JPS60500689A - デ−タ記憶及び記録に関する改良 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 データ記憶及び記録に関する改良 本発明は、データ記憶媒体に係り、且つ、このような媒体にデータを記録したり このような媒体から記録データを読み取ったりする方法に係る。特に、本発明は 、磁気光学技術に関する。

情報記憶・検索システムでは、次のような特、性が所望される。（１）記録の区 別機構のサイズを最小にする（デジタル記録では、これがパビット″である）。

（２）／ビットを書き込むのに必要なエネルギを最小にする。（３）書き込み速 度、即ち、毎秒書き込１れるビット数を最大にする。

（４）記録された情報の読み取り速度を最大にする。（５）記録された情報を読 み取る時に得られる信号レベルを最大にする。（６）読み取り中の信号対雑音比 を最大にする。（７）読み出しコントラストを最大にする。

情報記憶に利用するのに理論的に適した磁気光学技術は多数ある。これらは、磁 気的な書き込み（即ち、記録）の後に記録資料を光学的に読み取る技術、熱磁気 書き込み／磁気読み取り技術、及び熱磁気書き込み／光学読み取り技術を含む。

本発明は、特に、光学読み取りもしくは熱磁気書き込み（或いはその両方）を用 いたシステムに関する。書き込み段階が熱磁気段階である場合には、書き込み（ 即ち、記録プロセス）によって媒体に生じる物理的な作用が、少なくとも７部は 磁気作用であり、そして例えば、入射する電磁放射の吸収によって媒体が局部的 に加熱されることを含む。本発明の７つの目的は、／ビットを書き込むのに必要 なエネルギを減少すると共に書き込み速度を高めるように、書き込み放射に対１ 〜で高い感度を有した磁気光学メモリ構造体を提供することである。

磁気光学メモリ構造体の読み出しを光学的に行なう場合には、その表面から散乱 される電磁放射の偏光状態の変化を観察することによって行なわれる。上記の散 乱は、直接的な透堝もしくは反射であってもよいし、或いは他の方向への散乱で あってもよい。読み出し放射がリニアに偏光される時には、散乱光の偏光状態の 変化が、通常は、偏光方向の回転として厳密に規定される。これは、散乱ビーム において入射の偏光に直交する偏光成分を追加することと厳密に同じである（追 加された成分は、いわゆる゛磁気光学”′成分）である。

直交偏光状態のこの磁気光学成分に、読み出し情報を゛保持゛しているが、これ は一般に強さが非常に低い。

然し乍ら、入射放射と平行な偏光状態の散乱成分、情報を保持していない、は非 常に、大きなものである。これらのファクタにより、読み出しの信号対雑音比が 低くなると共に読み出しコントラストも低いものとなり、ひいては、既知の磁気 光学メモリの場合、記憶された情報の抽出性能が低下することによってメモリの 有用性が限定されることになる。゛ビット“が記憶されるデジタル記憶れるもの より大きなものとなる。そこで、本発明の第ユの目的は、読み出しの信号対雑音 比並びにコントラストを改善して読み出しの゛ビットエラー率′”を改善するよ うな手段を提供することである。

本発明の第３の目的は、信頼性の高い製造技術で形成される磁気光学構造体を用 いて、記録感度及び読み出し゛ビットエラー率″′の改善を果たすことである。

記録感度及び読み出し信頼性の改善を果たす多数の多層磁気光学構造体が知られ ている。これらの構造体は、磁気光学層、誘電層及び金属層を組み合わせて、厳 密に平らな薄膜形態に付着したものよ構成る。これらは、書き込み放射の大部分 を吸収し、高い書き込み感度を与える。又、これらは、散乱放射の磁気光学成分 （情報を保持している）の強度を高めると共に、゛′普通゛°の反射放射（即ち 、入射放射と平行な偏光状態の成分）の強度を弱めて、読み出しの信頼性を高め ることを目的とするものである。然し乍ら、多くの場合、特に、コンピュータメ モリに適用する場合には、更に改善が所望される。又、高い収率で製造でき、こ れによって、製造コストを下げられるような構造体を提供することも所望される 。上記の多層構造体に、各構造体の全記憶領域内並びに構造体ごとに所要の均一 な特性をもたせるように製造することが困難である。

