JPS6055337A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- JPS6055337A JPS6055337A JP58163455A JP16345583A JPS6055337A JP S6055337 A JPS6055337 A JP S6055337A JP 58163455 A JP58163455 A JP 58163455A JP 16345583 A JP16345583 A JP 16345583A JP S6055337 A JPS6055337 A JP S6055337A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１μｍ以下の微細パターンの複写に威力を発揮
するＸ線リソグラフィの分野におけるＸ線露光方法に関
する。
するＸ線リソグラフィの分野におけるＸ線露光方法に関
する。
軟Ｘ線を用いたＸ線リングラフィが高解像度パターンの
複写技術として有望であることが、エレクトロニクス・
レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第８巻第４号第１０２〜１０４頁（１９７２年）に発表
されて以来、Ｘ線リングラフィに関する研究、開発が精
力的に進められ、近年実用段階にかなり近付いている。
複写技術として有望であることが、エレクトロニクス・
レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第８巻第４号第１０２〜１０４頁（１９７２年）に発表
されて以来、Ｘ線リングラフィに関する研究、開発が精
力的に進められ、近年実用段階にかなり近付いている。
本発明者は、長年Ｘ線リングラフィの研究、開発の過程
で一つの重要な［ら４題点に気がｆ＝３いた。それは、
Ｘ線マスク、特にマスク上のＸ線吸収体であるんパター
ンから放出される光電子・オージェ電子の効果に関する
。もつとも、光電子・オージェ電子放出に関する指摘は
１９７５年に発行された刊行物ジャーナル・オプ・バキ
ュウム・サイエンス・アンド−テクノロジー（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉ−ｅｎｃｅ ａｎ
ｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）第ν巻第６号第１３２９
〜１３３１頁になされている。しかし、この論文では、
Ｂｈｆｉ−ゲット（ＬＩＣ１線の波長は４．６＾）、Ｐ
ｄターゲット（−線の波長は４．３７大）等を使用する
場合において、よシ多く放射される高エネルギー成分で
ある連続Ｘ線による効果の観点において前記光電子・オ
ージェ電子の効果が指摘されている。
で一つの重要な［ら４題点に気がｆ＝３いた。それは、
Ｘ線マスク、特にマスク上のＸ線吸収体であるんパター
ンから放出される光電子・オージェ電子の効果に関する
。もつとも、光電子・オージェ電子放出に関する指摘は
１９７５年に発行された刊行物ジャーナル・オプ・バキ
ュウム・サイエンス・アンド−テクノロジー（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉ−ｅｎｃｅ ａｎ
ｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）第ν巻第６号第１３２９
〜１３３１頁になされている。しかし、この論文では、
Ｂｈｆｉ−ゲット（ＬＩＣ１線の波長は４．６＾）、Ｐ
ｄターゲット（−線の波長は４．３７大）等を使用する
場合において、よシ多く放射される高エネルギー成分で
ある連続Ｘ線による効果の観点において前記光電子・オ
ージェ電子の効果が指摘されている。
本発明者は、Ｍターゲット（動線の波長は８．３４人）
、Ｓｉターゲット（動線の波長は７．１３人） 、 Ｍ
。
、Ｓｉターゲット（動線の波長は７．１３人） 、 Ｍ
。
ターゲット（臣線の波長は５．４１大）、及びＰｄター
ゲット等を用いて、巾広くより詳細にＸ線マスクから放
出される光電子・オージェ電子の効果を研究する過程に
おいて、新たな問題点と思われる実験事実を見出した。
ゲット等を用いて、巾広くより詳細にＸ線マスクから放
