JPS6054366A - アシル化ヒドラジン化合物、その製造方法及び該化合物を含む医薬製剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はアシル化ヒドラジン化合物を含む医薬製剤、そ
の薬理活性製剤としての用途、この型の新規化合物及び
そのＭ漬方法並びに該化合物の医薬製剤の製造のため及
び薬理活性化合物として使用すること及び新規出発原料
に関する。 本発明による医薬製剤は、一般式（Ｉ）：／４＼ ＼Ｎ／ 〔式中Ｒは場合により置換された脂肪族又は芳香族炭化
水素基を表し、肚はアシル基を表し、ｎは１〜４の整数
を表す〕の化合物をこのような化合物のラセミ混合物、
ラセミ化合物、光学的対字体又は塩の形で含む。ｎが２
〜４の数を表す場合には、基Ｒは同−又は異なり、ピリ
ジン環−にの可能な任意の位置に結合していてよい。 本発明は更に、Ｒ，ｎ及び胱が一般式（Ｔ）に与えた定
義を有するが、ｎが１であり、胱がアセチル基を表す場
合には、３−位に結合する低級アルキル基としてのＲは
２〜７個の炭素原子を有し、更に、ｎが１であり、＾Ｃ
がベンゾイル基を表す場合には、３−１４−１５−又は
６−位に結合する低級アルキル基としてのＲが２〜７個
の炭素原子を有する一般式（１）の、ラセミ混合物、ラ
セミ化合物又は光学的対掌体の形の新規化合物又はこの
ような化合物の塩に関する。 場合により置換された脂肪族炭化水素基Ｒは、例えば場
合により置換された低級アルキル基、例えば低級アルキ
ル基、場合によりエーテル化又はエステル化されたヒド
ロキシ−低級アルキル基、例えばヒドロキシ−低級アル
キル基、低級アルコキシ−低級アルキル基又はハロー低
級アルキル基又は場合により置換された、例えば低級ア
ルキル化若しくはアシル化されたアミノ−低級アルキル
基、例えばアミノ低級アルキル基、Ｎ−低級アルキルア
ミノー低級アルキル基若しくはＮ、Ｎ−ジー低級アルキ
ルアミノ−低級アルキル基、低級アルカノイルアミノ−
低級アルキル基又は低級アルコキシカルポニルアミノー
低級アルキル基、又は場合によりエステル化或いはアミ
ド化されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基、低級ア
ルコキシカルボニル基若しくは場合により置換されたカ
ルバモイル基、例えばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキ
ルカルバモイル基又はＮ、　Ｎ−ジー低級アルキルカル
バモイル基又はオキソ基で置換された低級アルキル基、
例えばカルボキシ−低級アルキル基、低級アルコキシカ
ルボニル−４１アルキル基、カルバモイル−低級アルキ
ル基、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低級アルキル基
又はＮ、Ｎ−ジー低級アルキルカルバモイル−低級アル
キル基、又はオキソ−低級アルキル基、並びにシアノ低
級アルキル基、又は場合により置換されたアリール−低
級アルキル基（アリール基は単環式芳香族炭化水素基、
例えばフェニル基、又は双環式芳香族炭化水素基、例え
ば１−若しくは２−ナフチル基又は部分的に飽和された
ナフチル基、例えば１゜２、．３．４−テＩ・ジヒドロ
−５−ナフチル基であり、置換基は低級アルキル基、ヒ
ドロキシ基及び／又はハロゲン、場合によりエーテル化
若しくはエステル化されたヒドロキシ−低級アルキル基
、例えば前記のような基、例えば低級アルコキシ−低級
アルキル基又はハロー低級アルキル基、低級アルコキシ
基、場合によりエーテル化若しくはエステル化されたヒ
ドロキシ−低級アルコキシ基、例えば低級アルコキシ−
低級アルコキシ基又はへロー低ｍアルコキシ基、低級ア
ルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、又は場合
により置換、例えば低級アルキル化若しくはアシル化さ
れたアミノ−低級アルキル基、例えば前記のような基、
例えばモノ−若しくはジー低級アルキルアミノ−低級ア
ルキル基又は低級アルカノイルアミノ−低級アルキル基
、場合によりエステル化されたカルボキシ基、例えばカ
ルボキシ基又は低級アルコキシカルボニル基、アミド化
カルボキシ基、例えば場合により置換されたカルバモイ
ル基、例えばカルバモイル基、Ｎ−（１アルキルカルバ
モイル基又はＮ、Ｎ−ジー低級アルキルカルバモイル基
、シアノ基、ニトロ基又は場合により置換、例えばアシ
ル化されたアミノ基、例えばアミノ基、低級アルカノイ
ルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、及び
低級アルキルアミノ基又はジー低級アルキルアミノ基で
あり、このような置換基が１個以上、特に１〜３個存在
してよく、同−又は異なっていてよい）である。 場合により置換された芳香族炭化水素基Ｒは、単環式又
は双環式の炭素同素環式又はへテロ環式芳香族炭化水素
基、例えばフェニル基、１−又は２−ナフチル基又は部
分的に飽和されたナフチル基、例えば１，２，３．４−
テトラヒドロ−５＝ナフチル基である。単環式又は双環
式へテロアリール基としては、Ｒは好ましくは５個若し
くは６個の環成員を有し、環の炭素原子を介してピリジ
ル基に結合し、環成員として酸素原子、硫黄原子又は窒
素原子及び場合により１〜３個の付加的窒素原子を含む
基（少なくとｔ）一部分水素添加されていてよく、この
場合にオキソ基で置換されていてよく、双環式へテロ環
式基中の第二の環は縮合ベンゼン環であってよい）、及
び特にピリジル基、例えば２−１３−若しくは４−ピリ
ジル基、又はジヒドロオキソ−ピリジニル基、例えば１
．６−シヒドロー６−オキソー２−ピリジニル基、ピリ
ダジニル基、例えば３−ピリダジニル基、ピラジニル基
、例えば２−ピラジニル基、ピリミジニル基、例えば２
−１４−若しくは５−ピリミジニル基、又はジヒドロ−
オキソ−ピリミジニル基、例えば３，４−ジヒドロ−４
−オキソ−２−ピリミジニル基、フリル基、例えば２−
若しくは３−フリル基、ピリル基、例えば２−若しくは
３−ピリル基、チェニル基、例えば２−若しくは３−チ
ェニル基、オキサシリル基、例えば２−又は４−オキサ
シリル基、チアゾリル基、例えば２−１４−又は５−チ
アゾリル基、チアジアゾリル基、例えば１，２．４−チ
アジアゾール−３−若しくは５−イル基又は１，２．５
−チアジアゾール−３−イル基、イミダゾリル基、例え
ばイミダゾール−２−若しくは−４−イル基、ピラゾリ
ル基、例えば３−若しくは４−ピラゾリル基、トリアゾ
リル基、例えば１，２．１−）リアゾール−４−イル基
又番；Ｉ：］、２．　、ｌ−トリアゾール−３−イル基
、テトラゾリル基、例えばテ１〜ラゾールー５−イル基
及びインドリル基、例えばインドール−４−イル基、キ
ノリニル基、例えば２−キノリニル基、イソキノリニル
基、例えば１−イソキノリニル基、ベンズイミダゾリル
基、例えば２−ベンズイミダゾリル基、ベンゾフラニル
基、例えば４−又は５−ベンゾフラニル基、ベンゾチェ
ニル基、例えば４−又は５−ベンゾチェニル基、又はナ
フチリジニル基、例えば１．８−ナフチリジン−２−イ
ル基を表す。 単環式又は双環式炭素同素環式又はヘテロ環式アリール
基Ｒの置換基は（後者の場合には特に環炭素原子が置換
されているが、二級環窒素原子が置換されていてもよく
、また、１個以上、好ましくは最高４個の置換基が存在
してよい）、例えば場合に−ｔ；　Ｉ／ＪＷ　換された
低級アルキル基、例えば低級アルキル基、場合によりエ
ーテル化若しくはエステル化されたヒドロキシ−低級ア
ルキル基、例えばヒドロキシ−低級アルキニル基、低級
アルコキシ−低級アルキル基又はハロー低級アルキル基
、又は場合により置換、例えばアシル化されたアミノ低
級アルキル基、例えば低級アルカノイルアミノ−低級ア
ルキル基又は低級アルコキシカルボニルアミノ−低級ア
ルキル基、又は低級アルケニル基又は低級アルキニル基
、場合によりエーテル化若しくはエステル化されたヒド
ロキシ基或いはメルカプト基、例えばヒドロキシ基、低
級アルコキシ基、フェニル−低級アルコキシ基、ハロゲ
ン、メルカプト基、低級アルキルチオ基、又は場合によ
りエーテル化若しくはエステル化されたヒドロキシ基或
いはメルカプト基又はアシル基で置換された低級アルコ
キシ基、例えば低級アルコキシ基、フェニル−低級アル
コキシ基、ヒドロキシ−低級アルコキシ基、低級アルコ
キシ−低級アルコキシ基、低級アルキルチオ−低級アル
コキシ基、ハロー低級アルコキシ基又は低級アルカノイ
ル−低級アルコキシ基、又は低級アルケニルオキシ基、
低級アルキニルオキシ基、アシル基、例えば低級アルカ
ノイル基、場合によりエステル化されたカルボキシ基、
例えばカルボキシ基又は低級アルコキシカルボニル基、
アミド化カルボキシ基、例えば場合により置換されたカ
ルバモイル基、例えばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキ
ルヵルバモイル基又ハＮ、Ｎ−ジー低級アルキルカルバ
モイル基、シアノ基、ニトロ基又は場合により置換、例
えばアシル化されたアミノ基、例えば低級アルカノイル
アミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、低級ア
ルキルスルホニル基、スルファモイル基、場合により置
換されたウレイＩ゛基及びアミノ基、Ｎ−低級アルキル
アミノ基又はＮ、　Ｎ−ジー（ＩＵ　級アルキルアミノ
基である。 アシル乱読は、例えば式−Ｃ（−〇）　Ｒ＋（式中Ｒ１
は場合により置換された脂肪族、脂環式、芳香族又は芳
香脂肪族炭化水素基、例えば場合により置換された低級
アルキル基、低級アルケニル基又は低級アルキニル基、
場合により置換されたフェニル−低級アルキル基、フェ
ニル−低級アルケニル基又はフェニル−低級アルキニル
基、場合により置換された単環式若しくは多環式シクロ
アルキル基を表すか又は芳香族基としては、場合により
置換された単環式又は双環式炭素同素環式又はヘテロ環
式アリール基、例えば基Ｒについて挙げた基を表し、従
って例えばフェニル基又はピリジル基を表す）に対応す
る。 低級アルキル基、低級アルケニル基又は低級アルキニル
基、フェニル−低級アルキル基、フェニル−低級アルケ
ニル基又はフェニル−低級アルキニル基及び単環式若し
くは多環式シクロアルキル基、例えばシクロアルキル基
の置換基は、例えば場合によりエーテル化若しくはエス
テル化されたヒドロキシ基、例えばヒドロキシ基、低級
アルコキシ基及び／又はハロゲン、場合により置換、例
えば低級アルキル化若しくはアシル化されたアミノ基、
例えばアミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ基又はＮ、　
Ｎ−ジー低級アルキルアミノ基、低級アルカノイルアミ
ノ基及び／又は場合により官能基で変性されたカルボキ
シ基、例えばカルボキシ基、エステル化カルボキシ基、
例えば低級アルコキシカルボニル基、場合により置換さ
れたカルバモイル基、シアノ基又番オニトロ基であり、
置換された基は置換に適当な任意の位置に同−又は異な
る置換基を１個以上、特に３個まで含んでいてよい。 単環式又（才双環式炭素同素環式又はへテロ環式アリー
ル基の置換基は、基Ｒについて挙げた置換基、例えば場
合により置換された脂肪族炭化水素基、例えば場合によ
り置換された低級アルキル基に相当する。 アシル基＾Ｃは、更に炭酸のモジエステル又はモノアミ
ドの基、例えば非置換若しくは置換しドロキシ基、例え
ば遊離或いはエーテル化されたヒドロキシ基、例えば低
級アルコキシ基、又は非置換若しくは置換アミノ基、例
えばアミノ基、低級アルキルアミノ基、及び特にジー置
換アミノ基、例えばジー低級アルキルアミノ基、Ｎ−低
級アルキル−Ｎ−フェニル−低級アルキルアミノ基又は
場合により酸素、硫黄或いは非置換若しくは置換、例え
ば低級アルキル基で置換された窒素で遮断された低級ア
ルキレンアミノ基、又は非置換若しくは置換、例えば低
級アルキル基、低級アルコキシ基及び／又はハロゲンで
置換されたフェニル基を含む低級アルコキシカルボニル
基、及びＮ−非置換若しくはＮ−モノ−又はＮ、Ｎ−ジ
ー置換カルバモイル基、例えばＮ−低級アルキルカルバ
モイル基、Ｎ、Ｎ−ジー低級アルキルカルバモイル基、
又は場合により低級アルキレン部分が酸素、硫黄或いは
非置換若しくは置換、例えば低級アルキル基で置換され
た窒素で遮断されたＮ、Ｎ−低級アルキレンカルバモイ
ル基を表ｔ。 本明細書の記載において、「低級」と示す基及び化合物
は、好ましくは７個以下、特に４個以下の炭素原子を含
む。 低級アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基又はｔｅｒｔ−ブチル基である。 従って、炭素原子数２〜７個の低級アルキル基は、例え
ばエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基であり、
置換低級アルキル基は特に対応するメチル基又は１−若
しくは２−エチル基である。 低級アルケニル基は、例えばビニル基、アリル基又は２
−若しくは３−メタリル基又は３，３−ジメチルアリル
基である。 低級アルキニル基は、特にプロパルギル基である。 低級アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブＩ・キシ
基又はイソブトキシ基であり、フェニル−低級アルコキ
シ基は、例えばベンジルオキシ基又器よ１−若しくは２
−フェニルエ１−キシ基であり、低級アルケニルオキシ
基は、例えばアリルオキシ基、２−若しくは３−メタリ
ルオキシ基又は３．３−ジメチル了りルオキシ基であり
、低級アルキニルオキシ基は特にプロパルギルオキシ基
である。 低級アルキルチオ基は、例えばメチルチオ基、エチルチ
オ基、ｎ−プロピルチオ基又はイソプロピルチオ基であ
る。 低級アルキルスルホニル基は、例えばメチルスルボニル
基又はエチルスルホニル基である。 ハロゲンは、好ましくは３５までの原子番号を有するハ
ロゲン、即ち、弗素、塩素又は臭素である。 低級アルカノイル基は、例えばアセチル基、プロビニオ
ル基又はブチリル基である。 場合により置換された低級アルコキシカルボニル基は、
例えば場合により酸素原子を介して結合するアシル基、
例えば低級アルカノイル基、例えばアセチル基若しくは
ピバロイル基、低級アルコキシカルボニル基、例えばメ
トキシカルボニル基若しくはエトキシカルボニル基又は
アロイル基、例エハヘンゾイル基で置換された低級アル
コキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、１−若しくは２−（アセト
キシ）−エトキシカルボニル基、ピバロイルオキシメト
キシカルボニル基、■−若しくは２−（メトキシカルボ
ニルオキシ）−エトキシカルボニル基又は１−若しくは
２−（ベンゾイルオキシ）−エトキシカルボニル基であ
る。 場合により置換されたカルバモイル基は、例えばカルバ
モイル基、又はＮ−低級アルキルー若しくはＮ、Ｎ−ジ
ー低級アルキルカルバモイル基、例えばＮ−メチルカル
バモイル基、Ｎ、Ｎ−ジエチルカルバモイル基、Ｎ−エ
チルカルバモイル基又はＮ、Ｎ−ジエチルカルバモイル
基である。 アミノ低級アルキル基は、例えばアミノメチル基又は２
−アミノエチル基である。 オキシ−低級アルキル基は、例えば２−オキソ−ｎ−ブ
チル基である。 低級アルカノイルアミノ基は、例えばアセチルアミノ基
又はプロピオニルアミノ基である。 低級アルコキシカルボニルアミノ基は、例えばメトキシ
カルボニルアミノ基又は工ｌ・キシカルボニルアミノ基
である。 場合により置換されたウレイド基は、例えばウレイド基
又は３−低級アルギルー若しくは３−シクロアルキル−
ウレイド基（シクロアルキル基は例えば５〜７個の環成
０を含む）、例えば３−メチルウレイド基、３−エチル
ウレイド基又は３−シクロへキシルウレイド基である。 Ｎ−低級アルキルアミノ基及びＮ、Ｎ−ジー低級アルキ
ルアミノ基は、例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基
、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基である。 ヒドロキシ−低級アルキル基は、好ましくはヒドロキシ
メチル基又は１−及び特に、２−ヒドロキシエチル基で
ある。 低級アルコキシ−低級アルキル基は、好ましくは低級ア
ルコキシメチル基又は１−及び特に、２−低級アルコキ
シエチル基、例えばメトキシメチル基、エトキシメチル
基、２−メトキシエチル基又は２−エトキシメチル基で
ある。 ハロー低級アルキル基は、好ましくはハロメチル基、例
えばトリフルオロメチル基である。 ヒドロキシ−低級アルコキシ基は、例えばヒドロキシメ
トキシ基又は２−ヒドロキシエトキシ基である。 低級アルコキシ−低級アルコキシ基は、例えば２−メト
キシエトキシ基又は２−エトキシエトキシ基である。 低級アルカノイルアミノ−低級アルキル基は、特に低級
アルカノイルアミノメチル基又は１−及び特に２−低級
アルカノイルアミノエチル基、例えばアセチルアミノメ
チル基、２−アセチルアミノエチル基又は２−プロピオ
ニルアミノエチル基である。 低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルキル基は、
特に低級アルコキシカルボニルアミノメチル基、又は１
−及び特に２−低級アルコキシカルボニルアミノエチル
基、例えばメトキシカルボニルアミノメチル基、２−メ
トキシカルボニルアミノエチル基又は２−エトキシカル
ボニルアミノエチル基である。 カルボキシ−低級アルキル基は、例えば２−カルボキシ
エチル基である。 低級アルコキシカルボニル−低級アルキル基は例えばメ
トキシカルボニルメチル基又は２−工トキシカルボニル
エチル基である。 シアノ−低級アルキル基は、例えばシアノメチル基であ
る。 低級アルコキシ−低級アルコキシ基は、殊に、低級アル
コキシメトキシ基又は１−及び特に２−低級アルコキシ
エトキシ基、例えばメトキシメトキシ基、２−メトキシ
エトキシ基又は２−エトキシエトキシ基である。 低級アルキルチオ−低級アルコキシ基は、特に低級アル
キルチオメトキシ基又は１−及び特に２−低級アルキル
チオエトキシ基、例えば２−メチルチオエトキシ基又は
２−エチルチオエトキシ基である。 ハロー低級アルコキシ基は、特に２−ハロエトキシ基、
例えば２−クロロエトキシ基である。 低級アルカノイル−低級アルコキシ基は、例えば低級ア
ルカノイルメトキシ基又は１−若しくは２−低級アルカ
ノイルエトキシ基、例えばアセチルメトキシ基である。 フェニル−低級アルキル基は、例えばベンジル基又は２
−フェニルエチル基である。 Ｎ−低級アルキル−Ｎ−フェニル−低級アルキルアミノ
基は、例えばＮ−メチル−Ｎ−ペンジルアミノ基又はＮ
−メチル−Ｎ−（２−フェニルエチル）−アミノ基であ
る。 フェニル−低級アルケニル基は、例えばフェニル−ヒニ
ルＪＪ又ｔ；ｌ：Ｉ−フェニル−２−プロペニル基であ
る。 フェニル−低級アルキニル基は、例えば１−フェニル−
２−プロピニル基である。 低級アルキレンアミノ基は、好ましくは４〜６個の環炭
素原子を有し、例えばピロリジノ基又はピペリジノ基で
あり、酸素で遮断された低級アルキレンアミノ基は、例
えばモルホリノ基、例えば４−モルホリノ基であってよ
い。硫黄で遮断された低級アルキレンアミノ基は、例え
ばチオモルホリノ基、例えば４−チオモルホリノ基であ
ってよく、場合により置換された窒素、例えば低級アル
キル基で置換された窒素で遮断された低級アルキレンア
ミノ基は、例えばピペラジノ基又は４−メチルピペラジ
ノ基である。 Ｎ、Ｎ−低級アルキレンカルバモイル基は、例えばピロ
リジノカルボニル基又はピペリジノカルボニル基、低級
アルキレン基が酸素、硫黄又は非置換若しくは置換窒素
で遮断された対応する基、例えば４−モルホリノカルボ
ニル基、４−チオモルホリノカルボニル基、１−ピペラ
ジノカルボニ、塩基又は４−メチル−１−ピペラジノカ
ルボニル基である。 適当な場合には、多環式シクロアルキル基を含めて単環
式シクロアルキル基は、好ましくは３〜１０個の炭素原
子を含み、シクロプロピル基、シクロペンチル基又はシ
クロヘキシル基であり、多環式シクロアルキル基は、例
えばビシクロＣ２，２゜１〕ヘプチル（ノルボルニル）
基、ビシクロ〔２゜２．２．）オクチル基又はアダマン
チル基、例えば１−アダマンチル基である。 新規化合物は、その塩、例えば酸付加塩及び特に薬学的
に許容しうる無毒性酸付加塩の形であってよい。適当な
塩は、例えば無機酸、例えばハロゲン水素酸、例えば塩
酸若しくは臭化水素酸、硫酸、又は燐酸、又は有機酸、
例えば脂肪族、脂環式、芳香族又はヘテロ環式カルボン
酸又はスルホン酸、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、
コハク酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、ク
エン酸、マレイン酸、ヒドロキシマレイン酸、ピルビン
酸、フマル酸、安息香酸、４−アミノ安息香酸、アント
ラニル酸、４−ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、エン
ボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、２−ヒ
ドロキシェタンスルホン酸、エチレンスルホン酸、トル
エンスルホン酸、ナフタリンスルホン酸又はスルファニ
ル酸、又は他の酸性有機物質、例えばアスコルビン酸と
の塩である。塩はまた、塩基、特に薬学的に許容しうる
無毒性塩基及び酸性基、例えばカルボキシ基を含む一般
式（Ｈの化合物を用いて形成された塩である。適当な塩
基は、例えば無機性の塩基、例えばアルカリ金属又はア
ルカリ土類金属の炭酸塩又は水酸化物、例えばナトリウ
ム、カリウム、マグネシウム或いはカルシウムの炭酸塩
又は水酸化物、及びアンモニア、又は有機塩基、例えば
適当な窒素塩基、例えば適当なアミン、例えば場合によ
り置換、例えばヒドロキシ基で置換された一級、二級又
は三級脂肪族又は環状アミン、例えばトリエチルアミン
、Ｎ−エチルピペリジン、ジー若しくはトリーエタノー
ルアミン、ピロリジン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）
−ピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチ
ル）−ピペラジン及びＮ−メチル−グルコサミンである
。 一般式（１）のアシル化ヒドラジン化合物を含む本発明
による医薬製剤及び一般式（１）の新規化合物自体は、
有用な薬理作用を有する。詳述すれば、これらは特別の
方法で腎臓血流及びナトリウムの排泄に影響を及ぼす。 即ち、これらはラットにおける血流力学的測定によって
証明されるように選択的腎臓血管拡張作用を有する。麻
酔したラットに、このような物質、特にＡｃがＴ−グル
タミル基を表す一般式（１＞の化合物を約３ｔｔｇ／ｋ
ｇ〜約１５■／ｋｇを静脈注射した後、血圧及び腎臓血
流を連続的に測定（電磁流量針）すると、血圧を低下す
ることなく、腎臓血管の拡張を観察することができ、そ
れより極めて多量、即ち約７０■／ｋｇを静脈注射によ
り投与した後には、約−２０ｍｍ１１ｇだ番ノ血用（「
（下が起こる。心拍出量（熱希釈）並びに腎１＠、腸間
膜領域及び骨盤端を通る血流（電磁流ｉｆｆ　Ｒｔ　）
を同時に測定するラソＩ・において、このような化合物
を４■／ｋｇの投与用で静脈注射すると、腎臓曲管の抵
抗を約２５％減少し、腸間膜及び大腿血管並びにすべて
の末梢曲管の抵抗は変化しない。ドツプラーの超音波流
量測定ヘッドを長期間移植されている、意識のある特発
性高血圧ラットに関する同様の試験で、このような化合
物が約３■／　ｋｇ〜約１０■／ｋｇ（静脈注射）の投
与量範囲で腎１藏＋ｒｎ管の抵抗を低下し、腸間膜領域
及び骨盤端における血管の抵抗は影響されない。 それより著しく高い投与、′Ｗｔ（約３０曙／ｋｇ、静
脈注射）を投与した場合だけ、試験した曲管領域の３個
所すべてにおいて血圧の低下及び血管拡張が起こる。よ
り高い投与量を投与した場合だけ、即ち、意識のあるラ
ットに約３０１■／ｋｇを静脈注射するか、又は６０■
／ｋｇを経口投与した後には、約−２５ｎ＋ｍ１ｌＲだ
け血圧が低下し、その作用は少な（とも４時間続く。約
１５■／ｋｇの緊でラットに静脈注射した後、これらの
化合物はナトリウムの排泄を増加し、その作用は３時間
続く。麻酔したラットに関する試験で、特に＾Ｃがγ−
グルタミル基を表す一般式（１）の化合物が静脈注射で
１０ｍｇ　／　ｋｇの投与量で約５０％の糸球体？過速
度（イヌリンクリアランスとして測定）を増加すること
を証明することができる。前記の事実から、このような
化合物が顕著な糸球体部血管拡張作用を有すると推論す
ることができる。このような化合物を１０■／ｋｇの投
与量で１日２回、３週間継続して経口投与すると、特発
性高血圧のラットにおいて、約−２０〜−２５ｍｍ１１
ｇだけ血圧の持続的低下が起こり、心拍数は影響されな
い。同様な作用は１週間浸透圧式ミニポンプで、１日１
