JPS6050076B2 - 誘電体フイルムの単一電極分極化方法 - Google Patents
誘電体フイルムの単一電極分極化方法Info
- Publication number
- JPS6050076B2 JPS6050076B2 JP52113439A JP11343977A JPS6050076B2 JP S6050076 B2 JPS6050076 B2 JP S6050076B2 JP 52113439 A JP52113439 A JP 52113439A JP 11343977 A JP11343977 A JP 11343977A JP S6050076 B2 JPS6050076 B2 JP S6050076B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resin
- conductive surface
- vinylidene fluoride
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/098—Forming organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
- H01G7/021—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an organic dielectric
- H01G7/023—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an organic dielectric of macromolecular compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/857—Macromolecular compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/04—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
- H10N30/045—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning by polarising
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49226—Electret making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
フ 本発明は、分極された薄膜樹脂物品の製造方法に関
する。
する。
さらに詳しくいうと、本発明は、分極可能な誘電体樹脂
から単一の電極が使用されるエ レクトレットおよび圧
電またはパイロ電気薄膜物品を製造する方法に関する。
エレクトレット、圧電素子およびパイロ電気素子間の区
別は、技術に精通したものには十分周知である。
から単一の電極が使用されるエ レクトレットおよび圧
電またはパイロ電気薄膜物品を製造する方法に関する。
エレクトレット、圧電素子およびパイロ電気素子間の区
別は、技術に精通したものには十分周知である。
しかしながら、エレクトレット、圧電またはパイロ電気
効果を得るための樹脂フィルムの分極は、一般に類似の
従来的手法を使用して実施される。この手法は、薄膜を
回路中の２電極間のキャップ中に入れ、電極に樹脂物品
を分極するに十分の電圧を印加するのである。電圧の印
加中、電荷の維持に影響を及ぼすように、加熱および続
いての冷却がしは七は実施される。圧電およびパイロ電
気素子に関して、この分極行程は、電極間で物質の双極
子を整列するためであるといわれる。電界を印加する上
述の従来方法は、薄膜樹脂物品の一部を破壊するに十分
強く、その部分に放電を生じせしめることがしばしばあ
る。
効果を得るための樹脂フィルムの分極は、一般に類似の
従来的手法を使用して実施される。この手法は、薄膜を
回路中の２電極間のキャップ中に入れ、電極に樹脂物品
を分極するに十分の電圧を印加するのである。電圧の印
加中、電荷の維持に影響を及ぼすように、加熱および続
いての冷却がしは七は実施される。圧電およびパイロ電
気素子に関して、この分極行程は、電極間で物質の双極
子を整列するためであるといわれる。電界を印加する上
述の従来方法は、薄膜樹脂物品の一部を破壊するに十分
強く、その部分に放電を生じせしめることがしばしばあ
る。
多くの樹脂は、放電中炭素化し、薄膜中に導電路を形成
し、適当なエレクトレットおよび圧電またはパイロ電気
素子の製造中分極行程において望ましくない数の破損を
もたらすことになる。本発明にしたがえば、分極された
薄膜樹脂は、分極可能な誘電体樹脂を、未接地電気回路
中の唯一の電極てある単一の導電性表面と親密に接触さ
せ、そしてこの導電性表面を少なくとも前記薄膜樹脂を
分離するに十分の電圧で荷電することによ．り製造され
る。
し、適当なエレクトレットおよび圧電またはパイロ電気
素子の製造中分極行程において望ましくない数の破損を
