JPS6050919A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6050919A JPS6050919A JP58158603A JP15860383A JPS6050919A JP S6050919 A JPS6050919 A JP S6050919A JP 58158603 A JP58158603 A JP 58158603A JP 15860383 A JP15860383 A JP 15860383A JP S6050919 A JPS6050919 A JP S6050919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- susceptor
- reaction chamber
- reaction
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
- H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、特に半導体工業で利用される気相成長装置に
関する。
関する。
従来例の構成とその問題点
半導体工業においては、シリコン基板上に反応ガスを供
給して、その基板表面に反応物の膜を形成する工程があ
る。特にシリコン単結晶基板を通常１０００°Ｃ以」二
の摘出な温度に加熱しておき、四塩化珪素、又はジクロ
ールシラン、又はモノンランと、水素との混合ガスを供
給することによってシリコン単結晶膜が形成でき、エピ
タキシャル成長工程と呼ばれている。このような膜を形
成する従来の装置の反応室部分を第１図に示す。この装
置は、石英管１と、被膜形成するシリコン基板２を載せ
る基台３．（以下サセフリと呼ぶ）と、ザセブタ３を加
熱するワークコイル４と、ガス供給ノズル５、および排
気口６、扉７とから構成されている。ワークコイル４に
高周波電力を印加することによって、サセプタ３とシリ
コン基板２とが１０００″Ｃ以上の適当な温度に加熱さ
れる。一方、図示していないガス供給装置では、四塩化
珪素等の反応ガスと、ホスフィン等のドーピングガスと
を所定の濃度で水素ガスに混合し、この混合ガスがガス
供給ノズル５から反応室内に供給される。
給して、その基板表面に反応物の膜を形成する工程があ
る。特にシリコン単結晶基板を通常１０００°Ｃ以」二
の摘出な温度に加熱しておき、四塩化珪素、又はジクロ
ールシラン、又はモノンランと、水素との混合ガスを供
給することによってシリコン単結晶膜が形成でき、エピ
タキシャル成長工程と呼ばれている。このような膜を形
成する従来の装置の反応室部分を第１図に示す。この装
置は、石英管１と、被膜形成するシリコン基板２を載せ
る基台３．（以下サセフリと呼ぶ）と、ザセブタ３を加
熱するワークコイル４と、ガス供給ノズル５、および排
気口６、扉７とから構成されている。ワークコイル４に
高周波電力を印加することによって、サセプタ３とシリ
コン基板２とが１０００″Ｃ以上の適当な温度に加熱さ
れる。一方、図示していないガス供給装置では、四塩化
珪素等の反応ガスと、ホスフィン等のドーピングガスと
を所定の濃度で水素ガスに混合し、この混合ガスがガス
供給ノズル５から反応室内に供給される。
この混合ガスは、反応室全体に広がって排気口６に向か
って流れ、この時サセプタ３およびシリコン基板２に接
触して熱を奪い所定温度以上に達した反応ガス分子が分
解析出して膜を形成する。このような装置においては、
混合ガスの温度はサセプタ３上でガス流れ方向に沿って
急激な温度変化を示し、従って分解析出に寄与するガス
層の厚味の変化も大きく、膜厚、比抵抗がガス流れ方向
に沿って変化し易い。そこで、膜厚、比抵抗の均一性を
上げるために、平均流速を大きくしてガスの流れ方向に
沿う温度変化、濃度変化の勾配を抑さえることがまず第
１に必要とされ、結果として毎分１００７程の大量のガ
ス供給が必要となっている。更に、サセプタ３およびシ
リコン基板２がら離れたガス層中の反応ガスは、未反応
の１−１排出されることとなり、反応効率も低いという
欠点がある。また、１０００°Ｃ以上の高温に加熱され
たサセプタ３およびシリコン基板２に接触し、熱を与え
られた高温ガスは、対流によって上昇気流となり、サセ
プタ３を離れて石英管１の上面に向かう流れとなり、そ
の結果石英管１の内面にも反応生成物が付着し、度々こ