０■／ｋｇの量を静脈内に投与して治療する際に観察す
ることができる。＾ｃｈ＜　ｒ−Ｌ−グルタミル基を表
す一般式（１）の化合物は、腎臓中でＴ−グルタミル−
トランス−ペプチダーゼによって分解される。更に、特
に胱が炭酸のモノエステルの基を表す一般式（１）の化
合物には、顕著な抗高血圧活性を観察することができる
。詳述すれば、この種の化合物は腎臓性高血圧の雄ラッ
ト〔ゴールドブラット（ＧｏｌｄｂｌａＬｔ　）法〕の
血圧を著しく低下し、これはゲロルド（Ｇｅｒｏｌｄ）
らの方法（ｌｌｅｌｖ、　Ｐｈｙｓｉｏｌ。 Ａｃｔａ　２４．５８．１９６６）により麻酔していな
いラットにおける間接法によって検出される。 このような化合物を４日間、毎日経口投与した後（血圧
の低下の程度を４Ｂ目に、最後の投与の２時間後に測定
する）、１０３　ｍｇ　／　ｋｇの投与量で一り７ｎ＋
ｌｌ１１１ｇの血圧低下、１日ｌＯ■／　ｋｇの投り７
量で８１　ｍｍ１１Ｈのｌｆｎ圧低下、１日１００ｍ１
ｒ／ｋｇの投与量で−１０８ｍｍ１１ｇの１■圧低下を
観察することができる。 これらの作用に基づいて、一般Ｋ　（１）の化合物を含
む医薬製剤又は一般式（Ｈの新規化合物自体は、腎臓血
管拡張剤及び抗高面圧剤として使用するのに適当である
。 更に、肚がピリジルカルボニル基を表す一般式（１）の
化合物は抗白血病活性を示し、これは、例えば腹腔内移
植によって白血病Ｐ３８８に感染したマウスにおいて、
このような化合物１００■／ｋｇを５日間継続して１日
１回腹腔内に投与した後、商Ｔ／Ｃは１２９％であり、
このような化合物５０■／ｋｇを５日間継続して１日１
回腹腔内に投与した後、商Ｔ／Ｃは１２５％であること
で証明することができる。腹腔内移植によってマウスに
白血病Ｌ　Ｉ　２１０を感染させた場合、このような化
合物１００■／　ｋｇを９日間継続して１日１回腹腔内
に投与した後、１５１％の商Ｔ／Ｃを測定することがで
き、このような化合物６０ｎｗ／ｋｇを同様な方法で同
じ期間腹腔内投与した後、１２３％の数値を測定するこ
とができる。〔これらの所見は、出願人のため、アメリ
カ合衆国メリーランド州ベテスダの国立癌研究所（Ｎａ
ｔｉｏｎａｌ　ＣａｎｃｅｒＩｎｓｔＨｕｔｅ　）の癌
治療部門（Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　ｏｆ　ＣａｎｃｅｒＴｒ
ｅａｔｍｅｎｔ　）の発展的療法プログラム（１）ｅｖ
ｅｌｏｐ−ｍｅｎｔａｌ　Ｔｈｅｒａｐｅｕｔ！ｃｓ　
Ｐｒｏｇｒａｍ　）としての試験モデルで得られたもの
である〕。これらの性質に基づいて、Ａｃがピリジルカ
ルボニル基を表す一般式（１）の化合物は白血病の治療
に適当であると思われる。 また、一般式〇）の化合物４才、他の有用な化合物、特
に薬学的に活性な化合物の製造用の有用な中間体として
使用することもできる。 本発明は特に、わが１〜４の整数を表し、Ｒが場合によ
り置換された低級アルキル基、低級アルケニル基若しく
は低級アルキニル基、又は脂環式或いは双環式の炭素同
素環式若しくはペテロ環式芳香族炭化水素基を表し、肚
が式−Ｃ（＝Ｏ）　−Ｒ＋　（式中Ｒ１は場合により置
換された脂肪族、脂環式、芳香族又は芳香脂肪族炭化水
素基を表す）の基を表すか、又は八〇が炭酸のモジエス
テル又はモノアミドの基を表す一般ｔ　（Ｔ）の化合物
をそのラセミ混合物、ラセミ化合物、光学的対掌体又−
は塩の形で含む医薬製剤に関する。 本発明は、特に、ｎが１〜４の整数を表し、Ｒが低級ア
ルキル基、場合によりエーテル化又はエステル化された
ヒドロキシ−低級アルキル基、例えばヒドロキシ−低級
アルキル基、低級アルコキシ−低級アルギル基又はハロ
ー低級アルキル基、又は場合により置換された、例えば
低級アルキル化若しくはアシル化されたアミノ−低級ア
ルキル基、例えばアミノ低級アルキル基、Ｎ−低級アル
キルアミノー低級アルキル基若しくはＮ、Ｎ−ジー低級
アルキルアミノ−低級アルキル基、低級アルカノイルア
ミノ−低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニルア
ミノ−低級アルキル基、又は場合によりエステル化或い
はアミド化されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基、
エトキシカルボニル基若しくは場合により置換されたカ
ルバモイル基、例えばカルバモイル基で置換された低級
アルキル基、例えばカルボキシ−低級アルキル基、低級
アルコキシカルボニル−低級アルキル基、カルバモイル
−低級アルキル基、オキソ−低級アルキル基、並びにシ
アノ低級アルキル基、又は場合により置換されたアリー
ル−低級アルキル基（アリール基は単環式芳香族炭化水
素基、例えばフェニル基、又は双環式芳香族炭化水素基
、例えば１−若しくは２−ナフチル基又は部分的に飽和
されたナフチル基、例えば１，２，３．４−テトラヒド
ロ−５−ナフチル基であり、置換基は低級アルキル基、
ヒドロキシ基及び／又はハロゲン、ヒドロキシ−低級ア
ルキル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、ハロー低
級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルケニルオキ
シ基、又は場合により低級アルキル化若しくはアシル化
されたアミノ−低級アルキル基、例えばモノ−若しくは
ジー低級アルキルアミノ−低級アルキル基又は低級アル
カノイルアミノ−低級アルキル基、場合によりエステル
化されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基又は低級ア
ルコキシカルボニル基、アミド化カルボキシ基、例えば
場合により置換されたカルバモイル基、例えばカルバモ
イル基、Ｎ−低級フルキルカルバモイル基又はＮ、　Ｎ
−ジー低級アルキルカルバモイル基、シアノ基、ニトロ
基又は場合によりアシル化されたアミノ基、例えばアミ
ノ基、低級アルキルアミノ基、低級アルコキシカルボニ
ルアミノ基、低級アルキルアミノ基又はジー低級アルキ
ルアミノ基であり、このような置換基カ月〜３個存在し
てよく、同−又は異なっていてよい）を表すか、又はＲ
及び基＾Ｃに含まれる基Ｒ１がそれぞれ了り−ル基、例
えばフェニル基、■−文は２−ナフチル基又は部分的に
飽和されたナフチル基、例えばｌ、２，３．４−テトラ
ヒドロ−５−ナフチル基、又は好ましくは５個若しくは
６個の環成員を有し、環の炭素原子を介してピリジル基
に結合し、環成員として酸素原子、硫黄原子又は窒素原
子及び場合により１〜３個の付加的窒素原子を含む基（
少なくとも一部分水素添加されていてよく、この場合に
オキソ基で置換されていてよく、双環式へテロ環式基中
の第二の環は縮合ベンゼン環であってよい）、及び特に
ピリジル基、例えば２−１３−若しくは４−ピリジル基
、又はジヒドロオキソ−ピリジニル基、例えば１，６−
シヒドロー６−オキソー２−ピリジニル基、ピリダジニ
ル基、例えば３−ピリダジニル基、ピラジニル基、例え
ば２−ピラジニル基、ピリミジニル基、例えば２−１４
−若しくは５−ピリミジニル基、又はジヒドロ−オキソ
−ピリミジニル基、例えば３．４−ジヒドロ−４−オキ
ソ−２−ピリミジニル基、フリル基、例えば２−若しく
は３−フリル基、ピリル基、例えば２−若しくは３−ピ
リル基、チェニル基、例えば２−若しくは３−チェニル
基、オキサシリル基、例えば２−又は４−オキサシリル
基、チアゾリル基、例えば２−１４−又は５−チアゾリ
ル基、チアジアゾリル基、例えば１．２・４−チアジア
ゾール−３−若しくは５−イル基又は］、］２．５−チ
アジアゾールー３−イル基イミダゾリル基、例えばイミ
ダゾール−２−若しくは−４−イル基、ピラゾリル基、
例えば３−若しくは４−ピラゾリル基、ｌ・リアゾリル
基、例えば１．２．３−１−リアゾール−４−イル基、
又は１゜２、．１−１−リアゾール−３−イル基、テト
ラゾリル基、例えばテトラゾール−５−イル基、及びイ
ンドリル基、例えばインドール−４−イル基、キノリニ
ル基、例えば２−キノ１ノニル基、イソキノリニル基、
例えば１−イソキノリニル基、ベンズイミダゾリル基、
例えば２−ベンズイミダゾリル基、ベンゾフラニル基、
例えば４−又は５−ベンゾフラニル基、ベンゾチェニル
基、例えば４−又は５−ベンゾチェニル基、又はナフチ
リジニル基、例えば１，８〜ナフチリジン−２−イル基
を表し、このようなアリール基は特に環炭素原子ばかり
でなく、環の二級窒素原子に存在してもよく、また、１
（１１ａ以」二、好ましくは最高４（Ｉｆ！の、場合に
より置換された低級アルキル基、例えば低級アルキル基
、場合によりエーテル化若しくはエステル化されたヒド
ロキシ−低級アルキル基、例えばヒドロキシ−低級アル
キル基、低級アルコキシ−低級アルキル基又はハロー低
級アルキル基、又は場合により置換、例えば低級アルキ
ル化若しくはアシル化されたアミノ低級アルキル基、例
えばアミノ−低級アルキル基、Ｎ−低級アルキルアミノ
ー低級アルキル基、Ｎ、Ｎ−ジー低級アルキルアミノ−
低級アルキル基、低級アルカノイルアミノ−低級アルキ
ル基又は低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルキ
ル基、又は低級アルケニル基又は低級アルキニル基、場
合によりエーテル化若しくはエステル化されたヒドロキ
シ基或いはメルカプト基、例えばヒドロキシ基、低級ア
ルコキシ基、フェニル−低級アルコキシ基、ハロゲン、
メルカプト基、低級アルキルチオ基、フェニル−低級ア
ルキルチオ基、又し［場合によりエーテル化若しくはエ
ステル化されたヒドロキシ基或いはメルカプト基又はア
シル基で置換された低級アルコキシ基、例えば低級アル
コキシ基、フェニル−低級アルコキシ基、ヒドロキシ−
低級アルコキシ基、低級アルコキシ−低級アルコキシ基
、低級アルキルチオ低級アルコキシ基、ハロー低級アル
コキシ基又は低級アルカノイル−低級アルコキシ基、又
は低級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、
低級アルキルチオ基、アシル基、例えば低級アルカノイ
ル基、場合によりエステル化されたカルボキシ基、例え
ばカルボキシ基又は低級アルコキシカルボニル基、アミ
ド化カルボキシ基、例えば場合により置換されたカルバ
モイル基、例えばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキルカ
ルバモイル基又はＮ、Ｎ−ジー低級アルキルカルバモイ
ル基、シアノ基、二ｌ・口塞又は場合により置換、例え
ばアシル化されたアミノ基、例えば低級アルカノイルア
ミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、低級アル
キルスルホニル基、スルファモイル基、場合により置換
されたウレイド基及びアミノ基、Ｎ−低級アルキルアミ
ノ基又はＮ、　Ｎ−ジー低級アルキルアミノ基から選択
された置換基で置換されていてよく、基＾Ｃに含まれる
基Ｒ１が低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
キニル基、フェニル−低級アルキル基、フェニル−（Ｉ
ｎアルケニル基、フェニル−低級アルキニル基、単環式
若しくは多環式シクロアルキル基、例えばシクロアルキ
ル基を表し、各基は場合によりエーテル化若しくはエス
テル化されたヒドロキシ基、例えばヒドロキシ基、低級
アルコキシ基及び／又はハロゲン、場合により置換、例
えば低級アルキル化若しくはアシル化されたアミノ基、
例えばアミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ基又はＮ、　
Ｎ−ジー低級アルキルアミノ基、低級アルカノイルアミ
ノ基及び／又は場合により官能基で変性されたカルボキ
シ基、例えばカルボキシ基、エステル化カルボキシ基、
例えば場合により置換された低級アルコキジカルボニル
基、場合により置換されたカルバモイル基又はシアノ基
で置換され、置換された基Ｒ１は置換に適当な任意の位
置に同−又は異なる置換基を１個以上、特に３個まで含
んでいてよく、また、Ａｃば更に低級アルコキシカルボ
ニル基、非置換若しくば置換ヒドロキシ基、例えば遊離
或いはエーテル化されたヒドロキシ基、例えば（ｔＵ級
アルコキシ基、又は非置換若しくは置換アミノ基、例え
ばアミノ基、低級アルキルアミノ基、及び特にジー置換
アミノ基、例えばジー低級アルキルアミノ基、Ｎ−低級
アルキル−Ｎ−フェニル−低級アルキルアミノ基又は場
合により酸素、硫黄或いは非置換若しくは置換、例えば
低級アルキル基で置換された窒素で遮断された低級アル
キレンアミノ基、又は非置換若しくはＷ喚、例えば低級
アルキル基、低級アルコキシ基及び／又はハロゲンで置
換されたフェニル基を含む低級アルコキシカルボニル基
、及びＮ−非置換若しくむ才Ｎ−モノ−又はＮ、Ｎ−ジ
ー置換カルバモイル基、例えば低級アルキルカルバモイ
ル基、ジー低級アルキルカルバモイル基、又は場合によ
り低級アルキレン部分が酸素、硫黄或いは非置換若しく
は置換、例えば低級アルキル基で置換された窒素で遮断
されたＮ。 Ｎ−低級アルキレンカルバモイル基を表す一般式（Ｉ）
の化合物をそのラセミ混合物、ラセミ化合物、光学的対
字体又は塩の形で含む医薬製剤に関する。 本発明は特に、ｎが１又は２を表し、Ｒが低級アルキル
基、例えばメチル基、低級アルコキシ−低級アルキル基
、例えば２−メトキシエチル基、ハロー低級アルキル基
、例えばトリフルオロメチル基、又は低級アルカノイル
アミノ−低級アルキル基、例えばアセチルアミノメチル
基を表し、基膜中のＲ１がフェニル基又はピリジル基を
表し、それぞれ場合により低級アルキル基、例えばメチ
ル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば２−メ
トキシエチル基、ハロー低級アルキル基、例えばトリフ
ルオロメチル基、低級アルカノイルアミノ−低級アルキ
ル基、例えば２−アセチルアミノエチル基、ヒドロキシ
基、低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、低級アルコ
キシ−低級アルコキシ基、例えば２−工トキシエ１−キ
シ基、ハロゲン、低級アルコキシカルボニル基、例えば
エトキシカルボニル基、カルバモイル基、シアノ基、ア
ミノ基又は低級アルカノイルアミノ基、例えばアセチル
アミノ基、又はスルファモイル基で置換されているか、
又はＲ４が場合により低級アルコキシ基、例えばメトキ
シ基、アミノ基、低級アルカノイルアミノ基、例えばア
セチルアミノ基、カルボキシ基、場合により置換された
低級アルコキシカルボニル基、例えばエトキシカルボニ
ル基又は２−或いは好ましくは１−（低級アルキルカル
ボニルオキシ）−低級アルコキシカルボニル基又はカル
バモイル基で置換された低級アルキル基、例えばエチル
基若しくはｎ−プロピル基を表すか、又は胱は更に低級
アルコキシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基
又は非置換カルバモイル基又は低級アルコキシ基、例え
ばメトキシ基若しくはアミノ基で置換されたカルバモイ
ル基を表す一般式（１）の化合物を、そのラセミ混合物
、ラセミ化合物、光学的対掌体又は塩の形で含む医薬製
剤に関する。 本発明は、特に、ｎが１を表し、Ｒが低級アルキル基、
例えばメチル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例
えば２−メトキシエチル基、又はハロー低級アルキル基
、例えばトリフルオロメチル基を表し、基膜中のＲ７が
フェニル基又はピリジル基を表し、それぞれ場合により
低級アルキル基、例えばメチル基、低級アルコキシ−低
級アルキル基、例えば２−メトキシエチル基、ハロー低
級アルキル基、例えばトリフルオロメチル基、ヒドロキ
シ基、低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、低級アル
コキシ−低級アルコキシ基、例えば２−エトキシエトキ
シ基、ハロゲン、低級アルコキシカルボニ元基、例えば
エトキシカルボニル基、カルバモイル基、シアノ基、ア
ミノ基又はスルファモイル基で置換されているか、又は
Ｒ１が場合により低級アルコキシ基、例えばメトキシ基
、アミノ基、低級アルカノイルアミノ基、例えばアセチ
ルアミノ基、及びカルボキシ基又は場合により置換され
たイ］（級アルコキシカルボニル基、例えば工１−キシ
カルボニル基又は２−或いは好ましくは１−（低級アル
キルカルボニルオキシ）−低級アルコキシカルボニル基
又はカルバモイル基で置換された低級アルキル基、例え
ばエチル基若しくはｎ−プロピル基を表すか、又はＡｃ
は更に低級アルコキシカルボニル基、例えば工トギシカ
ルボニル基又はカルバモイル基を表す一般式口）の化合
物をそのラセミ混合物、ラセミ化合物、光学的対字体又
は塩の形で含む医薬製剤に関する。 本発明は特に、ｎが１を表し、Ｒが低級アルキル基、例
えばメチル基、又は低級アルコキシ−低級アルキル基、
例えば２−メトキシエチル基を表し、基へＣ中のＲ１が
場合により（Ｉｔ級アルキル基、例えばメチル基、ハロ
−低級アルキル基、例えばトリフルオロメチル基、ヒド
ロキシ基、低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、ハロ
ゲン、カルバモイル基、シアノ基及び／又はスルファモ
イル基で置換されたフェニル基、又は場合によりアミノ
基、低級アルカノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ
基、及びカルボキシ基又は場合により置換された低級ア
ルコキシカルボニル基、例えば低級アルコキシカルボニ
ル基、例えばエトキシカルボニル基又は２−或いは好ま
しくは１−（低級アルキルカルボニルオキシ）−低級ア
ルコキシカルボニル基、例えばピバロイルオキシ−メト
キシカルボニル基で置換された低級アルキル基、例えば
エチル基、ｎ−プロピル基若しくはｎ−ブチル基を表す
か、又は胱は更に低級アルコキシカルボニル基、例えば
エトキシカルボニル基を表す一般式（１）の化合物をそ
のラセミ混合物、ラセミ化合物、光学的対字体又は塩の
形で含む医薬製剤に関する。 本発明は、特に、ｎカ月〜４の整数を表し、Ｒが場合に
より置換された低級アルキル基、低級アルケニル基若し
くは低級アルキニル基、又は単環式或いは双環式の炭素
同素環式若しくはヘテロ環式芳香族炭化水素基を表し、
胱が式−〇　（＝○）−Ｒ１（式中Ｒ１は場合により置
換された脂肪族、脂環式、芳香族又は芳香脂肪族炭化水
素基を表す）の基を表すか、又は胱が更に炭酸のモジエ
ステル又はモノアミドの基を表してもよいが、ｎが１で
あり、肚がアセチル基を表す場合には、３−位に結合す
る低級アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を有
し、更にｎが１であり、ＡＣがベンゾイル基を表す場合
には、３−１４−１５−又は６−位に結合する低級アル
キル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を有する一般式
（Ｉ）で表される、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学
的対掌体又は塩の形の新規化合物に関する。 本発明は、特に、ｎが１〜４の整数を表し、Ｒが低級ア
ルキル基、場合によりエーテル化又はエステル化された
ヒドロキシ−低級アルキル基、例えばヒドロキシ−低級
アルキル基、低級アルコキシ−低級アルキル基又はハロ
ー低級アルキル基、又は場合により置換された、例えば
低級アルキル化若しくはアシル化されたアミノ−低級ア
ルキル基、例えばアミノ低級アルキル基、Ｎ−低級アル
キルアミノー低級アルキル基若しくはＮ、Ｎ−ジー低級
アルキルアミノ−低級アルキル基、低級アルカノイルア
ミノ−低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニルア
ミノ−低級アルキル基、又は場合によりエステル化或い
はアミド化されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基、
エトキシカルボニル基若しくは場合により置換されたカ
ルバモイル基、例えばカルバモイル基で置換された低級
アルキル基、例えばカルボキシ−低級アルキル基、低級
アルコキシカルボニル−低級アルキル基、カルバモイル
−低級アルキル基、オキソ−低級アルキル基、並びにシ
アノ−低級アルキル基、又は場合により置換されたアリ
ール−低級アルキル基（アリール基は単環式芳香族炭化
水素基、例えばフェニル基、又は双環式芳香族炭化水素
基、例えば１−若しくは２−ナフチル基又は部分的に飽
和されたナフチル基、例えば１，２．３．４−テトラヒ
ドロ−５−ナフチル基であり、置換基は低級アルキル基
、ヒドロキシ基及び／又はハロゲン、ヒドロキシ−低級
アルキル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、ハロー
低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルケニルオ
キシ基、又は場合により低級アルキル化若しくはアシル
化されたアミノ−低級アルキル基、例えばモノ−若しく
はジー低級アルキルアミノ−低級アルキル基又は低級ア
ルカノイルアミノ−低級ア月バドル基、場合によりエス
テル化されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基又は低
級アルコキシカルボニル基、アミ１′化カルボキシ基、
例えば場合により置換されたカルバモイル基、例えばカ
ルバモイル基、Ｎ−低級アルキルカルバモイル基又はＮ
、Ｎ−ジー低級アルキルカルバモイル基、シアノ基、二
１−ロ基又は場合によりアシル化されたアミノ基、例え
ばアミノ基、低級アルキルアミノ基、低級アルコキシカ
ルボニルアミノ基、低級アルキルアミノ基又はジー低級
アルキルアミノ基であり、このような置換基カ月〜３個
存在してよく、同−又は異なっていてよい）を表すか、
又はＲ及び基へＣに含まれる基Ｒ１がそれぞれアリール
基、例えばフェニル基、１−又は２−ナフチル基又は部
分的に飽和されたナフチル基、例えば］、］２，３．４
−テ］ラヒドロー５−ナフチル基、又は好ましくは５個
若しくは６個の環成員を有し、環の炭素原子を介してピ
リジル基に結合し、環成ｉとして酸素原子、硫黄原子又
は窒素原子及び場合により１〜３個のイ１加的窒素原子
を含む基（少な（とも一部分水素添加されていてよく、
この場合にオキソ基で置換されていてよく、双環式へテ
ロ環式基中の第二の環は縮合ベンゼン環であってよい）
、及び特にピリジル基、例えば２−１３−若しくは４−
ピリジル基、又はジヒドロオキソ−ピリジニル基、例え
ば１゜６−シヒドロー６−オキソー２−ピリジニル基、
ピリダジニル基、例えば３−ピリダジニル基、ピラジニ
ル基、例えば２−ピラジニル基、ピリミジニル基、例え
ば２−１４−若しくは５−ピリミジニル基、又はジヒド
ロ−オキソ−ピリミジニル基、例えば３．４−ジヒドロ
−４−オキソ−２−ピリミジニル基、フリル基、例えば
２−若しくは３−フリル基、ピリル基、例えば２−若し
くは３−ピリル基、チェニル基、・例えば２−若しくは
３−チェニル基、オキサシリル基、例えば２−若しくは
４−オキサシリル基、チアゾリル基、例えば２−１４−
若しくは５−チアゾリル基、デアジアゾリル基、例えば
ｌ、２．４−チアジアゾール−３−若しくは５−イル基
又は１．２．５−チアジアゾール−３−イル基、イミダ
ゾリル基、例えばイミダゾール−２−若しくは−４−イ
ル基、ピラゾリル基、例えば３−若しくは４−ピラゾリ
ル基、トリアゾリル基、例えば１．２．１−）リアゾー
ル−４−イル基又は１，２．４−１−リアゾール−３−
イル基、テトラゾリル基、例えばテトラゾール−５−イ
ル基及びインドリル基、例えばインドール−４−イル基
、キノリニル基、例えば２−キノリニル基、イソキノリ
ニル基、例えば１−イソキノリニル基、ベンズイミダゾ
リル基、例えば２−ベンズイミダゾリル基、ベンゾフラ
ニル基、例えば４−又は５−ベンゾフラニル基、ベンゾ
チェニル基、例えば４−又は５−ベンゾチェニル基、又
はナフチリジニル基、例えば１．８−ナフチリジン−２
−イル基を表し、このような了りシル基は特に環炭素原
子ばかりでなく、環の二級窒素原子に存在してもよく、
また、１個以上、好ましくば最高４個の、場合により置
換された低級アルキル基、例えば低級アルキル基、場合
によりエーテル化若しくはエステル化されたヒドロキシ
−低級アルキル基、例えばヒドロキシ−低級アルキル基
、低級アルコキシ−低級アルキル基又はハロー低級アル
キル基、又は場合により置換、例えば低級アルキル化若
しくはアシル化されたアミノ−低級アルキル基、例えば
アミノ−低級アルキル基、Ｎ−低級アルキルアミノー低
級アルキル基、Ｎ、Ｎ−ジー低級アルキルアミノ−低級
アルキル基、低級アルカノイルアミノ−低級アルキル基
又は低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルキル基