もたらすことになる。本発明にしたがえば、分極された
薄膜樹脂は、分極可能な誘電体樹脂を、未接地電気回路
中の唯一の電極てある単一の導電性表面と親密に接触さ
せ、そしてこの導電性表面を少なくとも前記薄膜樹脂を
分離するに十分の電圧で荷電することによ．り製造され
る。
本発明の方法により得られる利点は、他にもあるが、薄
膜樹脂物品を分極する際樹脂を破壊することなく極度に
高電圧を採用できること、および異なる形状の高分極薄
膜物品を比較的容易に形成！てきることてある。
膜樹脂物品を分極する際樹脂を破壊することなく極度に
高電圧を採用できること、および異なる形状の高分極薄
膜物品を比較的容易に形成！てきることてある。
本方法に適当な分極可能な誘電体物質は、多くの形式の
熱プラスチック性、交叉結合可能な熱プラスチック性、
熱硬化性樹脂を含む。
熱プラスチック性、交叉結合可能な熱プラスチック性、
熱硬化性樹脂を含む。
従来技術においてエレクトレットを形成するに有用と教
示さ３れるか）る樹脂の例は、ポリエステル、ポリオレ
フィン、ポリアミド、ポリ（アミノ酸）、ポリカーボネ
ート、種々のセルローズ誘導体、酢酸ポリビニル、ポリ
スチレン、ポリアクリルニトリル、ポリアクリレート、
ポリスルホン、ポリシアン化４ビニルデ゛ンおよびポリ
（ハロゲン化オレフィン）、例えばフッ化ビニリデンポ
リマ、塩化ビニリデンポリマ、塩化ビニルポリマ、フッ
化ビニルポリマ、テトラフルオロエチレンポリマクロロ
トリフルオロエチレンポリマおよび同等物である。か）
るポリマは、ホモポリマ、コーポリマまたはターポリマ
樹脂、ならびに樹脂混合物または配合物を含む。圧電お
よびパイロ電気素子の形成に好ましい樹脂は、ポリマチ
ェーンに少なくとも多モル割合のフッ化ビニリデンを含
むもので、例えばフッ化ビニリデンホモポリマ、および
少なくとも６５モル％のフッ化ビニリデンおよび少なく
とも一種の、好ましくはテトラフルオロエチレンおよび
ノフツ化ビニルを含む他の共重合可能なモノマーのコー
ポリマまたはターポリマを含む。フッ化ビニリデン樹脂
は、懸濁または浮濁重合法により従来の方法で製造され
る。こられの樹脂の薄膜、例えばフィルムおよびシート
は、予め形成され、導電性表面（電極）と親密に接触せ
１７められてもよいし、電極表面上てその場で薄膜が形
成されてもよい。
示さ３れるか）る樹脂の例は、ポリエステル、ポリオレ
フィン、ポリアミド、ポリ（アミノ酸）、ポリカーボネ
ート、種々のセルローズ誘導体、酢酸ポリビニル、ポリ
スチレン、ポリアクリルニトリル、ポリアクリレート、
ポリスルホン、ポリシアン化４ビニルデ゛ンおよびポリ
（ハロゲン化オレフィン）、例えばフッ化ビニリデンポ
リマ、塩化ビニリデンポリマ、塩化ビニルポリマ、フッ
化ビニルポリマ、テトラフルオロエチレンポリマクロロ
トリフルオロエチレンポリマおよび同等物である。か）
るポリマは、ホモポリマ、コーポリマまたはターポリマ
樹脂、ならびに樹脂混合物または配合物を含む。圧電お
よびパイロ電気素子の形成に好ましい樹脂は、ポリマチ
ェーンに少なくとも多モル割合のフッ化ビニリデンを含
むもので、例えばフッ化ビニリデンホモポリマ、および
少なくとも６５モル％のフッ化ビニリデンおよび少なく
とも一種の、好ましくはテトラフルオロエチレンおよび
ノフツ化ビニルを含む他の共重合可能なモノマーのコー
ポリマまたはターポリマを含む。フッ化ビニリデン樹脂
は、懸濁または浮濁重合法により従来の方法で製造され
る。こられの樹脂の薄膜、例えばフィルムおよびシート
は、予め形成され、導電性表面（電極）と親密に接触せ
１７められてもよいし、電極表面上てその場で薄膜が形
成されてもよい。
樹脂の溶剤溶液、有機分散液および水性分散液を、平坦
または彎曲せる電極表面上てフィルムまたはシートとし
て流延させ、樹脂の凝固、合着または溶融前、中または
後、高電圧にさらすことができる。薄膜は、静電被覆法
により、電極表面上に散布された熱プラスチック性の樹
脂粉末の溶融により、あるいは他の乾燥形成技術により
電極上に直接形成しうる。形成された薄膜は、吹付け、
延伸および圧延およびこれらの技術の組合せを含む従来
の手段により単軸配向、２軸配向または多軸配向されう
る。
または彎曲せる電極表面上てフィルムまたはシートとし
て流延させ、樹脂の凝固、合着または溶融前、中または
後、高電圧にさらすことができる。薄膜は、静電被覆法
により、電極表面上に散布された熱プラスチック性の樹
脂粉末の溶融により、あるいは他の乾燥形成技術により
電極上に直接形成しうる。形成された薄膜は、吹付け、
延伸および圧延およびこれらの技術の組合せを含む従来
の手段により単軸配向、２軸配向または多軸配向されう
る。
予め形成された薄膜は、例えば好ましくは加熱されたガ
スを、薄膜の表面に一様に吹き付けて、その他面を電極
表面と接触させることにより、あるいは真空手段により
電極の表面と親密に接触せしめられる。本発明の目的の
ため、単一の厚さに予め形成されたフィルムまたは多層
のフィルムまたはシートが分極化されうる。
スを、薄膜の表面に一様に吹き付けて、その他面を電極
