JPS6049281A - 放射線計測素子 - Google Patents
放射線計測素子Info
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- JPS6049281A JPS6049281A JP58158743A JP15874383A JPS6049281A JP S6049281 A JPS6049281 A JP S6049281A JP 58158743 A JP58158743 A JP 58158743A JP 15874383 A JP15874383 A JP 15874383A JP S6049281 A JPS6049281 A JP S6049281A
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- JP
- Japan
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- layer
- radiation
- semiconductor
- scintillator
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
仁の発ＩＪＪは、放射線計測素子に間する。さらに詳し
くＶよ、入１１放射＃Ｉｔ−効率良く電気信号に入換で
きる放射線計測素子に関する。
くＶよ、入１１放射＃Ｉｔ−効率良く電気信号に入換で
きる放射線計測素子に関する。
（ロ）ぜ１℃米ｔノ（術
近年、ＣＴ等の放射線を用いた医療機器や各種１反Ｑ＝
ｊ Ｉ！ ３１１１定（ｔ′２器の技術の進歩に伴ない
、放射線の強度分布のｊｌｉ１尾が重要なＷｉＩ：！ｌ
Ｔｌとなつ℃いる。かような放ｑＪ線ξとにＸ線の回度
分布の測定器としては多数の区画ｔ／４成された電離箱
を組み合せて各区画ごとの放射線強電を／１ｍ定するも
のが知ら〕しているが、これらｔ」、振動に弱くさらに
その溝造が複雑でかつ重く、ＪＩ’Ｖ、 Ｒい」二や興
造上不利でちった。
ｊ Ｉ！ ３１１１定（ｔ′２器の技術の進歩に伴ない
、放射線の強度分布のｊｌｉ１尾が重要なＷｉＩ：！ｌ
Ｔｌとなつ℃いる。かような放ｑＪ線ξとにＸ線の回度
分布の測定器としては多数の区画ｔ／４成された電離箱
を組み合せて各区画ごとの放射線強電を／１ｍ定するも
のが知ら〕しているが、これらｔ」、振動に弱くさらに
その溝造が複雑でかつ重く、ＪＩ’Ｖ、 Ｒい」二や興
造上不利でちった。
ｖＩ−って、よシ小洪化、移Ｍ化された分布測定しうる
／ｉ’Ｊ、射線ｄ１・ρす素子が望まれでいた。
／ｉ’Ｊ、射線ｄ１・ρす素子が望まれでいた。
この点に関し、ｊ！Ｅ年Ｃ（ＩＷ０４％のシンチレータ
と半導体光検出素子（いわゆるフォトダイメート）を組
み合せたｈ（射線計測素子が種々提案されている。この
Ｆｉ１’７１１１素子のダ（Ｍ的な構／ｉ−１’、）よ
、第１図に示すごとく入射面ｅ（ｆｆ成するシンチレー
タ層（２）と該シンチレータ層による可視光域のシンチ
レーション光ｔｌ−受光検知するフォトダイオード層（
１）とからなる。図中、（３））ｉ誤差となる外部から
の可視光線を反引又はｌｊ＋閘するアｌレミニウム等か
らなる保護膜、（１１）はｐ型（又ｔよｎ型）半導体領
域、（１２）はＪ１況（又はｐ型）半導体領域、（４）
は測定表示部をそれぞれ示す。かような放射線計測素子
ｔよ小型化、軽爪化の条件光だもたすもので必るが、シ
ンチレータ層のシンチレーション効率、スなわらＸ線等
の被ｆｆ１ｌ＋定放射線を可視光に変換する効率が不充
分で＾す、放射線の検出出力が低いという問題点があっ
た。
と半導体光検出素子（いわゆるフォトダイメート）を組
み合せたｈ（射線計測素子が種々提案されている。この
Ｆｉ１’７１１１素子のダ（Ｍ的な構／ｉ−１’、）よ
、第１図に示すごとく入射面ｅ（ｆｆ成するシンチレー
タ層（２）と該シンチレータ層による可視光域のシンチ
レーション光ｔｌ−受光検知するフォトダイオード層（
１）とからなる。図中、（３））ｉ誤差となる外部から
の可視光線を反引又はｌｊ＋閘するアｌレミニウム等か
