JPS6050159A - ガス浸炭焼入方法 - Google Patents
ガス浸炭焼入方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
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-
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- C23C8/20—Carburising
- C23C8/22—Carburising of ferrous surfaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は浸炭系ガスを用いて行なうガス浸炭焼入方法に
関し、特に遊離セメンタイトの析出を防止しうるようＫ
したガス浸炭焼入方法に関するものである。
関し、特に遊離セメンタイトの析出を防止しうるようＫ
したガス浸炭焼入方法に関するものである。
一般に、ガス浸炭焼入方法は、石油精製の過程テ得うれ
るエタン啼プロパン、ブタン等の炭化水素系ガス、また
は都市ガス・天然ガス等を、変成炉で燃焼嘔せることに
よってＣＯガスを含む浸炭性の吸熱形ガス（以下、ＲＸ
ガスという）を作り、これを処理炉に導入して浸炭と焼
入ｆＬ’６行なうものである。そして、このガス浸炭焼
入方法は、各種含炭量の鋼材を製造しつることは勿論、
均一な浸炭処理を行なうことができると共に、浸炭終了
後に直接焼入処理ができることから、人相生産に適し、
広く用いらオｔている。そして、その処即工程には、浸
炭期、拡散期、焼入加熱期の各工程がある。
るエタン啼プロパン、ブタン等の炭化水素系ガス、また
は都市ガス・天然ガス等を、変成炉で燃焼嘔せることに
よってＣＯガスを含む浸炭性の吸熱形ガス（以下、ＲＸ
ガスという）を作り、これを処理炉に導入して浸炭と焼
入ｆＬ’６行なうものである。そして、このガス浸炭焼
入方法は、各種含炭量の鋼材を製造しつることは勿論、
均一な浸炭処理を行なうことができると共に、浸炭終了
後に直接焼入処理ができることから、人相生産に適し、
広く用いらオｔている。そして、その処即工程には、浸
炭期、拡散期、焼入加熱期の各工程がある。
ところで、従来技術によるこの種のカス浸炭焼入方法は
、浸炭期および拡散期においてなよ、浸炭能といわ几る
カーボン・ポテンシャルの調節・制御が行なわれていた
が、焼入加熱期にはカーボン・ポテンシャル制御の必要
が認識芒ルず、炉内雰囲気の制御が行なわ几ていなかっ
た。そのため、しばしば有害な遊離セメンタイト’４析
出芒ぜる等の欠陥発生があり、安定した品質が得らｆｌ
ないという欠点があった。
、浸炭期および拡散期においてなよ、浸炭能といわ几る
カーボン・ポテンシャルの調節・制御が行なわれていた
が、焼入加熱期にはカーボン・ポテンシャル制御の必要
が認識芒ルず、炉内雰囲気の制御が行なわ几ていなかっ
た。そのため、しばしば有害な遊離セメンタイト’４析
出芒ぜる等の欠陥発生があり、安定した品質が得らｆｌ
ないという欠点があった。
本発明は、前述のような従来方法の欠点を見い出したこ
とにエリ、焼入加熱期にもカーボン・ポテンシャルの制
御を行なうことによりてこｎｌ是正し、適正品質な浸炭
品の製３’ｆｑ’を容易に行ブよいうるようにしたガス
浸炭焼入方法を提供することを目的とするものである。
とにエリ、焼入加熱期にもカーボン・ポテンシャルの制
御を行なうことによりてこｎｌ是正し、適正品質な浸炭
品の製３’ｆｑ’を容易に行ブよいうるようにしたガス
浸炭焼入方法を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は、浸炭期、拡散期
および焼入加熱期にわたり、処理炉中の処理ガスのカー
ボン・ポテンシャルを予め定めた変化パターンになるよ
うに制御し、特に幣入加熱期においても、即ち温度下降
期においてもカーボン・ポテンシャルを共析点（０，７
７％Ｃ）付近に維持することにより、遊離上メンタイト