の石英管１を洗浄する保守作業を余儀なくされている。
って流れ、この時サセプタ３およびシリコン基板２に接
触して熱を奪い所定温度以上に達した反応ガス分子が分
解析出して膜を形成する。このような装置においては、
混合ガスの温度はサセプタ３上でガス流れ方向に沿って
急激な温度変化を示し、従って分解析出に寄与するガス
層の厚味の変化も大きく、膜厚、比抵抗がガス流れ方向
に沿って変化し易い。そこで、膜厚、比抵抗の均一性を
上げるために、平均流速を大きくしてガスの流れ方向に
沿う温度変化、濃度変化の勾配を抑さえることがまず第
１に必要とされ、結果として毎分１００７程の大量のガ
ス供給が必要となっている。更に、サセプタ３およびシ
リコン基板２がら離れたガス層中の反応ガスは、未反応
の１−１排出されることとなり、反応効率も低いという
欠点がある。また、１０００°Ｃ以上の高温に加熱され
たサセプタ３およびシリコン基板２に接触し、熱を与え
られた高温ガスは、対流によって上昇気流となり、サセ
プタ３を離れて石英管１の上面に向かう流れとなり、そ
の結果石英管１の内面にも反応生成物が付着し、度々こ
の石英管１を洗浄する保守作業を余儀なくされている。
発明の目的
本発明は、上記従来の欠点を解消するもので、簡単な構
成で、反応ガスの反応効率を上げ、全体のガス消費量を
低減し、更に反応室壁面への反応生成物の付着のない気
相成長装置を提供することを目的としている。
成で、反応ガスの反応効率を上げ、全体のガス消費量を
低減し、更に反応室壁面への反応生成物の付着のない気
相成長装置を提供することを目的としている。
発明の構成
本発明の気相成長装置は、キャリヤガス供給管と反応ガ
スを含む混合ガス供給管との二系統の供給管を有するガ
ス供給装置と、サセプタと、サセプタおよびこれに載置
されるシリコン基板とを加熱する手段と、キャリヤガス
供給口、ガス排出口更に上記混合ガスの供給管に連結さ
れた混合ガス供給ノズルと、上記サセプタをはさんでこ
の混合ガス供給ノズルに対面した位置に開口を有する排
気ノズルとを備えた反応室とから構成されており反応室
全体には反応ガスを含まないキャリヤガス流れを形成し
、この流れの中で、シリコン基板表面にのみ反応ガスを
含むガス流れを形成するようにすることで、ガスの消費
量を低減し、又反応室壁面への不要な堆積物の発生を抑
えることができるものである。
スを含む混合ガス供給管との二系統の供給管を有するガ
ス供給装置と、サセプタと、サセプタおよびこれに載置
されるシリコン基板とを加熱する手段と、キャリヤガス
供給口、ガス排出口更に上記混合ガスの供給管に連結さ
れた混合ガス供給ノズルと、上記サセプタをはさんでこ
の混合ガス供給ノズルに対面した位置に開口を有する排
気ノズルとを備えた反応室とから構成されており反応室
全体には反応ガスを含まないキャリヤガス流れを形成し
、この流れの中で、シリコン基板表面にのみ反応ガスを
含むガス流れを形成するようにすることで、ガスの消費
量を低減し、又反応室壁面への不要な堆積物の発生を抑
えることができるものである。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を第２図、第３図にもとづいて読
切する。第２図は、本発明の一実施例を具現化した装置
における反応室の断面図であり、反応室８は、内部に水
冷溝９が施されたステンレス等の耐熱耐食性金属より成
る壁面部材１ｏと、上部開閉ブロック１１とから構成さ
れている。この上部開閉ブロック１１には、内部に赤外
線ランプヒータユニット１２が設置されており、更にと
の赤外線ランプヒータユニット１２に近接しだ位置に透
明石英プレート１３が、○リング等の既知のガスシール
手段を介して固定具１４により固定されている。この上
部開閉ブロック１１は、第３図の斜視図で明らかなよう
に上下昇降動作が可能であり、上方へ持ち上げることに
よって、反応室上部が開口し、シリコン基板１５０投入
、取出しが行なわれる。又この上部開閉ブロック１１を
降下させ、＋１４１７ング１６を挾んで壁面部材１Ｑに
接する位置に固定することで、外気が遮断された気密室
が形成される。又、この反応室８の一端には、ガス供給
装置（図示せず）から伸びたキャリヤガス供給管１７が
結合されたキャリヤガス供給口１８と、更に他端には、
可変絞りバルブ１９を介して真空ポンプ２０に連結され
た排気管２１が結合されている排気口２２とを有してい