らなる保護膜、（１１）はｐ型（又ｔよｎ型）半導体領
域、（１２）はＪ１況（又はｐ型）半導体領域、（４）
は測定表示部をそれぞれ示す。かような放射線計測素子
ｔよ小型化、軽爪化の条件光だもたすもので必るが、シ
ンチレータ層のシンチレーション効率、スなわらＸ線等
の被ｆｆ１ｌ＋定放射線を可視光に変換する効率が不充
分で＾す、放射線の検出出力が低いという問題点があっ
た。
（）つ発ＩＪＪの目的
この発１５Ｊ＃よ、前記従来の問題点に嶋みなされたも
のであシ、放射線検出出力が増大されたシンチレーショ
ン型の放射線計測素子を提供することを目的とするもの
である。
のであシ、放射線検出出力が増大されたシンチレーショ
ン型の放射線計測素子を提供することを目的とするもの
である。
（ニ） 発リドｊの４７ｇ成
かくしてこの発明によれば、放射線入射ｉｌｉ′ｒを（
７へ成する半導体光検出素子層とこれに対向配置する半
導体光検出素子層を備え、これら二つの半導体光検出素
子層間に、シンチレータ層、又ＩＪ、半導体光検出素子
層をさらに内層するシンチレータ層を挾持しでなる放射
線計７１１す素子が提供される。
７へ成する半導体光検出素子層とこれに対向配置する半
導体光検出素子層を備え、これら二つの半導体光検出素
子層間に、シンチレータ層、又ＩＪ、半導体光検出素子
層をさらに内層するシンチレータ層を挾持しでなる放射
線計７１１す素子が提供される。
この発りＦＪにおりる一つの最も特徴とする点は、従来
のシンチレータに組合わされ°Ｃいるフォトダイオード
すなわち半導体光検出素子自体で放射線の入射面を構成
した点である。他の最も特徴とする点は、シンチレータ
層を上記半導体光検出素子とこれにヌｊ向する他の半導
体光検出素子で挾むように抗層溝ハスした点である。
のシンチレータに組合わされ°Ｃいるフォトダイオード
すなわち半導体光検出素子自体で放射線の入射面を構成
した点である。他の最も特徴とする点は、シンチレータ
層を上記半導体光検出素子とこれにヌｊ向する他の半導
体光検出素子で挾むように抗層溝ハスした点である。
この発明における半導体光検出素子としてはｐ型？１′
導体基体の表面にｎｍ半導体領域を形成したｐｎ ｌｉ
合型のフォトダイオードやその逆のｎｐ接合型のものが
挙けられ、これ以外にも金属−半導体接触を利用した表
面Ｆｌと壁型のものを用いてもよい。
導体基体の表面にｎｍ半導体領域を形成したｐｎ ｌｉ
合型のフォトダイオードやその逆のｎｐ接合型のものが
挙けられ、これ以外にも金属−半導体接触を利用した表
面Ｆｌと壁型のものを用いてもよい。
また、半導体の材質社シリコンが適しているが、これ以
外にゲルマニウム、各種化合物半導体等も適用できる。
外にゲルマニウム、各種化合物半導体等も適用できる。
これらのうち、基係の不純物濃度をできるだけ少なくシ
（篩純度）、ｐｎ接合付３１Ｌに生じる空乏層をできる
たり厚くするものが好ましい。もちろん、ｐ型（又はｎ
型）半導体基体の表面に形成させるｎ型（又は９厘）半
導体領域を分Ｆ１１１形成したアレー形の半導体光検出
素子を用いてもよく、放射線分布を商い空間分解Ｆｉｔ
８で計測するｌこめには適９Ｊ ’？１’ある。この際
クロストークを防止する点で後述する梠造を適用するの
がｔｌｆましい。
（篩純度）、ｐｎ接合付３１Ｌに生じる空乏層をできる
たり厚くするものが好ましい。もちろん、ｐ型（又はｎ
型）半導体基体の表面に形成させるｎ型（又は９厘）半
導体領域を分Ｆ１１１形成したアレー形の半導体光検出
素子を用いてもよく、放射線分布を商い空間分解Ｆｉｔ
８で計測するｌこめには適９Ｊ ’？１’ある。この際
クロストークを防止する点で後述する梠造を適用するの
がｔｌｆましい。
放射線入射面ｔ？溝成する半導体光検出素子の有Ｆ＆領
域の厚みはｔ％純度の素子としくｏｈ〜１ｐｔａ程度で
あり、これに対向配置される他の半導体光検出素子の有
感領域厚みは低純度の素子であっても比較的薄いもので
よく０．１門以下で充分である。
域の厚みはｔ％純度の素子としくｏｈ〜１ｐｔａ程度で
あり、これに対向配置される他の半導体光検出素子の有
感領域厚みは低純度の素子であっても比較的薄いもので