の析出を防止したことにある。
および焼入加熱期にわたり、処理炉中の処理ガスのカー
ボン・ポテンシャルを予め定めた変化パターンになるよ
うに制御し、特に幣入加熱期においても、即ち温度下降
期においてもカーボン・ポテンシャルを共析点（０，７
７％Ｃ）付近に維持することにより、遊離上メンタイト
の析出を防止したことにある。
以下、本発明について図面に示す実施例により詳述する
。
。
第１図は本発明方法を実施するための装置のブロック図
、第２図は本発明方法による浸炭期、拡散期および焼入
加熱期における各パラメータを示す線図である。
、第２図は本発明方法による浸炭期、拡散期および焼入
加熱期における各パラメータを示す線図である。
まず、第１図において、１は浸炭および貌入れを行なう
処理炉本体、２は浸炭性処理ガス（ＲＸガス）を作る変
成炉を示し、該変成炉２からのＲ，Ｘガスは処理炉本体
１に送られる。３はＲＸガス雰囲気を調節し、カーボン
・ポテンシャルを上げるため、処理炉本体１にエンリッ
チガスを供給するエンリッチガス装置で、該エンリッチ
ガス装ｆζｑ３内のエンリッチガスとしてｔゴ、例えば
プロパン、ブタンウメタンノＪス等が使用８ｆ１．る。
処理炉本体、２は浸炭性処理ガス（ＲＸガス）を作る変
成炉を示し、該変成炉２からのＲ，Ｘガスは処理炉本体
１に送られる。３はＲＸガス雰囲気を調節し、カーボン
・ポテンシャルを上げるため、処理炉本体１にエンリッ
チガスを供給するエンリッチガス装置で、該エンリッチ
ガス装ｆζｑ３内のエンリッチガスとしてｔゴ、例えば
プロパン、ブタンウメタンノＪス等が使用８ｆ１．る。
４はカーボン・ポテンシャルを下げるため、処理炉本体
１に制御用ガスを供給する制御用ガス装置で、該制御用
ガス装置４内の制御用ガスとしては、例えばＣ０２，Ｎ
２ガス、Ａ ｒ ２ガス等が使用３ｔＬる。５は処理炉
本体１の炉内温度を測定する温度相、６は炉内雰囲気中
の００２チを測定するＣＯ２メータ會示す。７は制御装
置、８はエンリッチガス調節用の制御弁、９は同じく制
御用ガス調節用の制御弁を示し、前記制御装置７は温度
計５、ＣＯ２メータ６からの測定結果が入力ち几、浸炭
期、拡散期および焼入加熱期を通じて、前記温度計５か
ら入力嘔ｊ、る温度に対して対応するカーボン・ポテン
シャルが得られるようなＣＯ２％の演算全行ない、当該
演算結果とＣＯ２メータ６から入力される００２％とを
比較し、この結果に基づいて各制御弁８または９の弁開
度を調節し、処理炉本体内に供給すべきエンリッチガス
または制御用ガスの供給量を制御する機能を有する。
１に制御用ガスを供給する制御用ガス装置で、該制御用
ガス装置４内の制御用ガスとしては、例えばＣ０２，Ｎ
２ガス、Ａ ｒ ２ガス等が使用３ｔＬる。５は処理炉
本体１の炉内温度を測定する温度相、６は炉内雰囲気中
の００２チを測定するＣＯ２メータ會示す。７は制御装
置、８はエンリッチガス調節用の制御弁、９は同じく制
御用ガス調節用の制御弁を示し、前記制御装置７は温度
計５、ＣＯ２メータ６からの測定結果が入力ち几、浸炭
期、拡散期および焼入加熱期を通じて、前記温度計５か
ら入力嘔ｊ、る温度に対して対応するカーボン・ポテン
シャルが得られるようなＣＯ２％の演算全行ない、当該
演算結果とＣＯ２メータ６から入力される００２％とを
比較し、この結果に基づいて各制御弁８または９の弁開
度を調節し、処理炉本体内に供給すべきエンリッチガス
または制御用ガスの供給量を制御する機能を有する。
本発明方法に用いら几る装置は前述の」うに描記２図中
で従来方法で行なわ几だパターンを実線で示し、本発明
方法で改良嘔′ｉ′Ｌだ部分のみを点線で示す。
で従来方法で行なわ几だパターンを実線で示し、本発明
方法で改良嘔′ｉ′Ｌだ部分のみを点線で示す。
まず、浸炭材料表面からの浸炭は、大部分次の反応式に
従う。
従う。
％式％（１）
ところで、ＲＸガスの浸炭能は、ガス成分中のＣＯ９！
ｌ、ＣＯ２チによって大部分決定されるが、ＣＯチには
大きく影響されず、ＣＯ２％によって大きく影＃ち−ｎ