本発明の７つの特徴によれば、波長Ｗの光学読み取り放射を用いた光学読み取り ／書き込みシステム使用する光学データ記憶媒体であって、持ち上った面域とへ こんだ面域とが規則的な配列で配置されている表面きめ組織を保持した領域を備 えていて、その平均表面レベルに対して横方向に測定した周期（ピッチ）が波長 Ｗ以下であるような媒体において、 （ａ）基体と、 （ｂ）　磁気光学材料の層もしくは複数のゾーンと、（ｃ）　光学反射材料の層 もしくは複数のゾーン（これは、磁気光学材料の上記層もしくはゾーンと同じで あってもよいし同じでなくてもよいし及び／又はこのような層もしくにゾーンで 構成されてもよいし構成されなくてもよい）とを備えていて、上記磁気光学材料 が、データ記憶媒体の構造体全体に対し、入射する光学放射を受けられるように 配置された光学データ記憶媒体が提供される。

上記基体は、一般に、誘電体であり、多くの実施例では、きめのある構造を保持 する。

更に、本発明は、このようなデータ記憶媒体に記録（書き込み）及び読み取りを 行なう方法も提供する。更に、本発明は、上記の構造体を有していると共に、本 発明の方法によって記録が行なわれている、予め記録されたデータ記憶媒体も提 供する。

本発明の一実施例によれば、若干きめのある表面て金属の薄膜が被覆された基体 を備え、上記金属の薄膜は」−２己表面のきめに適合するものであり、そして更 に、上記金属の薄膜上には、これも又、上記基体表面のきめに適合する磁気光学 材料の薄膜が設けられているようなデータ記憶媒体が提供される。磁気光学材料 の膜自体が高い反射性のものである場合には、金属の薄膜を除去できる。

磁気光学膜の厚さは、５〜１０θｎｍ　（ナノメータ）の範囲であるのが好まし い。このような構造体の７つが、第１図に一例として示されている。きめの深さ く例えば、表面が格子の形態である場合には山から谷までの寸法）は、非常に小 さく、例えば１０＝！ｒＯｎｍの範囲である。

或いは又、きめの深さＨ，！ｉ　０−２００　ｎｍの範囲であってもよい。きめ の平均♂ツチは、通常、書き込み又は読み取り放射の波長以下である。

基体と磁気光学膜との間の薄膜を構成する金属は、銀、金、銅又はアルミニウム であるのが好ましい。この膜の厚さは、例えば、７０〜１１００ｎの範囲である 。

磁気光学膜の上には、例えば、銀、金、銅又はアルミニウムの薄い金属膜が被覆 されてもよい。このような被膜の厚さは、Ｓ〜３０　ｎｍの範囲である。

表面のきめ組織は、実質的に平行な一連の交互の谷及び山の形態であってもよい 。便宜上、これらは均一に離間され、そして深さ及び形状も均一のものとするが 、これは重要ではない。このような表面は、分光技術で良く知られた表面レリー フ回折格子に類似しているので、以下格子と称することにする。きめは、このよ うｈ２つの格子が成る角度で相互に配置されたもので構成される。

格子は、相互に垂直に配置される。このようなきめのある表面を、交差格子と称 する。このような格子を作る方法は数多く知られており、干渉フィールドの写真 平版法、機械的な罫がき、及び既存の表面からの複製がこれに含まれる。

磁気光学層として使用するのに適した材料は、遷移元素、希土類元素、少なくと も７つの希土類元素と少なくとも７つの遷移元素との合金、及び少なくとも１つ の遷移元素と少なくとも７つの半金属との合金を含むことが分った。満足に作用 する材料は、鉄、コバルト、ニッケル、テルビウム−鉄、がトリニウム−コバル ト、及ヒマンガンービスマスを含む。１つの特定の好ましい材料は、テルビウム −鉄のアモルファス（ガラス質）合金であり、これは好ましい状態の下で処理し た時に膜面に対して直角の磁化特性を有することができる。