よく０．１門以下で充分である。
なお、これらはそれぞれ当ｐ分野で公知の方法により板
状の形態で作製できる。
状の形態で作製できる。
上記二つの半導体光検出素子層の間に、シンチレータ層
を介在させることによ）この発明の放射線計測素子が得
られる。シンチレータ層の材質として１よ、 ＤＩ １
１．王（ｌｌｊ’ ）、 Ｃａ１（工６す、 Ｃ５Ｉ（
Ｎａ） 、Ｋｌ（Ｔ＃）、ＺｕＳ（Ｃｕ）、Ｃ６，ＷＯ
２等が挙り゛られ、局舎によっては有機シンチレータを
用いてもよい。
を介在させることによ）この発明の放射線計測素子が得
られる。シンチレータ層の材質として１よ、 ＤＩ １
１．王（ｌｌｊ’ ）、 Ｃａ１（工６す、 Ｃ５Ｉ（
Ｎａ） 、Ｋｌ（Ｔ＃）、ＺｕＳ（Ｃｕ）、Ｃ６，ＷＯ
２等が挙り゛られ、局舎によっては有機シンチレータを
用いてもよい。
か＼るシンチレータ層の〃みｔｊコ通當１？〜３門で充
分である。ただし、Ａ在させるシンチレータ層として、
その中に更に半導体光検出素子層を内層した複合シンチ
レータ層を用いてもよくこの場合、検出出力をよりＪ〜
加（−うる点から好ましい。なお、露出するシンチレー
タｒの周辺部分には、外部からの可視光線を反射又は遮
断する保護膜（例えば、アノＩ／ミニクムＡζ着膜、酸
化アだオニウムＣＶＤ膜等）を被覆形成しておくことが
好ましく、散乱放射線の人ＩＨを防止ｊムための保護膜
（例えば、Ｐｂ。
分である。ただし、Ａ在させるシンチレータ層として、
その中に更に半導体光検出素子層を内層した複合シンチ
レータ層を用いてもよくこの場合、検出出力をよりＪ〜
加（−うる点から好ましい。なお、露出するシンチレー
タｒの周辺部分には、外部からの可視光線を反射又は遮
断する保護膜（例えば、アノＩ／ミニクムＡζ着膜、酸
化アだオニウムＣＶＤ膜等）を被覆形成しておくことが
好ましく、散乱放射線の人ＩＨを防止ｊムための保護膜
（例えば、Ｐｂ。
Ｗ％ Ａｕ等の重金Ｆ６ｍ）を被覆形成しておくのがよ
り好ましい。
り好ましい。
なお、か＼るシン１″レーク層を二つの半導体光検出素
子間にエボギシ糸光学接着剤で接着するのが適９Ｊであ
る。
子間にエボギシ糸光学接着剤で接着するのが適９Ｊであ
る。
このようにして得られた放射線計測素子は入射放射線を
効率良く電気信号に変換でき、低エネルギー（数Ｋｅｖ
）／））ら中エネルギー（数百ＫｅＶ ）のＸ線やγ線
の？ｒ６い検出出力が得られるものである。
効率良く電気信号に変換でき、低エネルギー（数Ｋｅｖ
）／））ら中エネルギー（数百ＫｅＶ ）のＸ線やγ線
の？ｒ６い検出出力が得られるものである。
すなわち、被ｊｊｉｌｌ屋ｂ（射線はまず、入射面を構
成する半導体光検出素子中に入射するが、ここで半導体
光検出素子自体も゛放射線に直接感応するため検出が行
なわれる。次いで半導体光検出素子で検出されない放射
線すなわち透過した放射線はシンチレータ層に入るが、
ここでシンチレーションによってその殆んどが可視光に
変換され、上面の半導体光検出素子又ｔｉＦ面の半導体
光検出素子素子層に人光し゛Ｃ効率良く検出される。す
なわち、■入射面をｔＡ成する半導体光検出素子の直接
的な放射線検出作用ど轡対向する半導体光検出素子溝Ａ
１によるシンチレーション光の集光効率の良い検出作用
とが相俟って昌い検出効率が得られる本のと考えられる
。
成する半導体光検出素子中に入射するが、ここで半導体
光検出素子自体も゛放射線に直接感応するため検出が行
なわれる。次いで半導体光検出素子で検出されない放射
線すなわち透過した放射線はシンチレータ層に入るが、
ここでシンチレーションによってその殆んどが可視光に
変換され、上面の半導体光検出素子又ｔｉＦ面の半導体
光検出素子素子層に人光し゛Ｃ効率良く検出される。す
なわち、■入射面をｔＡ成する半導体光検出素子の直接
的な放射線検出作用ど轡対向する半導体光検出素子溝Ａ
１によるシンチレーション光の集光効率の良い検出作用
とが相俟って昌い検出効率が得られる本のと考えられる
。
（ホ）実施例
第２図ｔよ、この発１夕］の放射線計測素子の具体例を
示すＸ線計測素子の模式的断面図である。図においてＸ