表面と接触させることにより、あるいは真空手段により
電極の表面と親密に接触せしめられる。本発明の目的の
ため、単一の厚さに予め形成されたフィルムまたは多層
のフィルムまたはシートが分極化されうる。
多層形式の場合、積層は単一の厚さと考えることができ
るから、外層の外表面のみが電極表面と接触される。単
一の電極上にその場て製造される薄膜は、樹脂の溶剤溶
液を電極表面上に流延し、電極に高電圧を印加し、溶液
を溶剤か揮発する温度まて加熱することにより形成され
るのがよい。
るから、外層の外表面のみが電極表面と接触される。単
一の電極上にその場て製造される薄膜は、樹脂の溶剤溶
液を電極表面上に流延し、電極に高電圧を印加し、溶液
を溶剤か揮発する温度まて加熱することにより形成され
るのがよい。
溶剤が実質的に除去された後、フィルムは冷却され、電
極上の電荷は除去される。好ましいフッ化ビニリデンポ
リマ樹脂を採用するとき、適当な溶剤は、例えばジメチ
ルアセトアミド、ジエチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド、ジエチルホルムアミド、メチルエチルケトン
、ジイソブチルケトン、ジメチルスルホキシド、テトラ
エチルウレア、トリエチルホスフェート、これら溶剤自
体およびこれら溶剤と有機液体希釈剤の混合物てある。
他の樹脂に対する溶剤および液体キャリアは、技術に精
通したものに十分周知である。溶剤または他の液体媒体
除去が行なわれる温度は、樹脂を保持するために採用さ
れる特定の液体に対して変わるものてあり、技術に精通
したものは、得られる薄膜を破損せずに溶液または他の
液体を除去するに必要な温度限界を知るてあろう。好ま
しい温度範囲は、約５０ないし１５０′Ｃ１さらに好ま
しくは約１００ないし１３０℃である。液体の除去は、
また真空中て、温度を高めてまたは高めないて実施され
る。高められた温度、すなわち室温以上の温度から採用
される樹脂の融解温度のすぐ下の温度まで、好ましくは
約５０ないし約１５０℃まての温度は、双極子の整列を
促進することによる樹脂薄膜の分極化および樹脂内およ
び樹脂上の外部電界の誘起を補助するためにも使用され
る。多くの樹脂内に電荷を良好に保持するために、薄膜
は、加熱処理後、高電圧を維持しながら冷却せしめられ
る。被覆されたまたは薄層を被せた永久導電性表面を有
する薄膜エレクトレット、圧電およびパイロ電気素子を
提供することがしはしは重要である。配向または未配向
の予め形成されたフィルムは、１側または両側を、蒸着
、電気メッキ、塗布、スパッタリング、薄層被覆等によ
り、導電性物質例えばアルミニウム、亜鉛、金、スズ、
クロムおよびニッケル等により被覆される。電極表面上
にその場で形成される薄膜は、まず電極上に極薄の金属
箔または格子を形成し、ころ箔の上側に液体フィルム組
成物を流延して、最終的にモノリシックな構造体を形成
することにより都合よく金属化される。
極上の電荷は除去される。好ましいフッ化ビニリデンポ
リマ樹脂を採用するとき、適当な溶剤は、例えばジメチ
ルアセトアミド、ジエチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド、ジエチルホルムアミド、メチルエチルケトン
、ジイソブチルケトン、ジメチルスルホキシド、テトラ
エチルウレア、トリエチルホスフェート、これら溶剤自
体およびこれら溶剤と有機液体希釈剤の混合物てある。
他の樹脂に対する溶剤および液体キャリアは、技術に精
通したものに十分周知である。溶剤または他の液体媒体
除去が行なわれる温度は、樹脂を保持するために採用さ
れる特定の液体に対して変わるものてあり、技術に精通
したものは、得られる薄膜を破損せずに溶液または他の
液体を除去するに必要な温度限界を知るてあろう。好ま
しい温度範囲は、約５０ないし１５０′Ｃ１さらに好ま
しくは約１００ないし１３０℃である。液体の除去は、
また真空中て、温度を高めてまたは高めないて実施され
る。高められた温度、すなわち室温以上の温度から採用
される樹脂の融解温度のすぐ下の温度まで、好ましくは
約５０ないし約１５０℃まての温度は、双極子の整列を
促進することによる樹脂薄膜の分極化および樹脂内およ
び樹脂上の外部電界の誘起を補助するためにも使用され
る。多くの樹脂内に電荷を良好に保持するために、薄膜
は、加熱処理後、高電圧を維持しながら冷却せしめられ
る。被覆されたまたは薄層を被せた永久導電性表面を有
する薄膜エレクトレット、圧電およびパイロ電気素子を
提供することがしはしは重要である。配向または未配向
の予め形成されたフィルムは、１側または両側を、蒸着
、電気メッキ、塗布、スパッタリング、薄層被覆等によ
り、導電性物質例えばアルミニウム、亜鉛、金、スズ、
クロムおよびニッケル等により被覆される。電極表面上
にその場で形成される薄膜は、まず電極上に極薄の金属
箔または格子を形成し、ころ箔の上側に液体フィルム組
成物を流延して、最終的にモノリシックな構造体を形成
することにより都合よく金属化される。
しかるとき、該構造体は、連続層または個々の金属領域