磁気光学材料及び光学反射材料の少なくとも一方の誘電率は、好１しくに、当該 放射の周波数において負の実数部と小さな虚数部とを有するものでなければなら ない。

本発明のこの第１実施例のきめの浅い構造体は、第２図に示すように放射がその 入射平面に平行にリニアに偏光された電気ベクトルＥを有する時に、読み出しの 信頼性を高める。これに、入射平面の偏光と称する。表面のきめ組織が格子の形 態をとる時には、読み出しビームの偏光を、好ましくは、格子線に厳密に垂直に しなければならない。（これは、きめ組織が、はソ直角に交差する２つの格子の 形態をとる時には不要である。）小さな記録ビット、典型的に直線寸法がり００ 　ｎｍ〜夕０００　ｎｍ　、を読み出す場合には、波長がりθＯｎｍ　〜１００ θｎｒｒ１の読み出し放射が著しく集束され、それ故、広い角度から表面に当た るようにされる。この放射は、この角度範囲にわたって滑かに強度が変化するも のである。

表面から反射される放射も成る角度範囲内で出て来て、この角度範囲にわたって 強度は主として滑らかに変化するが、この角度範囲の小さな部分については、甚 しい強度低下が観察され喝。これが第３図（、）　、　（ｂ）及び（ｃ）に示さ れている。この強度低下の角度位置において（適当な向きにされた分析器を介し て）観察している光検出器は、情報を保持した磁気光学成分の著しい強度増加を 観察する。又、この光検出器は、入射する放射に平行に偏光された放射成分（通 常の反射成分）の著しい強度低下も観察する。その結果、読み出しコントラスト と、読み出しの信号対雑音比との両方が著しく改善される。従って、本発明は、 更に、データ記憶媒体に記憶されたデータを読み取る方法であって、媒体の表面 を読み出し放射で観察即ち走査した時に反射率が鋭く減少（垂下）するところの 角度範囲内で磁気光学信号の強度を監視するような方法も提供する。

第９図は、表面反射率のこの垂下点及びその付近において情報保持成分の強度を 例示的に測定したグラフである。第り図において、曲線Ａば、第７図の如き浅い 格子平面上に磁気光学層を設けた場合を示すものであり、曲線Ｂは、これと同様 の構造であるが、磁気光学層の上に銀の層を設けた場合を示すものであり、そし て曲線Ｃは平らな基体に対するものである。

表面の反射率垂下が非常に鋭い場合には□これは表面のきめ組織上に高反射性の 金属層又は磁性金属層を設けた場合に生じるー、磁気層の磁化方向を逆転した際 に反射率垂下点の位置が著しく変化する。それ故、別の読み出し法は、反射率垂 下の角度位置を測定することである。従って、本発明は、データ記憶媒体に記憶 されたデータを読み取る第２の方法であって、読み出し放射で媒体表面を観察即 ち走査した時に媒体からの反射率が明確に減少（垂下）するところの角度位置を 監視するような方法も提供する。この方法が、読み出しの信号対雑音比を高くす るという点で最初の方法と同様に有用であるかどうかは分っていない。

反射率垂下の発生は、磁気膜内の集合的な電子運動（表面ボラＩＪ　）ンもしく はゾラズモン）が入射する放射によって励起されることば基因するものであり、 表面のきめ組織は入射する放射とこの集合的な電子運動とを効果的に結合できる ようにする。

このきめの浅い表面は、成る狭い角度範囲に対して強力な吸収を与え、書き込み 感度を若干改善する。

きめの浅い表面からの読み出しについては、表面が深さ２５〜’Ｉ　Ｏｎｍ　の 正弦波状の形態をとりそしてその周期が読み出し放射の波長より若干小さい峙て 最も良い結果が得られた。磁気膜に反射性が高く、例えば、コバルト、テリビウ ムー鉄及びガドリニウム−コバルト、そして厚みが５　ｎｍ−３０ｎｍの範囲の ものが好ましい。これらの状態の下では、磁気光学成分の強度が７．５倍増加さ れそして普通の反射成分の強度が８に減少された。

実際の消去可能なデータ記憶及び検索媒体の場合は、磁化の方向が表面の平均平 面に垂直になるようｌ゛′極″形態が好ましい。というのは、記録密度を最大に できるからである。この構成で、磁気層として好ましい一材料は、ＭｎＢ１．　 ＴｂＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、及びその他の希土類元素−遷移元素の合金である。