る。これらのキャリヤガス供給口１８と排気口２２付近
の壁面部材１０は、それぞれ内部形状がテーパ状に形成
されており、従ってキャリヤガス供給口１８から導入さ
れたガスは、テーパ形状に沿って徐々に広がっていき、
反応室中央部では全体を満たしながら流れ、排気側では
テーパ状の絞りによって徐々に縮流となって淀みなく流
れていくこととなる。反応室８の内部には、シリコン基
板１５を載置するサセプタ２３が透明石英プレート１３
を挾んで赤外線ランプヒータユニット１２に対面した位
置に設置されている。更に、反応室８内へはガス供給装
置（図示していない）の混合ガス供給管に連結されてい
るノズル２４が壁面部材１ｏを貫通し、サセプタ２３の
キャリヤガス供給側で、これに近接して設置されている
○このノズル２４は透明石英より成り、第３図に示して
いるように、一端が封止されたパイプ形状をなし、サセ
プタ側にサセプタ２３の幅とほぼ同等の長さのガス吹き
出しスリット２５が設けられている。又、サセプタ２３
をはさんでノズル２４と対面する位置に開口部２６を有
する排気ノズル２７が設置されている。この排気ノズル
２７は第３図に見られるように、可変絞りバルブ２８を
介して真空ポンプ２９に連結された排気管３０に結合さ
れている。
切する。第２図は、本発明の一実施例を具現化した装置
における反応室の断面図であり、反応室８は、内部に水
冷溝９が施されたステンレス等の耐熱耐食性金属より成
る壁面部材１ｏと、上部開閉ブロック１１とから構成さ
れている。この上部開閉ブロック１１には、内部に赤外
線ランプヒータユニット１２が設置されており、更にと
の赤外線ランプヒータユニット１２に近接しだ位置に透
明石英プレート１３が、○リング等の既知のガスシール
手段を介して固定具１４により固定されている。この上
部開閉ブロック１１は、第３図の斜視図で明らかなよう
に上下昇降動作が可能であり、上方へ持ち上げることに
よって、反応室上部が開口し、シリコン基板１５０投入
、取出しが行なわれる。又この上部開閉ブロック１１を
降下させ、＋１４１７ング１６を挾んで壁面部材１Ｑに
接する位置に固定することで、外気が遮断された気密室
が形成される。又、この反応室８の一端には、ガス供給
装置（図示せず）から伸びたキャリヤガス供給管１７が
結合されたキャリヤガス供給口１８と、更に他端には、
可変絞りバルブ１９を介して真空ポンプ２０に連結され
た排気管２１が結合されている排気口２２とを有してい
る。これらのキャリヤガス供給口１８と排気口２２付近
の壁面部材１０は、それぞれ内部形状がテーパ状に形成
されており、従ってキャリヤガス供給口１８から導入さ
れたガスは、テーパ形状に沿って徐々に広がっていき、
反応室中央部では全体を満たしながら流れ、排気側では
テーパ状の絞りによって徐々に縮流となって淀みなく流
れていくこととなる。反応室８の内部には、シリコン基
板１５を載置するサセプタ２３が透明石英プレート１３
を挾んで赤外線ランプヒータユニット１２に対面した位
置に設置されている。更に、反応室８内へはガス供給装
置（図示していない）の混合ガス供給管に連結されてい
るノズル２４が壁面部材１ｏを貫通し、サセプタ２３の
キャリヤガス供給側で、これに近接して設置されている
○このノズル２４は透明石英より成り、第３図に示して
いるように、一端が封止されたパイプ形状をなし、サセ
プタ側にサセプタ２３の幅とほぼ同等の長さのガス吹き
出しスリット２５が設けられている。又、サセプタ２３
をはさんでノズル２４と対面する位置に開口部２６を有
する排気ノズル２７が設置されている。この排気ノズル
２７は第３図に見られるように、可変絞りバルブ２８を
介して真空ポンプ２９に連結された排気管３０に結合さ
れている。
本実施例の装置における反応室は以上のような構造であ
シ、エピタキシャル成長時には、反応室Ｂ内へはキャリ
ヤガス供給口１８を通して、水素等のキャリヤガスが供
給されると同時に、ノズル２４を通してジクロールシラ
ン等のソースガスおよびホスフィン等のドーピングガス
を適当な濃度で含有した水素ベースの混合ガスか供給さ
れる。
シ、エピタキシャル成長時には、反応室Ｂ内へはキャリ
ヤガス供給口１８を通して、水素等のキャリヤガスが供
給されると同時に、ノズル２４を通してジクロールシラ
ン等のソースガスおよびホスフィン等のドーピングガス
を適当な濃度で含有した水素ベースの混合ガスか供給さ
