｓ層６およびＡｆｆＡｓ層７はそれぞ、ＩＩ単層で
２．８ Ａの厚さに形成され、本実施例ではこれらの各
層６および７をそれぞれ４層づつ交Ｉ１．に爪ねて・団
烙ｒ−の多層構造にしたものである５、１記多東層モノ
クロメータ索ｒ・を、軟Ｘ線の人躬尤との角度か７２゛
′になるように傾けて、入射「１φζＸ ４１（かこの
結晶上の超格子周期でフラッグ反射を生しるようにする
と、波長５６人の放射光が分光された。 第４図にン」（ず本発明による多重層モノクロメータ装
置の実施１タリは、放射光源８からの放射光９に、）、
る入射光経路−１−に入射スリット１０を介して多重層
モノクロメータ素子１１を装７１シたコニオメーク１２
を設置し、Ｊ−記入射光経路に対して多重層モノク「１
メーク素子１１を傾は所定の入射角が１１去られるよう
にしている。上記のにうに本実施例の放射光調整手段と
してはスリット１０および１３とともにコニオメータ１
２を用いているか多重層モノクロメータ素−ｒ用１に対
する放射光の所定入射角か調１′トてきれは他の１段を
用いてもよい。観察試料１４を固定した試料台１５と観
察試料１４からの反４・１光を検知する検知器］６とは
同期走査装置１７によって同１１１に移動できるように
構成されている。放射光源８から軟Ｘ線を照射しこの軟
Ｘ線の入射光経路にスｊして３Φ層モノクロメータ素Ｔ
−１１の反則角度をＯに設定すると、多重層間での反射
を’／＋：ｌ：’ｒ足するフラッグの条件２１）ｓｉｎ
（’、？ ＝ ｎλｏ（Ｄは超格子の距ｉ！１ｆＥ）に
従うスペクトルが分光さ′４Ｌる。この分光さイ＋た波
長λ０の軟Ｘ線により観察試料１／ｌの！１１定な反則
面ての反射を観察することができる。、このとき右、の
波長は反則面の格子間圧：？ＩＩ （Ｉとの間に上記の
フラッグの条件を／＋：ｌ：ｉ していなけ４１、ばな
らない３、？川内には反則面で反射した波長λ１．の軟
Ｘ線の強弱を（り冒１１器１６によって測定する。また
？１見察試料＋４を固定した試料台１５と検出器１６と
を同期走査装置１７て同１１゛１に移動させて、観察試
料１４の全面についてトポクラフ像を撮影することかで
きる。 観察試料として半導体化合物である■旧）（１０（’］
）結晶の極表面を、」−２実施例の多重層モノクロメー
タ装置を使用して（１］ １． ）非ズ１称反則のトボ
クンフ観察した例を第５図によって説明する。ｌ ｎ
Ｉ’（１，００）結晶Ｊ８の表面観察領域１９に５ＯＡ
の分ゲＩ−スペクトルを有する軟Ｘ線？Ｏを人身・１さ
せ、（Ｉｌｌ ）反則面２１て反射した軟Ｘ線を検出器
２２て観察した。。 （１００）面」二で（１１０）反則面２１は（＋００）
而にχ・Ｉ−Ｌ、てα＝５４°７４′傾いている。この
（Ｉｌｌ）反則面２１に回折角度ｅＢ ＝ ５６°で波
長５６ハの分光された軟Ｘ線２０を入射すると、ブラッ
グの条件をｈ：＋：５足して軟Ｘ線は反射する。このと
き入射光の消衰距離は約こうｏｏｏ入になる。一方、入
射光は約１．３°（（ｊｎ−α）の角度てｕｏｏｉｌｉ
ｉに入射しているので、実効的な−１−記のように５．
６ Ａ近傍の分光された波長の軟Ｘ線によって、従来不
ｉｓＪ能であった結晶の極表面におけるトポクラフ像か
観察された。−１−記検知器２２として写真乾板を用い
れはトボクラフ像を写真撮影することがてきる。ｌ】Ｐ
（１００）結晶て（］、］、ｌ）非対称反射を用いたと
きに軟Ｘ線が結晶に侵入する距離と波長との関係を第６
図に示す。実効的な深さは（ｓｉ＋１（θ１１−α））
ｘ３０００Ａで決まる。、従−３て分光さイまた軟Ｘ線
の波長が長くなると、／ｉ′ｉＱ距ｊｉｉｌｌはう１υ
くなるが入射角か大きくなるので、第（１図に示−４−
ように実効的には５．６Ａの波長で最も短くなる１゜同
図における斜線領域２３は非対称反射の入射角か）１（
仮？１１１品内にあり回折かできないｆｊｌ’ｊ域で、
Ｈ線領域２４ ｔｒｉフラ、グの条件を４５５足しない
領域である。 〔発明の効９１］ 上記のように本発明による多重層モノク
いて結晶の極表面の構造をトポクラフ的に観察−Ｃきる
多重層モノクロメータ装置を７ｉｊることを目的とする
。 〔発明の概要〕 −に記の目的を達成するために本発明による多重層モノ
クロメータは基板結晶−１−に交１口こ順次成長させた
２種３ｆｊの半導体結晶層よりなる超格子（Ｉ１１′、
造の多・Ｒ層モノクロメータ素子と、該多重層上ツク１
］メータ素子に照射する放射光とにより・１１６成し、
−１−記放’Ｉｆ−１光を波長５人近傍領域の放射光に
分光するようにするとともに、」二記多正層モノクロメ