本発明の第一の実施例によれば、よりきめの深い表面が該表面のきめに適合する 薄い磁気膜で被覆された基体より成るデータ記憶媒体が提供される。このきめ組 織は、平均空間寸法が読み出し放射の波長よりも小さいのが好ましく、そしてそ の深さは好ましくは読み出し放射の波長の少なくとも馳。であり、更に好ましく は少なくとも八である。書き込みもしくは読み取り放射の波長をＷとすれば、ｏ 、、：ｒ、　ｗ〜θ、！ｉＷの格子深さが特に効果的であると分った。表面が表 面レリーフ格子の場合には、平均空間寸法が格子ピッチとなる。表面レリーフは 、単一格子の形態をとってもよいし、２つ以上の格子を成る角度で相互に配置し た形態をとってもよい。格子がコつの場合には、これらが相互に直角に配置され る。単一の格子が特に効果的であると分った。薄い磁気膜は、きめのある表面上 で連続的であってもよいし、断続的であってもよい。この構造についての例が第 Ｓ図（ａ）、（ｂ）及び（Ｃ）に示されている。この図及びこれ以降の全ての図 において、１は磁気層でありそして２は金属ミラ一層である。

本発明の第３の実施例によれば、本発明の第一の実施例で述べたものと深さ、周 期及び輪郭が同様の、−きめのある表面を有した基体より成るデータ記憶媒体が 提供される。このきめのある表面には薄い金属膜が被覆され、次いでこの膜には 薄い磁気膜が被覆され、両膜層は表面のきめ組織に適合するものである。これら の膜層のいずれか一方又は両方は連続的或いは断続的である。この構造の例が、 上部が帽子状輪郭のものと正弦波状輪郭のものとについて、第４図（ａ）〜（ｅ ）に示されている。上部が帽子状の場合には、便利なことに、ミラ一層とその下 の磁気光学膜との間の電磁又は光学的な経路長さが読み取り又は書き込み放射の 四分の一波長の奇数となるように、ミラ一層が配置される。

本発明の第グの実施例によれば、金属の薄膜が平らな基体上に付着され、そして 本発明の第一の実施例で述べたものと深さ、周期及び輪郭が同様の、きめのある 表面を呈する誘電体層が上記金属の薄膜に被覆される。次いで、この誘電体層に 薄い磁気膜が被覆される。上記膜層のいずれか一方又は両方は連続的又は断続的 である。この構造の例が、上部が帽子状の輪郭をしたものについて、第７図（ａ ）及び（１））に示されている。

本発明の第５の実施例によれば、薄い磁気膜が平らな基体上に付着され、そして 本発明の第一の実施例で述べたものと深さ、周期及び輪郭が同様の、きめのある 表面を呈する誘電体層が上記磁気膜に被覆される。次いで、この誘電体層に薄い 金属膜が被覆される。上記膜層のいずれか一方又は両方は連続的又は断続的であ る。本発明のこの実施例が第７図（ｃ）及び（ｄ）に示されている。

第６の実施例によれば、第１又は第５の実施例のいずれかで規定した形成の構造 体の上て、媒体の表面を平らにするに充分な深さ１で誘電材が被覆される。この ような構造では、被覆誘電体層の下面が、基体並びに磁気光学膜及び／又は金属 膜のきめのある表面に適合する。この実施例では、比較的きめの深い構造が好寸 しい。このような構造のが第Ｓ図に例示されている。

本発明の第２．第３．第グ、第５及び第６の実施例の各々においては、表面のき め組織が、上部が帽子状（方形波）の輪郭或いはこれが交差した輪郭であるか、 又は正弦波状の表面レリーフ格子或いはこれが交差した輪郭であるのが最も便利 であるが、他の輪郭、例えば三角形又は鋸歯状の輪郭も本発明の範囲内に含まれ るものとする。各々の場合に、データの書き込み又は読み取りのいずれか（又は 両方）において、格子の深さが書き込み放射又は読み取り放射の波長の０．．２ 倍から０，５倍の範囲内にある時に特定の効果が得られることが分った。書き込 みの場合は、交差格子又は単一格子形態のいずれかにおいて効果が発揮される。