る。通常、ＣＯ□チが増加すると、浸炭能が低下し、即
ちカーボン・ポテンシャルが下ると考えられている。従
って、通常ＣＯ２の制御にヨリ、カーボン・ポテンシャ
ル金制御する。然るに、ＲＸガスにおいては、ＣＯ係は
変成炉２で燃儲すべき原料ガス（例えば、プロパン・ブ
タン雫メタンガ、ス弁ｊ・）により定まる一定のイ直を
とるη・ら、悶炭・焼入ｆＥ、Ｉで用いらｒしるＩＸガ
スでは、浸炭能はＣＯ２チを変化憾せることＫよって制
御できる。
ｌ、ＣＯ２チによって大部分決定されるが、ＣＯチには
大きく影響されず、ＣＯ２％によって大きく影＃ち−ｎ
る。通常、ＣＯ□チが増加すると、浸炭能が低下し、即
ちカーボン・ポテンシャルが下ると考えられている。従
って、通常ＣＯ２の制御にヨリ、カーボン・ポテンシャ
ル金制御する。然るに、ＲＸガスにおいては、ＣＯ係は
変成炉２で燃儲すべき原料ガス（例えば、プロパン・ブ
タン雫メタンガ、ス弁ｊ・）により定まる一定のイ直を
とるη・ら、悶炭・焼入ｆＥ、Ｉで用いらｒしるＩＸガ
スでは、浸炭能はＣＯ２チを変化憾せることＫよって制
御できる。
なお、カーボン・ポテンシャルとはこの浸炭能ヲ表わし
、と力、により浸炭すべき鉄鋼製品の表面炭２濃度が決
定てれる。
、と力、により浸炭すべき鉄鋼製品の表面炭２濃度が決
定てれる。
次に、第２図を参照し７つつ本発明方法を説明する。ま
ず、浸炭期においては、浸炭反応は鉄鋼製品の表面反応
と、表面から内部への拡散反応であるため、ある程度高
温の方がよく、第２ Ｆ’ｊｌ（イ）の実ｉＱ Ａ ノ
如＜９００ ＋＋＋９５０’Ｃの温度で行なわれる〇し
かし、この温度でにＲＸガスのみではカーボン・ポテン
シャルは、約０，４チ前後であり、こｎ、たけでは不十
分なため、この浸炭期では第２図（ロ）の実［８で示す
如くエンリッチガス装置３からエンリッチガス（本実施
例の場合、プロパン）を、処理炉本体１内に供給する。
ず、浸炭期においては、浸炭反応は鉄鋼製品の表面反応
と、表面から内部への拡散反応であるため、ある程度高
温の方がよく、第２ Ｆ’ｊｌ（イ）の実ｉＱ Ａ ノ
如＜９００ ＋＋＋９５０’Ｃの温度で行なわれる〇し
かし、この温度でにＲＸガスのみではカーボン・ポテン
シャルは、約０，４チ前後であり、こｎ、たけでは不十
分なため、この浸炭期では第２図（ロ）の実［８で示す
如くエンリッチガス装置３からエンリッチガス（本実施
例の場合、プロパン）を、処理炉本体１内に供給する。
このように、プロパンを処理炉本体１内に送ることによ
り、Ｃ０２チを下げカーボン・ポテンシャルを上げ、浸
炭効果を高メル。コノ結果、ＣＯ２％およびカーボン・
ポテンシャルの値の変化は、第２図（ハ）およびに）の
実１ｌｌＤおよびＦで示嘔九る如く変化する。以上の制
御は従来方法と変るところがない。
り、Ｃ０２チを下げカーボン・ポテンシャルを上げ、浸
炭効果を高メル。コノ結果、ＣＯ２％およびカーボン・
ポテンシャルの値の変化は、第２図（ハ）およびに）の
実１ｌｌＤおよびＦで示嘔九る如く変化する。以上の制
御は従来方法と変るところがない。
次Ｋ、拡散期についてであるが、従来方法では、第２図
←）の実線Ｂで示す如く、当該拡散期ではエンリッチガ
スは供給さ九てぃなかった。しかし、本発明方法では、
第２図←）の点線Ｃで示す如く、拡散期でもエンリッチ
ガスを実線Ｂよりも若干少なく供給する。この結果、Ｃ
ｏ２％とカーボン、ポテンシャルの変化は、第２図（ハ
）およびに）の点線ＥおよびＧにそ几ぞれ示すようにな
り、拡散期においてもカーボン・ポテンシャルを共析点
伺近に維持芒せることができる。
←）の実線Ｂで示す如く、当該拡散期ではエンリッチガ
スは供給さ九てぃなかった。しかし、本発明方法では、
第２図←）の点線Ｃで示す如く、拡散期でもエンリッチ
ガスを実線Ｂよりも若干少なく供給する。この結果、Ｃ
ｏ２％とカーボン、ポテンシャルの変化は、第２図（ハ
）およびに）の点線ＥおよびＧにそ几ぞれ示すようにな
り、拡散期においてもカーボン・ポテンシャルを共析点
伺近に維持芒せることができる。