出される光電子・オージェ電子の効果を研究する過程に
おいて、新たな問題点と思われる実験事実を見出した。
第１図に、問題点の内容を説明するためのネガ形レジス
トの感度特性が示されている。第１図では、Ｘ線マスク
を用いた転写にオイて、Ｘ線吸収体であるんパターンの
直下のレジストへのＸ線ドース量はＤｉ （残膜率０）
に、またＡｎハターンがない部分の直下のレジストへの
Ｘ線ドース量はＤｌ （残膜率１００チ）になるよりに
露光条件を設定した場合を考えている。ネガ形レジスト
の残膜率を出来るだけ上げることは、現像の際における
膨潤を抑える効果があシ、結果として高解像性につなが
る。本発明者は、この観点から微細パターンの形成を試
みた。Ｓｉターゲットを用い、使用されたＸ線マスクの
Ｍパターンのに４に対するマスクコントラストは第１図
のＤｌ対り、を得るのに十分な場合における転写実験を
行っているうちに、計算から得られる前記コントラスト
比が実際の転写においてはほとんど実現されないことを
発見した・すなわち、第１図で設定した露光条件に従が
い、ＡＩパターンがない部分の直下に位置するレジスト
へのＸ線ドース量をり、に設定すると、んパターンの真
下では計算上Ｘ線ドース量Ｊ’ｊ： ＤＩであるべきで
ある。ところが残膜から逆算すると、んパターンの真下
のレジストへのＸ線ドース量はＤｌよりはるかに多いＤ
３となり、このＸ線ドース量Ｄ３がレジストに与えられ
ていたのである。このことはＸ線吸収体パターンである
んバター／から光電子・オージェ電子が放出され、余剰
露光が勤パターン直下のレジストに与えられることに基
因している。
トの感度特性が示されている。第１図では、Ｘ線マスク
を用いた転写にオイて、Ｘ線吸収体であるんパターンの
直下のレジストへのＸ線ドース量はＤｉ （残膜率０）
に、またＡｎハターンがない部分の直下のレジストへの
Ｘ線ドース量はＤｌ （残膜率１００チ）になるよりに
露光条件を設定した場合を考えている。ネガ形レジスト
の残膜率を出来るだけ上げることは、現像の際における
膨潤を抑える効果があシ、結果として高解像性につなが
る。本発明者は、この観点から微細パターンの形成を試
みた。Ｓｉターゲットを用い、使用されたＸ線マスクの
Ｍパターンのに４に対するマスクコントラストは第１図
のＤｌ対り、を得るのに十分な場合における転写実験を
行っているうちに、計算から得られる前記コントラスト
比が実際の転写においてはほとんど実現されないことを
発見した・すなわち、第１図で設定した露光条件に従が
い、ＡＩパターンがない部分の直下に位置するレジスト
へのＸ線ドース量をり、に設定すると、んパターンの真
下では計算上Ｘ線ドース量Ｊ’ｊ： ＤＩであるべきで
ある。ところが残膜から逆算すると、んパターンの真下
のレジストへのＸ線ドース量はＤｌよりはるかに多いＤ
３となり、このＸ線ドース量Ｄ３がレジストに与えられ
ていたのである。このことはＸ線吸収体パターンである
んバター／から光電子・オージェ電子が放出され、余剰
露光が勤パターン直下のレジストに与えられることに基
因している。
本発明者は、真空中（＜４Ｘ１０−Ｔｏｒｒ ）で転写
実験を行ったが、ある種のネガ形レジストについては、
上記効果のため、１００％の残膜にするような露光が実
現できず（計算上は可能）、〜５０％の残膜が限度であ
るという結果を得た。真空中では、細パターンから放出
される光電子・オージェ電子の飛程が大きく、レジスト
への影響がより顕著であると考えられる。
実験を行ったが、ある種のネガ形レジストについては、
上記効果のため、１００％の残膜にするような露光が実
現できず（計算上は可能）、〜５０％の残膜が限度であ
るという結果を得た。真空中では、細パターンから放出
される光電子・オージェ電子の飛程が大きく、レジスト
への影響がより顕著であると考えられる。
Ａｕハターンから発生する光電子・オージェ電子（二次
電子）の量を正確に評価することは難しいが、本発明者
は実験結果から８２図に示すようなＰｄ線源を用いた場
合における、ネガレジストＰＧＭＡの残膜厚特性図を得
た。全てのデータ点におけるＰｄＬａ線のＰＧＭＡに対
するドース量は１３０ｍＪ／ｃｒｌに設定した。Ｘ線マ
スクがない場合（目印で示すデータ）、すなわち、Ｘ線