れる。
キャリヤガス供給口１８より出たキャリヤガスは反応室
８の入口テーパ形状に沿って広がり、排気口２２に向か
って反応室８全体を満たしながら流れていくこととなる
。一方、ノズル２４のスリット２５から出た混合ガスは
、反応室８の中央部に位置し、所定温度に加熱されてい
るシリコン基板１６およびこれを載置しているサセプタ
２３の表面に沿って流れる。この間、サセプタ２３より
熱が与えられ、徐々に高温ガスとなっていく。この時従
来例では、上層を流れるガス流は温度が低いために、サ
セプタ２３の表面高温ガス層との間で対流が生じ、従っ
てサセプタ２３の後半部での表面ガス流れは極めて複雑
な流れを呈し、結果成長膜厚の均一な制御が困難となる
。又反応室上方壁面に不必要な反応生成物が付着するこ
ととなる。
８の入口テーパ形状に沿って広がり、排気口２２に向か
って反応室８全体を満たしながら流れていくこととなる
。一方、ノズル２４のスリット２５から出た混合ガスは
、反応室８の中央部に位置し、所定温度に加熱されてい
るシリコン基板１６およびこれを載置しているサセプタ
２３の表面に沿って流れる。この間、サセプタ２３より
熱が与えられ、徐々に高温ガスとなっていく。この時従
来例では、上層を流れるガス流は温度が低いために、サ
セプタ２３の表面高温ガス層との間で対流が生じ、従っ
てサセプタ２３の後半部での表面ガス流れは極めて複雑
な流れを呈し、結果成長膜厚の均一な制御が困難となる
。又反応室上方壁面に不必要な反応生成物が付着するこ
ととなる。
しかしながら、本実施例ではサセプタ２３の後方に排気
ノズル２７を配し、開口部２６を通して強制的な排気力
を作用させているために、熱対流現象は緩和され、サセ
プタ２３表面の混合ガスの流れとその上層のキャリヤガ
ス流れとは平行を保ったままサセプタ２３上を流れるこ
ととなる０このように、反応室８内の圧力状態或いは反
応室８内全体の流れ状態はキャリヤガス供給口１８を通
して送るキャリヤガス流量によって制御し、一方、シリ
コン基板１５０表面ガス層のみで決定されるこのシリコ
／基板１６への気相成長反応は、ノズル２４を通して供
給する混合ガス量、および可変絞リパルプ１９，２Ｂの
調整により決まる排気ノズル２７を通しての排気能力に
よって制御することができる。従ってソースガス量或い
はドーピングガス量を必要感小眼に抑えることができる
。又成長膜の均質性を得るためには、毎秒１０ｃｍ、以
上の反応室内平均流速が従来の装置では必要とされてい
るが、本実施例では、ノズル２４を通して噴き出すガス
流速を所定値以上にすればよく、反応室８全体の流速を
決定するキャリヤガス供給口１８を通して供給するキャ
リヤガス流量も必要最小限で良い。
ノズル２７を配し、開口部２６を通して強制的な排気力
を作用させているために、熱対流現象は緩和され、サセ
プタ２３表面の混合ガスの流れとその上層のキャリヤガ
ス流れとは平行を保ったままサセプタ２３上を流れるこ
ととなる０このように、反応室８内の圧力状態或いは反
応室８内全体の流れ状態はキャリヤガス供給口１８を通
して送るキャリヤガス流量によって制御し、一方、シリ
コン基板１５０表面ガス層のみで決定されるこのシリコ
／基板１６への気相成長反応は、ノズル２４を通して供
給する混合ガス量、および可変絞リパルプ１９，２Ｂの
調整により決まる排気ノズル２７を通しての排気能力に
よって制御することができる。従ってソースガス量或い
はドーピングガス量を必要感小眼に抑えることができる
。又成長膜の均質性を得るためには、毎秒１０ｃｍ、以
上の反応室内平均流速が従来の装置では必要とされてい
るが、本実施例では、ノズル２４を通して噴き出すガス
流速を所定値以上にすればよく、反応室８全体の流速を
決定するキャリヤガス供給口１８を通して供給するキャ
リヤガス流量も必要最小限で良い。
更に、従来装置において問題となっていた反応室壁面へ
の不必要な堆積も解消され、排気ノズル２７の交換、洗
浄のみで反応室８内が清浄に維持でき、保守作業等が大
幅に低減される。
の不必要な堆積も解消され、排気ノズル２７の交換、洗
浄のみで反応室８内が清浄に維持でき、保守作業等が大
幅に低減される。
なお、本実施例では、加熱手段として赤外線加熱法を採
用し、それに応じた反応室構造を採用したが、本発明は
その他の加熱法を採用した装置についても適用できるこ
とは明らかである。う又ノズル２４、或いは排気ノズル