烙らに、焼入加熱期についてであるが、従来は、この焼
入加熱期ではカーボン・ポテンシャルの制御は行なわれ
ていない。即ち、従来から、温度一定の場合には、カー
ボン・ポテンシャ、ｚＩｊ： ＣＯ２：６ｚ増加すると
減少するという逆の関係にあり、温度が変化する場合に
はカーボン・ポテンシャルモｆ化し、温度が徐々に下る
場合には、ＣＯ２が増加するとカーボン・ポテンシャル
も増加するということは知らｎ、ている。し〃）シ、こ
几らの関係が従来明確に解明さ扛ていな力・ったため、
温度変化を伴なう焼入ｎ移行時のカーボン命ポテンシャ
ル制御が行なわｎていなかった。
入加熱期ではカーボン・ポテンシャルの制御は行なわれ
ていない。即ち、従来から、温度一定の場合には、カー
ボン・ポテンシャ、ｚＩｊ： ＣＯ２：６ｚ増加すると
減少するという逆の関係にあり、温度が変化する場合に
はカーボン・ポテンシャルモｆ化し、温度が徐々に下る
場合には、ＣＯ２が増加するとカーボン・ポテンシャル
も増加するということは知らｎ、ている。し〃）シ、こ
几らの関係が従来明確に解明さ扛ていな力・ったため、
温度変化を伴なう焼入ｎ移行時のカーボン命ポテンシャ
ル制御が行なわｎていなかった。
例えば、焼入温度を７８０°Ｃ（５ＮＣ８１５の場合）
にする場合、Ｃ０２チは第２図（ハ）の実線りに示す曲
線の如＜０．８２％程度となり、カーボン・ポテンシャ
ルは０．９３％程度となって、明らかに共析点を越え、
遊離セメンタイトを析出する虞ｆＬがある。
にする場合、Ｃ０２チは第２図（ハ）の実線りに示す曲
線の如＜０．８２％程度となり、カーボン・ポテンシャ
ルは０．９３％程度となって、明らかに共析点を越え、
遊離セメンタイトを析出する虞ｆＬがある。
従って、安定した浸炭製品を得るためには、焼入加熱期
においても、カーボン・ポテンシャルの制御が必要であ
ることを見い出した。
においても、カーボン・ポテンシャルの制御が必要であ
ることを見い出した。
そこで、本発明者は種々研究した結果、焼入加熱期のカ
ーボン・ポテンシャルを共析点付近に維持するように、
００２％全制御しながら温度変化嘔せつつ、焼入ｆＬ金
行なうことにより、遊離セメンタイトの析出を防止する
ことができることを知見した。本発明方法による焼入加
熱期のカーボン・ポテンシャルの制御は、第２図（ハ）
の実線りに示すＣ０２チの増加割合に比較し、第２図（
ハ）の点線Ｅに示す如く、焼入加熱期の開始と同時にＣ
Ｏ２％の供給を急激に増加嘔せ、もって第２図に）の点
線Ｇに示すようにカーボン・ポテンシャルを共析点近傍
に維持させようとするものである。
ーボン・ポテンシャルを共析点付近に維持するように、
００２％全制御しながら温度変化嘔せつつ、焼入ｆＬ金
行なうことにより、遊離セメンタイトの析出を防止する
ことができることを知見した。本発明方法による焼入加
熱期のカーボン・ポテンシャルの制御は、第２図（ハ）
の実線りに示すＣ０２チの増加割合に比較し、第２図（
ハ）の点線Ｅに示す如く、焼入加熱期の開始と同時にＣ
Ｏ２％の供給を急激に増加嘔せ、もって第２図に）の点
線Ｇに示すようにカーボン・ポテンシャルを共析点近傍
に維持させようとするものである。
本発明方法を実施するにあたっては、制御用ガス装置４
を設け、また該制御用ガス装置４から処理炉本体１に供
給する制御用ガス、例えはＣＯ２の供給量を制御するた
めに、制御装置７からの信号に基づいて弁開度が調節嘔
ルる制御弁９を設ける。
を設け、また該制御用ガス装置４から処理炉本体１に供
給する制御用ガス、例えはＣＯ２の供給量を制御するた
めに、制御装置７からの信号に基づいて弁開度が調節嘔
ルる制御弁９を設ける。
そして、カーボン・ポテンシャルを共析点付近に維持す
るように、制御弁９の弁開度からＣＯ２の供給量を制御
しつつ温度変化を行ない、焼入九する。従って、本発明
方法においては、焼入加熱期の温度変化を第２図ｆ１）
の実線Ａとした場合、ＣＯ２チの変化を第２図（ハ）の
点線Ｅとなるように制御することにより、カーボン・ポ
テンシャルを第２１Ｚ、に）の点線Ｇの如く共析点近傍