が直接ＰＧＭＡに照射される場合、Ｐ ＧＭＡの残存膜
厚は露光雰囲気の圧力増加に伴って次第に減少する。一
方、全面に薄い油膜（１７ｎｍ厚）を有するＸ線マスク
を通してＰ鑞しジストにＸ線が照射された場合（Ｈ印で
示すデータ）、ＰＧＭＡの残存膜厚は圧力によらずほぼ
一定の値を示し、しかも極めて高い残＆′、Ｘ率（９０
チ以上）を有する。これは、前述のように、油表面から
多量の光電子・オージェが放出され、η４Ａレジストへ
の余剰露光が生じるためと考えられる。
電子）の量を正確に評価することは難しいが、本発明者
は実験結果から８２図に示すようなＰｄ線源を用いた場
合における、ネガレジストＰＧＭＡの残膜厚特性図を得
た。全てのデータ点におけるＰｄＬａ線のＰＧＭＡに対
するドース量は１３０ｍＪ／ｃｒｌに設定した。Ｘ線マ
スクがない場合（目印で示すデータ）、すなわち、Ｘ線
が直接ＰＧＭＡに照射される場合、Ｐ ＧＭＡの残存膜
厚は露光雰囲気の圧力増加に伴って次第に減少する。一
方、全面に薄い油膜（１７ｎｍ厚）を有するＸ線マスク
を通してＰ鑞しジストにＸ線が照射された場合（Ｈ印で
示すデータ）、ＰＧＭＡの残存膜厚は圧力によらずほぼ
一定の値を示し、しかも極めて高い残＆′、Ｘ率（９０
チ以上）を有する。これは、前述のように、油表面から
多量の光電子・オージェが放出され、η４Ａレジストへ
の余剰露光が生じるためと考えられる。
以上述べたような勤パターンから放出される光電子・オ
ージェ電子によるレジストへの余剰露光は、微細パター
ンの正確な複写を実現するという観点においては、重大
な問題点である。すなわち、実際のＸ線露光転写におい
て、高残腹を得るよりなＸ線ドースを設定できないこと
、及び残存膜膜厚の大巾な増加等は、微細レジストパタ
ーン（ｌｔ′ｉにサブミクロ幅パターン）の形成におい
て大キナ障害である。
ージェ電子によるレジストへの余剰露光は、微細パター
ンの正確な複写を実現するという観点においては、重大
な問題点である。すなわち、実際のＸ線露光転写におい
て、高残腹を得るよりなＸ線ドースを設定できないこと
、及び残存膜膜厚の大巾な増加等は、微細レジストパタ
ーン（ｌｔ′ｉにサブミクロ幅パターン）の形成におい
て大キナ障害である。
本発明の目的は、従来の問題点を解消するもので、Ｘ線
マスクから発生する光電子・オージェ電子による悪影響
を回避し、Ｘ線リングラフィにおける微細パターン複写
をよりｎ１度よく行うことのできるＸ線露光方法を提供
することにある。
マスクから発生する光電子・オージェ電子による悪影響
を回避し、Ｘ線リングラフィにおける微細パターン複写
をよりｎ１度よく行うことのできるＸ線露光方法を提供
することにある。
すなわち、本発明はＸ線吸収体パターンを備えたＸ線マ
スクに透過させて、被加工物に塗布したレジストにＸ線
源よシのＸ線束を照射させ、Ｘ線マスクのパターンをレ
ジストに転写するＸ線露光方法において、低感度のネガ
形レジスト層を下層に、高感度のポジ形レジスト層を上
層として被加工物にレジスト層を上下二段に塗布し、か
つ上部ポジ形レジスト層の膜厚を、前記Ｘ線吸収体パタ
ーンよシ放出される二次電子の該レジスト層内での飛程
より少し厚くして、該上部ポジ形レジスト層を二次電子
に対するバッファ層として用い、下部ネガ形レジスト層
の膜厚を基準とした適正な露光量でＸ線を照射し、上部
レジスト層を透過して下部ネガ形レジスト層にＸ線マス
クのパターンを形成するとともに、二次電子を上部レジ
スト層に吸収させることを特徴とするＸａ露光方法であ
る。
スクに透過させて、被加工物に塗布したレジストにＸ線
源よシのＸ線束を照射させ、Ｘ線マスクのパターンをレ
ジストに転写するＸ線露光方法において、低感度のネガ
形レジスト層を下層に、高感度のポジ形レジスト層を上
層として被加工物にレジスト層を上下二段に塗布し、か
つ上部ポジ形レジスト層の膜厚を、前記Ｘ線吸収体パタ
ーンよシ放出される二次電子の該レジスト層内での飛程
より少し厚くして、該上部ポジ形レジスト層を二次電子
に対するバッファ層として用い、下部ネガ形レジスト層
の膜厚を基準とした適正な露光量でＸ線を照射し、上部
レジスト層を透過して下部ネガ形レジスト層にＸ線マス
クのパターンを形成するとともに、二次電子を上部レジ