配列て金属化された反対面を有することがてきる。その
とき電極表面と接触する金属箔または格子自体は、薄膜
表面が親密に接触する電極表面となる。本発明の方法は
、以下の特定の実施例においては固定態様て説明される
が、連続的態様でも実施できる。
配列て金属化された反対面を有することがてきる。その
とき電極表面と接触する金属箔または格子自体は、薄膜
表面が親密に接触する電極表面となる。本発明の方法は
、以下の特定の実施例においては固定態様て説明される
が、連続的態様でも実施できる。
これは例えば、加熱室および冷却室を同速度で移行させ
ながら、親密な接触を維持するように設計された可能電
極ベルトおよび可動薄膜を採用することにより行なわれ
る。本発明に依る薄膜の分極化は、普通高導電性金属例
えば黄銅である導電性表面上で実施される。
ながら、親密な接触を維持するように設計された可能電
極ベルトおよび可動薄膜を採用することにより行なわれ
る。本発明に依る薄膜の分極化は、普通高導電性金属例
えば黄銅である導電性表面上で実施される。
薄膜の荷電されるべき部分は、電極表面と直接接触（導
電接触）せしめられて維持される。薄膜の選択された部
分のみが分極化を必要とすれば、これらの部分のみが電
極と直接接触される。少なくとも５０ＫＶＩｃｍ１好ま
しくは少なくとも３００ＫＶＩｃｍ１そして周囲空気の
誘電体強度までの直流電圧が、本発明における分極化の
ために採用される。
電接触）せしめられて維持される。薄膜の選択された部
分のみが分極化を必要とすれば、これらの部分のみが電
極と直接接触される。少なくとも５０ＫＶＩｃｍ１好ま
しくは少なくとも３００ＫＶＩｃｍ１そして周囲空気の
誘電体強度までの直流電圧が、本発明における分極化の
ために採用される。
図面において、第１図は本発明の１実施例の側断面図で
、平坦な底部を有する容器２が単一の電極として働き、
電極２上に配置または形成された薄い導電性シート６上
に流延された分極可能な誘電体樹脂４の溶液、分散液ま
たは乳濁液を保持している。
、平坦な底部を有する容器２が単一の電極として働き、
電極２上に配置または形成された薄い導電性シート６上
に流延された分極可能な誘電体樹脂４の溶液、分散液ま
たは乳濁液を保持している。
加熱室ないしオープン２０が組立体を取り巻き、組立体
に対して所望の熱量を提供している。第２図は本発明の
他の実施例の側断面図て、予め形成された誘電体フィル
ム８が、重量物１２により平坦な電極板１０と親密な接
触下に維持される。
に対して所望の熱量を提供している。第２図は本発明の
他の実施例の側断面図て、予め形成された誘電体フィル
ム８が、重量物１２により平坦な電極板１０と親密な接
触下に維持される。
第３図は本発明の他の実施例の側断面図て、導電性被覆
１６を有する誘電体樹脂の予め形成されたフィルム１４
が不規則形状の電極１８と接触下ノに分極される。
１６を有する誘電体樹脂の予め形成されたフィルム１４
が不規則形状の電極１８と接触下ノに分極される。
以下の実施例は本発明を証明するために記載されるもの
である。
である。
実施例１
０．７ミルの厚さを有し、両側にアルミニウムを７真空
蒸着したフッ化ビニリデンホモポリマフィルムを２枚の
平担な黄銅電極間に入れそれと接触させた。
蒸着したフッ化ビニリデンホモポリマフィルムを２枚の
平担な黄銅電極間に入れそれと接触させた。
３９３ＫＶＩｃｍの電界がフィルムに印加されるまで電
極に直流電圧を印加した。
極に直流電圧を印加した。
フィルム温度は１２０′Ｃに上昇維持した。１０分後、
誘導体の破壊が生じ、フィルムはもはや印加電圧に耐え
得なかつた。
誘導体の破壊が生じ、フィルムはもはや印加電圧に耐え
得なかつた。
これらの条件下における多数回の反復実験は、しばしば
試料の破損をもたらし、従来の分極化法の臨界的性質を
示した。実施例 ■ 冗重量％のフッ化ビニリデンー３唾量％のテトラフルオ
ロエチレンコーポリマ樹脂をジメチルホルムアミド中に
溶解した１唾量％溶液を、第１図に示されるごとく電極
板として働く黄銅容器板中に注ぎ、４７２ＫＶ１ｃｍ（
乾燥フィルム厚に基づく）のＤＣ電圧を、回路を接地す
ることなく電極板に印加した。
試料の破損をもたらし、従来の分極化法の臨界的性質を
示した。実施例 ■ 冗重量％のフッ化ビニリデンー３唾量％のテトラフルオ
ロエチレンコーポリマ樹脂をジメチルホルムアミド中に
溶解した１唾量％溶液を、第１図に示されるごとく電極
板として働く黄銅容器板中に注ぎ、４７２ＫＶ１ｃｍ（
乾燥フィルム厚に基づく）のＤＣ電圧を、回路を接地す
ることなく電極板に印加した。
板の温度は、２ｒｃから１００℃に緩やかに上昇させ、
そしてこの温度に１時間半維持した。温度は、次いで１
時間の間１３０半に上昇させ、次いで板を３０゜Ｃまで
緩やかに冷却し、板の電圧を除去した。形成された分極
化せるフィルム（１ミル）の両面を、次いでアルミニウ
ム箔電極て被覆したところ、得られた素子は、５．６Ｐ
ＣＩＮ（ピコ クーロン／ニュートン）の圧電係数（Ｄ
３３）を示した。同様に流延された未分極のフィルムは
、０．０２８ｐＣＩＮの活動度しか示さなかつた。実施