、又は低級アルケニル基又は低級アルキニル基、場合に
よりエーテル化若しくはエステル化されたヒドロキシ基
或いはメルカプト基、例えばヒドロキシ基、低級アルコ
キシ基、フェニル−低級アルコキシ基、ハロゲン、メル
カプト基、低級アルキルチオ基、フェニル−低級アルキ
ルチオ基、又は場合によりエーテル化若しくはエステル
化されたヒドロキシ基或いはメルカプト基又はアシル基
で置換された低級アルコキシ基、例えば低級アルコキシ
基、フェニル−低級アルコキシ基、ヒドロキシ−低級ア
ルコキシ基、低級アルコキシ−低級アルコキシ基、低級
アルキルチオ−低級アルコキシ基、ハロー低級アルコキ
シ基又は低級アルカノイル−低級アルコキシ基、又絹低
級アルケニルオキシ基、低級アルキニルオキシ基、低級
アルキルチオ基、アシル基、例えば低級アルカノイル基
、場合によりエステル化されたカルボキシ基、例えばカ
ルボキシ基又は低級アルコキシカルボニル基、アミド化
カルボキシ基、例えば場合により置換されたカルバモイ
ル基、例えばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキルカルバ
モイル基又はＮ、Ｎ−ジー低級アルキルカルバモイル基
、シアノ基、二１・四基又は場合により置換、例えばア
シル化されたアミノ基、例えば低級アルカノイルアミノ
基、低級アルコキシカルボニルアミノ基、低級アルキル
スルホニル基、スルファモイル基、場合により置換され
たウレイド基及びアミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ基
又はＮ、Ｎ−ジー低級アルキルアミノ基から選択された
置換基で置換されていてよく、基＾Ｃに含まれる基Ｒ１
が低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、フェニル−低級アルキル基、フェニル−低級アルケ
ニル基、フェニル−低級アルキニル基、単環式若しくは
多環式シクロアルキル基、例えばシクロアルキル基を表
し、各基は場合によりエーテル化若しくはエステル化さ
れたヒドロキシ基、例えばヒドロキシ基、低級アルコキ
シ基及び／又はハロゲン、場合により置換、例えば低級
アルキル化若しくはアシル化されたアミノ基、例えばア
ミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ基又はＮ、Ｎ−ジー低
級アルキルアミノ基、低級アルカノイルアミノ基及び／
又は場合により官能基で変性されたカルボキシ基、例え
ばカルボキシ基、エステル化カルボキシ基、例えば場合
により置換された低級アルコキシカルボニル基、場合に
より置換されたカルバモイル基又はシアノ基で置換され
、置換された基Ｒ１は置換に適当な任意の位置に同−又
は異なる置換基を１個以上、特に３個まで含んでいてよ
く、また、胱は更に低級アルコキシカルボニル基、非置
換若しくは置換ヒドロキシ基、例えば遊離或いはエーテ
ル化されたヒドロキシ基、例えば低級アルコキシ基、又
は非置換若しくは置換アミノ基、例えばアミノ基、低級
アルキルアミノ基、及び特にジー置換アミノ基、例えば
ジー低級アルキルアミノ基、Ｎ−低級アルキル−Ｎ−フ
ェニル−低級アルキルアミノ基又は場合により酸素、硫
黄或いは非置換若しくは置換、例えば低級アルキル基で
置換された窒素で遮断された低級アルキレンアミノ基、
又は非置換若しくは置換、例えば低級アルキル基、低級
アルコキシ基及び／又はハロゲンで置換されたフェニル
基を含む低級アルコキシカルボニル基、及びＮ−非置換
若しくはＮ−モノ−又はＮ、　Ｎ−ジー置換カルバモイ
ル基、例えば低級アルギルカルバモイル基、ジー低級ア
ルキルカルバモイル基、又は場合により低級アルキレン
部分が酸素、硫黄或いは非置換若しくは置換、例えば低
級アルキル基で置換された窒素で遮断されたＮ、　Ｎ−
低級アルキレンカルバモイル基を表してもよいが、ｎが
１であり、Ａｃがアセチル基を表す場合には、３−位に
結合した低級アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原
子を表し、例えばエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブ
チル基を表し、更にｎが１を表し、Ａｃがベンゾイル基
を表す場合には、３−１４−１５−又は６−位に結合し
た低級アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を表
し、例えば前記のエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブ
チル基を表す一般式（１）の、ラセミ混合物、ラセミ化
合物、光学的対掌体又は塩の形の新規化合物に関する。 本発明は特に、ｎが１又は２を表し、Ｒが低級アルキル
基、例えばメチル基、低級アルコキシ−低級アルキル基
、例えば２−メトキシエチル基、ハロー低級アルキル基
、例えばトリフルオロメチル基、又は低級フルカッイル
アミノ−低級アルキル基、例えばアセチルアミノメチル
基を表し、乱読中のＲ１がフェニル基又はピリジル基を
表し、それぞれ場合により低級アルキル基、例えばメチ
ル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば２−メ
トキシエチル基、ハロー低級アルキル基、例えばトリフ
ルオロメチル基、低級アルカノイルアミノ−低級アルキ
ル基、例えば２−アセチルアミノエチル基、ヒドロキシ
基、低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、低級アルコ
キシ−低級アガー：１キシ基、例えば２−工１〜キシエ
トキシ基、ハロゲン、低級アルコキシカルボニル基、例
えばエトキシカルボニル基、カルバモイル基、シアノ基
、アミノ基又は低級アルカノイルアミノ基、例えばアセ
デルアミノ基、又はスルファモイル基で置換されている
か、又はＲ１が場合により低級アルコキシ基、例えばメ
トキシ基、アミノ基、低級アルカノイルアミノ基、例え
ばアセチルアミノ基、カルボキシ基、場合により置換さ
れた低級アルコキシカルボニル基、例えばエトキシカル
ボニル基又は２−或いは好ましくは１−（低級アルキル
カルボニルオキシ）−低級アルコキシカルボニル基又は
カルバモイル基で置換された低級アルキル基、例えばエ
チル基若しくはｎ−プロピル基を表すか、又はＡｃＬＪ
更に低級アルコキシカルボニル基、例えばエトキシカル
ボニル基又は非ｆＦＺ　Ｉｆｉカルバモイル基又は低級
アルコキシ基、例えばメトキシ基若しくはアミノ基で置
換されたカルバモイル基を表してもよいが、ｎが１であ
り、Ａｃがアセチル基を表す場合には、３−位に結合し
た低級アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を表
し、例えばエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基
を表し、更にｎが１を表し、胱がベンゾイル基を表ず場
合には、３−１４−１５−又は６−位に結合した低級ア
ルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を表し、例え
ば前記のエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基を
表す一般式（Ｉ）の、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光
学的対掌体又は塩の形の新規化合物に関する。 本発明は、特に、ｎカ月を表し、Ｒが低級アルキル基、
例えばメチル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例
えば２−メトキシエチル基、又はハロー低級アルキル基
、例えばトリフルオロメチル基を表し、基膜中のＲ１が
フェニル基又はピリジル基を表し、それぞれ場合により
低級アルキル基、例えばメチル基、低級アルコキシ−低
級アルキル基、例えば２−メトキシエチル基、ハローイ
［（級アルキル基、例えばトリフルオロメチル基、ヒド
ロキシ基、低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、イ１
（級フルｍｌキシ−（Ｉ（級アルコキシ基、例えば２−
工トキシエトキシ キシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基、カル
バモイル基、シアノ基、アミノ基又はスルファモイル基
でＷｌｊ！！されているか、又はＲ１が場合により低級
アルコキシ基、例えばメトキシ基、アミノ基、低級アル
カノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、及びカル
ボキシ基又は場合により置換された低級アルコキシカル
ボニル基、例えばエトキシカルボニル基又は２−或いは
好ましくは１−（低級アルキルカルボニルオキシ）−低
級アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基で置換さ
れた低級アルキル基、例えばエチル基若しくはｎ−プロ
ピル基を表すか、又は胱は更に低級アルコキシカルボニ
ル基、例えば工１ーキシカルボニル基又はカルバモイル
基を表してもよいが、＾Ｃがアセチル基を表す場合には
、３−位に結合した低級アルキル基としてのＲは２〜７
個の炭素原子を表し、例えばエチル基、ｎ−プロピル基
又はｎ−ブチル基を表し、更に胱がベンゾイル基を表す
場合には、３−、４−、５−又は６−位に結合した低級
アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を表し、例
えば前記のエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基
を表す一般式（１）の、ラセミ混合物、ラセミ化合物、
光学的対掌体又は塩の形の新規化合物に関する。 本発明は特に、ｎが１を表し、Ｒが低級アルキル基、例
えばメチル基、又は低級アルコキシ−低級アルキル基、
例えば２−メトキシエチル基を表し、基Ａｃ中のＲ，が
場合により低級アルキル基、例えばメチル基、ハロー低
級アルキル基、例えばトリフルオロメチル基、ヒドロキ
シ基、低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、ハロゲン
、カルバモイル基、シアノ基及び／又はスルファモイル
基で置換されたフェニル基、又は場合によりアミノ基、
低級アルカノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、
及びカルボキシ基又は場合により置換された低級アルコ
キシカルボニル基、例えば（１ξ級アルコキシカルボニ
ル基、例えばエトキシカルボニル基又番よ２−或いは好
ましくは１−（低級アルキルカルボニルオキシ）−低級
アルコキシカルボニル基で置換された低級アルキル基、
例えばエチル基、ｎ−プロピル基若しくはｎ−ブチル基
を表すか、又はＡｃｔ才更に低級アルコキシカルボニル
基、例えばエトキシカルボニル基を表してもよいが、胱
がアセチル基を表す場合には、３−位に結合した低級ア
ルキル基としてのＲ４）Ｉ　２〜７個の炭素原子を表し
、例えばエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基を
表し、更に肚がベンゾイル基を表す場合には、３−１４
−１５−又番１１°６−位に結合した低級ア月バ１−ル
基としてのＲｉｌｌ：　２〜７１１Ｍの炭素原子を表し
、例えば前記のエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチ
ル基を表ず一般式Ｎ）の、ラセミ混合物、ラセミ化合物
、光学的対掌体又は塩の形の新規化合物に関する。 本発明は、特に、ｎカ月を表し、Ｒが低級アルキル基、
例えばｎ−ブチル基、又は低級アルコキシ−低級アルキ
ル基、例えば３−メトキシ−ｎ−プロピル基を表し、膜
中のＲ１が、好ましくはω−位がアミノ基又は特に低級
アルカノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ基及びカ
ルボキシ基、又は低級アルコキシカルボニル基、例えば
エトキシカルボニル基、２−又は好ましくは１−（低級
アルキルカルボニルオキシ）−低級アルコキシカルボニ
ル基、例えばピバロイルカルボニルオキシメトキシカル
ボニル基又はカルバモイル基で置換された低級アルキル
基、例えばエチル基若しくはｎ−プロピル基を表す一般
式（１）の、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学的対字
体又は塩、特に薬学的に許容しうる塩の形の新規化合物
に関する。 本発明は、特に、ｎが１を表し、Ｒが５−位に結合した
低級アルキル基、例えばｎ−ブチル基、又は低級アルコ
キシ−低級アルキル基、例えば３−メトキシ−ｎ−プロ
ピル基を表し、ＡＣ中のＲ７が、ω−位がアミノ基又は
特に低級アルカノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ
基及びカルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、例
えばエトキシカルボニル基又は１−（低級アルキルカル
ボニルオキシ）−低級アルコキシカルボニル基、例えば
ピバロイルカルボニルオキシメトキシカルボニル基で置
換されたｎ−プロピル基を表す一般式（口の新規化合物
、基Ｒ１が前記定義を有する好ましくは光学活性形、特
にＬ−形の化合物、又はその塩、特に薬学的に許容しう
る塩に関する。 本発明は、特に、実施例に記載した一般式（Ｉ）の新規
化合物に関する。 一般式（Ｔ）の新規化合物は、自体公知の方法で製造さ
れる。これらの化合物は、例えば、一般式（■）： ／＼ へ／ の化合物を一般式（■）： ＨＯＯＣＲ＋　（Ｉｌｌ） の化合物又はこのようなカルボン酸の反応性誘導体又は
炭酸のモジエステル又はモノアミドの反応性誘導体と反
応させ、必要に応じて、生成した一般式（１）の化合物
を一般式（Ｉ）の異なる化合物に変え、及び／又は必要
に応じて、生成したラセミ混合物をラセミ化合物に分離
するか又は生成したラセミ化合物を光学的対掌体に分離
し、及び／又は必要に応じて、生成した一般式（１）の
遊離化合物を塩に変えるか、又は生成した塩を遊離化合
物又は異なる塩に変えることによって得ることができる
。 一般式（ＴＩＴ）によって表されるカルボン酸の反応性
誘導体は、例えば、酸無水物、例えば一般式（ＩＩＩ）
の範囲に入るジカルボン酸の分子内閉環によって形成さ
れる酸無水物、例えば対応して置換されたグルタル酸無
水物及び混成酸無水物、例えばハロゲン水素酸との無水
物、例えば塩化物若しくは臭化物又は例えば低級アルカ
ンカルボン酸、例えば酢酸若しくはプロピオン酸、又は
低級アルコキシアルカンカルボン酸、例えば２−メトキ
シ酢酸との酸無水物、及びこのようなカルボン酸のアジ
ド、シアニド又はアミドである。一般式（Ｉ）のカルボ
ン酸の反応性誘導体は、特に、例えば低級アルキルエス
テル、例えばメチルエステル若しくはｔｅｒ　ｔ−ブチ
ルエステル及び活性化されたエステル、例えばシアノメ
タノール、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド若しくはＮ−
ヒドロキシベンゾトリアゾールを用いて形成されたエス
テル、及び了り−ルー低級アルカノール、例えば、場合
により低級アルキル基、例えば゛メチル基又は低級アル
コキシ基、例えばメ１〜キシ基で置換されたベンジルア
ルコール、又はフェノール類（場合により適当な置換基
、例えばハロゲン、例えば４−ハロゲン、例えば４−塩
素、低級アルコキシ、例えば４−低級アルコキシ基、例
えば４−メトキシ、４−ニトロ又は２，４−ジニトロで
活性化されている）、例えば４−クロロフェノール、２
，３，４，５゜６−ペンタクロロフェノール、４−メ１
〜キシフェノール、４−二トロフェノール又は２．４−
ジニトロフェノール、及びシクロアルコール、例えばシ
クロペンタノール又はシクロヘキサノール（場合により
低級アルキル基、例えばメチル基で置換９ されていてよい）を用いて形成されたエステルである。 炭酸のモジエステル又はモノアミドの反応性誘導体は、
例えばそのハロゲン化物、例えば塩化物又は臭化物であ
る。反応を自体公知の方法で開放又は閉鎖された容器中
で及び／又は不活性ガス雰囲気中、例えば窒素気流下に
、溶剤又は溶剤混合物の不存在又は存在で、必要に応じ
て冷却又は加熱しながら実施する。一般式（ＴＩＩ）の
遊離カルボン酸と一般式（ＴＩ）の化合物との反応を、
必要に応して酸性脱水触媒、例えばプロトン酸、例えば
塩酸、臭化水素酸、硫酸、燐酸又は硼酸、ベンゼンスル
ホン酸又はトルエンスルホン酸、又はルイス酸の存在で
、例えば三弗化水素エーテラートの存在で、必要に応じ
て、反応中に遊離される水を蒸溜、例えば共沸蒸溜によ
って除去しながら実施する。反応を不活性有機溶剤中で
水結合性縮合剤、例えば適当に置換されたカルボジイミ
ド、例えばＮ、Ｎ’−ジエチル、Ｎ、Ｎ’−ジシクロヘ
キシル又はＮ−エチル−Ｎ’−（３−ジメチルアミノプ
ロピル）カルボジイミドの存在で実施す００ ることもできる。混成無水物、特に、酸ハロゲン化物を
例えば酸結合剤、例えば有機の、特に三級の窒素塩基、
例えばトリエチルアミン、エチルジイソプロピルアミン
又はピリジン、又はアルコキシド、例えばアルカリ金属
低級アルコキシド、例えばナトリウムメトキシド、又は
無機塩基、例えばアルカリ金属又はアルカリ土類金属の
′水酸化物又は炭酸塩、例えばすＩ−リウム、カリウム
又はカルシウムの水酸化物又は炭酸塩の存在で反応させ
る。 エステル、例えば前記種類のエステル又は反応性エステ
ル、例えばシアノメチル又はペンタクロロフェニル又は
Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステルとの反応は、例
えば反応体に対して不活性な溶剤中で温度を高めるか又
は低めて実施する。 炭酸のモジエステル又はモノアミドの反応性誘導体、例
えばハロゲン化物との反応は、通常、反応に関与しない
溶剤中で冷却又は加熱しながら、場合により酸結合剤、
例えば有機塩基、例えば窒素塩基、例えばトリエチルア
ミン、又は過剰の一０１ 般式（Ｈ）の出発原料の存在で、又は無機塩基、例えば
アルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩又は水酸化
物、例えばナトリウム又はマグネシウムの炭酸塩又は水
酸化物の存在で行う。これらの反応は常法で実施する。 一般式（１’ｌ）の出発原料は、自体公知の方法で製造
することができる。例えば、これらの化合物は下記のよ
うにして得られる。一般式（Ｈａ）：／＼ 〔式中Ｘは適当な脱離性基、例えば場合により反応性の
エステル化されたヒドロキシ基、例えばハロゲン、例え
ば塩素若しくは臭素、又は有機スルホン酸、例えば脂肪
族若しくは芳香族スルホン酸、例えば低級アルカンスル
ホン酸、例えばメタンスルホン酸、又は芳香族スルホン
酸、例えば場合により置換、例えば低級アルキル化及び
／又はハロゲン化されたアリールスルホン酸、例えば安
息香０２ 酸でエステル化されたヒドロキシ基、又は低級アルコキ
シ基、例えばメトキシ基、場合によりエーテル化された
メルカプト基、例えばメルカプト基又は低級アルキルチ
オ基、（１（級アルギルスルフィニル基、例えばメチル
スルフィニル基、低級アルキルスルボニル基、例えばメ
チルスルボニル基、又は基−３Ｏｑ　ｔＴ又は基−Ｎ　
ＨＮ　Ｏ２を表す〕の化合物を無水ヒドラジン又はその
水和物又は置換基として３個までの保護基を有するヒｌ
゛ラジンと反応させ、次いで保護基を除去し、水素で置
換する。 保護基は、例えば水素添加分解を含めて還元、加溶媒分
解、例えば加水分解によって除去され、水素で置換され
る基、例えばアリール−低級アルキル基、例えばフェニ
ル−（１（級アルキル基、例えばベンジル基であり、こ
れらの基は場合により芳香族部分において低級アルキル
基、例えばメチル基、ハロゲン、例えば塩素、イ１（級
アルコキシ基、例えばメ１−キシ基、及び／又は二１司
コ基で置換されていてよい。ヒドラジン又はその水和物
との反０３ 応及び保護基の除去は、常法で、温度を高めるか又は低
下して、更に酸結合剤、例えば有機又は無機塩基の存在
又は不存在で、通常、過剰のヒドラジン化合物を用いて
、場合により溶剤、例えばエタノールの存在で、開放又
は密閉容器中で及び／又は保護ガス雰囲気、例えば窒素
雰囲気中で実施する。一般式（Ｔｒａ）の化合物中の基
Ｘが遊離ヒドロキシ基の形で存在する場合には、ヒドラ
ジン化合物との反応を更に強い反応条件下、例えば温度
を高めて実施する。他方、水の除去に好ましい物質、例
えばカルボジイミド、例えばＮ、Ｎ−ジシクロへキシル
カルボジイミドの存在が有利である。 また、一般式（Ｔｒｂ）： ／＼、 Ｘ−Ｎ／ の化合物をヒドロキシルアミン−〇−スルホン酸（Ｈｃ
）と反応させることによって一般式（ＩＩ）０４ の出発原料を得ることもできる。反応は、常法で常温又
は温度を高めて、溶剤、例えば水の存在又は不存在で、
好ましくは保護ガス雰囲気中、例えば窒素気流下に実施
する。 一與艷式（Ｉｌｃ）： ／＼ の化合物中の二１・口割をアミノ基に還元することによ
って一般式（ＩＩ）の出発原料を得ることもできる。還
元は、常法で、例えば酸性媒体中、例えば水性鉱酸、例
えば硫酸の存在で、しかし特にアルカリ性媒体、例えば
塩基、例えば無機塩基、例えば水酸化ナトリウムの水溶
液中で適当な金屑を用いて実施する。 一般式（ｎ　ｃ）の出発原料は、順次、前記の一般式Ｃ
Ｈｂ）の化合物から常法で、例えば濃硫酸の存在で硝酸
を用いてニトロ化することによって得ることができる。 ０５ Ｒが単環式又は双環式へテロアリール基を表す一般式（
ｎａ）の出発原料は、一般式（Ｖｌ）の化合物に関して
以下に記載する方法と同様にして、一般式（Ｔｌｄ）： ／゛＼ 〔式中Ｒ２は単環式又は双環式へテロアリール基Ｒを形
成しうる置換基を表す〕の化合物に、単環式又は双環式
ヘテロアリール基Ｒを形成させ、存在する保護基を除去
し、水素で置換することによって得ることができる。例
えば、Ｒ２がホルミル基を表す一般式（Ｉｌｄ）の化合
物を一般式（Ｖｉａ）の１，２−ジカルボニル化合物及
びアンモニアと後記の方法で反応させて、２−位でピリ
ジン環に結合しているイミダゾリル基が基Ｒ２の位置に
存在する一般式（Ｉｄ）の化合物を形成することができ
る。 一般式（ＩＩＩ）の出発原料の反応性誘導体は、常０６ 法でｉｑられる。即ち、ハｒ′−１ゲン化作用を有する
）内当な試薬、例えば塩化チオニルと反応させると、対
応するカルボン酸りロリ１′が生成し、アルコール、例
えば非置換又は置換低級アルカノール、又はＮ−ヒドロ
キシスクシンイミド又はＮ−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ールを用いてエステル化するか又は適当なジアゾ化合物
、例えば非置換又は置換ジアゾアルカンと反応させると
、一般式（ＴＴｔ）の対応するカルボン酸エステルが生
成する。 出発原料として遊離カルボン酸の塩、特にアルカリ金属
又はアルカリ土類金属塩を使用し、アルコール、例えば
非置換又は置換低級アルカノールの反応性エステル、例
えば対応するハロゲン化物、例えば塩化物、腿化物又は
沃化物、又は有機スルホン酸エステル、例えば低級アル
カンスルポン酸又はアレーンスルポン酸エステル、例え
ばメタンスルホン酸又はｐ−トルエンスルポン酸エステ
ルで処理するか、又は対応する加水分解可能なイミノエ
ステル、例えば対応するイミノ−低級アルキルエステル
を加水分解してエステルを形成させて０７ も、前記のような化合物を得ることができる。 一般式（ＩＩＩ）に対応するカルボン酸アジド又はシア
ニドは、常法でカルボン酸ハロゲン化物、例えばクロリ
ドを好ましくは不活性溶剤、例えばベンゼンの存在でア
ジ化水素酸塩又はシアン化水素酸の塩、例えばナトリウ
ム塩と反応させることによって得ることができる。 −ａ＞式（Ｔ）の新規化合物を下記のようにして得るこ
ともできる。一般式（■）： ／＼ 〔式中Ｘ、及びＸｌはそれぞれ水素又は水素で置換され
うる置換基を表すか、又はＸｌ及びＸｌは一緒に２個の
水素原子で置換されうる２価の基を表し、及び／又は基
Ｒ及び膜中に存在する官能基は場合により保護された形
で存在するが、基Ｘ１及びＸｌの少なくとも一方は水素
以外のものを表０８ すか、又は少なくともＸｌ及びＸｌは一緒に２個の水素
原イで置換されうる２価の基を表すか、又は少な（とも
基Ｒ及び／又は膜中に存在する官能基は保護された形で
存在する〕の化合物又はその塩中の、水素以外のものを
表ず基Ｘ　Ｉ　、Ｘ　２又は−緒になったＸｌ及びＸｌ
を水素原子で置換し、及び／又は基Ｒ及び／又は膜中の
１個以上の官能基に結合した保護基を除去し、水素で置
換し、必要に応じて、第一の方法の後に記載した付加的
処理工程を実施する。 基Ｒ及び／又番１１°胱中の保護された官能基は、例え