２７はそれぞれ壁面部材１０の両サイドから貫通するよ
うに設けることも可能である。更に本発明はシリコン単
結晶成長への適用に限らず、その他の膜形成装置に適用
できることは明らかである。
用し、それに応じた反応室構造を採用したが、本発明は
その他の加熱法を採用した装置についても適用できるこ
とは明らかである。う又ノズル２４、或いは排気ノズル
２７はそれぞれ壁面部材１０の両サイドから貫通するよ
うに設けることも可能である。更に本発明はシリコン単
結晶成長への適用に限らず、その他の膜形成装置に適用
できることは明らかである。
発明の効果
以上のように、本発明は反応室全体を流れるキャリヤガ
スの供給口および排気口とは別に、シリコン基板を載置
したサセプタをはさんで、それぞれ混合ガス供給ノズル
と排気ノズルを設ける構成であり、気相成長反応に寄与
するシリコン基板表面ガス層を反応室全体のガス流れと
は別に制御できるので、反応効率も上かっ、又全体のガ
スの消費計を抑えることができると共に、反応室壁面へ
の不必要な堆積を生ずることもなく、保守作業を大幅に
低減でき、効果大なるものである。
スの供給口および排気口とは別に、シリコン基板を載置
したサセプタをはさんで、それぞれ混合ガス供給ノズル
と排気ノズルを設ける構成であり、気相成長反応に寄与
するシリコン基板表面ガス層を反応室全体のガス流れと
は別に制御できるので、反応効率も上かっ、又全体のガ
スの消費計を抑えることができると共に、反応室壁面へ
の不必要な堆積を生ずることもなく、保守作業を大幅に
低減でき、効果大なるものである。
第１図は従来の高周波加熱方式のエピタキシャル成長装
置の反応室の断面図、第２図は本発明の一実施例の気相
成長装置の反応室を示す断面図、第３図は同装置の一部
破断の斜視図である０８・・・・・反応室、１２・・・
・・・赤外線ランプヒータユニット、１３・・・・・・
透明石英プレート、１５・・・・・シリコン基板、１８
・・・・・・キャリヤガス供給口、２２・・・・・・排
気口、２３・・・・・・サセプタ、２４・・・・ノズル
、２７・・・・・・排気ノズル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第 ３ 図
置の反応室の断面図、第２図は本発明の一実施例の気相
成長装置の反応室を示す断面図、第３図は同装置の一部
破断の斜視図である０８・・・・・反応室、１２・・・
・・・赤外線ランプヒータユニット、１３・・・・・・
透明石英プレート、１５・・・・・シリコン基板、１８
・・・・・・キャリヤガス供給口、２２・・・・・・排
気口、２３・・・・・・サセプタ、２４・・・・ノズル
、２７・・・・・・排気ノズル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第 ３ 図
Claims (1)
- キャリヤガスを供給するキャリヤガス供給管および反応
ガス或いは反応ガスとキャリヤガスとの混合ガスを供給
する混合ガス供給管との少くとも二系統の供給管を有す
るガス供給手段と、気相成長膜を形成する基板を載置す
る基台と、上記基板および基台を加熱する手段と、上記
基台が内部に設置される反応室と、この反応室の一端に
あって前記キャリヤガス供給管と連結された第１のガス
供給口と、上記反応室の他端にあシ、第１の強制排気手
段を有する第１の排気管に連結された第１の排気口と、
前記混合ガス供給管に連結され、上記反応室を形成する
壁面部材を貫通してこの反応室内に伸び、前記基台に載
置された基板表面に反応ガス、或いは反応ガスとキャリ
ヤガスとの混合ガスが吹き付けられるような開口部を有
する第２のガス供給口と、第２の強制排気手段を有する
第２の排気管に連結され、前記反応室の壁面部材を貫通
してこの反応室内に伸び、前記基台をはさんで、上記第
２のガス供給口に対面した位置に開口を有する第２の排
気口とから成る気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158603A JPS6050919A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158603A JPS6050919A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050919A true JPS6050919A (ja) | 1985-03-22 |