読み出しの場合には、単一格子形態が好ましい。

単一格子形態に対して書き込みを行なう時には、格子線に垂直にリニアに偏光さ れた放射の場合に、非常に低い反射率ではソ完全な吸収が生じることが分ってい る。

この著しい吸収は広い入射角にわたって生じ、放射を円錐状にしっかりと集束さ せることが必要な非常にサイズの小さい記録スポットの場合でも、はソ全部の入 射放射エネルギを熱磁気記録に利用して、非常に高い書き込み感度を与えること ができる。

交差格子形態に対して書き込みを行なう時にも、広範な入射角にわたり、入射放 射のいかなる偏光状態についてもはマ完全な吸収が生じ、非常に高い書き込み感 度が得られる。

単一格子形態のものから読み出しを行なう場合は、格子線に垂直に偏光された読 み出し放射により、゛°普通″′の反射成分の強度が非常に低く、される。更に 、著しいエネルギ吸収によって、磁気光学成分の強度が著しく増加される。これ らがあいまって、反射した読み出し放射の偏光回転角が相部に増大される。どの 場合も、広い入射角にわたり、平らな（きめのない）基体表面上に設けらは３倍 の回転角増加がみられる。一般に、この構造体からの読み出しについては、コン トラスト及び信号対雑音比の両方が相当に増大される。

表面のきめ組織として第６図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）及び第７図（、 ）〜（ｄ）に示された構造体では、格子線に垂直に入射平面内で偏光された書き 込み及び読み出し放射を用いた時に優れた性能が得られた。書き込み及び読み出 し放射の波長がＡ　３３　ｎｍの場合、正弦波構造体についての好ましいピッチ 及び深さが１３０−’ｌ００ｎｒｎであり、そして上部が帽子状の構造体につい ては、／ｇθ〜３ｏθｎｍ　である。薄い金属ミラ一層は、不透明となるに充分 な程の厚みを有していなければならないが、構造体を著しく”埋め″るようなも のであってはならない。このミラ一層としてアルミニウムを用いた場合には、／ 夕〜３０ｎｍ　の厚みが適当である。構造体の頂部に金属層が付着される際には （従って、この層は表面を横切って断続的に延びる）、その厚みが典型的に７０ 〜！；Ｏｎｍの範囲であり、そしてその材料は、第１の実施例のきめの浅い表面 について上記した希土類元素−遷移元素合金のいずれかである。

」二記した他の構造体でも、読み出し性能は大巾に改善されるが、現在のところ 、第４図（ｂ）　、　（ｄ）　、　（ｅ）及び第７図（ａ）　−（ｄ）の構造体 に関する限りこのような改善は観察されていない。

正弦波状の構造体及び上部が帽子状の構造体は、更に別の２つの製造上の理由で 好ましい。先ず第１に、画形式の構造体に設けられる磁気層は実質的に平らであ るから、記録ビットの磁化方向が読み出し、放射に対して良好に定められ、最大 の磁気光学信号が与えられる。

第一に、これら形態の構造体は、干渉フィールドの写真平版技術、機械的な罫が き、或いは既存の表面からの複製のいずれかによって形成できる。特に、第Ｓ図 及び第４図に示された構造体の場合には、例えば干渉フィールドの写真平版技術 及び電気メツキ技術に“よって格子形態媒体の゛°マスター“を形成することが でき、そして浮彫り、鋳造、射出成形及び圧縮成形の如き技術によって多数の複 製を形成することができる。これにより、゛高い収率で確実且つ再現性のある製 造を容易に行なうことができる。

磁気光学層は、成る制御された量の磁気光学材料を、成る制御された付着角度で 、きめのある表面にス・ぞツタリング又は蒸着することによって（低圧力で）形 成することもできる。

誘電（例えば、基体）層として適当であると分った材料は、ポリカーボネート、 フォトレノスト、ポリメチルメタクリレート、耐高温ナイロン及びポリエステル を含む。これらの材料は、浮彫りや鋳造のような公知の手段によって、既存の格 子表面輪郭を簡単に複製することができる。これらの手段により゛′マスター゛ 格子表面を何回でも複製することができる。それ故、各々のメモリ構造体ごとに 誘電体格子輪郭を形成する必要はｌｌ、−１ｏ格子輪郭を形成するこの容易さは 、多層構造体を製造する場合と対照的であり、この後者の場合に゛は、所要の細 かい裕度を達成することが困難である上に、各構造体の製造中にこのような裕度 を再現しなければならない。本発明による構造体では、マスター格子について細 い裕度を満足させねばならない。然し乍ら、いったんこれが達成されると、その 後は、これら裕度内でのその格子の再現性が容易に達成される。マスター格子は 、例えば、写真平版技術、機械的な切断又は他の手段で形成された格子だニッケ ル電気メッキを施した形態である。又、−例として上記した材料は、現在好才し いと考えられる磁気光学材料に情報を記録したりここから情報を消去したりする のに必要とされる高い温度に、損傷を生じることなく、耐えることができる。こ のような温度に耐えることのできる他の誘電材としてガラスが含まれるが、これ は一般にマスター格子の格子形状を複製するのが容易でない。

