JPS6049700A - 半導体装置のマ−ク読取り装置 - Google Patents
半導体装置のマ−ク読取り装置Info
- Publication number
- JPS6049700A JPS6049700A JP15919283A JP15919283A JPS6049700A JP S6049700 A JPS6049700 A JP S6049700A JP 15919283 A JP15919283 A JP 15919283A JP 15919283 A JP15919283 A JP 15919283A JP S6049700 A JPS6049700 A JP S6049700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- mark
- reflected light
- semiconductor
- cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置のマーク読取り装置に関するも
ので））る。
ので））る。
第１図は従来の半導体装置のマーク読取り装置を示す図
である。この図で、１は半導体装置、２はこの半導体装
ｔ１の表面に印されたマーク、３は前記半導体装置１の
表面のエツジ、４は前記半導体装置１のリードフレーム
、５は前記半導体装ｉｉ１を載せる基台、６は前記マー
ク２Ｙ照明する光源、７は前記半導体装置１の上方に取
り付けられたＩＴＶ装置、８は画像処理装置である。
である。この図で、１は半導体装置、２はこの半導体装
ｔ１の表面に印されたマーク、３は前記半導体装置１の
表面のエツジ、４は前記半導体装置１のリードフレーム
、５は前記半導体装ｉｉ１を載せる基台、６は前記マー
ク２Ｙ照明する光源、７は前記半導体装置１の上方に取
り付けられたＩＴＶ装置、８は画像処理装置である。
従来のマーク読取り装置は上記のように構成され、半導
体装ｔ１のマーク２をＩＴＶ装置７より画像入力し、画
像処理装置８でマーク２Ｙ自動認識するようになってい
る。
体装ｔ１のマーク２をＩＴＶ装置７より画像入力し、画
像処理装置８でマーク２Ｙ自動認識するようになってい
る。
しかるに上記のような構成では、ＩＴＶ装置７からの入
力画像にはマーク２以外に、半導体装置１０表面のエツ
ジ３０反射光、半導体装置１のリードフレーム４の反射
光、あるいは半導体装置１を載せる基台５０表面の反射
光なども同時に入力さ名ているため、画像処理装９１８
で入力画像よりマーク２を上述したような反射光と区別
して自動的に認識することが困難であるという欠点があ
った。
力画像にはマーク２以外に、半導体装置１０表面のエツ
ジ３０反射光、半導体装置１のリードフレーム４の反射
光、あるいは半導体装置１を載せる基台５０表面の反射
光なども同時に入力さ名ているため、画像処理装９１８
で入力画像よりマーク２を上述したような反射光と区別
して自動的に認識することが困難であるという欠点があ
った。
この発明は、上記従来装置の欠点を除き、半導体装置の
マークを容易に自動認識できるマーク読取り装置を提供
することを目的としている。
マークを容易に自動認識できるマーク読取り装置を提供
することを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例Ｙ示す図である。
この図で、１〜８は第１図のものと全（同一のものであ
る。９は前記半導体装置１とＩＴＶ装置７の間に設けら
れた所要形状の開口部１０を有するカバーであり、１１
は前記半導体装置１の下面、すなわち基台５０表面の所
要個所に施された反射光防止手段、例支ば下敷である。
る。９は前記半導体装置１とＩＴＶ装置７の間に設けら
れた所要形状の開口部１０を有するカバーであり、１１
は前記半導体装置１の下面、すなわち基台５０表面の所
要個所に施された反射光防止手段、例支ば下敷である。
開口部１０の形状２寸法は、第３図（ａ）のどと（、Ｉ
ＴＶ装置Ｔの視野１２中でマーク２より外側で、かつ、
半導体装置１のエツジ３より内側に開口部１０の外郭が
（るように決められる。また、この開口部１０ば、ＩＴ
Ｖ装置Ｔとマーク２の距離、ＩＴＶ装置Ｔとカバー９の
距離およびマーク２の形状２寸法に対応して変える。な
お、第３図（ｂ）、（ｃ）は第３図（ａ）のカバー９お
よび半導体装置１の側面図である。
ＴＶ装置Ｔの視野１２中でマーク２より外側で、かつ、
半導体装置１のエツジ３より内側に開口部１０の外郭が
（るように決められる。また、この開口部１０ば、ＩＴ
Ｖ装置Ｔとマーク２の距離、ＩＴＶ装置Ｔとカバー９の
距離およびマーク２の形状２寸法に対応して変える。な
お、第３図（ｂ）、（ｃ）は第３図（ａ）のカバー９お
よび半導体装置１の側面図である。
上記のように構成された半導体装ｖ１のマーク読取り装
置においては、半導体装ｗ、１の表面のマーク２をカバ
ー９中の開ロ部１０ン通ｊ、てＩＴＶ装置７より画像入
力することに、ｒす、前述した半導体装置１０表面のエ
ツジ３０反射光および半導体装置１のリードフレーム４
０反射光を遮ることができる。また、半導体装置１の下
面に施された反射光防止手段である下敷１１により、基
台５０表面の反射光を除くことができる。したがって、
いまＩＴＶ装［７より入力した画像にはマーク２のみし
か含まれず、画像処理装置８でのマーク２の自動認識が
容易にできる。
置においては、半導体装ｗ、１の表面のマーク２をカバ
ー９中の開ロ部１０ン通ｊ、てＩＴＶ装置７より画像入
力することに、ｒす、前述した半導体装置１０表面のエ
ツジ３０反射光および半導体装置１のリードフレーム４
０反射光を遮ることができる。また、半導体装置１の下
面に施された反射光防止手段である下敷１１により、基
台５０表面の反射光を除くことができる。したがって、
いまＩＴＶ装［７より入力した画像にはマーク２のみし
か含まれず、画像処理装置８でのマーク２の自動認識が
容易にできる。
なお、上記実施例は、反射光防止手段として基台５上に
下敷１１を載置したが、この部分の基台５上に反射光防
止膜等を形成してもよい。また、この実施例は、特に樹
脂刺止型半導体装置のマーク読み取りに適しているが、