に維持することができ、もって遊離セメンタイトの析出
を防止することができる。
るように、制御弁９の弁開度からＣＯ２の供給量を制御
しつつ温度変化を行ない、焼入九する。従って、本発明
方法においては、焼入加熱期の温度変化を第２図ｆ１）
の実線Ａとした場合、ＣＯ２チの変化を第２図（ハ）の
点線Ｅとなるように制御することにより、カーボン・ポ
テンシャルを第２１Ｚ、に）の点線Ｇの如く共析点近傍
に維持することができ、もって遊離セメンタイトの析出
を防止することができる。
本発明に係るガス浸炭焼入方法は以上詳細に述べた如く
であって、下記各項の効果を奏する。
であって、下記各項の効果を奏する。
■ 焼入加熱期までカーボン・ポテンシャルの制御を行
なうことにより、適正な所定の表面炭素濃度の浸炭製品
を得ることができる。
なうことにより、適正な所定の表面炭素濃度の浸炭製品
を得ることができる。
■ 浸炭・焼入九処理において、遊離セメンタイトの析
出を防止しうるから、不良の発生がなく、安定な品質の
浸炭製品の製造を行なうことができる。
出を防止しうるから、不良の発生がなく、安定な品質の
浸炭製品の製造を行なうことができる。
■ 最終段階である焼入加熱期にカーボン・ポテンシャ
ルの制御を行なうため、前処理工程全体の浸炭効率を改
良し、また初期の浸炭期におけるカーボン・ポテンシャ
ルをより高くし、浸炭速）１１を早めることができる。
ルの制御を行なうため、前処理工程全体の浸炭効率を改
良し、また初期の浸炭期におけるカーボン・ポテンシャ
ルをより高くし、浸炭速）１１を早めることができる。
第１図は本発明方法を実施するための装置のブロック図
、第２図は浸炭期、拡散期および焼入加熱期における各
パラメータを示し、第２図０ンは温度特性を示す線図、
第２図←）はエンリッチガスとしてのプロパン供給量を
示す線図、第２図（ハ）は処理炉本体内の二酸化炭素量
を示す線図、第２図に）はカーボン・ポテンシャルを示
す線図である。 １・・・処理炉本体、２・・・変成炉、３・・・エンリ
ッチガス装置、４・・・制御用ガス装置、５温度泪、６
・・・ＣＯ２メータ、７・・・制御装置、８，９・・・
制御弁。 第１図 第２図 （イ
、第２図は浸炭期、拡散期および焼入加熱期における各
パラメータを示し、第２図０ンは温度特性を示す線図、
第２図←）はエンリッチガスとしてのプロパン供給量を
示す線図、第２図（ハ）は処理炉本体内の二酸化炭素量
を示す線図、第２図に）はカーボン・ポテンシャルを示
す線図である。 １・・・処理炉本体、２・・・変成炉、３・・・エンリ
ッチガス装置、４・・・制御用ガス装置、５温度泪、６
・・・ＣＯ２メータ、７・・・制御装置、８，９・・・
制御弁。 第１図 第２図 （イ
Claims (1)
- 浸炭期においてはカーボン・ポテンシャル全共析点以上
に保持し、拡散期および焼入加熱期においてはカーボン
・ポテンシャルを共析点付近に維持するように、処理ガ
ス成分を制御することを特徴とするガス浸炭焼入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15740583A JPS6050159A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | ガス浸炭焼入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15740583A JPS6050159A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | ガス浸炭焼入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050159A true JPS6050159A (ja) | 1985-03-19 |
Family
