JPS6052012A - 局所薄膜形成方法 - Google Patents

局所薄膜形成方法

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Publication number
JPS6052012A
JPS6052012A JP16076883A JP16076883A JPS6052012A JP S6052012 A JPS6052012 A JP S6052012A JP 16076883 A JP16076883 A JP 16076883A JP 16076883 A JP16076883 A JP 16076883A JP S6052012 A JPS6052012 A JP S6052012A
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JP
Japan
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thin film
laser
film
laser beam
broken section
Prior art date
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Pending
Application number
JP16076883A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunji Kishida
岸田 俊二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6052012A publication Critical patent/JPS6052012A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/047Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板上に所定パターンの薄膜を形成する際の
欠陥をレーザ光を用いて修復させる方法に関する。
近年の電子デバイスの高密度化に伴い、その製造歩留り
の向上のために、フォトマスクや半導体ウェハー上の薄
膜パターンの微小欠陥を効率良く修復させる方法として
欠陥部分にレーザ光を集光照射する方法が実用化されつ
つある。
修復すべき欠陥としては、所定の場所以外に薄膜が形成
された黒点欠陥と、逆に所定の場所に薄膜のない白点欠
陥の2種類がある。このうち黒点欠陥の修復に関しては
、レーザ光を欠陥部分に照射してその薄膜を蒸散される
方法及び装置があり、特にフォトマスク用の装置として
はマスクリペアとしてよく知られている。
一方、白点欠陥の修正方法および装置については、レー
ザ光の微小な欠陥領域への集光照射に加え、光化学反応
を併用することによシ、所望の材質、厚みを有する薄膜
をレーザ光の照射パターンと同じ形状に形成できること
を利用する方法および装置が、従来提案されてきた。
この従来方法および装置について、以下第1図を用いて
説明する。基板1が載物台6の上の気相成長室4の中に
置かれている。気相成長室4は原料ガス供給系5につな
がっている。原料ガス供給系5は、熱分解又は光分解に
よって修復の目的を達しうる所望の薄膜材料を析出する
有機化合物やハライド化合物あるいは水素化合物等の蒸
気を発生する容器と、バッファ・−ガスの容器およびそ
れらを適正な圧力で混合し、混合気体を気相成長室に送
気する圧力調節器からなっている。
基板1の上の所定パターンの薄膜2に存在する欠損部分
3を修復させる場合、欠損部分3には、原料ガスの分m
を促進する波長のレーザ光を集光する。この場合の分解
は光分解でも熱分解でもかまわないので、原料ガスが吸
収しなくとも、例えば基板が吸収して昇温する波長のレ
ーザ光を用いうるのは言うまでもない。レーザ光は第1
のレーザ発振器7から出射され、反射鏡8、レンズ9を
通して欠陥部3へ導びかれる。このとき欠陥部3のレー
ザ光の位置合わせは、テレビカメラまたはCCDカメラ
等からなるモニター10で反射鏡8を通して基板表面が
モニターされ、その映像信号はコントローラ11に送信
される。コントローラ11は全体の操作の自動制御を行
う部分で、前記の映像信号によるレーザ光の照射位置が
欠陥部3の位置に合致するよう載物台6の2軸のモータ
を駆動する。さらにコントローラ11は、上記の位置合
わせが完了してのち第1のレーザ発振器7に発振開始信
号を送り、レーザ光を出射せしめる。欠損部3への薄膜
形成の進行状況はモニター10からの映像信号によりコ
ントローラ11により判定され、薄膜形成が完了と判定
されると、再び第1のレーザ発振器7に発振終了信号が