線計測素子をよ、Ｘ線人躬面（約１．（１（ｔｄ ）を
構成する厚、さ約（Ｌ５ｔｔｒｒｑのシリコンフォトダ
イメートＮ４（ＩＡ ；至乏層厚０．０１ ｐｍ ）と
これに対向すルル、さ約０．３ ｖｎのシリコンフォト
ダイオード層（１Ｂ：空乏層厚（、ｌＪ絹）との間に、
ＣｄＷＯｉの厚さ約１廟のシンチレータ層（２）を密着
挟持しでなる。
示すＸ線計測素子の模式的断面図である。図においてＸ
線計測素子をよ、Ｘ線人躬面（約１．（１（ｔｄ ）を
構成する厚、さ約（Ｌ５ｔｔｒｒｑのシリコンフォトダ
イメートＮ４（ＩＡ ；至乏層厚０．０１ ｐｍ ）と
これに対向すルル、さ約０．３ ｖｎのシリコンフォト
ダイオード層（１Ｂ：空乏層厚（、ｌＪ絹）との間に、
ＣｄＷＯｉの厚さ約１廟のシンチレータ層（２）を密着
挟持しでなる。
各フォトダイオード層ｔＪ： ｐ ！５１半導体層（Ｉ
ＩＡ）、（ＩＩＢ）にＩｌ型半導体ＶＩ域（、Ｌ２Ａ）
、（１２Ｂ）をそれぞれ拡散形成【２てなり、これらの
１１型半導体領域面が対向するように氏置４Ｍ成されて
いる。なお、（３）は目出するシンチレータ（２）の側
腕に被覆形成さｉした反射膜であり、（４つは各半導体
光検出素子からの出力を）ｒ３′？、Ｌ＊換して表示す
るｎｌす定表示部にポす。
ＩＡ）、（ＩＩＢ）にＩｌ型半導体ＶＩ域（、Ｌ２Ａ）
、（１２Ｂ）をそれぞれ拡散形成【２てなり、これらの
１１型半導体領域面が対向するように氏置４Ｍ成されて
いる。なお、（３）は目出するシンチレータ（２）の側
腕に被覆形成さｉした反射膜であり、（４つは各半導体
光検出素子からの出力を）ｒ３′？、Ｌ＊換して表示す
るｎｌす定表示部にポす。
上記構成のＸ線計測素子について、１２０ ＫＶ。
管電圧を持つＸ線管から放射されたＸ線が、ｌｒｍのア
μ／ミニウム板製フイＩＶター及びＯ〜３０σの水層（
ＣＴにおける人体と仮定）を通過して検出されるシミュ
レーションモデルを設定し、検出出力を算出した。その
結果を１１〕軟例と共に第６図及び表１に示した。なお
、比較例１は、第１図に示すごとき構成からなる従来の
構成を採用しｆｃ際に得られる検出出力を、比較例２Ｖ
よ対向するフォトダイオード層（」１υを除いた以外、
第２図と同様のＸ線ｎ１測累子で得られる検出出力をそ
れぞｇ示すものである３、 表 １ このように、この発りｒｊのＸ線ＭＩ＋！’！１１素子
り、畠い検出出力を発揮することが判る。
μ／ミニウム板製フイＩＶター及びＯ〜３０σの水層（
ＣＴにおける人体と仮定）を通過して検出されるシミュ
レーションモデルを設定し、検出出力を算出した。その
結果を１１〕軟例と共に第６図及び表１に示した。なお
、比較例１は、第１図に示すごとき構成からなる従来の
構成を採用しｆｃ際に得られる検出出力を、比較例２Ｖ
よ対向するフォトダイオード層（」１υを除いた以外、
第２図と同様のＸ線ｎ１測累子で得られる検出出力をそ
れぞｇ示すものである３、 表 １ このように、この発りｒｊのＸ線ＭＩ＋！’！１１素子
り、畠い検出出力を発揮することが判る。
なお、シンチレータＲ（２）にさらにフォトダイオード
層を内層させた具体例ｉｒ、”１５３図に示した。
層を内層させた具体例ｉｒ、”１５３図に示した。
図においで、シンチレータ層（２つは三層からなるシン
チレータＲ（２１）とそれぞれの間に内層された二層の
７：Ａトダイオード層（２２）からなり、他は第２図と
同様の構成からなる。かような多層放Ｉ（線計測素子ｔ
よとくに透過性の大きい放射線の計ｉｔ！ＩＩ用として
有用である。
チレータＲ（２１）とそれぞれの間に内層された二層の
７：Ａトダイオード層（２２）からなり、他は第２図と
同様の構成からなる。かような多層放Ｉ（線計測素子ｔ
よとくに透過性の大きい放射線の計ｉｔ！ＩＩ用として
有用である。
また、フォトダイオード層としてアレー形のフォトダイ
オード層を用いた具体例をｔ４’５４図及び第５１図に
示した。図において、（１２Ａつ、（１２Ｂつはｐ型半
導体基体（」ＩＡつ、（１１Ｂ′）の表面に多数分画拡
散形成されｔなるｎ展半導体領域であり、各フォトダイ
オード層（ＩＡつ（１１３りのｎ凰牛導体領域（１２八