例 ■一側を金属化された０．４ミルのポリマフィルム
の試料を単一の黄銅電極上に金属化した側を下にして置
いた。
そしてこの温度に１時間半維持した。温度は、次いで１
時間の間１３０半に上昇させ、次いで板を３０゜Ｃまで
緩やかに冷却し、板の電圧を除去した。形成された分極
化せるフィルム（１ミル）の両面を、次いでアルミニウ
ム箔電極て被覆したところ、得られた素子は、５．６Ｐ
ＣＩＮ（ピコ クーロン／ニュートン）の圧電係数（Ｄ
３３）を示した。同様に流延された未分極のフィルムは
、０．０２８ｐＣＩＮの活動度しか示さなかつた。実施
例 ■一側を金属化された０．４ミルのポリマフィルム
の試料を単一の黄銅電極上に金属化した側を下にして置
いた。
フィルムは、４７００ＫＶＩαを１３５゜Ｃで１時間、
回路を接地することなく黄銅電極に印加した。フィルム
は次いで、３０℃に緩やかに冷却し、板の電圧を除去し
た。フィルムは０．０８４ｐＣＩＮの圧電係数を示した
。実施例 ■ ポリ （フッ化ビニリデン）フィルム（１ミル）の試料
を、１１５゜Ｃで１時間、回路を接地せすに単一電極に
３９４０ＫＶ１ｃｍを印加して分極化した。
回路を接地することなく黄銅電極に印加した。フィルム
は次いで、３０℃に緩やかに冷却し、板の電圧を除去し
た。フィルムは０．０８４ｐＣＩＮの圧電係数を示した
。実施例 ■ ポリ （フッ化ビニリデン）フィルム（１ミル）の試料
を、１１５゜Ｃで１時間、回路を接地せすに単一電極に
３９４０ＫＶ１ｃｍを印加して分極化した。
フィルムは次いて緩やかに３０℃に冷却し、板（電極）
”の電圧を除去した。フィルムは、２．２ｐＣ１Ｎの圧
電係数（Ｄ３３）を示した。
”の電圧を除去した。フィルムは、２．２ｐＣ１Ｎの圧
電係数（Ｄ３３）を示した。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１実施例の側断面図、第２図は本発明
の他の実施例の側断面図、第３図は本発明の他の実施例
の側断面図てある。 図面中、主要な符号は以下の通りてある。 ２：容器（電極）、４：誘電体樹脂、６：導電性シート
、８：誘電体フィルム、１０：電極板、１２：重量物、
１４：誘電体樹脂フィルム、１６：導電性被覆、１８：
不規則形状電極。
の他の実施例の側断面図、第３図は本発明の他の実施例
の側断面図てある。 図面中、主要な符号は以下の通りてある。 ２：容器（電極）、４：誘電体樹脂、６：導電性シート
、８：誘電体フィルム、１０：電極板、１２：重量物、
１４：誘電体樹脂フィルム、１６：導電性被覆、１８：
不規則形状電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 分極可能な誘電体樹脂の薄膜の一面を、未接地電気
回路の単一電極である導電性表面と親密に接触させ、該
導電性表面を前記薄膜樹脂を分極するに十分の電位で荷
電する薄膜樹脂を分極化する方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、薄膜が
室温よりすぐ上の温度から前記樹脂の融点のすぐ下の温
度までの範囲の温度に加熱され、前記導電性表面上の電
荷が加熱中維持される薄膜樹脂分極化方法。 ３ 特許請求の範囲第２項記載の方法において、前記樹
脂が少なくとも６５モル％のフッ化ビニリデンを含むポ
リマである薄膜樹脂分極化方法。 ４ 特許請求の範囲第２項記載の方法において、薄膜か
予め形成される薄膜樹脂分極化方法。 ５ 特許請求の範囲第２項記載の方法において、薄膜が
前記導電性表面上でその場で形成される薄膜樹脂分極化
方法。 ６ 特許請求の範囲第５項記載の方法において、導電性
表面と接触される薄膜が、前記樹脂の流延された溶液で
ある薄膜樹脂分極化方法。 ７ 特許請求の範囲第６項記載の方法において、前記樹
脂が少なくとも６５モル％のフッ化ビニリデンを含むポ
リマである薄膜樹脂分極化方法。 ８ 特許請求の範囲第７項記載の方法において、薄膜が
約５０ないし約１５０℃の範囲の温度に加熱される薄膜
樹脂分極化方法。 ９ 特許請求の範囲第４項記載の方法において、予め形
成された薄膜が、少なくともその一面にしつかりと固定
された導電性被覆を有する薄膜樹脂分極化方法。 １０ 特許請求の範囲第５項記載の方法において、導電
層が、その場合で薄膜を形成する前に前記導電性表面上
に配される薄膜樹脂分極化方法。 １１ 特許請求の範囲第１０項に記載の方法において、
導電性表面上と接触せしめられる薄膜が少なくとも６５
モル％のフッ化ビニリデンを含むポリマの流延溶液であ
り、そして該薄膜が凝固されるまで約５０ないし１５０
℃の範囲内で加熱され、次いで電荷を維持しつゝ冷却せ
しめられる薄膜樹脂分極化方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US726382 | 1976-09-24 | ||
| US05/726,382 US4127681A (en) | 1976-09-24 | 1976-09-24 | Single electrode poling of dielectric films |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5340900A JPS5340900A (en) | 1978-04-13 |
