JPS6052031A - 半導体装置の高温テスト装置 - Google Patents
半導体装置の高温テスト装置Info
- Publication number
- JPS6052031A JPS6052031A JP58160997A JP16099783A JPS6052031A JP S6052031 A JPS6052031 A JP S6052031A JP 58160997 A JP58160997 A JP 58160997A JP 16099783 A JP16099783 A JP 16099783A JP S6052031 A JPS6052031 A JP S6052031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- tray
- high temperature
- furnace
- lsi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は各押型子機器の機能の多様化による多ピン化の
要求、電卓に代表される小型化の要求により多く利用さ
れるプラットタイプのＬＳＩに好適な高温テスト装置に
関する。
要求、電卓に代表される小型化の要求により多く利用さ
れるプラットタイプのＬＳＩに好適な高温テスト装置に
関する。
〈従来技術〉
フラットタイプのＬＳＩを高温テスト装置にてテストす
る場合、素子の予備加熱及び測定部での高温保持を行な
わねば々ら彦いが、従来ＬＳＩの加熱は高温テスト装置
全体を高温雰囲気中に入れて行なっていた。しかしこの
方式を採用した場合高温テスト装置機構全体が高温雰囲
気中に晒される為高温テスト装置の設計に当りその材料
の温度膨張、耐熱性等に留意しなければならず、その為
使用材料が高価になり、又温度状態を加味した上でのテ
スト装置の設計（特にセンサーの誤動作対策）に複雑さ
が生じ、又必要個所以外の装置部分をも加熱する為に使
用電力が多く必要となり、ランニングコストが高くなる
という欠点があった。
る場合、素子の予備加熱及び測定部での高温保持を行な
わねば々ら彦いが、従来ＬＳＩの加熱は高温テスト装置
全体を高温雰囲気中に入れて行なっていた。しかしこの
方式を採用した場合高温テスト装置機構全体が高温雰囲
気中に晒される為高温テスト装置の設計に当りその材料
の温度膨張、耐熱性等に留意しなければならず、その為
使用材料が高価になり、又温度状態を加味した上でのテ
スト装置の設計（特にセンサーの誤動作対策）に複雑さ
が生じ、又必要個所以外の装置部分をも加熱する為に使
用電力が多く必要となり、ランニングコストが高くなる
という欠点があった。
く目 的〉
本発明は以上の従来問題点を解消する為になされたもの
であり、テストする半導体装置の搬送部及び／又は測定
部に於いて極所的に加熱する手段を備えることによって
効率良く半導体装置の高温テストを行なうことを目的と
するものである。
であり、テストする半導体装置の搬送部及び／又は測定
部に於いて極所的に加熱する手段を備えることによって
効率良く半導体装置の高温テストを行なうことを目的と
するものである。
〈実施例〉
以下本発明に係る半導体装置の高温テスト装置の一実施
例について図面を用いて詳細に説明する。
例について図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る半導体装置の高温テスト装置の一
実施例の構成説明図である０ １はトレー用マガジンであり、該トレー用マガジン内に
は数１０枚のトレー２が収納可能である。
実施例の構成説明図である０ １はトレー用マガジンであり、該トレー用マガジン内に
は数１０枚のトレー２が収納可能である。
各トレー２にはフラットタイプのＬＳＩ（第２図にその
外観斜視図を示す。）が多数セットされる。
外観斜視図を示す。）が多数セットされる。
上記トレー２は真空成形で作成した導電性トレーであり
形状が不安定であるのでトレー２の搬送を安定して行々
う為に予めトレー２を１枚づつ分離してトレー用マガジ
ン１に収納し、このトレー用マガジン１よ９１枚づつ引
出し作業を行なうようにしている。又、高温テストを完
了したＬＳＩは別のトレー２′にセットされ、別のトレ
ー用マガジン１′に収納される。上記トレー２にセット
されたＬＳＩは真空吸着装置３によって一列同時に吸着
サムトランスファーレール４上において一列同時に移送
される○このトランスファーレール４上の１列のＬＳＩ
は加熱炉５内部を通過する過程で所定温度に高められる
。上記ＬＳＩは加熱炉５を通過後トランスファーレール
４の終端部６で正確に位置決めがなされ、との位置決め
が行なわれたＬＳＩがロータリーテーブル７に固定され
るコレット（図示ぜず）によって吸着され、ロータリー
テーブル７が回転して測定部８にＬＳＩが供給される。
形状が不安定であるのでトレー２の搬送を安定して行々
う為に予めトレー２を１枚づつ分離してトレー用マガジ
ン１に収納し、このトレー用マガジン１よ９１枚づつ引
出し作業を行なうようにしている。又、高温テストを完
了したＬＳＩは別のトレー２′にセットされ、別のトレ
ー用マガジン１′に収納される。上記トレー２にセット
されたＬＳＩは真空吸着装置３によって一列同時に吸着
サムトランスファーレール４上において一列同時に移送
される○このトランスファーレール４上の１列のＬＳＩ
は加熱炉５内部を通過する過程で所定温度に高められる
。上記ＬＳＩは加熱炉５を通過後トランスファーレール
４の終端部６で正確に位置決めがなされ、との位置決め
が行なわれたＬＳＩがロータリーテーブル７に固定され
るコレット（図示ぜず）によって吸着され、ロータリー