コントローラ11から送付され、欠損部3の修復が完了
する。同一基板に複数の欠損部が存在する場合には、同
じ操作を繰返せば良い。
しかしながら、以上述べた従来法においては、次に述べ
るごとき欠点があった。まず欠損部3の形状は一定して
いないので欠損部3の形状に合わせたレーザ光の照射は
不可能である。このため周辺の薄膜2へのレーザ光の照
射が不可避となり、この場合、周辺部へも薄膜の形成が
進行し修復完了後に平坦な仕上りとならない。しかも周
辺部の方が薄膜の形成速度が高くなる場合には欠損部3
の修復完了以前に周辺部の膜厚が許容値を越えてしまう
場合もあり、事実上従来法では欠損部3の修復ができな
い場合もあった。また欠損部3の大きさに合わせて各修
復のたびにレーザ光のスポットサイズを変えると牟位照
度当りの薄膜形成速度が変わる効果により、信頼度の高
い修復が得られない。一方、欠損部3の平均的大きさよ
りも充分に小さいスポット径にレーザ光を絞り、欠損部
3の中をレーザ光を走査して修復を繰シ返すことにより
、上記の従来法の欠点をある程度回避する方法も考えら
れるが、逆に修復時間の長大化や、所要位置決め精度の
向上環の新たな欠点を生ずる。
本発明の目的は、以上述べた従来法の欠点を除去し、各
修復を標準作業化して信頼度を向上させ、ナ旦 しかも修復後の薄膜の平担化に優れた、新規な局所薄膜
形成方法を提供するととKある。
本発明の方法は、基板上尾形成された薄膜バタ゛ −ン
の欠損部分を所定の形状に整形する工程と、欠損部分が
整形された基板を原料ガス雰囲気にさらし、前記整形さ
れた欠損部分に、前記所定の形状と光ビーム断面形状が
同一のレーザ光を照射して欠損部分に薄膜を形成する工
程とから構成されている。
本発明の特長は、あらかじめ用意された所定の形状にビ
ームを整形した薄膜除去用の第2のレーザ光を欠損部に
照射して欠損部を所定の形状に拡大・整形してのち、こ
の所定の形状と同一形状の薄膜形成用の第1のレーザ光
を欠損部の同一場所に照射して拡大・整形した欠損部に
過不足のない、ル 周辺部と平紹性を保った薄膜を形成できる点にある。
以下図面を用いて本発明の実施例をより詳細に説明する
。第2図は本発明の一実施例を示す構成図である。番号
の同じ構成要素は第1図と同一である。新たに追加され
たものはアパーチャー12゜アパーチャー用集光レンズ
13.第2の反射鏡14、および第2のレーザ発振器1
5である。ただしコントローラ110機能は、以下で明
らかにするごとく、拡充される必要がある。
第2のレーザ発振器15から出射される第2のレーザ光
は反射鏡140反射鏡8を介してアパーチャー用集元レ
ンズ13でその焦点付近に集光される。集光された部所
には所定の形状にこの第2のレーザ光のビームを整形す
るアパーチャー12が配置されている。このアパーチャ
ー12の像がレンズ9により欠損部3に結像される。こ
の第2のレーザ光の強度は、結像されたアパーチャー1
2の形状で基板上の薄膜を蒸散させるのに充分な大きさ
に設定し、かつこの形状の周辺に対する熱効果を最小限
にするために第2のレーザー光のパルス幅は充分短く設
定しておく、この目的に適した第2のレーザ発振器15
としては、QスイッチYAGレーザやその高周波、ある
いはQスイッチアレキサンドライトレーザ等の高出力固
体レーザが適している。もちろんN、レーザやエキシマ
−レーザのごとき高出力、短パルス発振の気体レーザも
用いうる。
アパーチャー12の形状としては矩形が標準となる。標
準の矩形よりも大きな欠損部3に対しては、1 経隣接した複数の矩形の集合で欠損部3をカバーすれば
よく、その中に含まれる薄膜をすべて除去する。目的に
よっては複数のアパーチャー12を用意してターレット
方式その他のアパーチャーの入れ換方式を採用しても良
いととはもちろんである。
実際の除去には、従来の例で薄膜形成の際に行ったのと
同様、モニター10と載物台6をコントローラ11を介
して連動させて位置決めを行ったのち、コントローラ1
1からのトリガー信号によシ第2のレーザ発振器15か
ら第2のレーザ光が出射される一連の動作により完了す
る。この動作自体は、マスクリペアで広く行なわれてい
ることと基本的には同一である。
本発明では、さらに薄膜形成用の第1のレーザ発振器7
から出射される第1のレーザ光を、第2のレーザ光と同
軸に重ね、第1のレーザ光もアパーチャー12を通して
、基板1の上の拡大・整形された欠損部3にちょうどビ
ームの形状が一致するよう照射する。このため、第2の
レーザ光で除去、された部分に再び薄膜が形成される。
こうして、プユ 周辺に盛シ上りのない平tな薄膜が再生し、修復が完了
する。
以上のごとく、本発明におけるコントローラ11は従来