ば保護されたヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基又
はカルボン酸基であり、カルボン酸基はエステル又はイ
ミド基が加水分解によって酸素で置き換えられるイミド
エステルの形で存在し、エステル基を分解してカルボン
酸基を形成することができるものであってもよい。基Ｘ
１及び基Ｘ２又は−緒になったＸｌとＸｌ並びに基Ｒ及
び／又は胱中の官能基に存在する保護基、例えばヒドロ
キシ基及び／又はアミノ基又はカルボン酸基中に０９ 存在する保護基の除去は、“加溶媒分解、例えば加水分
解、アルコーリシス又はアシドーリシス、又は水素添加
分解を含めて還元によって実施する。 特に適当な除去可能な基Ｘ、又はＸｌ又は基Ｒ及び／又
は膜中のヒドロキシ保護基、メルカプト保護基又はアミ
ノ保護基は、特に水素添加分解によって除去されうるα
−了り−ルー低級アルキル基、例えば場合により置換さ
れた１−ポリフェニル−低級アルキル基又は１−フェニ
ル−低級アルキル基、例えばベンズヒドリル基又はトリ
チル基（特にフェニル基部分の置換基は、例えば低級ア
ルキル基、例えばメチル基、又は低級アルコキシ基、例
えばメトキシ基であってよ（、特にベンジル基である）
である。基Ｘ＋及びＸｌ及び基Ｒ及び／又は＾Ｃ中のヒ
ドロキシ保護基、メルカプト保護基及び／又はアミノ保
護基は、加溶媒分解、例えば加水分解又はアシドーリシ
ス、又は水素添加分解を含めて還元によって除去されう
る基、特に対応するアシル基、例えば有機カルボン酸の
アシル基、例えば低級アルカノイル基、例えばアセチ１
０ ル基、又はアロイル基、例えばベンゾイル基、及び炭酸
の半エステルのアシル基、例えば低級アルコキシカルボ
ニル基、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基又はｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、２−ハロ
ー低級アルコキシカルボニル基、例えば２，２．２−１
−リクロロエトキシ力ルボニル基又は２−ヨードエトキ
シカルボニル基、場合により置換された１−フェニル−
低級アルコキシカルボニル基、例えばベンジルオキシカ
ルボニル基又はジフェニルメトキシカルボニル基又はア
ロイルメトキシカルボニル基、例えばフェナシルオキシ
カル糸ニル基、及び更に場合により置換された１−ポリ
フェニル−低級アルキル基、例えば前記のような１−ポ
リフェニル−低級アルキル基、及び特にトリチル基であ
ってもよい。 −緒になったｘｌとＸｌによって形成された除去可能な
基は、特に、水素添加分解によって除去されうる基、例
えば場合により置換された１−フェニル−低級アルキリ
デン基（待にフェニル基部分の置換基は、例えば低級ア
ルキル基又は低級ア１１ ルコキシ基であってよい）及び特にベンジリデン基、又
はシクロアルキリデン基、例えばシクロペンチリデン基
又はシクロへキシリデン基である。 エステル又はイミドエステルの形で存在する保護された
カルボン酸基は、特に前記の方法、特に水素添加分解を
含めて還元によって分解されてその元のカルボン酸及び
対応するアルコールを形成する基である。従ってエステ
ル成分として適当な保護基としては、例えば水素添加分
解によって除去されうるα−アリール−低級アルコキシ
基、例えば場合により置換された１−ポリフェニル−低
級アルキル基、又は１−フェニル−低級アルキル基、例
えばベンズヒドリル基又はトリチル基（特にフェニル基
部分の置換基は、例えば低級アルキル基、例えばメチル
基、低級アルコキシ基、例えばメトキシ基及び／又はハ
ロゲンであってよい）が挙げられ、特にベンジル基が挙
げられる。 塩の形で使用しうる出発原料は特に酸付加塩、例えば鉱
酸との酸付加塩及び有機酸との酸付加塩の形で使用され
る。 １２ 水素添加分解によって除去されうる基Ｘ、及びＸｌ、特
に場合により置換された１−フェニル−低級アルキル基
、及び適当なアシル基、例えば場合により置換された１
−フェニル−低級アルコキシカルボニル基、及び−緒に
なったＸｌとＸｌによって形成された、場合により置換
された１−フェニル−低級アルキリデン基並びに基Ｒ及
び／又はＡｃ中に存在するこの種のヒドロキシ保護基、
メルカプト保護基及び／又はアミノ保護基並びにカルボ
ン酸エステル又はイミドエステル中に除去可能な基とし
て存在するα−アリール−低級アルキル基は、触媒によ
り活性化された水素、例えば触媒、例えば適当な貴金属
触媒、例えばパラジウム又は白金の存在で水素で処理す
ることによって除去することができる。 加水分解によって除去しろる基Ｘ１及びＸｌ、例えば有
機カルボン酸のアシル基、例えば低級アルカノイル基及
び炭酸の半エステル、のアシル基、例えば低級アルコキ
シカルボニル基、及び例えばトリチル基、及び低級アル
キリデン、１−フェニ１３ ルー低級アルキリデン基又は−緒になったＸｌとＸｌに
よって形成されたシクロアルキリデン基、並びに基Ｒ及
び／又はＡｃ中の官能基に存在するこの種の保護基、例
えばヒドロキシ基、メルカプト基及び／又はアミノ基中
に存在する保護基は、このような基の性質に応じて、酸
性又は塩基性条件下、例えば鉱酸、例えば塩酸若しくは
硫酸又はアルカリ金属或いはアルカリ土類金属の水酸化
物又は炭酸塩、又はアミン、例えばイソプロピルアミン
の存在で水で処理することによって除去することができ
る。 イミジエステル基を加水分解して例えば炭酸のモジエス
テル又はモノアミドの対応する基を形成する反応は、例
えば含水鉱酸、例えば塩酸又は硫酸を用いて行われ、例
えばニトリルへの塩化水素の付加及び無水アルコール、
特に非置換若しくは置換低級アルカノールとの反応によ
って得られたイミドエステル塩、例えば塩酸塩を、水の
添加後に、直接対応するエステルに加水分解することが
できる。 １４ アシドーリシスによって除去しうる基Ｘ１及びＸ２並び
に／又は基Ｒ及び／又は＾Ｃ中の官能基、例えば前記の
官能基、例えばヒドロキシ基、メルカプト基及び／又は
アミノ基に存在する保護基は、特に炭酸の半エステルの
アシル基、例えばｔｅｒ　ｔ　−低級アルコキシカルボ
ニル基又は場合により置換されたジフェニルメトキシカ
ルボニル基、並びにｔｅｒ　を−低級アルキル基であり
、このような基は、例えば適当な強有機カルボン酸、例
えば場合によりハロゲン、特に弗素で置換された低級ア
ルカンカルボン酸、特にトリフルオロ酉酸（必要に応し
て、活性化剤、例えばアニソールの存在で）及びギ酸で
処理することによって除去することができる。 還元によって除去しうる基Ｘ１及びＸ２並びに／又は基
Ｒ及び／又番才肚中の官能基、例えば前記の官能基、例
えばヒドロキシ基、メルカプト基及び／又はアミノ基に
存在する保護基とは、化学的還元剤（特に還元性金属又
は還元性金属化合物）で処理することによって除去され
うる基を意味す１５ る。このような基は、特に、還元性重金属、例えば亜鉛
で処理するか、又は通常有機カルボン酸、例えばギ酸又
は酢酸及び水の存在で還元性重金属塩、例えばクロム（
ｎ）塩、例えば塩化クロム（ＩＩ）又は酢酸クロム（Ｈ
）で処理することによって除去されうる２−ハロー低級
アルコキシカルボニル基又はアリールメトキシカルボニ
ル基である。 基Ｒ及び／又はＡｃ中の官能基、例えばヒドロキシ基、
メルカプト基及び／又はアミノ基に存在する保護基は、
前記の方法によって除去され、水素で置換することがで
きる前記の基に対応し、このような基を前記工程の途中
で他の基と同時に、又は後から別の処理工程で除去する
ことができる。 前記の反応は、通常、溶剤又は溶剤混合物（同時に溶剤
として機能する適当な反応体であってもよい）の存在で
、必要に応じて冷却又は加熱しながら、例えば開放又は
密閉容器中で及び／又は不活性ガス、例えば窒素の雰囲
気中で実施する。 一般式（ＴＶ）の出発原料は、常法で、例えば、１６ 前記の一般式（ｌｌａ）の化合物を一般式（ＴＶｂ）：
〔式中ＸＩ　、Ｘ２及び＾Ｃは前記のものを表す〕の化
合物と反応させることによって得ることができる。反応
を縮合剤の存在で実施するのが有利である。例えば、Ｘ
が反応性エステル化ヒドロキシ基を表す場合には、酸結
合性縮合剤、例えばアルカリ性縮合剤、例えば有機塩基
、例えばｌ・リエチルアミン又は無機塩基、例えばアル
カリ金属炭酸塩又は重炭酸塩、例えば炭酸ナトリウム又
は重炭酸ナトリウムの存在で実施する。一般式（Ｈａ）
の化合物中のＸが遊！４１１ヒドロキシ基を表す場合、
一般式（ｒＶｂ）の化合物との反応を不活性溶剤、例え
ばテトラヒドロフラン中で水結合剤、例えばカルボジイ
ミド、例えばＮ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミ
ド又はＮ−エチル−Ｎ’−（１−ジメチルアミノプロピ
ル）カルボジイミドの存在で実施することができる。 しかし、前記の反応のため、一般式（ＴＶｂ）の１７ 化合物の代わりに、一般式（ＩＶｃ）：の化合物を使用
し、基膜の代わりに水素原子を有する、生成した一般式
（ＴＶ）の化合物に、例えば対応するカルボン酸（場合
により反応性誘導体、例えばハロゲン化物又は無水物の
形又は反応性エステルの形で存在する）を使用して基Ａ
ｃを導入することもできる。 これらの反応は、常法゛で、適当な不活性溶剤の存在で
、縮合剤の存在又は不存在で、温度を高めるか、又は低
めて、必要に応じて保護ガス雰囲気下、例えば窒素雰囲
気下に実施する。 一般式（１）の新規化合物は、一般式（Ｔｒａ）／＼ 〔式中Ｘは適当な脱離性基を表し、Ｒは前記のものを表
す〕の化合物を一般式（■）： １８ Ｈ２Ｎ−Ｎ　Ｈ−＾ｃ　（Ｖ） 〔式中胱は前記のものを表す〕の化合物と反応させ、必
要に応じて、第一の方法の後に記載した付加的処理工程
を実施することによって得ることもできる。適当な基Ｘ
は、例えば場合により反応性の、エステル化されたしド
ロキシ基、例えばヒドロキシ基、又はハ１コゲン、例え
ば塩素又は臭素、又は有機スルポン酸、例えば脂肪族ス
ルホン酸、例えば低級アルカンスルポン酸、例えばメタ
ンスルホン酸又は芳香族スルホン酸、例えば場合により
置換された、例えば低級アルキル化及び／又はハロゲン
化されたアリールスルホン酸、例えば安息香酸でエステ
ル化されたヒドロキシ基、及び更にアルコキシ基、例え
ばメトキシ基、場合によりエーテル化されたメルカプト
基、例えばメルカプト基又は低級アルキルチオ基、例え
ばメチルチオ基、低級アルキルスルフィニル基、例えば
メチルスルフィニル基、低級アルキルスルホニル基、例
えばメチルスルホニル基、ニトロ基、基−Ｓ　Ｏｓ　Ｉ
Ｔ　、又は基−ＮＨ−ＮＯ２である。 １９ 反応は、自体公知の方法で、好ましくは適当な溶剤中で
縮合剤の存在又は不存在で実施する。例えば、Ｘが反応
性エステル化ヒドロキシ基を表す場合には、酸結合剤、
例えば塩基、例えば有機窒素塩基、例えばトリエチルア
ミン、又は金属アルコキシド、例えば金属低級アルコキ
シド、例えばナトリウムメトキシド、又は無機塩基、例
えばアルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩又は水
酸化物、例えば炭酸ナトリウム又は炭酸マグネシウムの
存在で反応を実施する。溶剤は、縮合剤として作用して
もよい、即ち、反応を促進してもよい。場合により他の
溶剤、例えば無極性溶剤と混合して使用される、この種
の溶剤としては、特に極性溶剤、例えば低級アルカノー
ル、例えばメタノール又はエタノール、及び更に、低級
アルカンカルボン酸のアミド、例えばジメチルホルムア
ミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ
トアミド及び更に燐酸アミド、例えばヘキサメチル燐酸
トリアミド、及びポリメチル化尿素、例えばＮ、Ｎ、Ｎ
“、Ｎｏ−テトラメチル尿素、２０ 及びスルホラン、及び更に場合により低級アルキル化、
例えばＮ−メチル化２−ピロリドン、及び更にジメチル
スルホキシド、及びこのような物質の混合物が該当する
。一般式（ＩＴ　ａ）の化合物において、Ｘがヒドロキ
シ基を表す場合、反応は、必要に応じて水の除去を補助
する試薬の存在で実施する。このような試薬とじては、
例えば酸性反応を呈する物質、例えば鉱酸、例えば塩酸
又は硫酸、及び有機酸、特にスルポン酸、例えばベンゼ
ンスルポン酸又はｐ−）ルエンスルボン酸が該当し、こ
れらは適当な不活性溶剤、例えばブタノール、又は芳香
族物質、例えばベンゼン又はトルエンの存在で、生成す
る反応水の蒸溜、例えば共沸蒸溜による除去を促進する
。しかし、生成した水の結合と共に、この方法による縮
合は、不活性溶剤中でカルボジイミド、例えばＮ、Ｎ−
ジエチルカルボジイミド又はＮ、Ｎ−ジシクロへキシル
カルボジイミドを用いて実施することができる。 これらの反応は、常法で開放又は密閉容器中で温度を高
めるか、又は低めて、必要に応じて保護２１ ガス下、例えば窒素ガス下に実施する。 出発原料は公知であるか、又は新規である場合には、常
法で製造することができる。一般式（Ｖ）の出発原料は
、ヒドラジン又はその水和物（場合により、例えば還元
及び水素添加分解又は加溶媒分解、例えば加水分解によ
って除去され、水素で置換されうる保護基、例えばα−
了り−ルー低級アルキル基、例えばベンジル基、又はア
シル基、例えば低級アルカノイル基、例えばアセチル基
を含む）をアシル基膜を導入しうる化合物、例えば１　
対応するカルボン酸又はその反応性誘導体、例えば前記
のような誘導体と反応させ、その後、存在する保護基を
除去し、水素で置換することによって得られる。 ｎが１を表し、Ｒが単環式又は双環式へテロアリール基
を表す一般式（１）の新規化合物は、下記のようにして
得ることもできる。即ち、一般式（）： ｃ式中ヒドロキシ基及び／又はアミノ基は保護基で保護
され、Ｒ２が単環式又Ｇオ双環式ヘテロアリール基Ｒを
形成しうる置換基を表す〕の化合物に単環式又は双環式
ヘテロアリール基Ｒを形成させ、同時に又はその後に存
在する保護基を除去し、水素で置換し、必要に応じて第
一の方法の後に記載したｆ１加的処理工程を実施する。 保護基は、例えばヘテロアリール基Ｒを形成させるため
使用した処理条件下に除去され、水素で置換されうるア
シル基、例えば低級アルカノイル基、例えばアセチル基
である。 ２３ かくして式１（式中、Ｒは、例えば２−位で、置換ピリ
ジル基に連結しているイミダゾリル基を表わす）の化合
物の製造のために、式■（式中、Ｒ２はホルミル基を表
わす）で示される化合物を、常法で、式： ％式％ （式中、Ｒ４および／またはＲ３のそれぞれは水素又は
例えば上述のようなヘテロアリール基を置換する基を表
わす）の１，２−ジカルボニル化合物と、例えば、上述
したようにアンモニアの存在で、又は式ＶＩａに相当す
るモノオキシミノ化合物と反応させることができる。基
Ｒ４および／またはＲ３の性質次第で、式ＶＴａの化合
物はそのまま用いることもでき、または適切な前駆体か
ら反応混合物中でその場で生成することができる。この
目的のために適切な前駆体としては、例えば、ヒドロキ
シアセトンの誘導体および例えｌｆｌ、１−ジハロアセ
トン（例えば、１．１−ジブロモアセトン）があげられ
、これらは場合によってｌ−および／また２４ は３−位で基Ｒ４および／またはＲ３により置換される
。他の前駆体としては式ＶＩａのジカルボニル化合物が
修正された形のもの、例えばアセタール（例えば、ジメ
チルアセタール）の形であるか、または水和物もしくは
重亜硫酸ｆｆｉ付加化合物の形であるものがあげられる
０式Ｖｉａの化合物はその場でこのような前駆体から得
てもよい。すなわち、１．１−ジハロアセＩ・ン誘導体
の場合には、加水分解剤、好ましくは弱アルカリ（例え
ば酢酸ナトリウム）で処理することにより、またはアセ
タールもしくは重亜硫酸１０付加化合物の場合には。 酸水溶液を用いて処理することにより得てもよい。この
ようにして、式１（式中、置換ピリジル基は２−位で置
換されており基Ｒ４および／またはＲ３は生成されたイ
ミダゾール基の４−および／または５−位でそれぞれ置
換されている）の化合物が得られる。 式Ｉ（式中、イミダゾール基Ｒは、例えば、４−位で置
換ピリジル基で置換されている）の化合物は、式■（式
中、Ｒ２は基ニ ー（１）−ｃ　（ＶＩｂ） ＼ を表わす）の化合物を、式： ％式％） の化合物およびアンモニアと反応させることにより得る
ことができる。式■ｂおよびＶＩｃの基は官能的に修正
された形、例えば、アセタール（例えばジメチルアセタ
ール）の形であってもよく、または水和物もしくは重亜
硫酸塩付加化合物の形であってもよく、それらから遊離
化合物がその場で水性酸を用いて処理することにより生
成され、かつそれに続いて同一の反応バッチ中で更に反
応させる。これらの反応は、常法で、例えば、溶媒もし
くは溶媒混合物の存在下で、および必要ならば冷却また
は加熱しながら、必要ならば密閉容器中でおよび／また
は不活性気体雰囲気（例えば窒素下）で行う。 この出発原料はそれ自身公知の方法で製造することがで
きる。 かくして、式■（式中、Ｒ２はホルミル基または式■ｂ
の基を表わす）の化合物は、次のようにして製造するこ
とができる。すなわち、式Ｒ２−Ｐマー０１１　（Ｖｌ
　ｄ　）（式中、基Ｒ２に相当するホルミル基、または
式■ｂの基は、好ましくは保護された形であり、例えば
、アセタール（例えばジメチルアセタール）の形である
か、または水和物もしくは重亜硫酸塩付加化合物、例え
ば、重亜硫酸ナトリウムとの付加化合物であり、かつヒ
ドロキシ基もまた反応性エステル化形、例えばハロゲン
（例えば、塩素または臭素）の形であるか、またはスル
ホン酸（例えば、メタンスルホン酸）、または、アリー
ルスルホン酸（例えば、ベンゼンスルホン酸）によりエ
ステル化されたヒドロキシル基の形である）の化合物は
、−上述の式ＴＶｂまたはＶの化合物と、上述の方法で
、例えば、カルボジイミド（例えばＮ、Ｎ−ジシクロへ
キシルカルボジイミド）の存在で、またはもしヒドロキ
シ基が反応性エステル化物であるならば、塩基性縮合剤
の存在で反応させ、次いで保護基を、例えば上述のよう
にして除去する。 式１（式中、Ｒは例えば２−位で置換ピリジル基によっ
て置換されているチアゾリル基を表わす）の化合物は、
例えば、式■（式中、Ｒ２は式：５＝Ｃ− の基を表わす）の化合物を、式： ％式％ （式中、Ｈａｔはハロゲン、例えば塩素および特に臭素
を表わし、Ｒ４および／またはＲ３のそれぞれは水素ま
たは１例えば、上述のようなヘテロアリール基を置換す
る基を表わす）の化合物と反応させることにより得るこ
とができる。基Ｒ４および／またはＲ３の性質次第で、
式Ｖｌｆの化合物は、誘導体の形で、例えばアセタール
（例えば、ジエチルアセタール）の形で用いることがで
きる。 ２７ 式Ｉ　（式中、Ｒは４−または５−位で置換ピリジル基
により置換されているチアゾリル基を表わす）の化合物
の製造のために、例えば、式■（式中、Ｒ７は式： ％式％ の基または式ニ ー引−〇ａｔ の基を表わし、かつカルボニル基は場合により保護され
た形、例えば、アセタールの形であり、式中Ｈａｌは各
々の場合ハロゲン、例えば塩素または臭素を表わし、Ｒ
４およびＲ３は前記の意味を有する）の化合物は、式： ％式％ の化合物と反応させることができる。これらの反応はそ
れ自身公知の方法で、例えば、適切な溶媒、例えば、低
級アルカノール（例えばエタノール）またはエーテル性
液体（例えばジオキサン）２８ の存在下で、場合によっては高温でかつ場合によっては
塩基性剤、例えば金属塩、例えば、カルボン酸もしくは
酢酸ような弱酸の、アルカリもしくはアルカリ土類金属
塩（例えば、炭酸マグネシウムまたは酢酸ナトリウム）
の存在で、およびもし必要ならば密閉容器中でおよび／
または不活性気体雰囲気（例えば窒素下）で行なう。 出発物質は公知の方法により製造することができる。か
くしてＲ２として基Ｖｌｅを有する式■の化合物は、式
： の化合物において、基ＮＥＣ−を基Ｖｌｅに、硫化水素
と、適切な溶媒、例えば塩基性有機溶媒（例えばピリジ
ンもしくはトリエチルアミンまたはそれらの混合物）中
で変換することにより得ることができる。 式ＶＩｋの出発物質は、順次、式： ＸＮ／ （式中、ヒドロキシ基は場合により反応性エステル化形
、例えば、上述のような、／＼ロゲンまたｔ±スルホニ
ルオキシ基の形である）の化合物を、例えば、上述のよ
うな式ＩＶｂまたはＶと反応させ、かつ存在する保護基
を除去し、それらを水素で置換することにより得ること
ができる。 式■（式中、Ｒ２は式■ｈまたは■ｉの基を表わす）の
出発物質は、例えば、式： または式： ／＼ ）１ａｌ　Ｘ、／ （式中、Ｈａｌはそれぞれの場合、／＼ロゲン、例えば
、塩素もしくは臭素を表わし、ヒドロキシ基または上述
のような反応性の形、例えば、）＼ロゲン、例えば、塩
素または臭素の形であってもよい）の化合物を、例えば
、上述のような、式ＩＶｂまたはＶの化合物と反応させ
、かつ存在する保護基を除去し、それらを水素で置換す
ることによって得ることができる。 式■（式中、Ｒは例えば４（６）−位で置換ピリジル基
に連結しているピリミジニル基を表わす）の化合物は、
例えば、式■［式中、Ｒ２は式二〇 ＼ Ｃ−（：５１２−ＧＯ−（ＶＴ　ｏ　）／ ３ （式中、カルボニル基は場合により保護された形、例え
ば、アセタール化された形（例えば、ジメチルアセター
ルの形）、または重亜硫酸塩付加化合物、例えば、重亜
硫酸ナトリウムとの付加化合物の形である）を表わす］
の化合物を、式：（） ％式％ （式ＶＩＰおよび式■０中のＲ４およびＲ３はそれぞれ
前述の意味を有する）の化合物と反応させることにより
得ることができる。 この反応は、常法により、好ましくは酸性条件下、例え
ば、酸性反応を示す試薬（例えば塩化アンモニウム）の
存在下で行なう。 出発物質はそれ自身公知の方法により得ることができる
。 かくして、例えばＲ２として、基Ｖｒｏを有する式■の
出発物質は、式： （式中、カルボキシアルデヒド基は好ましくは上述のよ
うに保護された、例えば、アセターｌし化されたもので
ある）の化合物を、例えば、上述のような式ＴＶｂまた
はＶの化合物と反応させ、次１．％で存在する保護基を
除去することにより製造することができる。 式Ｉ　（式中、Ｒは、例えば、２−位で置換ピリジル基
に連結しているピリミジニル基を表わす）の化合物の製
造のために１例えば、式■（式中、Ｒ２は式： の基を表わす）の化合物を、式： Ｒ４−ＣＤ−Ｃ）＋２−Ｃｏ−Ｒ３（Ｖｌ　ｓ　）（式
中、カルボニル基は場合によって保護された形、例えば
アセタール化された形（例えばジメチルアセクールの形
）であり、かつＲ４およびＲ３は上記の意味を有する）
の化合物と反応させることができる。この反応は、それ
自身公知の方法で、例えば、上述のような酸性条件下、
例えば塩化アンモニウムの存在下で行なう。 この出発物質はそれ自身公知の方法で製造することがで
きる。かくして、例えばＲ２として基Ｖｌｒを有する式
■の化合物は、例えば、上記式（ＶＴｋ）の化合物を、
相当するイミノエステルに、例えば、このような化合物
の無水エタノール溶液を塩化水素で飽和させることによ
り変換し、かつそれらから、無水アンモニアと反応させ
ることにより、　Ｒ２として基（Ｖｌ　ｒ）を含む式■
の化合物を、好ましくは１ｎの形で１例えば、塩化水素
のような強酸との塩の形で得、かつ存在する保護基を同
時にまたは続いて除去し、それらを水素で置換すること
により得ることができる。 式■の化合物の製造のために、上記から適切な方法を選
択する際には、もし上記変換または除去が望ましくない
場合には、置換基が変換または除去されないように注意
しなければならない。例えば、加溶媒化、特に加水分解
、または還元の際、特に官能的に修正されたカルボキシ
ル基（例えばエステル化またはアミド化されたカルボキ
シ基）、およびシアン基は反応に関与し変換することが
ある。一方、置換基の同時変換は好ましいであろう；例
えば不飽和置換基、例えば、低級アルケニルは、例えば
、本発明に用いられる還元方法の条件下で低級アルキル
に還元することができる。 本工程により得られる化合物は、常法で、式１の化合物
の定義の範囲内の種々の最終生成物に、例えば、適切な
置換基の修正、誘導または除去により変換することがで
きる。 遊離カルボキシル基を、常法で、例えば、相当するアル
コールと、酸、例えば鉱酸（例えば硫酸または塩酸）の
存在下で有利に、またはジシクロへキシルカルボジイミ
ドのような氷結合剤の存在下で反応させることにより、
または、例えば、ジアゾメタンのような相当するジアゾ
化合物と反応させることによりエステル化することがで
きる。 このエステル化はまた、酸の塩、好ましくは、酸のアル
カリ金属塩を反応性エステル化アルコール、例えば、塩
化物のような相当するハロゲン化物と反応させることに
より行なうこともできる。 遊離カルボキシル基は、常法で、例えば、アンモニアと
、または−級もしくは二級アミンと、３５ 有利に、ジシクロへキシルカルボジイミドのような氷結
合剤の存在下で反応させることにより、またはカルボキ
シル基を、例えばクロロカルボニル基のようなハロカル
ボニル基へ変換させ、続いてアンモニアまたは一級もし
くは二級アミンと反応させることによりアミド化するこ
とができる。 エステル化カルボキシル基を含有する化合物においては
、この基を、常法で、例えば、好ましくはアルカリ金属