| JPS6050076B2 true JPS6050076B2 (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=24918385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52113439A Expired JPS6050076B2 (ja) | 1976-09-24 | 1977-09-22 | 誘電体フイルムの単一電極分極化方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4127681A (ja) |
| JP (1) | JPS6050076B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11360618B2 (en) | 2017-11-08 | 2022-06-14 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing touch screen, display device |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569902A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-27 | Kureha Chemical Ind Co Ltd | Preparing piezoelectric* electrically scorchable film |
| FR2446045A1 (fr) * | 1979-01-04 | 1980-08-01 | Thomson Csf | Transducteur piezo-electrique a element en polymere et son procede de fabrication |
| GB2045522B (en) * | 1979-04-03 | 1983-03-16 | Standard Telephones Cables Ltd | Piezo-electric film manufacture |
| JPS606220B2 (ja) * | 1979-04-11 | 1985-02-16 | 三菱油化株式会社 | ポリ弗化ビニリデンもしくは弗化ビニリデン共重合体の延伸薄膜製造法 |
| US4397702A (en) * | 1980-01-09 | 1983-08-09 | Johnson Controls, Inc. | Fabrication of non-conductive charged sensing probe unit |
| FR2490877A1 (fr) | 1980-09-19 | 1982-03-26 | Thomson Csf | Procede de fabrication de films polymeres piezoelectriques |
| US4434114A (en) | 1982-02-04 | 1984-02-28 | Pennwalt Corporation | Production of wrinkle-free piezoelectric films by poling |
| US4512940A (en) * | 1982-12-16 | 1985-04-23 | Ncr Corporation | Method and apparatus for the production of electret material |
| DE3333083C2 (de) * | 1983-09-14 | 1987-04-23 | Metev Gesellschaft für Entwicklung und Verwertung med. Bedarfs GmbH & Co KG, 4840 Rheda-Wiedenbrück | Verfahren zum Herstellen eines elektrisch permanent geladenen Schichtmaterials für therapeutische Behandlung |
| US4692285A (en) * | 1985-07-01 | 1987-09-08 | Pennwalt Corporation | Process of preparing nonfibrous, piezoelectric polymer sheet of improved activity |
| US4830795A (en) * | 1986-07-03 | 1989-05-16 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Process for making polarized material |