ータと、放射光を調づ′とする手段と、観察試料を固定
する試料台と、作見察試料からの反射光を検知する検知
２；：と、上記試料台および検知器を同時に移動さぜる
同１す１走査゛装置と４多重層モノクロメータ装置に？
１ｌｌＩえることによって、観察試ｆ′Ｆ結晶の極表面
の構造を＋−；１４’タラフ的に観察てきるようにした
ち（・１）である５゜ 〔究明の実施例〕 −）きに奉スと明の実施例を図面とともに説明する。 第３図は本発明による多重１＋’７ｉモノク■」メータ
の一実施例における多重層モノクロメータ、”ｔ’；−
Ｆ′の［１）１面図、第４図は本発明による１、記名Φ
層千ツクＩＴメータを用いた多重層モノクロメータ装置
の一実施例の構成を示す図、第５図は七記実ｈ１１！例
のご中層モノクロメークシし置による化合物産、導体の
極表面の１ｆ見察を説明する図、第（１図は七記多中層
士ノクロメータにより分光された軟Ｘ線の波長と該軟Ｘ
線か結晶に侵入する深さとの関係を示す図である。 第゛３図は基板となる結晶層として（ｉａ Ａｓ Ｉｐ
’ｉ’ ６ ”：ｉ用い、その」二にＡｅΔ８層７とＧ
、ＪＡｓｌｌｌｉ （’＋とを順次交互にエビタキソヤ
ル成長させた化合物゛１″−］、９層により構成した多
１Ｆ層モノクロメータ素ｒ・のＩ）Ｕｒ而面である。Ｇ
ａＡｓ層６およびＡｆｆＡｓ層７はそれぞ、ＩＩ単層で
２．８ Ａの厚さに形成され、本実施例ではこれらの各
層６および７をそれぞれ４層づつ交Ｉ１．に爪ねて・団
烙ｒ−の多層構造にしたものである５、１記多東層モノ
クロメータ索ｒ・を、軟Ｘ線の人躬尤との角度か７２゛
′になるように傾けて、入射「１φζＸ ４１（かこの
結晶上の超格子周期でフラッグ反射を生しるようにする
と、波長５６人の放射光が分光された。 第４図にン」（ず本発明による多重層モノクロメータ装
置の実施１タリは、放射光源８からの放射光９に、）、
る入射光経路−１−に入射スリット１０を介して多重層
モノクロメータ素子１１を装７１シたコニオメーク１２
を設置し、Ｊ−記入射光経路に対して多重層モノク「１
メーク素子１１を傾は所定の入射角が１１去られるよう
にしている。上記のにうに本実施例の放射光調整手段と
してはスリット１０および１３とともにコニオメータ１
２を用いているか多重層モノクロメータ素−ｒ用１に対
する放射光の所定入射角か調１′トてきれは他の１段を
用いてもよい。観察試料１４を固定した試料台１５と観
察試料１４からの反４・１光を検知する検知器］６とは
同期走査装置１７によって同１１１に移動できるように
構成されている。放射光源８から軟Ｘ線を照射しこの軟
Ｘ線の入射光経路にスｊして３Φ層モノクロメータ素Ｔ
−１１の反則角度をＯに設定すると、多重層間での反射
を’／＋：ｌ：’ｒ足するフラッグの条件２１）ｓｉｎ
（’、？ ＝ ｎλｏ（Ｄは超格子の距ｉ！１ｆＥ）に
従うスペクトルが分光さ′４Ｌる。この分光さイ＋た波
長λ０の軟Ｘ線により観察試料１／ｌの！１１定な反則
面ての反射を観察することができる。、このとき右、の
波長は反則面の格子間圧：？ＩＩ （Ｉとの間に上記の
フラッグの条件を／＋：ｌ：ｉ していなけ４１、ばな
らない３、？川内には反則面で反射した波長λ１．の軟
Ｘ線の強弱を（り冒１１器１６によって測定する。また
？１見察試料＋４を固定した試料台１５と検出器１６と
を同期走査装置１７て同１１゛１に移動させて、観察試
料１４の全面についてトポクラフ像を撮影することかで
きる。 観察試料として半導体化合物である■旧）（１０（’］
）結晶の極表面を、」−２実施例の多重層モノクロメー
タ装置を使用して（１］ １． ）非ズ１称反則のトボ
クンフ観察した例を第５図によって説明する。ｌ ｎ
Ｉ’（１，００）結晶Ｊ８の表面観察領域１９に５ＯＡ
の分ゲＩ−スペクトルを有する軟Ｘ線？Ｏを人身・１さ
せ、（Ｉｌｌ ）反則面２１て反射した軟Ｘ線を検出器
２２て観察した。。 （１００）面」二で（１１０）反則面２１は（＋００）
而にχ・Ｉ−Ｌ、てα＝５４°７４′傾いている。この
（Ｉｌｌ）反則面２１に回折角度ｅＢ ＝ ５６°で波
長５６ハの分光された軟Ｘ線２０を入射すると、ブラッ
グの条件をｈ：＋：５足して軟Ｘ線は反射する。このと
き入射光の消衰距離は約こうｏｏｏ入になる。一方、入
射光は約１．３°（（ｊｎ−α）の角度てｕｏｏｉｌｉ
ｉに入射しているので、実効的な−１−記のように５．
６ Ａ近傍の分光された波長の軟Ｘ線によって、従来不
ｉｓＪ能であった結晶の極表面におけるトポクラフ像か
観察された。−１−記検知器２２として写真乾板を用い