〇と（１２８りもそれぞれ対向するよう構成されている
。
オード層を用いた具体例をｔ４’５４図及び第５１図に
示した。図において、（１２Ａつ、（１２Ｂつはｐ型半
導体基体（」ＩＡつ、（１１Ｂ′）の表面に多数分画拡
散形成されｔなるｎ展半導体領域であり、各フォトダイ
オード層（ＩＡつ（１１３りのｎ凰牛導体領域（１２八
〇と（１２８りもそれぞれ対向するよう構成されている
。
そしてシンチレータ層（２′りには入射方向に平行に１
）Ｊ欠７１４（りが対応して多数設けられておシ、その
１１７Ｊ欠溝の内面はアルミニウム（例えば、蒸着やス
パッタリング膜； ５１ ）で被覆さ７ｔでいる。この
切欠溝は第５図に示すようにシンチレータ層（２′つに
入った放ｒｊ′ｊＭによるシンチレーション光を反射し
て（１２ＡりにＺｊＬ＋”、する下方のｎ型半導体領域
（１２ｙ）咬たはぞの同辺に形成さｉＬる空乏層に効率
良く導くよう作用する。従っていわゆるり日ストーク現
象がｐ和されアレー形のフォトダイオードとの組合せに
より凸い空間分解前で放射線分布をｎ１測できるもので
ある。もちろんこの際にもやはり従来に比してｔカい４
食出出力が発揮されることとなる。
）Ｊ欠７１４（りが対応して多数設けられておシ、その
１１７Ｊ欠溝の内面はアルミニウム（例えば、蒸着やス
パッタリング膜； ５１ ）で被覆さ７ｔでいる。この
切欠溝は第５図に示すようにシンチレータ層（２′つに
入った放ｒｊ′ｊＭによるシンチレーション光を反射し
て（１２ＡりにＺｊＬ＋”、する下方のｎ型半導体領域
（１２ｙ）咬たはぞの同辺に形成さｉＬる空乏層に効率
良く導くよう作用する。従っていわゆるり日ストーク現
象がｐ和されアレー形のフォトダイオードとの組合せに
より凸い空間分解前で放射線分布をｎ１測できるもので
ある。もちろんこの際にもやはり従来に比してｔカい４
食出出力が発揮されることとなる。
なお、切欠Ｍを有するシンチレータ層の代わシにＰ１１
垂直状に伸びる多数の１１１８１状区画構造を有するシ
ンチレータ層を用いることによシ同様な効果を得ること
ができる。
垂直状に伸びる多数の１１１８１状区画構造を有するシ
ンチレータ層を用いることによシ同様な効果を得ること
ができる。
（へ）発すｊの効果
以上述べたように、この発ＩＪＪの放射線計ＩＴ！１１
素子Ｖよ、入射放射線を無駄なく電気信号に変換でき、
従来に比して検出効率の優ｉしたものである。そして従
来の電離箱を用いたものに比して小屋化、軽量化された
ものであり、Ｋｌ扱いや設置」二有利である。従って種
々の放射線計測用とし゛Ｃ有用でちシ、ことにＣＴ 両
像用のアレーセンザーに用いた際に超、像の鮮ＩＪＩ化
が可能となり有用である。
素子Ｖよ、入射放射線を無駄なく電気信号に変換でき、
従来に比して検出効率の優ｉしたものである。そして従
来の電離箱を用いたものに比して小屋化、軽量化された
ものであり、Ｋｌ扱いや設置」二有利である。従って種
々の放射線計測用とし゛Ｃ有用でちシ、ことにＣＴ 両
像用のアレーセンザーに用いた際に超、像の鮮ＩＪＩ化
が可能となり有用である。
また、１１（側線の入射面に保護膜を形成する必要か１
、ないという利点も備えたものでらる。
、ないという利点も備えたものでらる。
第１図は、従来の放射線計測素子を例示する模式的断面
図、第２図は、この発’；Ｉｔ−］の放射線計測素子を
例示する模式的断面図、第３図及び第４図はそれぞれこ
の発ＩＪ１１の放射線計測素子の他の一例を示ず模式的
Ｒ１ｉ而図面第５図は第４図の要部拡大図、第６図はこ
の発ＩＪＪの放射線計測素子の検出出力を比較例と共に
例示するグラフである。 （１） 、（ＬＡ、） 、（ＩＢ） 、（、ＬＡリ 、
（ＩＢ’Ｊ 、（２２）・・・フォトダイオード層、 （２）、（２す、（２／／）・・・シンチレータ層（３
）・・・保護膜、 （す、（４つ・・・測定表示部。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
図、第２図は、この発’；Ｉｔ−］の放射線計測素子を
例示する模式的断面図、第３図及び第４図はそれぞれこ
の発ＩＪ１１の放射線計測素子の他の一例を示ず模式的