の第1図の従来の機能に加え、位置決めののちにまず第
2のレーザ光を照射するためのトリガー信号発生機能お
よび、正しく薄膜が除去されたことをモニター10から
の映像信号で判定す点板外の利点は、薄膜形成の形状が
標準化されるため、従来法の欠点であった薄膜形成速度
のバラツキが大幅に減少し薄膜形成の再現性が大幅に向
上すること、白点欠陥と黒点欠陥を同時にその場で修復
でき、大幅に修復時間の短縮が図りうることなどである
。なお、本発明による白点欠陥修正においては、第2の
レーザ光を照射するプロセスが従来法に付加されてbる
が、そのために要する時間は極めて短時間であり、全体
の修復時間におよぼす影豐は極めて少い。むしろ、本発
明による修復の信頼度向上により、再修復の必要性が大
幅に減少するため、かえって大幅に修幅時間の短縮が可
能となる。
なお、第2図は本発明による一実施例であり、本発明の
趣旨を逸脱しない範囲で可能な変形がありうることはも
ちろんである。
例えば、第1のレーザ光と第2のレーザ光を重ねるのに
反射鏡8を用いたが、両方のレーザ光の偏光を直交させ
ておき、反射鏡の替りに偏光板を用いうるととは当然可
能である。また両方のレーザ光の波長を異ならせて反射
鏡8の設計を容易にしうろことももちろん可能である。
2つのレーザ光の光軸を重ねずに2ビーム系としてもよ
い。さらに、第1のレーザ発振器7と第2のレーザ発振
器15を同一のレーザ発振器で兼用し、その動作モード
だけを変えて両方のレーザ発振器の機能を生せしめるこ
とも可能である。具体的には例えば、レーザ発振器とし
てQスイッチYAGレーザと高調波発生器との組合せを
用い、薄膜除去用の第2のレーザ光としては、YAGレ
ーザの基本波もしくは第2高調波や第4高調波の適当な
波長域の光で、1シ曹、ト当りのエネルギーの大きい光
を用いれば良い。一方、薄膜形成用の第1のレーザ光と
しては、YAGレーザの第3高調波や第4高調波の紫外
光で、上記第2のレーザよりも出力が小さく、それ自身
によっては形成された薄膜が除去されない程度の強度の
レーザ光が良い。従って前記の動作モードの違いとして
は、波長が同一の高調波紫外光で、ただ出力レベルだけ
が異る場合もありうるし、又第1のレーザ発振器7とし
ては第4高調波発生器までを含むものにし、第2のレー
ザ発振器15としては第2高調波発生器もしくは高調波
発生のない基本波のみの発振器の、波長が異る場合もあ
りうる0元源は2つ用いたが1つの光源で、欠損部の整
形と薄膜形成の機能を持たせることも可能である。
また、本発明の実施例ではレーザ光は動かさず、基板を
載物台に載せて動かしたが、基板を固定し、レーザ光を
走査させても良いことは当然であるし、また、両方を目
的に応じて併用しても良い。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来法による局所薄膜形成装置の概念図、第
2図は本発明を具現するための局所薄膜形成装置の一概
念的構成図であり、各番号はそれぞれ、 1・・基板、2・・・薄膜、3・・・欠損部、4・・・
気相成長室、5・・・原料ガス供給系、6・・・載物台
、7・・・第1のレーザ発振器、8・・・反射鏡、9・
・・レンズ、10・・・モニター、11・・・コントロ
ーラ、12・・・アパーチャー、13・・・アパーチャ
ー用集光レンズ、14・・・第2の反射鏡、15・・・
第2のレーザ発振器、を表わす。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に形成された薄膜パターンの欠損部分を所定の形
    状に整形する工程と、欠損部分が整形された基板を原料
    ガス雰囲気にさらし、前記整形された欠損部分に、前記
    所定の形状と元ビーム断面形状が同一のレーザ光を照射
    して欠損部分に薄膜 ′を形成する工程とから成ること
    を特徴とする局所薄膜形成方法。
JP16076883A 1983-09-01 1983-09-01 局所薄膜形成方法 Pending JPS6052012A (ja)

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JP16076883A JPS6052012A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 局所薄膜形成方法

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JPS6052012A true JPS6052012A (ja) 1985-03-23

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