構造体の高反射率金属層上して適当であると分った材料は、銀、金、銅及びアル ミニウムを含む。他の金属も同様に効果的である。

浄書（内容に変更なし） 喚蝮峨給ヰ定９撒嬢 ｉｊ□Ｅ体−／／１ １．事件の表示　ＰＣＴ／ＧＢ１８３１００３２．０２、発明の名称　データ記 憶及び記録に関する改良３、補正をする者 事件との関係　出願人 ５、補正命令の日付　昭和５９年１０月２３日国際調査報告

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．波長Ｗの光学読み取り放射を用いた光学読み取り／書き込みシステム使用す ゛る光学データ記憶媒体であって、持ち上った面域とへこんだ面域とが規則的な 配列で配置されている表面きめ組織を保持した領域を有するか又は含んでいて、 その平均表面レベルに対して横方向に測定した周期（ピンチ）が波長Ｗ以下であ るような媒体において、 （ａ）基体と、 （ｂ）　磁気光学材料の層もしくは複数のゾーンと、（ｃ）光学反射材料の層も しくは複数のゾーン（これは、磁気光学材料の上記層もしくはゾーンと同じであ ってもよいし同じでなくてもよいし及び／又はこのような層もしくはゾーンで構 成されてもよいし構成されなくてもよい）七を備えていて、上記磁気光学材料が 、データ記憶媒体の構造体全体に対し、入射する光学放射を受けられるように配 置されたこ七を特徴とする光学データ記憶媒体。 ２　上記磁気光学膜の厚みは５〜／θ０ナノメークである請求の範囲第１項に記 載の媒体。 ３　上記磁気光学膜の上に薄い金属膜が被覆される請求の範囲第１項又は第２項 に記載の媒体。 ４、上記薄い金属膜は、銀、金、銅又はアルミニウムで形成される請求の範囲第 ３項に記載の媒体。 ５　上記薄い金属膜の厚みはＳ〜３０ナノメータである請求の範囲第３項又は４ 項に記載の媒体。 ６、上記表面のきめ組織は、実質的に平行な一連の交互の谷及び山の形態である 請求の範囲前記各項いずれか妬記載の媒体。 ７　上記各及び山は均一に離間され、且つ、深さ及び形状が均一である請求の範 囲第６項に記載の媒体。 ８　上記表面のきめ組織は、成る角度で相互に配置された一つの一連の谷及び山 で構成される請求の範囲第６項又は７項に記載の媒体。 ９　上記ａつの一連の谷及び山は相互に直交する請求の範囲第８項に記載の媒体 。 １０　上記磁気光学層は、遷移元素、希土類元素、少なくとも７つの希土類元素 と少なくとも７つの遷移元素との合金、又は、少なくとも７つの遷移元素と少な くとも７つの半金属との合金で形成される請求の範囲前記各項いずれかに記載の 媒体。 １１　上記磁気光学層は、鉄、コバルト、ニッケル、テルビウム−鉄、ガドリニ ウム−コバルト、又は、マンガ゛ンービスマスより成る請求の範囲第１０項に記 載の媒体。 １２　上記きめのある表面は正弦波形状である請求の範囲前記各項いずれかに記 載の媒体。 １３　上記表面きめ組織の深さく山−谷）は、／θ〜ＳＯナノメータである請求 の範囲前記各項いずれかに記載の媒体。 】４　上記表面きめ組織の深さく山−谷）は、ＳＯ〜氾θθｎｍ　である請求の 範囲第１項ないし１２項のいずれかに記載の媒体。 １５　上記きめのある表面の平均空間寸法ばＷより小さく、その深さは少なくと もＷのオ０である請求の範囲第１項ないし第１２項のいずれかに記載の媒体。 １６　上記きめのある表面は格子の形態である請求の範囲第１２項、１３項又は １４項、或いは１５瑣に記載の媒体。 １７、上記格子は方形波の形状である請求の範囲第１６項に記載の媒体。 １８　上記格子は正弦波の形状である請求の範囲第１６項に記載の媒体。 １９　上記格子は鋸歯状波の形状である請求の範囲第１６項に記載の媒体。 ２０　上記磁気光学層は、上記格子の持ち上った表面部分（島部）の上に形成さ れると共に、上記格子のへこんだ表面部分（くぼみ部）の上に形成される請求の 範囲第１７項又は１８項に記載の媒体。 ２Ｊ　上記磁気光学層は、上記格子の持ち上った表面部分（島部）の上のみに形 成される請求の範囲第１７項又は１８項に記載の媒体。 ２２　上記磁気光学層は、上記格子のへこんだ表面部分（くぼみ部）の上のみに 形成される請求の範囲第１７項又は１８項に記載の媒体。 ２３　上記磁気光学層は、金属のミラ一層の上又は］に形成される請求の範囲前 記各項いずれかに記載の媒体。 ２４　上記磁気光学層は、金属のミラ一層の上に形成され、そして金属のミラ一 層は上記格子のへこんだ表面部分（くぼみ部）の上ても存在する請求の範囲第２ ２項及び２３項に記載の媒体。 ２５　薄い金属膜が平らな基体上に形成され、その上に、上記きめのある表面を 有する誘電体層が被覆され、この誘電体層は上記磁気光学層を連続的もしくは断 続的な薄膜として支持する請求の範囲第１５項、１６項。 １７項又は１８項に記載の媒体。 ２６、磁気光学層が平らな基体上に形成され、その上に、上記きめのある表面を 有する誘電体層が被覆され、上記誘電体層の表面には、連続的又は断続的な薄い 金属膜が被覆される請求の範囲第１５項、１６項、１７項又は１８項に記載の媒 体。 ２７　上記きめのある表面はその形状が正弦波状であり、そのピッチ及び深さは 、読み出し放射の波長ＷがＡ３３ナノメータの場合、７５０〜ｑｏｏナノメータ である請求の範囲第１５項ないし２６項のいずれかに記載の媒体。 ２８、上記きめのある表面はその形状が正弦波状であり、そのピッチ及び深さは 、読み出し放射の波長Ｗがｇ、２ｏナノメータの場合、２００−３５０　す／　 メ−，ｐ　テある請求の範囲第１５項ないし２６項のいずれかに記載の媒体。 ２９　上記きめのある表面は、その形状が方形波状であり、そのピッチ及び深さ は、読み出し放射の波長Ｗが乙３３ナノメータの場合、／ｇθ〜３００ナノメー クである請求の範囲第１５項ないし２６項のいずれかに記載の媒体。 ３０　上記きめのある表面は、その形状が正形波状であり、そのピッチ及び深さ は、読み出し放射の波長Ｗがｇ−〇ナノメークの場合１．２グ０〜グ０θナノメ ークである請求の範囲第１５項ないし２６項のいずれかに記載の媒体。 ３１　上記金属のミラ一層は、厚みが１ｓ−ｓｏナノメータである請求の範囲第 ２３項、２４項又は２５項に記載の媒体。 ３２、上記媒体は、更に、その上に誘電体の被膜層を含み、その下面は上記きめ のある表面に適合するものであわ、そしてその上面は平らなものである請求の範 囲前記各項いずれかに記載の媒体。 ３３請求の範囲の前記各項いずれかに記載の光学データ記憶媒体上に記憶された データを読み取る方法において、上記媒体の表面を読み出し放射で観察即ち走査 した時に媒体からの反射に明確な減少（垂下）が生じるところの角度位置を監視 することを特徴とする方法。 ３４　請求の範囲第１項ないし３２項のいずれかに記載の光学デー　タ記憶媒体 上に記憶されたデータを読み取る方法において、上記媒体の表面を読み出し放射 で観察即ち走査した時に反射率に明確な減少（垂下）が生じるところの角度範囲 内で磁気光学信号の強度を監視することを特徴とする特許 １