JPS6049651U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6049651U
JPS6049651U JP1983141290U JP14129083U JPS6049651U JP S6049651 U JPS6049651 U JP S6049651U JP 1983141290 U JP1983141290 U JP 1983141290U JP 14129083 U JP14129083 U JP 14129083U JP S6049651 U JPS6049651 U JP S6049651U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
electrode
abstract
semiconductor
insulating film
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Pending
Application number
JP1983141290U
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English (en)
Inventor
丸田　三郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6049651U publication Critical patent/JPS6049651U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の断面図であり、１は半導体
、２は絶縁膜、３はバリア金属、４は電極金属である。 第２図ａ、　ｂ図はそれぞれ本考案の実施例による半導
体装置の断面図であり、第３図ａ乃至りは第２図で示す
装置を製造する順序の１例を示す断面図である。１１は
半導体、１２は絶縁膜、１２はバリア金属、１，４は熱
伝導率の小さい絶縁膜、１５は電極金属である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素体に被着されたバリア金属と電極導出のための
    電極金属との間に熱伝導率の小さい絶縁膜を介したこと
    を特徴とする半導体装置。
JP1983141290U 1983-09-12 1983-09-12 半導体装置 Pending JPS6049651U (ja)

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JPS6049651U true JPS6049651U (ja) 1985-04-08

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ID=30316051

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