ID=15648910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15740583A Pending JPS6050159A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | ガス浸炭焼入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050159A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825274A3 (en) * | 1990-07-03 | 1998-05-13 | Dowa Mining Co., Ltd. | Gas-carburizing process and apparatus |
| JP2002293353A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 塗布用具 |
| JP2012092424A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Dowa Thermotech Kk | ガス浸炭方法及びガス浸炭装置 |
| JP2012092423A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Dowa Thermotech Kk | ガス浸炭方法 |
| JP2017106054A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 日本エア・リキード株式会社 | 浸炭システム及び表面硬化鋼材の製造方法 |
| JP2019119892A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | エア・ウォーター株式会社 | ガス浸炭方法 |
| JP2020196943A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | エア・ウォーター株式会社 | ガス浸炭方法および装置 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15740583A patent/JPS6050159A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825274A3 (en) * | 1990-07-03 | 1998-05-13 | Dowa Mining Co., Ltd. | Gas-carburizing process and apparatus |
| JP2002293353A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 塗布用具 |
| JP2012092424A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Dowa Thermotech Kk | ガス浸炭方法及びガス浸炭装置 |
| JP2012092423A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Dowa Thermotech Kk | ガス浸炭方法 |
| JP2017106054A (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 日本エア・リキード株式会社 | 浸炭システム及び表面硬化鋼材の製造方法 |
| JP2019119892A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | エア・ウォーター株式会社 | ガス浸炭方法 |
| JP2020196943A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | エア・ウォーター株式会社 | ガス浸炭方法および装置 |
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