Family
ID=15675303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158603A Pending JPS6050919A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2561678A (en) * | 2017-02-22 | 2018-10-24 | Daido Metal Co | Vertical bearing device |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158603A patent/JPS6050919A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2561678A (en) * | 2017-02-22 | 2018-10-24 | Daido Metal Co | Vertical bearing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2679833B2 (ja) | 反応室ならびに化学蒸着法の改良 | |
| JP5209022B2 (ja) | 堆積システムにおける堆積物の形成を制御するための方法および装置、ならびにそれらを含む堆積システムおよび方法 | |
| US5525157A (en) | Gas injectors for reaction chambers in CVD systems | |
| JPH07193015A (ja) | ウェハ処理チャンバ用ガス入口 | |
| WO2007072855A1 (ja) | 半導体薄膜製造装置 | |
| JP2000150513A (ja) | 窒化ケイ素薄膜の蒸着 | |
| US5244694A (en) | Apparatus for improving the reactant gas flow in a reaction chamber | |
| JP4058364B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6050919A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS59159980A (ja) | 気相成長装置 | |
| TW200527511A (en) | Chemical vapor deposition apparatus and film deposition method | |
| JPS61186288A (ja) | 炭化珪素化合物半導体の気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH05251359A (ja) | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 | |
| JP3948577B2 (ja) | 半導体単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH0560256B2 (ja) | ||
| JPH0518452B2 (ja) | ||
| JP2881828B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| JPS5967622A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0544824B2 (ja) | ||
| JPS59112613A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6240720A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS61117826A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01123413A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS61117824A (ja) | 気相反応容器 | |
| JPH11340142A (ja) | 枚葉式エピタキシャル成長装置及びその成長方法 |