その他の半導体装置にも利用できることはいうまでもな
い。
下敷１１を載置したが、この部分の基台５上に反射光防
止膜等を形成してもよい。また、この実施例は、特に樹
脂刺止型半導体装置のマーク読み取りに適しているが、
その他の半導体装置にも利用できることはいうまでもな
い。
以上説明したように、この発明は、半導体装置とＩＴＶ
装置との間に所要形状のカバーを介在させるとともに、
半導体装置を載置する基台の表面の所要個所を反射光を
防止する反射光防止手段を施し、半導体装置のマークを
読み取るようにしたので、簡単な構成によりリードフレ
ームなどの反射光を遮り、マークのみの画像入力を可能
にし、マークの自動認識を容易にするという効果がある
。
装置との間に所要形状のカバーを介在させるとともに、
半導体装置を載置する基台の表面の所要個所を反射光を
防止する反射光防止手段を施し、半導体装置のマークを
読み取るようにしたので、簡単な構成によりリードフレ
ームなどの反射光を遮り、マークのみの画像入力を可能
にし、マークの自動認識を容易にするという効果がある
。
第１図は従来の半導体装置のマーク読取り装置を示す図
、第２図はこの発明の一実施例！示す図、第３図（ａ）
〜（ｅ）はこの発明にょるカバーの作用を説明するため
の図で、第３図（１１）は平面図、第３図（ｂ）はカバ
ーの側面図、第３図（ｅ）は半導体装置の側面図である
。 図中、１は半導体装置、２は半導体装置の表面に印され
たマーク、５は基台、６は光源、７は工ＴＶ装置、８は
画像処理装置、９はカバー、１゜はカバーに形成された
開口部、１１は反射光を防止する下敷である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 １１ １ ５
、第２図はこの発明の一実施例！示す図、第３図（ａ）
〜（ｅ）はこの発明にょるカバーの作用を説明するため
の図で、第３図（１１）は平面図、第３図（ｂ）はカバ
ーの側面図、第３図（ｅ）は半導体装置の側面図である
。 図中、１は半導体装置、２は半導体装置の表面に印され
たマーク、５は基台、６は光源、７は工ＴＶ装置、８は
画像処理装置、９はカバー、１゜はカバーに形成された
開口部、１１は反射光を防止する下敷である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 １１ １ ５
Claims (1)
- 基台上に載置された半導体装置の表面に印されたマーク
を光源により照明し、その反射光により前記半導体装置
の上方に配置されたＩＴＶ装置により画像処理装置に画
像入力し、自動的に前記マークｔＭ、み取るマーク読取
り装置において、前記半導体装置とＩＴＶ装置との間に
所要形状の開口部が形成されたカバーを介在せしめると
ともに、前記半導体装置を載置する基台の表面の所要個
所に反射光防止手段を施したことケ特徴とする半導体装
置のマーク読取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15919283A JPS6049700A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置のマ−ク読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15919283A JPS6049700A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置のマ−ク読取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049700A true JPS6049700A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15688322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15919283A Pending JPS6049700A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置のマ−ク読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049700A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313631A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Nittoku Fuaanesu Kk | 溶湯処理用インペラ |
| JPH02115323A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-27 | Showa Alum Corp | 液体中への気泡放出、分散装置 |
| US5484013A (en) * | 1993-05-27 | 1996-01-16 | Nippon Densan Corporation | Heat sink fan |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15919283A patent/JPS6049700A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313631A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Nittoku Fuaanesu Kk | 溶湯処理用インペラ |
| JPH02115323A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-27 | Showa Alum Corp | 液体中への気泡放出、分散装置 |
| US5484013A (en) * | 1993-05-27 | 1996-01-16 | Nippon Densan Corporation | Heat sink fan |
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