れはトボクラフ像を写真撮影することがてきる。ｌ】Ｐ
（１００）結晶て（］、］、ｌ）非対称反射を用いたと
きに軟Ｘ線が結晶に侵入する距離と波長との関係を第６
図に示す。実効的な深さは（ｓｉ＋１（θ１１−α））
ｘ３０００Ａで決まる。、従−３て分光さイまた軟Ｘ線
の波長が長くなると、／ｉ′ｉＱ距ｊｉｉｌｌはう１υ
くなるが入射角か大きくなるので、第（１図に示−４−
ように実効的には５．６Ａの波長で最も短くなる１゜同
図における斜線領域２３は非対称反射の入射角か）１（
仮？１１１品内にあり回折かできないｆｊｌ’ｊ域で、
Ｈ線領域２４ ｔｒｉフラ、グの条件を４５５足しない
領域である。 〔発明の効９１］ 上記のように本発明による多重層モノク
【１メータは基
板結晶−Ｌに交互に順次成長させた：２（・ｔｉ ｙ１
’ｉの半導体結晶層よりなる超格子描込の多重層モノク
ロメータ素子と、該多重層モノクロメータ素Ｊ′に照射
する放射光とにより構成するから、１記数則光を波長５
入近傍領域の放射光に分）１−することかできるととも
に、上記多Φ、’ Ｉ！／ｉモノクＩＩメータを用いた
多重層モノクロメータ装置は、上記多Φ層士ノクロメー
タと、上記放射光を調整する［段と、観察試料を１．１
□１定する試料台と、観察試料からのＪ叉射光を検知す
る検知器と、上記ｉ１い′１台および検知器を同時に移
動させる同期走査装置ｉ’ｉとをｆ＋ｉｉ＋えたことに
」二って、波長５入近傍領域の分光された放射光を化合
物十樽体Ａ’ｉ品に入射させその反則）１Ｃ５を（６ミ
知するから、」−記結晶の極表面のトボクラフ像を観察
することかできる。 ４ 図面の而ｆｉｊ ！、ｉ説明 第１図はＩｎ Ｐ（１００）９１１１品の男λ１称反則
における特性Ｘ線の波長とＸ線か結晶に侵入する八−さ
との関係を示す図、第２図は各（・トニック【Ｊメ−り
の（・ト頚と分光領域の波長を示す図、第３しｊは本発
明に土ろ多ＩＲ層モノクロメータの一実施例における多
重層モノクロメータ装置の断面図、第４図は本臂明によ
る一Ｉ−記モクモツクメータを用いた多重層モノクし】
メータ装置の一実力伍例の構成を示す図、第５図は−１
−記実施例の多重層モノクロメータ装置による化合物半
導体の極表面の観察を説明する図、第に１ズ１は−１−
記名重層モノクロメータにより分光された軟Ｘ線の波長
と該軟Ｘ線か結晶に侵入する深さとの関係を示す図であ
る。 （Ｆ）、（仮結晶、半導体結晶層（Ｇ ａ Ａｓ ）７
゛１′ノ、ｑ体結晶層（Ａｊ？Ａ、ｓ）（］・放放光 光０・・入射スリット １２−・ゴニオメーク１３・・
反射ス’Ｊ ソト１４．１８・観察試料１５・・試料台
１６．２２・検知器 １７・同ｑ走査装置 １１許出願人 １−１本電信電話公？１゜代理人弁理士
中村純之助 ｍａＸ繞の液４！（λ） イＬえ４Ｑト戊の５皮黍 （入）
板結晶−Ｌに交互に順次成長させた：２（・ｔｉ ｙ１
’ｉの半導体結晶層よりなる超格子描込の多重層モノク
ロメータ素子と、該多重層モノクロメータ素Ｊ′に照射
する放射光とにより構成するから、１記数則光を波長５
入近傍領域の放射光に分）１−することかできるととも
に、上記多Φ、’ Ｉ！／ｉモノクＩＩメータを用いた
多重層モノクロメータ装置は、上記多Φ層士ノクロメー
タと、上記放射光を調整する［段と、観察試料を１．１
□１定する試料台と、観察試料からのＪ叉射光を検知す
る検知器と、上記ｉ１い′１台および検知器を同時に移
動させる同期走査装置ｉ’ｉとをｆ＋ｉｉ＋えたことに
」二って、波長５入近傍領域の分光された放射光を化合
物十樽体Ａ’ｉ品に入射させその反則）１Ｃ５を（６ミ
知するから、」−記結晶の極表面のトボクラフ像を観察
することかできる。 ４ 図面の而ｆｉｊ ！、ｉ説明 第１図はＩｎ Ｐ（１００）９１１１品の男λ１称反則
における特性Ｘ線の波長とＸ線か結晶に侵入する八−さ
との関係を示す図、第２図は各（・トニック【Ｊメ−り
の（・ト頚と分光領域の波長を示す図、第３しｊは本発
明に土ろ多ＩＲ層モノクロメータの一実施例における多
重層モノクロメータ装置の断面図、第４図は本臂明によ
る一Ｉ−記モクモツクメータを用いた多重層モノクし】
メータ装置の一実力伍例の構成を示す図、第５図は−１
−記実施例の多重層モノクロメータ装置による化合物半
導体の極表面の観察を説明する図、第に１ズ１は−１−
記名重層モノクロメータにより分光された軟Ｘ線の波長
と該軟Ｘ線か結晶に侵入する深さとの関係を示す図であ
る。 （Ｆ）、（仮結晶、半導体結晶層（Ｇ ａ Ａｓ ）７
゛１′ノ、ｑ体結晶層（Ａｊ？Ａ、ｓ）（］・放放光 光０・・入射スリット １２−・ゴニオメーク１３・・