| US4863648A (en) * | 1986-07-03 | 1989-09-05 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Process for making polarized material |
| US4938786A (en) * | 1986-12-16 | 1990-07-03 | Fujitsu Limited | Filter for removing smoke and toner dust in electrophotographic/electrostatic recording apparatus |
| US5021831A (en) * | 1986-12-16 | 1991-06-04 | Fujitsu Limited | Filter for removing smoke and toner dust used in electrophotographic/electrostatic recording apparatus |
| US5053168A (en) * | 1988-04-14 | 1991-10-01 | Hoechst Celanese Corporation | Nonlinear optical medium with a stable noncentrosymmetric polymeric structure |
| EP0337405B1 (en) * | 1988-04-14 | 1995-06-21 | Hoechst Celanese Corporation | Nonlinear optical medium with a stable noncentrosymmetric polymeric structure |
| US5652609A (en) * | 1993-06-09 | 1997-07-29 | J. David Scholler | Recording device using an electret transducer |
| US5659346A (en) * | 1994-03-21 | 1997-08-19 | Spectra, Inc. | Simplified ink jet head |
| US6022595A (en) * | 1996-02-01 | 2000-02-08 | Rensselaer Polytechnic Institute | Increase of deposition rate of vapor deposited polymer by electric field |
| JP3846406B2 (ja) * | 2002-01-10 | 2006-11-15 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、その製造方法、それを用いたフィルタおよびデュプレクサならびに電子通信機器 |
| US6600645B1 (en) * | 2002-09-27 | 2003-07-29 | Ut-Battelle, Llc | Dielectric composite materials and method for preparing |
| JP5588597B2 (ja) | 2007-03-23 | 2014-09-10 | 富士フイルム株式会社 | 導電性材料の製造方法及び製造装置 |
| EP2009977A3 (en) | 2007-05-09 | 2011-04-27 | FUJIFILM Corporation | Electromagnetic shielding film and optical filter |
| WO2015166700A1 (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 株式会社 村田製作所 | 導電パターン付絶縁基材 |
| DE102017214770B3 (de) * | 2017-08-23 | 2019-02-14 | VW-VM Forschungsgesellschaft mbH & Co. KG | Verfahren zur Bestimmung eines Zustands oder einer Zustandsänderung einer elektrochemischen Energiespeichervorrichtung und dafür vorbereitete Energiespeichervorrichtung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5121334B2 (ja) * | 1971-08-27 | 1976-07-01 | ||
| US3912830A (en) * | 1971-10-13 | 1975-10-14 | Kureha Chemical Ind Co Ltd | Method of producing a piezoelectric or pyroelectric element |