テーブル７が回転して測定部８にＬＳＩが供給される。
９はテスターであって測定部８に供給されたＬＳＩに対
して高温テストを実行する。高温テスト完了後のＬＳＩ
はロータリーテーブル７によって良品はトランファーレ
ール４′に置かれ、不良品は不良品収納箱１０に収納さ
れる。トランファーレール４′によって移送された良品
のＬＳＩは真空吸着装置３′によって一列同時に吸着さ
れトレー２′にセットされる。複数の良品のＬＳＩがセ
ットされたトレー２′はトレー用マガジン１′に収納さ
れる。１１は以上のシステムの動作指示等を行なう操作
パネル、１２はＬＳＩの加熱を行なうボットノズルであ
る。
して高温テストを実行する。高温テスト完了後のＬＳＩ
はロータリーテーブル７によって良品はトランファーレ
ール４′に置かれ、不良品は不良品収納箱１０に収納さ
れる。トランファーレール４′によって移送された良品
のＬＳＩは真空吸着装置３′によって一列同時に吸着さ
れトレー２′にセットされる。複数の良品のＬＳＩがセ
ットされたトレー２′はトレー用マガジン１′に収納さ
れる。１１は以上のシステムの動作指示等を行なう操作
パネル、１２はＬＳＩの加熱を行なうボットノズルであ
る。
第３図は上記高温テスト装置の一部構成を示すものであ
り、具体的に言えば加熱炉５周辺の一部 ゛切欠外観斜
視図である。加熱炉５の構造は路上部炉５ａと下部炉５
ｂとスリット板５ｃとから成り、このスリット板５ｃに
は同図に示される如くホットノズル１２からのホットエ
アーがトランスファーレール４上の複数のＬＳ１１３に
均一に当たる様に複数のスリットが形成される。上部炉
５ａと下部炉５ｂとは蝶番で結合され炉内でワークトラ
ブルが発生した時に迅速に開閉が出来る構造と々ってい
る。尚上記加熱炉５の炉ゝ壁は断熱材で覆われ、上部炉
５ａには外壁から内部まで貫通する穴が設けられこの穴
を通してホットノズル１２からホットエアーが炉内に吹
き込まれる。又炉内に熱電対１４が挿入されて温度を検
知し、炉内の温度コントロールを行なう。上記加熱炉５
の長さはトランスファーレール４の搬送スピードと関連
があり、トランスファーレール４土に載置されたＬＳＩ
が炉内において約１分間程度滞留するだけの長さが必要
である。ＬＳＩの正確な位置決めは炉の外部であるトラ
ンスファーレール４の終端部６で行なわれる。この終端
部６におけるＬＳ１１３の温度の下降を防ぐ為にホント
ノズル１２でその部分のし５１１３を暖めている。
り、具体的に言えば加熱炉５周辺の一部 ゛切欠外観斜
視図である。加熱炉５の構造は路上部炉５ａと下部炉５
ｂとスリット板５ｃとから成り、このスリット板５ｃに
は同図に示される如くホットノズル１２からのホットエ
アーがトランスファーレール４上の複数のＬＳ１１３に
均一に当たる様に複数のスリットが形成される。上部炉
５ａと下部炉５ｂとは蝶番で結合され炉内でワークトラ
ブルが発生した時に迅速に開閉が出来る構造と々ってい
る。尚上記加熱炉５の炉ゝ壁は断熱材で覆われ、上部炉
５ａには外壁から内部まで貫通する穴が設けられこの穴
を通してホットノズル１２からホットエアーが炉内に吹
き込まれる。又炉内に熱電対１４が挿入されて温度を検
知し、炉内の温度コントロールを行なう。上記加熱炉５
の長さはトランスファーレール４の搬送スピードと関連
があり、トランスファーレール４土に載置されたＬＳＩ
が炉内において約１分間程度滞留するだけの長さが必要
である。ＬＳＩの正確な位置決めは炉の外部であるトラ
ンスファーレール４の終端部６で行なわれる。この終端
部６におけるＬＳ１１３の温度の下降を防ぐ為にホント
ノズル１２でその部分のし５１１３を暖めている。
第４図は上記高温テスト装置の一部構成を示すものであ
り、具体的に謂えば測定部８周辺の一部切欠外観斜視図
である。１５は基板ホルダー、１６は絶縁板、１７はプ
リント基板、１８はＬＳＩを収納する為のソケット、１
９け断熱ワクである。
り、具体的に謂えば測定部８周辺の一部切欠外観斜視図
である。１５は基板ホルダー、１６は絶縁板、１７はプ
リント基板、１８はＬＳＩを収納する為のソケット、１
９け断熱ワクである。
この断熱ワク１９の一部個所に穴が設けられホットノズ
ル１２が挿入される。フラット１８にセットされたＬＳ
Ｉに対してテスタ９により高温テストする際においてそ
の測定時間は数秒から数十秒の時間を要し、その間に温
度の下降がある為、正確な測定を行なうべく断熱ワク」
９内にホットノズル１２によってホットエアーを吹き込
み温度制御を行なうことによってＬＳＩを一定温度に保
持した状態で測定を行なうようにしている。１４４１’
断熱ワク１９内の温度を測定する為の熱電対である。こ
の熱電対１４によって断熱ワク１９内の温度を測定し、
この測定結果をホットノズル１２のヒータ一部ヘフィー
ドバソクして吹き込みエアーの温度を調整している。
ル１２が挿入される。フラット１８にセットされたＬＳ
Ｉに対してテスタ９により高温テストする際においてそ
の測定時間は数秒から数十秒の時間を要し、その間に温
度の下降がある為、正確な測定を行なうべく断熱ワク」
９内にホットノズル１２によってホットエアーを吹き込
み温度制御を行なうことによってＬＳＩを一定温度に保
持した状態で測定を行なうようにしている。１４４１’
断熱ワク１９内の温度を測定する為の熱電対である。こ
の熱電対１４によって断熱ワク１９内の温度を測定し、
この測定結果をホットノズル１２のヒータ一部ヘフィー
ドバソクして吹き込みエアーの温度を調整している。
く効 果〉
以上の本発明によればテストする半導体装置の′門送部
及び／又は測定部に於いて極所的に加熱を行なう為にホ
ットエアーを吹き込むホットノズルを配置したので効率