水酸化物（例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウ
ム）のような強塩基、または、例えば、ハロゲン化水素
酸（例えば塩酸または硫酸）のような強鉱酸の存在下の
加水分解により、遊離カルボキシル基に変換させること
ができる。 エステル化カルボキシル基を含有する化合物においては
、この基を、種々のアルコールの存在下で、好ましくは
過剰の存在下において、エステル成分として種々のアル
コールを含有するカルボキシル基に、例えば、塩基性触
媒、例えば、３６ エステル交換のために用いられる、アルコールのアルカ
リ金属化合物の存在下で、または適切な触媒、例えば貴
金属触媒（例えばパラジウム相持炭素触媒）の存在下で
変換させることができる。 置換基として、エステル化カルボキシル基を有する化合
物においては、この基を、常法で、例えば、アンモニア
または一級もしくは二級アミンを用いる、アンモノリシ
スまたはアミツリシスにより、相当するカルバモイル基
に変換することができる。 非置換カルバモイル基を有する化合物は常法で、例えば
、五酸化リン、オキシ塩化リンまたは無水トリフルオロ
酢酸のような水除去剤の作用により、好ましくは高温で
脱水して、相当するシアン化合物を生成することができ
る。 置換基としてエステル化カルボキシル基を有する化合物
においては、エステル化カルボキシ基を、常法で、例え
ば、有機化合物、例えばジエチルアルミニウムアミドの
ようなジー低級アルキルアルミニウムアミド化合物の作
用により、シアン基に変換させることができる。 シアン置換基を含有する化合物を、常法によって、例え
ば鉱酸もしくはアルカリ金属水酸化物の高濃度水溶液の
存在下で、相当するカルバモイル化合物に、または直接
カルボキシ化合物に加水分解することができる。 置換基としてシアノ基を有する化合物を、常法で、例え
ば、無水酸（Ｎえば、塩化水素）の存在下でアルコール
を添加し、続いて、得られたイミドエステルの加水分解
により、エステル化カルボキシ基を有する相当する化合
物にアルコール分解することができる。 置換基としてアミン基を含有する化合物では常法によっ
て、相当するカルボン酸、例えば、低級アルカンカルボ
ン酸またはそれらの反応性誘導体、例えば、ハライドま
たは無水物もしくはエステル（例えば、低級アルキルエ
ステル）の反応により、相当するアシルアミノ化合物、
例えば、低級アルカノイルアミノ化合物に変換させるこ
とができる。 置換基としてアミン基を有する化合物は、常法によって
、例えば、相当する低級アルキルアミノまたはジ低級ア
ルキルアミノ化合物にこれらの低級アルキルハライド、
例えばこれらの臭素化物もしくはヨウ素化物と反応させ
ることにより変換させることができる。 芳香族環中に、低級アルキルチオ基、例えば、メチルチ
オ基を有する化合物は、脱硫作用を有する適切な試薬、
例えば、ラネーニッケルを用いて、適切な溶媒、例えば
、ジオキサン中で処理することにより、イオウを含有し
ない化合物に変換させることができる。 製造方法におけると同様に、付加工程を実施する際には
、付加基の変換を招く望ましくない二次反応が起らない
ように注意しなければならない。 上記の反応は、場合によっては同時に、または順次に、
かつ任意の所望の順序で実施することができる。必要な
らば、これらの反応は、希釈剤、３９ 縮合剤および／または触奴活性剤の存在下で、低温また
は高温で、加圧密閉容器中でおよび／または不活性気体
雰囲気中で実施される。 反応条件および出発物質次第で、この新規化合物は遊離
形でまたはそれらの塩の形で得られ、これらもまた本発
明の範囲内のものであり、この新規化合物またはそれら
の塩もまたそれらのヘミ−、モノ−、セスキ−またはポ
リ水和物の形となり得る。この新規化合物の酸付加塩は
それ自身公知の方法、例えば、アルカリ金属の水酸化物
、炭酸塩もしくは重炭酸塩またはイオン交換剤のような
塩基性剤を用いて処理することにより。 遊離化合物に変換させることができる。一方、得られた
遊離塩基は有機酸または無機酸、例えば、上述の酸との
酸付加塩を生成することができ、このような塩の製造の
ためには、特に、薬学的に許容しうる毒性のない塩の生
成に適切な酸が用いられる。 この新規化合物のｆｆｉ基との塩は、それ自身公知の方
法、例えば、酸性剤１例えば、希釈鉱酸（例４０ えば、塩酸または硫酸〕もしくは有機酸（例えば酢酸）
、または酸性イオン交換剤を用いて処理することにより
、遊離のカルボン酸に変換させることができる。これら
は、塩基（例えば、無機または有機塩基）との反応によ
り順次相当する塩を生成することができ、特に、薬学的
に許容しうる毒性のない塩基、例えば上述の塩基が用い
られる。 これらおよび他の塩、特に、この新規化合物の酸付加塩
、例えば、蓚酸塩または過塩素酸塩はまた、得られた遊
離塩基の精製のために、遊離塩基を塩に変換し、これら
の塩を分離し、ついで精製し、次に、塩から再び塩基を
遊離させることにより用いることができる。 出発物質および選釈した方法次第で、この新規化合物は
光学的対掌体またはラセミ体の形であってもよく、また
はもしこれらが少なくとも２個の不整炭素原子を有する
ならば、またラセミ混合体の形であってもよい。出発物
質はまたある種の光学的対常体の形で用いることもでき
る。 得られたラセミ混合体は、２つの立体異性（ジアステレ
オ異性）ラセミ体に、公知の方法、例えば、クロマトグ
ラフィーおよび／または分別結晶により、ジアステレオ
マー異性体間の物理的−化学的差異に基づいて分離させ
ることができる。 得られたラセミ体はそれ自身公知の方法、例えば光学的
に活性な溶媒から再結晶することにより、適切な微生物
を用いて処理することによりまたはラセミ化合物と塩を
生成する光学的活性物質、例えば、酸も１７〈は１」１
基と反応させ、つ０で、このようにして得られた１１１
の混合物を、例えば、溶解度の差に基づいて、適切な試
薬の作用によりＭ膠化できるＶｉ離対掌体がそれから得
られるジアステレオマー異性体１！に分離させることに
より分離させることができる。特に川１．）られる光学
的に活性な酸としては、例えば酒石酸のＤ一体およびＬ
一体、ジー０．０°−（ｐ−１ルオイル）−酒石酸、リ
ンゴ酸、マンデル酸、樟脳スルホン酸、グル、タミン酸
、アスパラギン酸またはキナ酸をあげることができる。 特に用いられる光学的に活性な塩基としては、例えば、
光学的に活性なアミン、例えば、光学的に活性なアミノ
酸エステル、（−）−ブルシン、（＋）−キニジン、（
−）−キニン、（＋）−シンコニン、（＋）−ジヒドロ
アビ゛エチルアミン、（＋）−もしくは（−）−エフェ
ドリンをあげることができる。２つの対常体の活性が大
きければ有利に単離させられる。 本発明は、また工程形態に関するものであり、その工程
形態に従って、工程の任意の段階で中間体として得られ
る化合物を出発物質として用い、ついで残りの工程段階
を実施し、もしくは任意の段階で中断するものであり、
またはその工程において、出発物質がその反応条件下で
生成されるものであり、またはその工程において、反応
物は場合によってその塩の１つの形態にあるものである
。 本発明による反応を実施するために、最初に特に言及し
た最終生成物群および特に、叙述または４３ 指摘した最終生成物をもたらす出発物質を用いることが
有利である。 出発物質は公知であるか、またはたとえ新規であっても
、それ自身公知の方法により、−上述のようにして、例
えば、実施例において述べた方法と同様にして、得るこ
とができる。本発明はまた新規な出発物質、特に、上述
の式ＴＩ　（式中、Ｒおよびｎは式１における意味を有
し、ｎが１を表わし、Ｒが、３−または６−位、しかし
特に５−位に存在し、低級アルコキシ−低級アルキル（
例えば、２−メトキシエチル）、もしくはフェニル−低
級アルキル（例えば、ベンジル）を表わすか、またはも
しｎが１ならば、Ｒが２ないし７個の炭素原子を有する
低級アルキル（例えば、エチル、ｎ−プロピルまたはｎ
−ブチル）を表わし、および、ｎが１ならば、低級アル
キルとしての４−位のＲが、３ないし７個の炭素原子を
有し、例えば、ｎ−プロピルもしくはｎ−ブチルを表わ
すという条件を更に有する）の出発物質、またはそれら
の塩、特に薬学的に許容しうる、毒性のない酸付加１１
１、およびそれ４４ らの製造方法に関する。本発明は、また、本方法により
得られる新規中間体及びそれらの製造法に関する。 本発明は、また、式■の化合物またはこのような化合物
の薬学的に許容しうる塩の、特に、腎臓域および心臓血
管域において、特に、薬理的作用を有する化合物の形で
の使用に関する。これらは、緊張亢進の予防的処置およ
び／または、治療的処置のための方法において、薬理用
調製物の形で用いることが好ましい。単独でまたは慣用
の担持体および添加剤と併用して夕与される有効成分の
用量は、処置すべき種、年令および個々の状態、並びに
投与法により左右される。抗高血圧化合物の１日当りの
全用量は、１回以上、好ましくは最高４回に分けて投グ
、されるが、体重的７０ｋｇの哺乳動物については、症
状のタイプ、個々の状態および年令に従って、好ましく
は　１５０ないし７５０ｍｇである。 本発明は、また、有効成分を薬理的に有効な量含有する
薬理用調製物に関するが、この薬理用調製麹は場合によ
っては、腸内投与１例えば経口投与、または腸管外投与
に適切であり、かつ、無機もしくは有機、または固体も
しくは液体であってもよい薬学的に許容しうる担持体と
（Ｊｌ用される。 従って、有効成分を、希釈剤、例えばラクトース、デキ
ストロース、サッカロース、マンニット、ソルビット、
セルロースおよび／またはグリセリン；および／または
用滑剤、例えば、シリカ、タルク、ステアリン酸または
その塩（例えば、ステアリン酢マグネシウムもしくはス
テアリン酸カルシウム）；および／またはポリエチレン
グリコールと共に含有する錠剤またはゼラチンカプセル
が用いられる。錠剤はまた結合剤１例えばケイ酸マグネ
シウムアルミニウム、デンプン（例えば、とうもろこし
、小麦、米もしくはアロールートデンプン）、ゼラチン
、トラガカント、メチルセルロース、ナトリウムカルポ
ギシメチルセルロースおよび／またはポリビニルピロリ
ドン、並びに望ましい場合には、崩壊剤、例えばデンプ
ン、寒天、アルギン酸もしくはそれらの１！（例えば、
アルギン酸ナトリウム）、および／または発泡性混合物
、または吸着剤、着色剤、調味料および甘味料を含有す
ることもできる。新規な薬理的に有効な化合物を、腸管
外投与用調製物の形で、または注入液の形で用いること
も可能である。このような溶液は、好ましくは等浸透圧
性の水性溶液または懸濁液であり、例えば、有効成分を
単独で、または相持体、例えばマンニットと共に含有す
る場合には、それらを使用前に製造することが可能であ
る。薬理用調製物は、滅菌することもできおよび／また
は、添加剤、例えば防腐剤、安定剤、湿潤剤および／ま
たは乳化剤、可溶化剤、浸透圧調製用塩および／または
緩衝剤を含有することもできる。本発明の薬理用調製物
は、望ましければ、他の薬理的活性物質を含んでもよい
ものであるが、それ自身公知の方法、例えば、慣用の混
合、造粒、製糖、溶解または凍結乾燥工程により製造さ
れ、かつ有効成分を、約０．１％ないし　１００％、特
に約１％ないし約５０％含有し、凍結乾燥されたものの
場合には　１００％に至るまで含有１４、７ する。 次の実施例は、本発明を説明するのに役立つであろう；
温度は℃で表わされている。 １１亘」− パラジウム相持炭素触媒（５％）１．５ｇを添加後、メ
タノール１５０鵬文中のＮ−（ベンジルオキシカルボニ
ル）−Ｌ−グルタミン酸５−［？１２−（５−ｎ−ブチ
ル−２−ピリジル）−ヒドラジド］−１−ベンジルエス
テル１５．１ｇの溶液を水素の吸収が完全になるまで通
常の条件下で水素添加した。この懸濁液をメタノールで
希釈し、加熱し、次いでろ過器を用いてろ過した。 このろ液を回転蒸発器中で少駐になるまで濃縮し、イン
プロパツールと完全に攪拌し１次いでろ過した。この残
渣をメタノールから再結晶し、高真空下で乾燥すると、
融点１５５−１５７°を有するＬ−グルタミン酸５−（
Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド
ｌヘミ水和物が得られた。　［α１２０：＋２７°±　
１’　（ｃ＝０．５−１％メタノール中）。 この出発物質は次のようにして製造することができる。 ４８ 乾燥テトラヒドロフラン１７５＋ａ　ｌ中の２−ヒドラ
ジノ−５−ｎ−ブチル−ピリジン６．９ｇの溶液を水浴
上で冷却した。撹拌しなからＮ−（ベンジル−オキシカ
ルボニル）−Ｌ−グルタミン酸ｌ−ベンジルエステル５
−（Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド）−エステル１９．
８ｇを少しずつ添加し、次いで攪拌を更に２時間０゜で
行なった。回転蒸発器中で溶媒を除去し次いで残渣を、
シリカゲル−にで溶離剤として酢酸エチルを用いてクロ
マトグラフィーにかけると、主画分からＮ−（ベンジル
オキシカルボニル）−Ｌ−グルタミン酸５−［Ｎ２−（
５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１−１−
ベンジルエステルが油状で得られ、これをその形のまま
更に次の操作に用いた。 割亙■ヱユ 室温で攪拌をしながら、ジメチルホルムアミド５Ｉ！ｌ
ｕ中の無水酢酸０．５３ｇの溶液を１５分かけて、ジメ
チルホルムアミド２Ｏｍｕ中のし一グルタミン酸５−　
［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジ
ド］１．４７ｇ及び無水炭酸ナトリウム１．３３ｇの懸
濁液に滴下した。攪拌を室温で更に１５時間行ない、そ
の全体を次にろ過器を用いてろ過し、次いで回転蒸発器
中でろ液から溶媒を除去した。残存する装色泡状物質を
シリカゲル上でクロロホルム／メタノール／アンモニア
（５：３：ｌ）の溶媒混合物を用いてクロマトグラフィ
ーにかけた。主画分を合わせ、回転蒸発器中で溶媒を除
去した。アンモニア塩を製造するために、残渣を過剰の
メタノール性アンモニアに溶解し、その溶液を蒸発によ
り濃縮し、次いで生成物をインプロパツールから再結晶
すると、Ｎ−７セチルーし一グルタミン酸５−　（Ｎ２
−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１１
７）　７　ンモ＝　’Ｆ　ムＩｉ　カ得うレｆ＝　；　
ｍ、ｐ、　１４７−１４９°；２０゜ ［α］　、＋２８°±　１０、（ｃ＝０．５−１％メタ
ノール中）；塩化メチレン／メタノール／Ｗ　ＮＨ４０
Ｈ（５：３：１）系におけるＲｆｆ白＝　０．７６゜支
胤Ｕユ パラジウム担持炭素触１（５％）０．５ｇを添゛加後、
メタノール５０腸文中のＮ−アセチル−し−グルタミン
酸５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒ
ドラジド］−１−ベンジルエステル２．７ｇの溶液を水
素の吸収が完全になるまで通常の条件下で水素添加した
。 触媒をろ別し、次いで回転蒸発器中でろ液から溶媒を除
去した。残渣をシリカゲル上でクロロホルム／メタノー
ル／アンモニア（５：３：ｌ）の溶媒混合物を用いてク
ロマトグラフィーにかけた。主画分を合わせ、次いで溶
媒を除去した。アンモニウム塩の製造のために、残渣を
過剰のメタノール性アンモニアに溶解し、蒸発により溶
液を濃縮し、ついで、生成物をインプロパツールから再
結晶すると、Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−ＩＮ
２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジドＪ
のアンモニウム塩が得られた；　ｍ、ｐ、　１４７−１
４９°；［αｌ乙０：＋２９°±　１’　、　（ｃＪ、
５−１％メタノール中）。 この出発物質は次のようにして製造することができる。 ： 乾燥テトラヒドロフラン６０ａＪｌ中の２−ヒドラジノ
−５−ｎ−プチルピリジンニ塩酸１ｆｉ３．１７ｇの懸
濁液を５°に冷却し、次いで攪拌しながら、まずトリエ
チルアミン４．２■見、次いで５分後にに一アセチル５
ｌ −Ｌ−グルタミン酸１−ベンジルエステル５−（Ｎ−ヒ
ドロキシスクシンイミド）−エステル５．０ｇを添加し
た。混合物を次に室温で１５時間撹拌し、トリエチルア
ミン塩酸塩をろ別し、ついで回転蒸発器中で３０−４０
°の温度の浴上で溶媒を除去した。わずかに緑がかった
残渣をシリカゲル上でクロロホルム／メタノール混合物
（９５：５）を用いてクロマトグラフィーにかけた。 主画分から無色泡状物質の形で得られたＮ−アセチル−
し−グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−
ピリジル）−ヒドラジド１−１−ベンジルエステルはこ
の形のまま更に次の操作に用いられた；塩化メチレン／
メタノール（９：１）系でのシリカゲルを用いてのＲｆ
値＝　０．２９゜ 支１班１ニ トリエチルアミン５．９■文を、乾燥テトラヒドロフラ
ン２１０１党中の２−ヒドラジノ−５−ｎ−ブチルピリ
ジン７．０ｇの溶液に添加した：続いて室温で攪拌しな
がら、テトラヒドロフラン１２０■交中の３−スルファ
モイル−４−塩化クロロベンゾイルｌｏ、８ｇの溶液５
２ を１時間かけて消却し、次にこの温度で更に２時間３０
分撹拌を行なった。トリエチルアミン塩酸塩をろ別し、
次いで攪拌しながら水性２Ｎ酢酸３０（１ｍＪＬをこの
ろ液に添加した。生成した結晶をろ別し、乾燥し１次い
で酢酸エチルから２回再結晶を行なったが最後の再結晶
の際には氷酢酸２．５■文を溶媒に添加した。 沈殿をろ別し次いで乾燥すると、Ｎ２−（５−ｎ−ブチ
ル−２−ピリジル）−３−スルファモイル−４−クロロ
安息香酸ヒドラジドアセテートが得られ、融点は１４２
−１４４°であった。 見立１ユ トルエン４０■交中のナトリウムヒドリド３．２ｇの懸
濁液に、１５分かけて、トルエン＋５０膳立中の２−ヒ
ドラジノ−５−ｎ−ブチルピリジン１０．０　ｇの溶液
を添加１７、次いで１０分かけてトルエン２０腸文中の
ピコリン酸エチルエステル９．２ｇの溶液を添加した０
次に、全体を３０分かけて４０°で注意深く加熱しく最
初は発熱反応）、次いで清騰させながら還流下に更に２
時間３０分加熱した。冷却後、反応混合物を＆８量２０
０＋ＪＬの２　Ｎ　Ｊｉｇ酸を用いて抽１１１１．、水
性−酸性相をエーテルで洗浄し、水酸化ナトリウム溶液
を用いてアルカリ性とし、エーテルで充分に抽出した。 エーテル溶液の乾燥後、エーテル中の塩化水素の５Ｎ溶
液を、強い酸性反応を９するまでそれに添加し、沈殿物
をろ別し、次いでエタノールから再結晶した；　Ｎ２−
（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ピコリン酸ヒドラ
ジドニ１１！酸塩がわずかに黄色を帯びた結晶の形で得
られ、融点は　ＩＨ−１９１’　（分解）であった。 支見血１ユ 冷却、攪拌及び窒素流を流しながら、トルエン５０Ｉ１
１文中のクロロ蟻酸エチルエステル６．５ｇの溶液を１
５分かけて、トルエン　１０（ｌａ＋　Ｑ中の２−ヒド
ラジノ−５−ｎ−ブチルピリジン８．５５ｇの溶液に楕
加した。反応生成物は最下層として油状で分離された。 反応を完結するために、程合物を還流下に更に２時間加
熱し、次いで蒸発により濃縮乾燥させた；樹脂性残渣を
水２５０曹見及び４　Ｎ　１１！酸ＩＯｗ文の混合物中
に採取し、不透明溶液をエーテル１００■見を用いて洗
浄した。反応生成物を、４Ｎ炭酸ナトリウム溶液　２５
ｍＪＪを用いてアルカリ性にすることにより、水性層か
ら塩）、（の形で遊離させ、エーテル１００＋＋＋Ｑを
用いて抽出し、このエーテル溶液を硫酸トリウムーヒで
乾燥させ、ついで蒸発乾固させた後、粗生成物の形で単
離した。粗生成物をエーテルｌｏＯｍＪＪ及び無水エタ
ノール５０ｍＭの混合物中に溶解し、エーテル中の５Ｎ
４化水素溶液１ｈｌを添加した；Ｎ−エトキシカルボニ
ル−Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラ
ジンが一塩酸塩として、無色結晶の形で得られたが、融
点は　１３３−１３５°（エタノール／エーテルから）
であった。 １厳■ユニ 冷却しながら、かつ、激しく攪拌しながら、３０分かけ
て、エーテル２０ｍ　Ｑ中の無水酢酸２．５ｇの溶液を
、エーテル４０ｍ１中の２−ヒドラジノ−５−ｎ−ブチ
ルピリジン４．０ｇの溶液に添加した。全体を３時間放
置した後、エーテル　５０＋ｅ　ｎを用いて希釈した、
エーテル中の５Ｎ塩化水素溶液？、３ｍｌの溶液を、攪
拌及び冷却しながら消却し、次いで生成し５５ た沈殿を吸引ろ別し、エタノール／エーテルから再結晶
した。Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−Ｎ−
酢酸ヒドラシトが一１１１酸塩としてわずかに着色した
結晶の形で得られ、その融点は２１１−２１２°であっ
た。 実ｊＥ例」Ｌユ トルエン４Ｏｔｓｌ中のナトリウムヒドリド３．２ｇの
懸濁液に、３０分かけて、トルエン１５０ｍ１中の２−
ヒドラジノ−５−ｎ−ブチルピリジン１１１．０ｇの溶
液を添加し、次いで１０分かけてトルエン２０曹す中の
フザリン酸エチルエステル１１．７ｇの溶液を添加し、
次いで、混合物を１時間かけて６０°で加熱し、次に情
態させながら還流下に更に２蒔間加熱した。冷却後、反
応混合物を総ケ２００■すの２Ｎ塩酸を用いて抽出し、
水性−酸性相を水で洗浄し、水相を濃水酸化ナトリウム
溶液を用いてアルカリ性とし、エーテルで充分に抽出し
、ついでエーテル溶液を硫酸ナトリウム−にで乾燥し、
蒸発乾固した。残渣を無水エーテル２００１見に溶解し
、エーテル中の塩化水素の５Ｎ溶液２０腫見を、溶液に
添加し、生成し５６ た沈殿物を吸引ろ別し、次いでエタノールから再結晶し
た；　Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−Ｎ−
フザリン酸ヒドラジドが二塩酸塩としてわずかに黄色を
帯びた針状結晶の形で得られ、融点は　１７５゜（分解
）であった。 支ム爽Ａユ パラジウム担持炭素触媒（５％）２．３ｇの存在下で、
無水メタノール１２０ｍ１中の実施例３により得られた
Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−（Ｎ２−（５−ｎ
　−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］−１−ベン
ジルエステル１１．５ｇの溶液を２４時間室温で攪拌し
た。 触媒をろ別し、次いで回転蒸発器中でろ液を濃縮し、次
に、残渣をシリカゲル（ＦＬＵＫＡ８０）上でクロロホ
ルム／メタノール（９５：５）ｉ合物を用いてクロマト
グラフィーにかけた。Ｎ−アセチル−Ｌ−グルタミン酸
５−　［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒ
ドラジド１−１−メチルエステルが得られ、塩化メチレ
ン／メタノール（９：１）系でのシリカゲルを用いての
Ｒｆ値は０．２３であった。 支１Ｋ」： −ｎシ的叙述において説明１．たちの及び実施例１ない
し９において述べたものと同様にして、適切な出発物質
および反応条件を用いて、式Ｉの次の化合物またはそれ
らの１１１を製造することも可能である： ａ）　Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−　ｒＮ２−
（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１−！
−エチルエステルは、実施例３により得られたＮ−アセ
チル−し−グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル
−２−ピリジル）−ヒドラジド１−１−ベンジルエステ
ルを、過剰の無水エタノールと、パラジウム４ｉ１持炭
素触媒（５％）の存在下に室温でエステル交換を行ない
、次いで、実施例９において述べたように、処理し、過
剰のエタノールを蒸発させて得られる残渣をシリカゲル
（ＦＬＵＫＡ　ＥＩＯ）Ｊ二でクロマトグラフィーにか
けることによりｆｔｌられる；塩化メチレン／メタノー
ル（８：１）系でのシリカゲルを用いてのＪ値＝０．２
５　。 ｂ）　Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−（Ｎ２−（
５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］−１−
（２，２−ジメチルプロピル）−エステルは、実施例３
により得られたＮ−アセチル−し−グルタミン酸５−［
Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド
］−１−ベンジルエステルを、過剰の無水２．２−ジメ
チルプロパツールと、パラジウム担持炭素触媒（５％）
の存在下に室温でエステル交換を行ない、次いで、実施
例９において述べたように、処理し、過剰の２．２−ジ
メチルプロパツールを蒸発ｙせて得られる残渣をシリカ