Ｒ１ｉ而図面第５図は第４図の要部拡大図、第６図はこ
の発ＩＪＪの放射線計測素子の検出出力を比較例と共に
例示するグラフである。 （１） 、（ＬＡ、） 、（ＩＢ） 、（、ＬＡリ 、
（ＩＢ’Ｊ 、（２２）・・・フォトダイオード層、 （２）、（２す、（２／／）・・・シンチレータ層（３
）・・・保護膜、 （す、（４つ・・・測定表示部。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- （υ放射線入射面を構成する半導体光検出素子層とこれ
に７を内配置する半導体光検出素子層を＆え、これら二
つの半導体光検出水子膚間に、シンチレータ層、叉νよ
半導体光検出水子Ｒをさらに内層するシンチレータａｔ
−挟持し′Ｃなる放射線計測素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158743A JPS6049281A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 放射線計測素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158743A JPS6049281A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 放射線計測素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049281A true JPS6049281A (ja) | 1985-03-18 |
| JPH0456272B2 JPH0456272B2 (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=15678364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158743A Granted JPS6049281A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 放射線計測素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049281A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415690A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toshiba Corp | Radiation detector |
| JP2002062359A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置 |
| JP2008286550A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | 検出素子、検出器、及び検出素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142573A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-28 | Siemens Ag | Semiiconductor xxray detector |
| JPS55142262A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Toshiba Corp | Semiconductor radiant ray detector |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58158743A patent/JPS6049281A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0456272B2 (ja) | 1992-09-07 |
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