スト層に吸収させることを特徴とするＸａ露光方法であ
る。
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第３図は、本発明に係るＸ線露光方法の一実施例を示す
概略図である。本発明に係るＸ線露光方法において、Ｘ
線源１のＸ線取出し窓２からＸ線束３を放射させ、該Ｘ
線束３をＸ線マスク４を通過させて、レジストを塗布さ
れた被加工物（ウェハー）５に照射する。Ｘ線マスク４
は、Ｘ線束に対して透過度の高いマスク基板６と、前記
マスク基板上に形成されたＸ線吸収体パターン７とから
構成される。以上の点は従来と同じである。本発明は被
加工物（ウェハー）５には低感度のネガ形レジスト層９
を下に、高感度のポジ形レジスト層８を上にそれぞれ配
置して上下二段に塗布する。
概略図である。本発明に係るＸ線露光方法において、Ｘ
線源１のＸ線取出し窓２からＸ線束３を放射させ、該Ｘ
線束３をＸ線マスク４を通過させて、レジストを塗布さ
れた被加工物（ウェハー）５に照射する。Ｘ線マスク４
は、Ｘ線束に対して透過度の高いマスク基板６と、前記
マスク基板上に形成されたＸ線吸収体パターン７とから
構成される。以上の点は従来と同じである。本発明は被
加工物（ウェハー）５には低感度のネガ形レジスト層９
を下に、高感度のポジ形レジスト層８を上にそれぞれ配
置して上下二段に塗布する。
ここで、上部の高感度のポジ形レジスト層８の膜厚につ
いて考察する。Ｘ線吸収体パターン７がら放出される光
電子・オージェ電子の飛程は）ＪＫａ線（１，４９Ｋｅ
ｙ ）からＰｄＬａ線（２，８４Ｋｅｖ）のエネルギー
範囲において、レジスト層８内でおよそ数千Ａであると
考えられる。なお、電子の飛程に関する実験式等が例え
ば１９７４年に発刊されたフィジカ、スティタス、ンリ
ディ（Ｐｈｙｓ。５ｔａｔ、 ５ｏｌ（ａ））第２６巻
第５２５−５≦５頁に示されている。したがって、上部
ポジ形レジスト層８の膜厚は光電子・オージェ電子（二
次電子）の飛程数千＾よシ少し厚い程度に設定し、該上
部ポジ形レジスト層８を二次電子に対するバッファ層と
して用いる。また、上部ポジ形レジスト層８と下部ネガ
形レジスト層９と度を１００ミリジユールオーダとし、
１桁のオーダとすることが望ましいが、使用するレジス
トの立上り感度によっては上述した上、下部レジス）１
５の感度差が少なくなったとしても支障はない。また高
感度の上部ポジ形レジスト層８には商品名ＦＢＭ（ダイ
キン工業■製）などのレジストを使用でき、−１低感度
の下部ネガ形レジスト層９には商品名ＣＭＳ （東洋曹
達工業■製）、商品名ＪＳＲＭＩＶＩＥＳ−Ｅ （日本
合成ゴム■製）などのレジストを使用できる。
いて考察する。Ｘ線吸収体パターン７がら放出される光
電子・オージェ電子の飛程は）ＪＫａ線（１，４９Ｋｅ
ｙ ）からＰｄＬａ線（２，８４Ｋｅｖ）のエネルギー
範囲において、レジスト層８内でおよそ数千Ａであると
考えられる。なお、電子の飛程に関する実験式等が例え
ば１９７４年に発刊されたフィジカ、スティタス、ンリ
ディ（Ｐｈｙｓ。５ｔａｔ、 ５ｏｌ（ａ））第２６巻
第５２５−５≦５頁に示されている。したがって、上部
ポジ形レジスト層８の膜厚は光電子・オージェ電子（二
次電子）の飛程数千＾よシ少し厚い程度に設定し、該上
部ポジ形レジスト層８を二次電子に対するバッファ層と
して用いる。また、上部ポジ形レジスト層８と下部ネガ
形レジスト層９と度を１００ミリジユールオーダとし、
１桁のオーダとすることが望ましいが、使用するレジス
トの立上り感度によっては上述した上、下部レジス）１
５の感度差が少なくなったとしても支障はない。また高
感度の上部ポジ形レジスト層８には商品名ＦＢＭ（ダイ
キン工業■製）などのレジストを使用でき、−１低感度
の下部ネガ形レジスト層９には商品名ＣＭＳ （東洋曹
達工業■製）、商品名ＪＳＲＭＩＶＩＥＳ−Ｅ （日本
合成ゴム■製）などのレジストを使用できる。
さらに、本発明においては下部レジスト層の膜厚を基準
とした適正な露光量でＸ線を照射し、上部レジスト層を
透過して下部レジスト層９にＸ線マスクのパターンを形
成するとともに、二次電子を上部レジスト層８に吸収さ
せる。Ｘ線マスクによるＸ線露光転写によって、勤パタ
ーン７が転写されるわけであ４が、このとき前述のよう