ゲル（ＦＬＵＫＡ　６０）上でクロマトグラフィーにか
けることにより得られる；塩化メチレン／メタノール（
９：ｌ）系でのシリカゲルを用いてのＲｆ値＝　０．２
８　。 ｃ）　Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−［Ｎ２−（
５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］−１−
ｎ−ブチルエステルは、実施例３により得られたＮ−ア
セチル−し−グルタミン酸５−　（Ｎ２−　（５−ｎ−
ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］−１−ベンジル
エステルを、過剰の無水ｎ−ブタノールと、パラジウム
担持炭素触媒の存在下に４０−５０°の温度でエステル
交換を行ない、触媒をろ別し、ろ液を回転蒸発器中で濃
縮５９ し、次いで、実施例９において述べたように、残渣をシ
リカゲル（ＦＬＵＫＡ　８０）ｌでクロマトグラフィー
にかけることにより得られる：塩化メチレン／メタノー
ル（９：１）系でのシリカゲルを用いてのＲｆ値＝　０
．２７　。 ｄ）　Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−　［Ｎ２−
（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１−１
−アミドは、実施例１により得られたし一グルタミン酸
５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒド
ラジド１ヘミ水和物を、過剰のメタノールど、シクロヘ
キシルカルボジイミドの存在下に室温で反応させて、（
Ｎ−ベンジルオキシ−カルボニル）−Ｌ−グルタミン酸
５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒド
ラジド］−１−メチルエステルを生成し、続いて後者を
、メタノール中に溶解した過剰のアンモニアと、密閉容
器中で５時間室温で反応させ、ついで反応混合物を後処
理して、Ｌ−グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチ
ル−２−ピリジル）−ヒドラジド１−１−アミドを生成
し、続いて後者をジメチルホルムアミド中の無水酢酸と
、無水炭酸ナトリウムの存在下に室温で６０ １５時間反応させ、次に、実施例２において述べたよう
にして、後処理し、ついで残渣をクロマトグラフィーに
かけることにより得られる；塩化メチレン／メタノール
（９：１）系でのシリカゲルを用いてのＲ’ｆ値＝０．
１５゜ ｅ）　Ｎ−プロピオニル−Ｌ−グルタミン酸５−　［Ｎ
２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］
は、実施例１により得らたＬ−グルタミン酸５−［Ｎ２
−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１ヘ
ミ水和物を、ジメチルホルムアミド中の無水プロピオン
酸と、無水炭酸ナトリウムの存在下に室温で２００時間
反応せ、次に、実施例２において述べたようにして、後
処理し、ついでシリカゲル上で残渣をクロマトグラフィ
ーにかけ、更に主画分を処理することにより得られる；
１ｎ化メチレン／メタノール／濃ＮＨ４０Ｈ（５：３：
１）系でのＲｒ値は＝　０．７８　。 ｆ）　Ｎ−ピバロイル−し−グルタミン酸５−（Ｎ２−
（５−ｎ　−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１は
、実施例１により畳らたし一グルタミン酸５−　［Ｎ２
−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１ヘ
ミ水和物を、ジメチルホルムアミド中の無水ピバル酸と
、無水炭酸ナトリウムの存在下に４０−５０°の温度で
２００時間反応せ、次に、実施例２において述べたよう
にして、後処理し、ついでシリカゲル１−で残渣をクロ
マトグラフィーにかけ、更に１ミ両分を処理することに
より得られる：ｊ１１化メチレン／メタノール／濃ＮＨ
４０Ｈ（５：３：１）系でのＲｆ値は＝　０．８０　；
ｇ）　Ｎ−ベンゾイル−し−グルタミン酸５−　［Ｎ２
−（５−＋＋　−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド
ｌは、実施例１により得らたＬ−グルタミン酸５−［Ｎ
２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１
ヘミ水和物を、ジメチルホルムアミド中の無水安息香酸
と、無水炭酸ナトリウムの存在下に４０−５０°の温度
で２５時間反応させ、次に、実施例２において述べたよ
うにして、後処理し、ついでシリカゲル］−で残渣をク
ロマトグラフィーにかけ、更に主画分を処理することに
より得られる；１０化メチレン／メタノール／濃ＮＨ４
０Ｈ（５：３：Ｉ）系でのＲｆ値は＝　０．７９　。 ｈ）　Ｎ−７セチルーし一グルタミン酸５−［Ｎ２−（
５−メチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１は、２−ヒ
ドラジノ−５−メチル−ピリジンを、無水テトラヒドロ
フラン中のＮ−（ベンジルオキシカルボニル）−Ｌ−グ
ルタミン酸１−ベンジルエステル５−（Ｎ−ヒドロキシ
スクシンイミド）−エステルと、０°で２時間反応させ
、溶媒を蒸発させ、シリカゲル上で溶離剤として酢酸エ
チルを用いてその残渣をクロマトグラフィーにかけ、次
に、主画分を後処理して、（Ｎ−ベンジルオキシカルボ
ニル ［Ｎ２−（５−メチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］
−１−ベンジルエステルを生成し、続いて後者をメタノ
ール中の水素により、パラジウム相持炭素触媒（５％）
の存在下で脱ベンジル化を行ない、処理した後に得られ
たし一グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−メチル−２−ピ
リジル）−ヒドラジド１をメタノールから再結晶し、後
者を、ジメチルホルムアミド中の無水酢酸と、無水炭酸
ナトリウムの存在下で１５時間室温で反応させることに
よりＮ−アセチル化し、溶媒を蒸発させ、シリカゲル上
でクロロホルム／メタノール／アンモニア（５：３：ｌ
）の混合物を用いて残渣をクロマトグラフィーにかけ、
次いで１６３・ 主画分を後処理することにより得られる：塩化メチレン
／メタノール／濃Ｍｌ（４０Ｈ（５：３：Ｉ）系でのＲ
ｆ値＝　０．７０　。 ｉ）　Ｎ−ベンゾイル−１，−グルタミン酸５−［Ｎ２
−（５−メチル−２−ピリジル）−ヒドラジドｌは、実
施例ｈ）により得られた１，−グルタミン酸５−［Ｎ２
−（５−メチル−２−ピリジル）−ヒドラジドを、ジメ
チルホルムアミド中の無水安息香酸と，無水炭酸ナトリ
ウムの存在下に室温で２００時間反応せ、溶媒を蒸発さ
せ、シリカゲル−にでクロロホルム／メタノール／アン
モニア（５：３：ｌ）の混合物を用いて残渣をクロマト
グラフィーにかけ、次いで主画分を後処理することによ
り得られる；塩化メチレン／メタノール４／濃ＮＨ　Ｏ
Ｈ（５：３：１）脚でのＲ値＝　０．７３　。 ｊ）　Ｎ−７セチルーＬ−グルタミン酸５−［Ｎ２−（
５−ベンジル−２−ピリジル）−ヒドラジド１は、２−
ヒドラジノ−５−ベンジルピリジンを、無水テトラヒド
ロフラン中のＮ−（ベンジルオキシカルボニルタミン醸
ｌーベンジルエステル５−（Ｎ−ヒドロキシスクシンイ
ミド）−エステルと、０°で２時間反応６４ させ、溶媒を蒸発させ、シリカゲル上で溶離剤として酢
酸エチルを用いてその残渣をクロマトグラフィーにかけ
、次に、主画分を後処理して、（Ｎ−ベンジルオキシカ
ルボニル）−Ｌ−グルタミン酸５−（Ｎ２−（５−ベン
ジル−２−ピリジル）−ヒドラジド】−１−ベンジルエ
ステルを生成し，続いて後者をメタノール中の水素によ
り、パラジウム担持炭素触媒（５％）の存在下で脱ベン
ジル化を行ない、後処理した後に得られたし一グルタミ
ン酸５−［Ｎ２−（５−ベンジル−２−ピリジル）−ヒ
ドラジド】をメタノールから再結晶し、ついで後者をジ
メチルホルムアミド中の無水酢酸と、無水炭酸ナトリウ
ムの存在下で１５時間室温で反応させることによりＮ−
アセチル化し、溶媒を蒸発させ、シリカゲル上でクロロ
ホルム／メタノール／アンモニア（５：３：１）の混合
物を用いて残渣をクロマトグラフィーにかけ，次いで主
画分を後処理することにより得られる；塩化メチレン／
メタノール／濃ＮＨ４０Ｈ（５：３：１）系でのＲｆ値
＝　ｏ．ｅｔ　； ｋ）　Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−［Ｎ２−（
５−フェニル−２−ピリジル）−ヒドラジドｌは、２−
ヒドラジノ−５−フェニル−ピリジンを、無水テトラヒ
ドロフラン中のＮ−（ベンジルオキシカルボニル）−Ｌ
−グルタミン酸！−ベンジルエステル５−（Ｎ−ヒドロ
キシスクシンイミド）−エステルと、０°で２時間反さ
せ、溶媒を蒸発させ、シリカゲル１−で溶離剤として酢
酸エチルを用いてその残渣をクロマトグラフィーにかけ
、次に、主画分を後処理して、（Ｎ−ベンジルオキシカ
ルボニル）−Ｌ−グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−フェ
ニル−２−ピリジル）−ヒドラジド１−１−ベンジルエ
ステルを生成し、続いて後者をメタノール中の水素によ
り、パラジウム４０持炭素触媒（５％）の存在下で脱ベ
ンジル化を行ない、後処理した後に得られたし一グルタ
ミン酸５−［Ｎ２−（５−フェニル−２−ピリジル）−
ヒドラジド１をメタノールから再結晶し、ついで後者を
、ジメチルホルムアミド中の無水酢酸と、無水炭酸ナト
リウムの存在下で１５時間室温で反応させることにより
Ｎ−アセチル化し、溶媒を蒸発させ、シリカゲル−１−
でクロロホルム／メタノール／アンモニア（５：３：１
）の混合物を用いて残渣をクロマトグラフィーにかけ。 次いで主画分を後処理することにより得られる：塩化メ
チレン／メタノール／濃ＮＨ４０Ｈ（５：３：１）系で
のＲｆｆ直＝０．７θ； 旦）Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−［Ｎ２−（５
−（２−オキソ−ｎ−ブチル）−２−ピリジル）−ヒド
ラジドＪは、２−ヒドラジノ−５−（２−オキソ−ｎ−
ブチル）−ピリジンを、無水テトラヒドロフラン中のＮ
−（ベンジルオキシカルボニル）−Ｌ−グルタミン酸１
−ベンジルエステル５−（Ｎ−ヒドロキシスクシンイミ
ド）−エステルと、０°で２蒔間反応させ、溶媒を蒸発
させ、シリカゲル上ヒで溶離剤として酢酸エチルを用い
てその残渣をクロマトグラフィーにかけ、次に主画分を
後処理して、（Ｎ−ベンジルオキシカルボニル）−１、
−グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−（２−オキソ−ｎ−
ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］−１−ベンジル
エステルを生成し、続いて後者をメタノール中の水素に
より、パラジウム担持炭素触媒（５％）の存在下で脱ベ
ンジル化を行ない、後処理した後に得られたし一グルタ
ミン酸５−［Ｎ２−（５−（２−オキソ−ｎ−ブチル）
−　６７ ２−ピリジル）−ヒドラジド１をメタノール／エタノー
ル混合物からｔ１丁結晶し、ついで後者を、ジメチルホ
ルムアミド中の無水酢酸と、無水炭酸ナトリウムの存在
下で１５時間室温で反応させることによりＮ−アセチル
化し、溶媒を蒸発させ。 シリカゲル上でクロロホルム／メタノール／アンモニア
（５：３：１）の混合物を用いて残渣をクロマトグラフ
ィーにかけ、次いで主画分を後処理することにより告ら
れる：塩化メチレン／メタノール／濃ＮＨ４０１１（５
：３＋１）系でのＲ（（ｆｉ　＝　０．７１　；ｍ）　
Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−ア
セチル−２−ピリジル）−ヒドラジドｌは、２−ヒドラ
ジノ−５−アセチルピリジンを、無水テＩ・ラヒドロフ
ラン中のＮ−（ベンジルオキシカルボニル）−Ｌ−グル
タミン醇１−ベンジルエステル５−（Ｎ−ヒドロキシス
クシンイミド）−エステルと、Ｏｏで２時間反応させ、
溶媒を蒸発させ、シリカゲルＩ―で溶離剤として酢酸エ
チルを用いてその残渣をクロマトグラフィーにかけ、次
に主画分を後処理して、（Ｎ−ベンジルオキシカルボニ
ル）−Ｌ−グルタミン酸５−ＩＮ２−６８ （５−アセチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１−１−
ベンジルエステルを生成し、続いて後者をメタノール中
の水素により、パラジウム担持炭素触媒（５％）の存在
下で脱ベンジル化を行ない、後処理した後に得られたし
一グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−アセチル−２−ピリ
ジル）−ヒドラジド１をメタノールから再結晶し、つい
で後者を、ジメチルホルムアミド中の無水酢酸と、無水
炭酸ナトリウムの存在下で１５時間室温で反応させるこ
とによりＮ−アセチル化し、溶媒を蒸発させ、シリカゲ
ル上でクロロボルム／メタノール／アンモニア（５：３
：１）の混合物を用いて残渣をクロマトグラフィーにか
け、次いで主画分を後処理することにより得られる；塩
化メチレン／メタノール／濃ＮＨ４０Ｈ（５：３：１）
系でのＩｌｆ値＝　Ｑ、ｆ（５。 ｎ）　Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸−５［Ｎ２−（
５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］−１−
（ピバロイルオキシメチル）−エステルは、実施例３に
より中間体として得られたＮ−アセチル−し−グルタミ
ン酸５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）〜
ヒドラジド、及び水酸化ナトリウムで中和し蒸発乾固す
ることにより得られたそのナトリウム用を、ジメチルホ
ルムアミド中のピへリン酸ヨードメチルエステルと０−
５０°の温度で反応させ、続いて１７時間室温で攪拌し
、反応混合物を高真空下で濃縮し、酢酸エチルで抽出し
、ついで溶媒を蒸発させて得られた残渣を塩化メチレン
／メタノール混合物９：１を用いてクロマトグラフィー
にかけることにより得られる；塩化メチレン／メタノー
ル（０：１）系におけるシリカゲルを用いてのＲｇ４ｆ
ｊ　＝　０．２Ｂ　；ｈ）−ｎ）において示した化合物
の製造に用いた方法と同様の方法によって、相当する中
間段階を経て次の化合物を製造することも可能である：
ｏ）　Ｎ−アセチル−１，−グルタミン酸５−　［Ｎ２
−（３−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１は
、２−ヒドラジノ−３−ｎ−ブチル−ピリジンを、Ｎ−
（ベンジルオキシカルボニル）−Ｌ−グルタミン酸１−
ベンジルエステル５−（Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド
）−エステルと反応させて、（Ｎ−ベンジルオキシカル
ボニル）−Ｌ−グルタミン酸５−［Ｎ２−（３−ｎ−ブ
チル−２−ピリジル）−ヒドラジド１−１−ベンジルエ
ステルを生成し、後者ヲ脱ベンジル化してＬ−グルタミ
ン酸５−［Ｎ２−（３−ｎ　−ブチル−２−ピリジル）
−ヒドラジド１を生成し、次いで後者をアセチル化して
上述のＮ−アセチル化合物を生成することにより得られ
る；塩化メチレン／メタノール／濃ＮＨ４０Ｈ（５：３
：１）系におけるＲｆ値＝　０．７８　； ｐ）　Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５−　［Ｎ２−
（４−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１は、
２−ヒドラジノ−４−ｎ−ブチル−ピリジンを、Ｎ−（
ベンジルオキシカルボニル）−Ｌ−グルタミン酸ｌ−ベ
ンジルエステル５−（Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド）
−エステルと反応させて、（Ｎ−ベンジルオキシカルボ
ニル）−Ｌ−グルタミン酸５−［Ｎ２−（４−ｎ−ブチ
ル−２−ピリジル）−ヒドラジド］−１−ベンジルエス
テルを生成し、後者を脱ベンジル化してし一グルタミン
酸５−［Ｎ２−（４−ｎ　−ブチル−２−ピリジル）−
ヒドラジド］を生成し、次いで後者をアセチル化して−
上述のＮ−アセチル化合物を生成することにより得られ
る；塩化メチレン／メタノール、／濃ＮＨ４０Ｈ（５：
３：ｌ）系における７１ Ｒｆ値＝　０．７７　； ｑ）　Ｎ−７セチルーし一グルタミン酸５−（Ｎ２−（
Ｂ−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１は、２
−ヒドラジノ−６−ｎ−ブチル−ピリジンな、Ｎ−（ベ
ンジルオキシカルボニル）−Ｌ−グルタミン酸ｌ−ベン
ジルエステル５−（Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド）−
エステルと反応させて、（Ｎ−ベンジルオキシカルボニ
ル）−Ｌ−グルタミン酸５−［Ｎ２−（８−ｎ−ブチル
−２−ピリジル）−ヒドラジド］−］−ベンジルエステ
ルを生成し、後者を脱ベンジル化して］、−グルタミン
酸５−　（Ｎ２−（Ｂ−ｎ　−ブチル−２−ピリジル）
−ヒドラジド１を生成し、次いで後者をアセチル化して
上述のＮ−アセチル化合物を生成することにより得られ
る：Ｉｔ１化メチジメチレン／メタノール／１農Ｎ１１
４０１１３：ｌ）系におけるＲｆ値＝　０．７７　； ｒ）　Ｌ−アラニル−［８２−（５−ｎ−ブチル−２−
ピリジル）−ヒドラジド１は、２−ヒドラジノ−５−ｎ
−ブチルピリジンを、し−アラニンメチルエステルと、
還流下２時間ベンゼン中で窒素雰囲気下で加熱すること
により反応させ、溶媒を蒸発させ、残渣をトルエン７２ に溶解し、水で洗浄し、次いで有機相を２Ｎ塩酸で抽出
し、水性酸性溶液をエーテルで洗浄し、濃水酸化ナトリ
ウム溶液をこの水性相に強いアルカリ反応が得られるま
で添加し１次いで混合物をエーテルで抽出し、このエー
テル溶液を水で洗浄し。 エーテル中の５Ｎ塩化水素溶液を、硫酸ナトリウムを用
いて乾煙させておいたそのエーテル溶液に強い酸性反応
が得られるまで添加し、次いで白色結晶の形で得られる
し一アラニルー［Ｎ２−（５−Ｔｌ−ブチル−２−ピリ
ジル）−ヒドラジドに塩酸塩を分離することにより得ら
れる；塩化メチレン／メタノール／濃ＮＨ４ＯＨ（５：
　３　：　１）系での遊離塩基のＲｉ値＝０．９２　。 ｓ）　Ｌ−アラニル−［Ｎ２−（８−ｎ−ブチル−２−
ピリジル）−ヒドラジド１は、２−ヒドラジノ−８−ｎ
−ブチルピリジンを、し−アラニンメチルエステルと反
応させ、続いて、ｒ）において述べたように処理し、次
いで白色結晶の形で得られるし一アラニルー［Ｎ２−（
６−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジドに塩酸塩
を分離することにより得られる；塩化メチレン／メタ／
　−Ｊｌ／　／　ｅＮＩＩ４０１ｆ（５：３：　Ｉ）系
テノ’！７７１！１１　ＩＩＩ基ノＲｆ（ｆｆ＝０．９
０　。 ｔ）　Ｎ−アセチル−し−アラニル−［Ｎ２−（５−ｎ
−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１は、ｒ）によ
り得られたＬ−アラニン−ＩＮ２−（５−ｎ−ブチル−
２−ピリジル）−ヒドラジド１−二塩酸塩を、濃水酸化
すｉ・リウム溶液と反応させ、ついでこのようにして得
られた塩基を、ジメチルホルムアミド中の無水酢酸と、
無水炭酸ナトリウムの存在下に室温で１０時間反応させ
、減圧下に溶媒を蒸発させ、残渣をエーテル中に採取し
、このエーテル溶液を水で洗浄し、エーテル中の５　Ｎ
　ｊｉｉ化水素溶液を、そのエーテル溶液に強い酸性反
応が得られるまで添加し、次いで白色結晶の形で得られ
るＮ−アセチル−Ｌ−アラニル−［Ｎ２−（５−ｎ−ブ
チル−２−ピリジル）−ヒドラジド１塩酸塩を分離する
ことにより得られる；塩化メチレン／メタノール／濃Ｎ
■４０１（（５：３：Ｉ）系での遊ｌ！＃、塩基のＲｆ
値＝　０．８５　。 ｕ）　Ｎ−アセチル−し−７ラニルー（Ｎ２−（１３−
ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１は、Ｓ）に
より得られたＬ−アラニル−［Ｎ２−（６−ｎ−ブチル
−２−ピリジル）−ヒドラジドに塩酸塩を濃水酸化ナト
リウム溶液と反応させ、ついでこのようにして得られた
塩基を、Ｓ）において述べた方法と同様にして無水酢酸
と反応させ、反応混合物を処理し、次いで白色結晶の形
で得られるＮ−アセチル−Ｌ−アラニル−［Ｎ２−（８
−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジドＪ塩酸塩を
分離することにより得られる：塩化メチレン／メタノー
ル／濃ＮＨ４０Ｈ（５：３：１）系での遊離塩基のＲｆ
値＝０．８３　。 ｖ）　ｒ）により得られたＬ−アラニル−［Ｎ２−（５
−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド】二塩酸塩
を濃水酸化ナトリウム溶液で処理することにより得られ
た遊離塩基から、ｔ）と同様に、相当する酸無水物との
反応により、次の化合物を、その塩酸塩の形で得ること
ができる：Ｎ−プロピオニル−し一アラニルー［Ｎ２−
（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド］　；
塩化メチレン／メタノール／ＷＮＨ４０Ｈ（５：３：１
）系での遊離塩基のＲｆ値＝　０．８５　。 ｗ）　Ｎ−ベンゾイル−し−７ラニルー［Ｎ２−（Ｂ−
メチル−２７５ −ピリジル）−ヒドラジドｌは、２−ヒドラジノ−６−
メチルピリジンを、Ｌ−アラニンメチルエステルと、還
流下３時間ベンゼン中で窒素雰囲気下で加熱することに
より反応させ、溶媒を蒸発させ、残渣をトルエンに溶解
し、水で洗浄し、次いで有機相を２Ｎ塩酸で抽出し、水
性酸性溶液をエーテルで洗節し、濃水酸化ナトリウム溶
液をこの水性相に強いアルカリ反応が得られるまで添加
し、次いで混合物をエーテルで抽出し、このエーテル溶
液を水で洗浄し、エーテル中の５Ｎ塩化水素溶液を、硫
酸ナトリウムを用いて乾燥させておいたそのエーテル溶
液に強い酸性反応が得られるまで添加し、次いで白色結
晶の形で得られるし一７ラニルー［Ｎ２−（８−メチル
−２−ピリジル）−ヒドラジドにｆｆｉ酸塩を分離し、
得られた二塩酸塩の水性溶液を、濃水酸化ナトリウム溶
液と、強いアルカリ性反応が得られるまで処理し、遊＃
塩基をエーテルと振とうすることにより抽出し、このエ
ーテル溶液を水で洗浄し、硫酸すトリウムにで乾燥し、
ついで溶媒を蒸発させ、し−アラニル−［Ｎ２−（８−
メチル−２〜ピリジ７６ ル）−ヒドラジド１よりなる残渣を、ジメチルホルムア
ミド中の無水安息香酸と、無水炭酸ナトリウムの存在下
で２４時間室温で反応させ、ついで反応混合物を処理し
て、Ｎ−ベンゾイル−Ｌ−アラニル−［Ｎ２−（８−メ
チル−２−ピリジル）−ヒドラジド］を生成することに
より得られる；塩化メチレン／メタノール／濃ＮＨ４０
Ｈ（５：３：１）系でのＲｆ値＝　０．８０　。 支五■」ユ それぞれ有効物質２ｈｇを含有し次の組成を有する錠剤
を常法により製造した： 小麦の澱粉　８０ｍｇ ラクトース　５０ｍｇ コロイド状シリカ　５ｍｇ タルク　９ｍｇ ステアリン酸マグネシウム　ｌｌ１ｇ ４５ｍｇ 製−ｍ−」Ｌユ Ｎ−アセチル−１、−グルタミン酸５−　ｒＮ２−（５
−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド１のアンモ
ニウム塩を小麦澱粉の一部、ラクトース及びコロイド状
シリカと混合し、次いでこの混合物を篩にかけた。 小麦澱粉の更に別の一部を５倍量の水で水浴上において
ペーストに形成し、次いで粉状混合物をこのペーストと
練り合せてわずかに可塑性の物質を形成した。 この可塑性物質を約３冒−のメツシュ幅を有する篩にか
け、次いで乾燥し、得られた乾燥粒状物質を再び篩にか
けた。小麦澱粉の残り、タルク及びステアリン酸マグネ
シウムを次に混合し、この混合物を圧縮して、それぞれ
１４５■ｇの重醍及び破壊用切欠きを有する錠剤を形成
した。 支ｉ負土は それぞれ有効物質ｌ−ｇを含有し次の組成を有する錠剤
を常法により製造した： 組−一−」Ｌユ 和物 小麦ノｖ粉６０ＩＩ１ｇ ラクトース　５０ｍｇ コロイド状シリカ　５＋ｎｇ タルク　Ｌ＋ｎｇ ステアリン酸マグネシウム　１ｍｇ １２Ｂ＋＋＋、ｇ

【−一】ユ Ｌ−グルタミン酸５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−
ピリジル）−ヒドラジドＪヘミ水和物を小麦澱粉の一部