良く温度制御を行なうことができるものである。
及び／又は測定部に於いて極所的に加熱を行なう為にホ
ットエアーを吹き込むホットノズルを配置したので効率
良く温度制御を行なうことができるものである。
第１図は本発明に係る半導体装置の高温テスト装置の一
実施例の構成説明図、第２図はフラットタイプのＬＳＩ
の外観斜視図、第３図は上記高温テスト装置の加熱炉周
辺の一部切欠外観斜視図、第４図は上記高温テスト装置
の測定部周辺の一部切欠外観斜視図を示す。 図中、１゛トレー用マガジン ２：トレー３：真空吸着
装置 ４．トランスファーレール５：加熱炉 ７：ロー
タリーテーブル ８：測定部 ９：テスター １０；不良品収納箱 １１：操作パネル１２：ホソトノ
ズル １３ ：ＬＳ１ １４：熱電対 １５：基板ホルダー １６：絶縁板 １７：プリント基板 １８：ソケツト １９：断熱ワク 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）１６９−
実施例の構成説明図、第２図はフラットタイプのＬＳＩ
の外観斜視図、第３図は上記高温テスト装置の加熱炉周
辺の一部切欠外観斜視図、第４図は上記高温テスト装置
の測定部周辺の一部切欠外観斜視図を示す。 図中、１゛トレー用マガジン ２：トレー３：真空吸着
装置 ４．トランスファーレール５：加熱炉 ７：ロー
タリーテーブル ８：測定部 ９：テスター １０；不良品収納箱 １１：操作パネル１２：ホソトノ
ズル １３ ：ＬＳ１ １４：熱電対 １５：基板ホルダー １６：絶縁板 １７：プリント基板 １８：ソケツト １９：断熱ワク 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）１６９−
Claims (1)
- １、半導体装置の搬送部及び／又は測定部において半導
体装置にホットエアーを吹き込むホット ゛ノズルを配
置したことを特徴とする半導体装置の高温テスト装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160997A JPS6052031A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体装置の高温テスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160997A JPS6052031A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体装置の高温テスト装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052031A true JPS6052031A (ja) | 1985-03-23 |
Family
ID=15726606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160997A Pending JPS6052031A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体装置の高温テスト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052031A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207030U (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-27 | ||
| JPS62169062A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 着脱装置 |
| JPH0344680U (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-25 | ||
| KR20020061468A (ko) * | 2001-01-15 | 2002-07-24 | 아주시스템 주식회사 | 반도체 소자 검사장치의 컨텍터 |
| KR20020066524A (ko) * | 2001-02-12 | 2002-08-19 | 메카텍스 (주) | 반도체 제조장치용 가열 테스트 장치 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58160997A patent/JPS6052031A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207030U (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-27 | ||
| JPS62169062A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 着脱装置 |
| JPH0344680U (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-25 | ||
| KR20020061468A (ko) * | 2001-01-15 | 2002-07-24 | 아주시스템 주식회사 | 반도체 소자 검사장치의 컨텍터 |
| KR20020066524A (ko) * | 2001-02-12 | 2002-08-19 | 메카텍스 (주) | 반도체 제조장치용 가열 테스트 장치 |
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