反射ス’Ｊ ソト１４．１８・観察試料１５・・試料台
１６．２２・検知器 １７・同ｑ走査装置 １１許出願人 １−１本電信電話公？１゜代理人弁理士
中村純之助 ｍａＸ繞の液４！（λ） イＬえ４Ｑト戊の５皮黍 （入）
Claims (2)
- （１）基板結晶」−に交互に順次成長させた２種類の半
導体結晶層よりなる超格子’ｒＭ造の多重層モノクロメ
ータ素子と、該多重層モノクロメータ素子に照射する放
射光とにより構成された多重層モノクロメーク。 - （２）基板結晶」二に交互に順次成長させた２種類の半
導体結晶層よりなる超格子構造の多毛層モノクロメータ
素子と、該多重層モノクロメーク素子に照射する放射光
とにより構成された多毛層モノクロメータと、−１−記
放射光を調整する手段と、観察試料を固定する試料台と
、観察試料からの反射光を検知する検知器と、−に記試
料台および検知器を同時に移動させる同期走査装置とを
備えた多重層モノクロメータ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15636783A JPS6049231A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 多重層モノクロメ−タとそれを用いた多重層モノクロメ−タ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15636783A JPS6049231A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 多重層モノクロメ−タとそれを用いた多重層モノクロメ−タ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049231A true JPS6049231A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15626199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15636783A Pending JPS6049231A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 多重層モノクロメ−タとそれを用いた多重層モノクロメ−タ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737973A (en) * | 1985-12-18 | 1988-04-12 | Hitachi, Ltd. | Crystal monochromator |
| US4958363A (en) * | 1986-08-15 | 1990-09-18 | Nelson Robert S | Apparatus for narrow bandwidth and multiple energy x-ray imaging |
| US4969175A (en) * | 1986-08-15 | 1990-11-06 | Nelson Robert S | Apparatus for narrow bandwidth and multiple energy x-ray imaging |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15636783A patent/JPS6049231A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737973A (en) * | 1985-12-18 | 1988-04-12 | Hitachi, Ltd. | Crystal monochromator |
| US4958363A (en) * | 1986-08-15 | 1990-09-18 | Nelson Robert S | Apparatus for narrow bandwidth and multiple energy x-ray imaging |
| US4969175A (en) * | 1986-08-15 | 1990-11-06 | Nelson Robert S | Apparatus for narrow bandwidth and multiple energy x-ray imaging |
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