| JPS5650408B2 (ja) * | 1973-07-05 | 1981-11-28 |
-
1976
- 1976-09-24 US US05/726,382 patent/US4127681A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-09-22 JP JP52113439A patent/JPS6050076B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11360618B2 (en) | 2017-11-08 | 2022-06-14 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing touch screen, display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5340900A (en) | 1978-04-13 |
| US4127681A (en) | 1978-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6050076B2 (ja) | 誘電体フイルムの単一電極分極化方法 | |
| US3943614A (en) | Method of polarizing high molecular weight films | |
| US3967027A (en) | Stable electret retaining a high surface potential and method of making the same | |
| US3252830A (en) | Electric capacitor and method for making the same | |
| Hicks et al. | Ferroelectric properties of poly (vinylidene fluoride‐tetrafluoroethylene) | |
| CN108140784A (zh) | 改进的膜、隔板、电池和方法 | |
| JPS5818787B2 (ja) | コウブンシフイルムデンキソシ ノ セイゾウホウホウ | |
| US3660736A (en) | Process for the production of high-efficient electrets | |
| JPS606220B2 (ja) | ポリ弗化ビニリデンもしくは弗化ビニリデン共重合体の延伸薄膜製造法 | |
| CA1106982A (en) | Polarization of a multi-ply stack of piezoelectric- forming resin pellicles | |
| EP0376333A2 (en) | Method for manufacturing polyimide thin film and apparatus | |
| JPS5944794B2 (ja) | 高分子フイルムの成極方法 | |
| CA1209950A (en) | Polarizing of piezoelectric material | |
| EP0050332B1 (en) | Corona discharge poling process | |
| CA1243458A (en) | Nonfibrous, piezoelectric polymer sheet of improved activity and the process of preparing it | |
| Sirajuddin et al. | Pyroelectric behaviour of laser-evaporated poly (vinyl fluoride) films | |
| CA1200526A (en) | Production of wrinkle-free piezoelectric films by poling | |
| JPH1167580A (ja) | 金属化フィルムコンデンサの製造方法 | |
| JP2006225565A (ja) | 有機圧電焦電体膜の形成方法 | |
| JPS62193812A (ja) | β相ポリ弗化ビニリデンフイルムの製法 | |
| US4565615A (en) | Glow discharge stabilization of piezoelectric polymer film | |
| US4565943A (en) | Process for preparing polymeric piezoelectric material | |
| JP2000269080A (ja) | 高分子エレクトレットの製造方法 | |
| JPH0643629B2 (ja) | 静電チャック部品の製造方法 | |
| KR20240134037A (ko) | 구조적으로 강화된 강유전성 제조 물품, 및 이의 제조 및 사용 방법 |