、ラクトース及びコロイド状シリカと混合し、次いでこ
の混合物を篩にかけた。小麦澱粉の更に別の一部を５倍
看の水で水浴上においてペーストに形成し、次いで粉状
混合物をこのペーストと練り合せてわずかに可塑性の物
質を形成した。 この可塑性物質を約３ｍｍのメツシュ幅を有する篩にか
け、次いで乾燥し、得られた乾燥粒状物質を再び篩にか
けた。小麦澱粉の残り、タルク及び７９ ステアリン酸マグネシウムを次に混合し、この混合物を
圧縮して、それぞれ１２６−ｇの乗場及び破壊用切欠き
を有する錠剤を形成した。 ＬＬｆＬＬ虹 それぞれ有効物質１０Ｂを含有し次の組成を有する錠剤
を常法により製造した： ヒドラジド酢酸塩 タルク　２ＱＯ＋ｉｇ コロイド状シリカ　５０Ｂ １−−】二 有効成分をタルク及びコロイド状シリカとよく混合し、
混合物を約０．５＋ｓｍのメツシュ幅を有する篩にかけ
、ｌｌｆｌｌｇずつを適切な大きさの硬質ゼラチンカプ
セルに充填した。 １１■士し 蒸留水５０００−文中のＮ−アセチル−し−グルタミン
酸５−［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒ
ドラジド】のアンモニウムｊ１５．Ｏｇの無菌溶液を５
ｒａｌア８０ ンプルに充填したが、このアンプルのそれぞれは溶液５
ｍ４中に有効成分５ｍｇを含有するものである。 実ｊＬ例」１ユ Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−３−スルフ
ァモイル−４−クロロ安息香酸ヒドラジドアセテート３
．８２ｇをｚ〜留水に溶解して容量を１８１００ｍＭと
した。滅菌溶液を５．（１ｍ文アンプルに充填したが、
アンプルのそれぞれは有効成分１ｍｇを含有するもので
ある。 実ｊ１例」１ユ 実施例１１ないし１５において有効成分として用いた化
合物の代りに、弐■の次の化合物又はそれらの薬学的に
許容しうる、毒性のない酸付加塩を、錠剤、糖衣錠、カ
プセル等における有効成分として用いることも可能であ
る。； Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ピコリン酸
ヒドラジド、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ２−（５−ｎ
−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド、　Ｎ２−（５
−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−Ｎ−酢酸ヒドラシト又
はＮ２−（５−ｎ−ブチル−２−ビリジル）−Ｎ−フザ
リン酸ヒドラジド、Ｎ−アセチル−し−グルタミン酸５
−　［Ｎ２−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒド
ラジド］−１−メチルエステル又は実施例１０において
述べた式Ｉの化合物もしくはそれらの塩、特にそれらの
薬学的に許容しうる、毒性のない酸付加塩。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一般式（１）： 〔式中Ｒは場合により置換された脂肪族又は芳香族炭化
   水素基を表し、此はアシル基を表し、ｎは１〜４の整数
   を表すが、ｎが２〜４の数を表す場合には、基Ｒは同−
   又は異なり、ピリジン環」ユの可能な任意の位置に結合
   していてよい〕の化合物をそのラセミ混合物、ラセミ化
   合物、光学的対字体又は塩、特に薬学的に許容しうる無
   毒性酸付加塩の形で含む医薬製剤。 （２）ｎが１〜４の整数を表し、Ｒが場合により置換さ
   れた低級アルキル基、低級アルケニル基若しくは低級ア
   ルキニル基、又は単環式或いは双環式の炭素同素環式若
   しくはヘテロ環式芳香族炭化水素基を表し、＾Ｃが式−
   〇（＝Ｏ）　Ｒ＋　（式中Ｒ１は場合により置換された
   脂肪族、脂環式、芳香族又は芳香脂肪族炭化水素基を表
   す）の基を表すか、又は胱が炭酸のモジエステル又はモ
   ノアミドの基を表す特許請求の範囲第１項記載の一般式
   （１）の化合物をそのラセミ混合物、ラセミ化合物、光
   学的対字体又は塩、特に薬学的に許容しうる無毒性酸付
   加塩の形で含む医薬製剤。 （３）ｎが１〜４の整数を表し、Ｒが低級アルキル基、
   場合によりエーテル化又はエステル化されたヒドロキシ
   −低級アルキル基、例えばヒドロキシ−低級アルキル基
   、低級アルコキシ−低級アルキル基又はハロー低級アル
   キル基、又は場合により置換された、例えば低級フルキ
   ル化若しくはアシル化されたアミノ−低級アルキル基、
   例えばアミノ低級アルキル基、Ｎ−低級アルキルアミノ
   ー低級アルキル基若しくはＮ、Ｎ−ジー低級アルキルア
   ミノ−低級アルキル基、低級アルヵノイルアミノー低級
   アルキル基又は（＋（級アルコキシカルボニルアミノー
   低級アルキル基、又は場合によりエステル化或いはアミ
   ド化されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基、工Ｉ〜
   キシカルボニル基若しくは場合により置換されたカルバ
   モイル基、例えばカルバモイル基で置換された低級アル
   キル基、例えばカルボキシ−低級アルキル基、低級アル
   コキシカルボニル−低級アルキル基、カルバモイル−低
   級アルキル基、オキソ−低級アルキル基並びにシアノ低
   級アルキル基、又は場合により置換されたアリール−低
   級アルキル基（了り−ル基は単環式芳香族炭化水素基、
   例えばフェニル基、又は双環式芳香族炭化水素基、例え
   ば１−若しくは２−ナフチル基又は部分的に飽和された
   ナフチル基、例えば１，２，３．４−テトラヒドロ−５
   −ナフチル基であり、置換基は低級アルキル基、ヒドロ
   キシ基及び／又はハロゲン、ヒドロキシ−低級アルキル
   基、低級アルコキシ−低級アルキル基、ハロー低級アル
   キル基、低級アルコキシ基、低級アルケニルオキシ基、
   又は場合により低級アルキル化若しくはアシル化された
   アミノ−低級アルキル基、例えばモノ−若しくばジー低
   級アルキルアミノ−低級アルキル基又は低級アルカノイ
   ルアミノ−低級アルキル基、場合によりエステル化され
   たカルボキシ基、例えばカルボキシ基又は低級アルコキ
   シカルボニル基、アミド化カルボキシ基、例えば場合に
   より置換されたカルバモイル基、例えばカルバモイル基
   、Ｎ−低級アルキルカルバモイル基又はＮ、Ｎ−ジー低
   級アルキルカルバモイル基、シアノ基、ニトロ基又は場
   合によりアシル化されたアミノ基、例えばアミン基、低
   級アルキルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ
   基、低級アルキルアミノ基又はジー低級アルキルアミノ
   基であり、このような置換基が１〜３個存在してよく、
   同−又は異なっていてよい）を表すか、又はＲ及び基＾
   Ｃに含まれる基Ｒ１がそれぞれアリール基、例えばフェ
   ニル基、１−又は２−ナフチル基又は部分的に飽和され
   たナフチル基、例えば１．２，３．４−テトラヒドロ−
   ５−ナフチル基、又は好ましくは５個若しくは６個の環
   成員を有し、環の炭素原子を介してピリジル基に結合し
   、環成員として酸素原子、硫黄原子又は窒素原子及び場
   合により１〜３個の付加的窒素原子を含む基（少なくと
   も一部分水素添加されていてよく、この場合にオキソ基
   で置換されていてよく、双環式へテロ環式基中の第二の
   環は縮合ベンゼン環であってよい）、及び特にピリジル
   基、例えば２−１３−若しくは４−ピリジル基、又はジ
   ヒドロオキソ−ピリジニル基、例えば１．６−シヒドロ
   ー６−オキソー２−ピリジニル基、ピリダジニル基、例
   えば３−ピリダジニル基、ピラジニル基、例えば２−ピ
   ラジニル基、ピリミジニル基、例えば２−１４−若しく
   は５−ピリミジニル基、又はジヒドロ−オキソ−ピリミ
   ジニル基、例えば３．４−ジヒドロ−４−オキソ−２−
   ピリミジニル基、フリル基、例えば２−若しくは３−フ
   リル基、ピリル基、例えば２−若しくは３−ピリル基、
   チェニル基、例えば２−若しくは３−チェニル基、オキ
   サシリル基、例えば２−又＆；ｔ　４−オキサシリル基
   、チアゾリル基、例えば２−１４−又は５−チアゾリル
   基、チアジアゾリル基、例えば１，２．４−チアジアゾ
   ール−３−若しくは５−イル基又は１，２゜５−チアジ
   アゾール−３−イル基、イミダゾリル基、例えばイミダ
   ゾール−２−若しくは−４−イル基、ピラゾリル基、例
   えば３−若しくは４−ピラゾリル基、トリアゾリル基、
   例えば１，２．３−トリアゾール−４−イル基又は１，
   ２．４−）リアゾール−３−イル基、テトラゾリル基、
   例えばテトラゾール−５−イル基及びインドリル基、例
   えばインドール−４−イル基、キノリニル基、例えば２
   −キノリニル基、イソキノリニル基、例えば１−イソキ
   ノリニル基、ベンズイミダゾリル基、例えば２−ベンズ
   イミダゾリル基、ベンゾフラニル基、例えば４−又は５
   −ベンゾフラニル基、ベンゾチェニル基、例えば４−又
   は５−ベンゾチェニル基又はナフチリジニル基、例えば
   １．８−ナフチリジン−２−イル基を表し、このような
   アリール基は特に環炭素原子ばかりでなく、環の二級窒
   素原子に存在してもよく、また、１個以上、好ましくは
   最高４個の、場合により置換された低級アルキル基、例
   えば低級アルキル基、場合によりエーテル化若しくはエ
   ステル化されたヒドロキシ−低級アルキル基、例えばヒ
   ドロキシ−低級アルキル基、低級アルコキシ−低級アル
   キル基又はハロー低級アルキル基、又は場合により置換
   、例えば低級アルキル化若しくはアシル化されたアミノ
   低級アルキル基、例えばアミノ−低級アルキル基、Ｎ−
   低級アルキルアミノー低級アルキル基、Ｎ、　Ｎ−ジー
   低級アルキルアミノ−低級アルキル基、低級アルカノイ
   ルアミノ−低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニ
   ルアミノ−低級アルキル基、又番、［低級アルケニル基
   又は低級アルキニル基、場合によりエーテル化若しくは
   エステル化されたヒドロキシ基或いはメルカプト基、例
   えばヒドロキシ基、低級アルコキシ基、フェニル−低級
   アルコキシ基、ハロゲン、メルカプト基、低級アルキル
   チオ基、フェニル−低級アルキルチオ基、又は場合によ
   りエーテル化若しくはエステル化されたヒドロキシ基或
   いはメルカプト基又はアシル基で置換された低級アルコ
   キシ基、例えば低級アルコキシ基、フェニル−低級アル
   コキシ基、ヒドロキシ−低級アルコキシ基、低級アルコ
   キシ−低級アルコキシ基、低級アルキルチオ−低級アル
   コキシ基、ハロー低級アルコキシ基又は低級アルカノイ
   ル−低級アルコキシ基、又は低級アルケニルオキシ基、
   低級アルキニルオキシ基、低級アルキルチオ基、アシル
   基、例えば低級アルカノイル基、場合によりエステル化
   されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基又は低級アル
   コキシカルボニル基、アミド化カルボキシ基、例えば場
   合により置換されたカルバモイル基、例えばカルバモイ
   ル基、Ｎ−低級アルキルカルバモイル基又はＮ、　Ｎ−
   ジー低級アルキルカルバモイル基、シアノ基、ニトロ基
   又は場合により置換、例えばアシル化されたアミノ基、
   例えば低級アルカノイルアミノ基、低級アルコキシカル
   ボニルアミノ基、低級アルキルスルホニル基、スルファ
   モイル基、場合により置換されたウレイド基及びアミン
   基、Ｎ−低級アルキルアミノ基又はＮ、Ｎ−ジー低級ア
   ルキルアミノ基から選択された置換基で置換されていて
   よく、基胱に含まれる基Ｒ１がイ！（級アルキル基、低
   級アルケニル基、低級アルキニル基、フェニル−低級ア
   ルキル基、フェニル−（１（級アルケニル基、フェニル
   −低級アルギニル）表、ｔＩ′ｉ環式若しくは多環式シ
   クロアルキル基、例えばシクロアルキル基を表し、各基
   は場合によりエーテル化若しくしよエステル化されたヒ
   ドロキシル、例えばヒドロキシ基、低級アルコキシ基及
   び／又はハロゲン、場合により置換、例えば低級アルキ
   ル化若しくはアシル化されたアミノ基、例えばアミノ基
   、Ｎ−低級アルキルアミノ基又はＮ、Ｎ−ジー低級アル
   キルアミノ基、低級アルカノイルアミノ基及び／又イ：
   １゛場合により官能基で変性されたカルボキシ基、例え
   ばカルボキシ基、エステル化カルボキシ基、例えば場合
   により置換された低級アルコキシカルボニル基、場合に
   より置換されたカルバモイル基又じ１シアノ基で置換さ
   れ、置換された基Ｒ１は置換に適当な任意の位置に同−
   又は異なる置換基を１個以−に、特に３個まで含んでい
   てよく、また、ＡｃＬ；ｌ更に低級アルコキシカルボニ
   ル基、非置換若しくは置換ヒドロキシル基、例えば遊離
   或いはエーテル化されたヒドロキシ基、例えば低級アル
   コキシ基、又は非置換若しくは置換アミノ基、例えばア
   ミノ基、低級アルキルアミノ基、及び特にジー置換アミ
   ノ基、例えばジー低級アルキルアミノ基、Ｎ−低級アル
   キル−Ｎ−フェニル−低級アルキルアミノ基又は場合に
   より酸素、硫黄或いは非置換若しくは置換、例えば低級
   アルキル基で置換された窒素で遮断された低級アルキレ
   ンアミノ基、又は非置換若しくは置換、例えば低級アル
   キル基、低級アルコキシ基及び／又はハロゲンで置換さ
   れたフェニル基を含む低級アルコキシカルボニル基、及
   びＮ−非置換若しくはＮ−モノ−又はＮ、　Ｎ−ジー置
   換カルバモイル基、例えば低級アルキルカルバモイル基
   、ジー低級アルキルカルバモイル基、又は場合により低
   級アルキレン部分が酸素、硫黄或いは非置換若しくは置
   換、例えば低級アルキル基で置換された窒素で遮断され
   たＮ、Ｎ−低級アルキレンカルバモイル基を表す特許請
   求の範囲第１項記載の一般式Ｈ）の化合物をそのラセミ
   混合物、ラセミ化合物、光学的対字体又は塩、特に薬学
   的に許容し・うる無毒性酸ｆζＪ加塩の形で含む医薬製
   剤。 （４）ｎが１又は２を表し、Ｒが低級アルキル基、例え
   ばメチル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば
   ２−メトキシエチル基、ハロー低級アルキル基、例えば
   １−リフルオロメチル基、又は低級アルカノイルアミノ
   −低級アルキル基、例えばアセチルアミノメチル基を表
   し、基Ａｃ中のＲ４がフェニル基又はピリジル基を表し
   、それぞれ場合により低級アルキル基、例えばメチル基
   、低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば２−メトキ
   シエチル基、ハロー低級アルキル基、例えばトリフルオ
   ロメチル基、低級アルカノイルアミノ−低級アルキル基
   、例えば２−アセチルアミノメチル基、ヒドロキシ基、
   低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、低級アルコキシ
   −低級アルコキシ基、例えば２−エトキシエトキシ基、
   ハロゲン、低級アルコキシカルボニル基、例えばエトキ
   シカルボニル基、カルバモイル基、シアノ基、アミノ基
   又は低級アルカノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ
   基、又はスルファモイル基で置換されているか、又はＲ
   ７が場合により低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、
   アミノ基、低級アルカノイルアミノ基、例えばアセチル
   アミノ基、カルボキシ基、場合により置換された低級ア
   ルコキシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基又
   は２−或いは好ましくは１−（低級アルキルカルボニル
   オキシ）−低級アルコキシカルボニル基又はカルバモイ
   ル基で置換された低級アルキル基、例えばエチル基若し
   くはｎ−プロピル基を表すか、又は胱は更に低級アルコ
   キシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基又は非
   置換カルバモイル基又は低級アルコキシ基、例えばメト
   キシ基若しくはアミノ基で置換されたカルバモイル基を
   表す特許請求の範囲第１項記載の一般式（Ｉ）の化合物
   をそのラセミ混合物、ラセミ化合物、光学的対掌体又は
   塩、特に薬学的に許容しうる無毒性酸付加塩の形で含む
   医薬製剤。 （５）ｎが１を表し、Ｒが低級アルキル基、例えばメチ
   ル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば２−メ
   トキシエチル基、又はハロー低級アルキル基、例えばト
   リフルオロメチル基を表し、基膜中のＲ１がフェニル基
   又はピリジル基を表し、それぞれ場合により低級アルキ
   ル基、例えばメチル基、低級アルコキシ−低級アルキル
   基、例えば２−メトキシエチル基、ハロー低級アルキル
   基、例えばトリフルオロメチル基、ヒドロキシ基、低級
   アルコキシ基、例えばメトキシ基、低級アルコキシ−低
   級アルコキシ基、例えば２−工ｌ・キシエトキシ基、ハ
   ロゲン、低級アルコキシカルボニル基、例えばエトキシ
   カルボニル基、カルバモイル基、シアノ基、アミノ基又
   はスルファモイル基で置換されているか、又はＲ１が場
   合により低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、アミノ
   基、低級アルカノイル了ミノ基、例えば了セチルアミノ
   基及びカルボキシ基又は場合により置換された低級アル
   コキシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基又は
   ２−或いは好ましくむ才１−（低級アルキルカルボニル
   オキシ）−低級アルコキシカルボニル基又はカルバモイ
   ル基で置換された低級アルキル基、例えばエチル基若し
   くはｎ−プロピル基を表すか、又は胱は更に低級アルコ
   キシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基又はカ
   ルバモイル基を表す特許請求の範囲第１項記載の一般式
   （１）の化合物をそのラセミ混合物、ラセミ化合物、光
   学的対字体又は塩、特に薬学的に許容しうる無毒性酸付
   加塩の形で含む医薬製剤。 （６）ｎカ月を表し、Ｒが低級アルキル基、例えばメチ
   ル基、又は低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば２
   −メトキシエチル基を表し、基膜中のＲ１が場合により
   低級アルキル基、例えばメチル基、ハロー低級アルキル
   基、例えばトリフルオロメチル基、ヒドロキシ基、低級
   アルコキシ基、例えばメトキシ基、ハロゲン、カルバモ
   イル基、シアノ基及び／又はスルファモイル基で置換さ
   れたフェニル基、又は場合によりアミノ基、低級アルカ
   ノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、及びカルボ
   キシ基又は場合により置換された低級アルコキシカルボ
   ニル基、例えば低級アルコキシカルボニル基、例えばエ
   トキシカルボニル基又は２−或い６才好ましくは１−（
   低級アルキルカルボニルオキシ）−低級アルコキシカル
   ボニル基で置換された低級アルキル基、例えばエチル基
   、ｎ−プロピル基若しくはｎ−ブチル基を表すか、又は
   ＡＣは更に低級アルコキシカルボニル基、例えばエトキ
   シカルボニル基を表す特許請求の範囲第１項記載の一般
   式（Ｈの化合物をそのラセミ混合物、ラセミ化合物、光
   学的対掌体又は塩、特に薬学的に許容しうる無毒性酸付
   加塩め形又は酸性基が存在する場合、薬学的に許容しう
   る無毒性塩基との塩の形で含む医薬製剤。 （７）一般式（Ｉ）： ／４＼ 〔式中Ｒは場合により置換された脂肪族又は芳香族炭化
   水素基を表し、Ａｃはアシル基を表し、ｎは１〜４の整
   数を表し、ｎが２〜４の数を表す場合には、基Ｒは同−
   又は異なり、ピリジン環−ヒの可能な任意の位置に結合
   していてよいが、ｎが１であり、胱がアセデル基を表す
   場合には、３−位に結合する低級アルキル基としてのＲ
   は２〜７個の炭素原子を有し、更にｎが１であり、Ａｃ
   がベンゾイル基を表す場合には、３−１４−１５−又は
   ６−位に結合する低級アルキル基としてのＲは２〜７個
   の炭素原子を有する〕で表される、ラセミ混合物、ラセ
   ミ化合物又は光学的対掌体の形の新規化合物。 （８）ｎが１〜４の整数を表し、Ｒが場合により置換さ
   れた低級アルキル基、低級アルケニル基若しくは低級ア
   ルキニル基、又は単環式或いは双環式の炭素同素環式若
   しくはヘテロ環式芳香族炭化水素基を表し、肚が式−ｃ
   　（−ｏ）　−Ｒ１（式中Ｒ１は場合により置換された
   脂肪族、脂環式、芳香族又は芳香）Ｉ）ｉ肪族炭化水素
   基を表す）の基を表すか、又は胱が更に炭酸のモジエス
   テル又はモノアミドの基を表してもよいが、ｎが１であ
   り、肚がアセチル基を表す場合には、３−位に結合する
   低級アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を有し
   、更にｎが１であり、Ａｃがベンゾイル基を表す場合に
   は、３−１４−１５−又は６−位に結合する低級アルキ
   ル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を有する特許請求
   の範囲第７項記載の一般式〇）で表される、ラセミ混合
   物、ラセミ化合物又は光学的対字体の形の新規化合物。 （９）ｎが１〜４の整数を表し、Ｒが低級アルキル基、
   場合によりエーテル化又はエステル化されたヒドロキシ
   −低級アルキル基、例えばヒドロキシ−低級アルキル基
   、低級アルコキシ−低級アルキル基又はハロー低級アル
   キル基、又は場合により置換された、例えば低級アルキ
   ル化若しくはアシル化されたアミノ−低級アルキル基、
   例えばアミノ低級アルキル基、Ｎ−低級アルキルアミノ
   ー低級アルキル基若しくはＮ、Ｎ−ジー低級アルキルア
   ミノ−低級アルキル基、低級アルカノイルアミノ−低級
   アルキル基又は低級アルコキシカルボニルアミノ−低級
   アルキル基、又は場合によりエステル化或いはアミド化
   されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基、エトキシカ
   ルボニル基若しくは場合により置換されたカルバモイル
   基、例えばカルバモイル基で置換された低級アルキル基
   、例えばカルボキシ−低級アルキル基、低級アルコキシ
   カルボニル−低級アルキル基、カルバモイル−低級アル
   キル基、オキソ−低級アルキル基並びにシアノ低級アル
   キル基、又は場合により置換されたアリール−低級アル
   キル基（式中アリール基は単環式芳香族炭化水素基、例
   えばフェニル基、又は双環式芳香族炭化水素基、例えば
   １−若しくは２−ナフチル基又は部分的に飽和されたナ
   フチル基、例えば１，２，３．４−テトラヒドロ−５−
   ナフチル基であり、置換基は低級アルキル基、ヒドロキ
   シ基及び／又はハロゲン、ヒドロキシ−低級アルキル基
   、低級アルコキシ−低級アルキル基、ハロー低級アルキ
   ル基、低級アルコキシ基、低級アルケニルオキシ基、又
   は場合により低級アルキル化若しくはアシル化されたア
   ミノ−低級アルキル基、例えばモノ−若しくはジー低級
   アルキルアミノ−低級アルキル基又は低級アルカノイル
   アミノー低級アルキル基、場合によりエステル化された
   カルボキシ基、例えばカルボキシ基又は低級アルコキシ
   カルボニル基、アミド化カルボキシ基、例えば場合によ
   り置換されたカルバモイル基、例エバカルバモイル基、
   Ｎ−低級アルキルカルバモイル基又はＮ、Ｎ−ジー低級
   アルキルカルバモイル基、シアノ基、ニトロ基又は場合
   によりアシル化されたアミノ基、例えばアミノ基、低級
   アルキルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基
   、低級アルキルアミノ基又はジー低級アルキルアミノ基
   であり、このような置換基が１〜３個存在してよく、同
   −又は異なっていてよい）を表すか、又はＲ及び乱読に
   含まれる基Ｒ１がそれぞれアリール基、例えばフェニル
   基、１−又は２−ナフチル基又は部分的に飽和されたリ
   ーフ千ル基、例えば１．２，３．４−テ１ラヒドロー５
   −ナフチル基、又は好ましくは５個若しくは６個の環成
   員を有し、環の炭素原子を介してピリジル基に結合し、
   環成員として酸素原子、硫黄原子又は窒素原子及び場合
   により１〜３個の付加的窒素原子を含む基（少なくとも
   一部分水素添加されていてよく、この場合にオキソ基で
   置換されていてよく、双環式へテロ環式基中の第二の環
   は縮合ベンゼン環であってよい）、及び特にピリジル基
   、例えば２−１３−若しくは４−ピリジル基、又はジヒ
   ドロオキソ−ピリジニル基、例えば１．６−シヒドロー
   ６−オキソー２−ピリジニル基、ピリダジニル基、例え
   ば３−ピリダジニル基、ピラジニル基、例えば２−ピラ
   ジニル基、ピリミジニル基、例えば２−１４−若しくは
   ５−ピリミジニル基、又はジヒドロ−オキソ−ピリミジ
   ニル基、例えば３．４−ジヒドロ−４−オキソ−２−ピ
   リミジニル基、フリル基、例えば２−若しくは３−フリ
   ル基、ピリル基、例えば２−若しくは３−ピリル基、チ
   ェニル基、例えば２−若しくは３−チェニル基、オキサ
   シリル基、例えば２−又は４−オキサシリル基、チアゾ
   リル基、例えば２−１４−又は５−チアゾリル基・チア
   ジアゾリル基、例えば１，２．４−チアジアゾール−３
   −若しくは５−イル基又は１，２゜５−チアジアゾール
   −３−イル基、イミダゾリル基、例えばイミダゾール−
   ２−若しくは−４−イル基、ピラゾリル基、例えば３−
   若しくは４−ピラゾリル基、トリアゾリル基、例えば１
   ，２．３−１−リアゾール−４−イル基、又は１，２．
   ４−トリアゾール−３−イル基、テトラゾリル基、例え
   ばテトラゾール−５−イル基、及びインドリル基、例え
   ばインドール−４−イル基、キノリニル基、例えば２−
   キノリニル基、イソキノリニル基、例えば１−イソキノ
   リニル基、ベンズイミダゾリル基、例えば２−ベンズイ
   ミダゾリル基、ベンゾフラニル基、例えば４−又は５−
   ベンゾフラニル基、ベンゾチェニル基、例えば４−又は
   ５−ベンゾチェニル基、又はナフチリジニル基、例えば
   ｌ。 ８−ナフチリジン−２−イル基を表し、このようなアリ
   ール基は特に環炭素原子ばかりでなく、環の二級窒素原
   子に存在してもよく、また、１個以上、好ましくは最高
   ４個の、場合により置換された低級アルキル基、例えば
   低級アルキル基、場合によりエーテル化若しくはエステ
   ル化されたヒドロキシ−低級アルキル基、例えばヒドロ
   キシ−低級アルキル基、低級アルコキシ−低級アルキル
   基又はハロー低級アルキル基、又は場合により置換、例
   えば低級アルキル化若しくはアシル化されたアミノ低級
   アルキル基、例えばアミノ−低級アルキル基、Ｎ−低級
   アルキルアミノー低級アルキル基、Ｎ、　Ｎ−ジー低級
   アルキルアミノ−低級アルキル基、低級アルカノイルア
   ミノ−低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニルア
   ミノ−低級アルキル基、又は低級アルケニル基又は低級
   アルキニル基、場合によりエーテル化若しくはエステル
   化されたヒドロキシ基或いはメルカプト基、例えばヒド
   ロキシ基、低級アルコキシ基、フェニル−低級アルコキ
   シ基、ハロゲン、メルカプト基、低級アルキルチオ基、
   フェニル−低級アルキルチオ基、又は場合によりエーテ
   ル化若しくはエステル化されたヒドロキシ基或いはメル
   カプト基又はアシル基で置換された低級アルコキシ基、
   例えば低級アルコキシ基、フェニル−低級アルコキシ基
   、ヒドロキシ−低級アルコキシ基、低級アルコキシ−低
   級アルコキシ基、低級アルキルチオ低級アルコキシ基、
   ハロー低級アルコキシ基又は低級アルカノイル−低級ア
   ルコキシ基、又は低級アルケニルオキシ基、低級アルキ
   ニルオキシ基、４＋（級アルキルチオ基、７シル基、例
   えば低級アルカノイル基、場合によりエステル化された
   カルボキシ基、例えばカルボキシ基又は低級アルコキシ
   カルボニル基、アミド化カルボキシ基、例えば場合によ
   り置換されたカルバモイル基、例えばカルバモイル基、
   Ｎ−低級アルキルカルバモイル基又はＮ、Ｎ−ジー低級
   アルキルカルバモイル基、シアノ基、二１・口塞又は場
   合により評喚、例えばアシル化されたアミノ基、例えば
   イ！（級アルカノイルアミノ基、低級アルコキシカルボ
   ニルアミノ基、低級アルキルスルホニル基、スルファモ
   イル基、場合により置換されたウレイド基及びアミノ基
   、Ｎ−低級アルキルアミノ基又はＮ、Ｎ−ジー低級アル
   キルアミノ基から選択されたＷ換基で置換されていてよ
   く、乱読に含まれる基Ｒ１が低級アルキル基、低級アル
   ケニルＬ（ｉｌｌアルキニル基、フェニル−（！（級ア
   ルキル基、フェニル−低級アルケニル基、フェニル−低
   級アルキニル基、単環式若しくは多環式シクロアルキル
   基、例えばシクロアルキル基を表し、各基は場合により
   エーテル化若しくはエステル化されたヒドロキシ基、例
   えばヒドロキシ基、低級アルコキシ基及び／又はハロゲ
   ン、場合により置換、例えば低級アルキル化若しくはア
   シル化されたアミノ基、例えばアミノ基、Ｎ−低級アル
   キルアミノ基又はＮ、Ｎ−ジー低級アルキルアミノ基、
   低級アルカノイルアミノ基及び／又は場合により官能基
   で変性されたカルボキシ基、例えばカルボキシ基、エス
   テル化カルボキシ基、例えば場合により置換された低級
   アルコキシカルボニル基、場合により置換されたカルバ
   モイル基又はシアノ基で置換され、置換された基Ｒ１は
   置換に適当な任意の位置に同−又は異なる置換基を１個
   以上、特に３個まで含んでいてよく、また、＾Ｃは更に
   低級アルコキシカルボニル基、非置換若しくは置換ヒド
   ロキシ基、例えば遊離或いはエーテル化されたヒドロキ
   シ基、例えば低級アルコキシ基、又は非置換若しくは置
   換アミノ基、例えばアミノ基、低級アルキルアミノ基、
   及び特にジー置換アミノ基、例えばジー低級アルキルア
   ミノ基、Ｎ−低級アルキル−Ｎ−フェニル−低級アルキ
   ルアミノ基又は場合により酸素、硫黄或いは非置換若し
   くは置換、例えば低級アルキル基で置換された窒素で遮
   断された低級アルキｌノンアミノ基、又は非置換若しく
   は置換、例えば低級アルキル基、低級アルコキシ基及び
   ／又はハロゲンで置換されたフェニル基を含む低級アル
   コキシカルボニル基、及びＮ−非置換若しくはＮ−モノ
   −又はＮ、Ｎ−ジー置換カルバモイル基、例えば低級ア
   ルキルカルバモイル基、ジー低級アルキルカルバモイル
   基、又は場合により低級アルキレン部分が酸素、硫黄或
   いは非置換若しくは置換、例えば低級アルキル基で置換
   された窒素で遮断されたＮ、Ｎ−低級アルキレンカルバ
   モイル基を表してもよいが、ｎが１であり、胱がアセチ
   ル基を表す場合には、３−位に結合した低級アルキル基
   としてのＲは２〜７個の炭素原子を表し、例えばエチル
   基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基を表し、更にｎが
   １を表し、＾Ｃがベンゾイル基を表す場合には、３−１
   ４−１５−又は６−位に結合した低級アルキル基として
   のＲは２〜７個の炭素原子を表し、例えば前記のエチル
   基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基を表す特許請求の
   範囲第７項記載の一般式（１）の、ラセミ混合物、ラセ
   ミ化合物又は光学的対掌体の形の新規化合物。 （１０）ｎが１又は２を表し、Ｒが低級アルキル基、例
   えばメチル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例え
   ば２−メトキシエチル基、ハロー低級アルキル基、例え
   ばトリフルオロメチル基、又は低級アルカノイルアミノ
   −低級アルキル基、例えばアセチルアミノメチル基を表
   し、基Ａｃ中のＲ１、がフェニル基又はピリジル基を表
   し、それぞれ場合により低級アルキル基、例えばメチル
   基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば２−メト
   キシエチル基、ハロー低級アルキル基、例えばトリフル
   オロメチル基、低級アルカノイルアミノ−低級アルキル
   基、例えば２−アセチルアミノエチル基、ヒドロキシ基
   、低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、低級アルコキ
   シ−低級アルコキシ基、例えば２−工トキシエトキシ アルコキシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基
   、カルバモイル基、シアノ基、アミノ基又は低級アルカ
   ノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、又はスルフ
   ァモイル基で置換されているか、又はＲ１が場合により
   低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、アミノ基、低級
   アルカノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、カル
   ボキシ基、場合により置換された低級アルコキシカルボ
   ニル基、例えば工１ーキシカルボニル基又は２−或いは
   １−（低級アルキルカルボニルオキシ）−低級アルコキ
   シカルボニル基又はカルバモイル基で置換された低級ア
   ルキル基、例えばエチル基若しくはｎ−プロピル基を表
   すか、又は胱は更に低級アルコキシカルボニル基、例え
   ばエトキシカルボニル基又は非置換カルバモイル基又は
   低級アルコキシ基、例えばメトキシ基若しくはアミノ基
   で置換されたカルバモイル基を表してもよいが、ｎが１
   であり、Ａｃがアセデル基を表す場合には、３−位に結
   合した低級アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原子
   を表し、例えばエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチ
   ル基を表し、更にｎが１を表し、胱がベンゾイル基を表
   す場合には、３−、４−、５−又は６−位に結合した低
   級アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素原子を表し、
   例えば前記のエチル基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル
   基を表ず特許請求の範囲第７項記載の一般式（１）の、
   ラセミ混合物、ラセミ化合物又は光学的対字体の形の新
   規化合物。 （Ｉ　Ｉ）ｎが１を表し、Ｒが低級アルキル基、例えば
   メチル基、低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば２
   −メトキシエチル基、又はハロー低級アルキル基、例え
   ばトリフルオロメチル基を表し、基膜中のＲ１がフェニ
   ル基又はピリジル基を表し、それぞれ場合により低級ア
   ルキル基、例えばメチル基、低級アルコキシ−低級アル
   キル基、例えば２−メトキシエチル基、ハロー低級アル
   キル基、例えばトリフルオロメチル基、ヒドロキシ基、
   低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、低級アルコキシ
   −低級アルコキシ基、例えば２−エトキシエトキシ基、
   ハロゲン、低級アルコキシカルボニル基、例えばエトキ
   シカルボニル基、カルバモイル基、シアノ基、アミノ基
   又はスルファモイル基で置換されているか、又はＲ，が
   場合により低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、アミ
   ノ基、低級アルカノイルアミノ基、例えばアセチルアミ
   ノ基及びカルボキシ基又は場合により置換された低級ア
   ルコキシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基又
   は２−或いは好ましくば１−（低級アルキルカルボニル
   オキシ）−低級アルコキシカルボニル基又はカルバモイ
   ル基で置換された低級アルキル基、例えばエチル基若し
   くはｎ−プロピル基を表すか、又６才ＡＣは更に低級ア
   ルコキシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基又
   はカルバモイル基を表してもよいが、胱がアセチル基を
   表す場合には、３−位に結合した低級アルキル基として
   のＲは２〜７個の炭素原子を表し、例えばエチル基、ｎ
   −プロピル基又はｎ−ブチル基を表し、更にＡｃがベン
   ゾイル基を表す場合には、３−、４−、５−又は６−位
   に結合した低級アルキル基としてのＲは２〜７個の炭素
   原子を表し、例えば前記のエチル基、ｎ−プロピル基又
   はｎ−ブチル基を表す特許請求の範囲第７項記載の一般
   式（Ｉ）の、ラセミ混合物、ラセミ化合物又は光学的対
   掌体の形の新規化合物。 （１２）ｎが１を表し、Ｒが低級アルキル基、例えばメ
   チル基、又は低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば
   ２−メトキシエチル基を表し、基Ａｃ中のＲ１が場合に
   より低級アルキル基、例えばメチル基、ハロー低級アル
   キル基、例えばトリフルオロメチル基、ヒドロキシ基、
   低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、ハロゲン、カル
   バモイル基、シアノ基及び／又はスルファモイル基で置
   換されたフェニル基、又は場合によりアミノ基、低級ア
   ルカノイルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、及びカ
   ルボキシ基又は場合により置換された低級アルコキシカ
   ルボニル基、例えば低級アルコキシカルボニル基、例え
   ばエトキシカルボニル基又は２−或いは好ましくは１−
   （低級アルキルカルポニルオキシ）−低級アルコギシカ
   ルボニル基で置換された低級アルキル基、例えばエチル
   基、ｎ−プロピル基若しくはｎ−ブチル基を表すか、又
   は胱は更に低級アルコキシカルボニル基、例えばエトキ
   シカルボニル基を表してもよいが、胱がアセデル基を表
   す場合には、３−位に結合した低級アルキル基としての
   Ｒは２〜７（１１ｉ１の炭素原子を表し、例えばエチル
   基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基を表し、更に、胱
   がベンゾイル基を表す場合には、３−１４−１５−又は
   ６−位に結合した低級アルキル基としてのＲは２〜７　
   （ＩＦ、ｌの炭素原子を表し、例えば前記のエチル基、
   ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基を表ず特許請求の範囲
   第７項記載の一般式口→の、ラセミ混合物、ラセミ化合
   物又は光学的対掌体の形の新規化合物。 （１３）ｎが１を表し、Ｒが低級アルキル基、例えばｎ
   −ブチル基、又は低級アルコキシ−低級アルキル基、例
   えば３−メトキシ−〇−プロピル基を表し、特許請求の
   範囲第８項記載のへＣ中のＲ１が、好ましくはω−位が
   アミノ基又は特に低級アルカノイルアミノ基、例えばア
   セチルアミノ基及びカルボキシ基、低級アルコキシカル
   ボニル基、例えばエトキシカルボニル基、２−又は好ま
   しくは１−（低級アルキルカルボニルオキシ）−低級ア
   ルコキシカルボニル基、例えばピバロイルカルボニルオ
   キシメトキシカルボニル基又はカルバモイル基で置換さ
   れた低級アルキル基、例えばエチル基若しくはｎ−プロ
   ピル基を表す特許請求の範囲第７項記載の一般式（１）
   の、ラセミ混合物、ラセミ化合物又は光学的対掌体の形
   の新規化合物又はその塩。 （１４，）ｎが１を表し、Ｒが５−位に結合した低級ア
   ルキル基、例えばｎ−ブチル基、又は低級アルコキシ−
   低級アルキル基、例えば３−メトキシ−ｎ−プロピル基
   を表し、特許請求の範囲第８項記載の膜中のＲ１が、ω
   −位がアミノ基又は特に低級アルカノイルアミノ基、例
   えばアセチルアミノ基及びカルボキシ基、低級アルコキ
   シカルボニル基、例えばエトキシカルボニル基又は１−
   （低級アルキルカルボニルオキシ）−低級アルコキシカ
   ルボニル基、例えばピバロイルカルボニルオキシメトキ
   シカルボニル基で置換されたｎ−プロピル基を表す特許
   請求の範囲第７項記載の一般式（１）の新規化合物、基
   Ｒ７が前記定義を有する光学活性形、特にＩ２−形の化
   合物、又はその塩。 （１５）Ｌ−グルタミン酸５−　（Ｎ２−　（５−ｎ−
   ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド〕ヘミ水和物であ
   る特許請求の１ＩＩｉＩ囲第７項記載の化合物。 （１６）Ｎ−アセチル−■７−グルタミン酸５−（Ｎ２
   −（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド〕で
   ある特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （１７）Ｎ２　（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−３
   −スルファモイル−４−クロロ安息香酸ヒドラジドであ
   る特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （１Ｂ）Ｎ−アセチル−■、−グルタミン酸５−（Ｎ’
   −（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ヒドラジド〕　
   １−メチルエステルである特許請求の範囲第７項記載の
   化合物。 （１９）Ｎ２　（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−ピ
   コリン酸ヒドラジドである特許請求の範囲第７項記載の
   化合物。 （２０）Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ”−（５−ｎ−ブ
   チル−２−ピリジル）−ヒドラジンである特許請求の範
   囲第７項記載の化合物。 （２１）Ｎ２　（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）−Ｎ
   −酢酸ヒドラシトである特許請求の範囲第７項記載の化
   合物。 ’（２２）Ｎ’　−（５−ｎ−ブチル−２−ピリジル）
   −Ｎ−フサリン酸ヒドラジドである特許請求の範囲第７
   項記載の化合物。 （２３）実施例１０に挙げた一般式（１）の化合物であ
   る特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （２、特許請求の範囲第７項〜第２３項記載の化合物の
   塩。 （２、特許請求の範囲第７項〜第２３項記載の化合物の
   薬学的に許容しうる無毒性酸付加塩。 （２６）酸性基を有する特許請求の範囲第７項〜第１６
   項記載の化合物と薬学的に許容しうる無毒性塩基との塩
   。 （２、特許請求の範囲第７項〜第２３項及び第２５項及
   び第２６項記載の新規化合物を含む医薬製剤。 （２８）ヒト又は動物の身体の治療方法に使用する特許
   請求の範囲第１項〜第２３項及び第２５項及び第２６項
   記載の対象物。 （２９）特に腎臓及び冠状血管の領域に、薬理活性を有
   する医薬製剤又は新規化合物としての特許請求の範囲第
   １項〜第２３項及び第２５項及び第２６項記載の対象物
   。 （３０）降圧剤としての特許請求の範囲第１項〜第２３
   項及び第２５項及び第２６項記載の対象物。 （３１）抗白血病活性を有する物質としての、八〇がピ
   リジルカルボニル基を表す一般式（１）の化合物。 （３２）医薬製剤の製造のための特許請求の範囲第７項
   〜第２３項及び第２５Ｉｎ及び第２６項記載の化合物の
   用途。 （３３）特許請求の範囲第１項〜第２３項及び第２５項
   及び第２６項記載の化合物を、場合により助剤を添加し
   て加工して医薬製剤を形成することを特徴とする医薬製
   剤の製造方法。 （３４）一般式（Ｉ）： ／＼ ＸＮ／ 〔式中Ｒは場合により置換された脂肪族又は芳香族炭化
   水素基を表し、肚はアシル基を表し、ｎは１〜４の整数
   を表し、ｎが２〜４の数を表す場合には、基Ｒは同−又
   は異なり、ピリジン環中の可能な任意の位置に結合して
   いてよい〕の化合物を製造するため、 ａ）一般式（■）： ／＼ ’、、／ の化合物を一般式（■）： ＨＯＯＣ−Ｒ＋　（ｎＴ） の化合物又はこのようなカルボン酸の反応性誘導体又は
   炭酸のモジエステル又はモノアミドの反応性誘導体と反
   応させるか、又番Ｊ ｂ）一般式（■）： ／＼ 〔式中Ｘ１及びＸｌはそれぞれ水素又は水素で置換され
   うる置換基を表すか、又はＸｌ及びＸｌは一緒に２個の
   水素原子で置換されうる２価の基を表し、及び／又は基
   Ｒ及び膜中に存在する官能基は場合により保護された形
   で存在するが、基Ｘ１及びＸｌの少なくとも一方は水素
   以外のものを表すか、又は少なくともＸ、とＸｌが一緒
   に２個の水素原子で置換されうる２価の基を表すか、又
   は少なくとも基Ｒ及び／又は膜中に存在する官能基は保
   護された形で存在する〕の化合物又はその塩中の、水素
   以外のものを表す基ＸＩ、Ｘｌ又は−緒になったＸｌ及
   びＸｌを水素原子で置換し、及び／又は基Ｒ及び／又は
   ＾Ｃ中の１個以上の官能基に結合した保護基を除去し、
   水素で置換するが、又は Ｃ）一般式（Ｈａ）： ／＼ ｃ式中Ｘは適当な離脱性基を表す〕の化合物を一般式（
   ■）： Ｈ２Ｎ　ＮＨＡｃ　（■） の化合物と反応させるが、又は ｄ）ｎが１を表し、Ｒが単環式又は双環式へテロアリー
   ル基を表す一般式（Ｉ）の化合物を製造するため、一般
   式（■）： ／＼ ’、、／ 〔式中ヒドロ４−シ基及び／又はアミノ基は保護基で保
   護され、Ｒ２が単Ｔｉ式又は双環式ヘテロアリール基Ｒ
   を形成しうる置換基を表す〕の化合物に単環式又は双環
   式ヘテロアリール基Ｒを形成させ、同時に又はその後保
   護基を除去し、水素で置換し、必要に応じて、生成した
   一般式（Ｔ）の化合物を一般式Ｈ）の異なる化合物に変
   え、及び／又は必要に応じて、生成したラセミ混合物を
   ラセミ化合物に分子ｉｌｌ目°るか又は生成したうセミ
   化合物を光学的対掌体に分離し、及び／又し１必要に応
   じて、生成した一般式口→の遊離化合物を塩に変えるか
   、又は生成した塩を遊離化合物又は異なる塩に変えるこ
   とを特徴とするアシル化ヒドラジン化合物の製造方法。 （３５）特許請求の範囲第３４項記載の方法によって得
   られる化合物。 （３６）一般式（■）： ／ゝ・、 ＼、／ 〔式中Ｒ及びｎば一般式（１）に与えた定義を有し、特
   にｎは１を表し、Ｒは３−又は６−位又は特に５−位に
   存在し、低級アルコキシ−低級アルキル基、例えば２−
   メトキシエチル基、又はフェニル−低級アルキル基、例
   えばベンジル基を表すか、又はｎが１である場合にはＲ
   は炭素原子数２〜７個の低級アルキル基、例えばエチル
   基、ｎ−プロピル基又はｎ−ブチル基を表すが、４−位
   の低級アルキル基としてのＲは、ｎが１である場合に、
   ３〜７個の炭素原子を有し、例えばｎ−プロピル基又は
   ｎ−ブチル基を表す〕の新規出発原料又はその塩、特に
   薬学的に許容しうる無毒性酸付加塩。 （以下余白）