にＭパターン７から多数の光電子・オージェ電子１ｏが
放出される・これら光電子・オージェ電子は、上部レジ
スト層８を露光するが、この上部レジスト層８が高感度
であるため、十分にレジストの分解反応が起り、現像の
際に上部レジスト層は全て溶解される。この点が本発明
の特徴であり、この点をさらに詳しく説明する。第４図
はＸ線マスク及び二層レジスト層の詳細図である。上部
ポジ形レジスト層８を馬、下部ネガ形レジスト層９をＲ
８、んハｐ −７７の直下部を領域ＩＩ、Ａｕパターン
がないところの直下部を領域Ｉとする。第５図に、領域
１、Ｉ［における、レジスト層Ｒｓ −Ｒｔの露光状態
を示す感度特性が示されている□第５図（１）に示すよ
うに、領域■の下部レジスト層Ｒ１においてはＸ線ドー
ス量はＤｌで残膜率は１．０であり、上部レジスト層Ｒ
３においては、Ｘ線ドース量はＤ２で、残膜率は０であ
る。上部レジスト層のＸ綜ドース量迅はＭパターンから
放出される光電子・オージェ電子のため、下部レジスト
層のＸ線ドース量り、よりはるかに増加している。第５
図（Ｉｆ）に示すように領域■の下部レジスト層Ｒ□に
おいては、Ｘ線ドース量はり、で残膜率は０であシ、上
部レジスト層島においてはＸ線ドース量はＤ２でｒＡｓ
率はＯである。従って、このような設定における一回の
Ｘ線転写が行われると、上部ポジ形レジスト層Ｒ２が二
次電子に対すバッファ層として作用し、下部ネガ形レジ
スト層Ｒ１については残膜率１００チのパターンが得ら
れる。このとき上部レジスト層島は残膜率θ％であり残
らない。すなわち、現像工程において、上部レジスト層
＆は全て溶解し、下部レジスト層Ｒ１の１００％架橋部
のみが残る。
とした適正な露光量でＸ線を照射し、上部レジスト層を
透過して下部レジスト層９にＸ線マスクのパターンを形
成するとともに、二次電子を上部レジスト層８に吸収さ
せる。Ｘ線マスクによるＸ線露光転写によって、勤パタ
ーン７が転写されるわけであ４が、このとき前述のよう
にＭパターン７から多数の光電子・オージェ電子１ｏが
放出される・これら光電子・オージェ電子は、上部レジ
スト層８を露光するが、この上部レジスト層８が高感度
であるため、十分にレジストの分解反応が起り、現像の
際に上部レジスト層は全て溶解される。この点が本発明
の特徴であり、この点をさらに詳しく説明する。第４図
はＸ線マスク及び二層レジスト層の詳細図である。上部
ポジ形レジスト層８を馬、下部ネガ形レジスト層９をＲ
８、んハｐ −７７の直下部を領域ＩＩ、Ａｕパターン
がないところの直下部を領域Ｉとする。第５図に、領域
１、Ｉ［における、レジスト層Ｒｓ −Ｒｔの露光状態
を示す感度特性が示されている□第５図（１）に示すよ
うに、領域■の下部レジスト層Ｒ１においてはＸ線ドー
ス量はＤｌで残膜率は１．０であり、上部レジスト層Ｒ
３においては、Ｘ線ドース量はＤ２で、残膜率は０であ
る。上部レジスト層のＸ綜ドース量迅はＭパターンから
放出される光電子・オージェ電子のため、下部レジスト
層のＸ線ドース量り、よりはるかに増加している。第５
図（Ｉｆ）に示すように領域■の下部レジスト層Ｒ□に
おいては、Ｘ線ドース量はり、で残膜率は０であシ、上
部レジスト層島においてはＸ線ドース量はＤ２でｒＡｓ
率はＯである。従って、このような設定における一回の
Ｘ線転写が行われると、上部ポジ形レジスト層Ｒ２が二
次電子に対すバッファ層として作用し、下部ネガ形レジ
スト層Ｒ１については残膜率１００チのパターンが得ら
れる。このとき上部レジスト層島は残膜率θ％であり残
らない。すなわち、現像工程において、上部レジスト層
＆は全て溶解し、下部レジスト層Ｒ１の１００％架橋部
のみが残る。
なお、本発明の２層厚膜しジス） ｔＪＩＪ成は、Ｘ線
リソグラフィにおいて可能なものであり、例えば電子ビ
ーム露光法では近接効果等のため不可能となる。
リソグラフィにおいて可能なものであり、例えば電子ビ
ーム露光法では近接効果等のため不可能となる。
以上説明したように本発明によれば、第１にＸ線リング
ラフィにおけるサブミクロン幅の高Ｍ像度複写をより確
実にできる。第２にＸ線マスクより二次電子が放出され
るままにし、二次電子の影響をレジスト側で除去するた
め、Ｘ線マスクの設計に制約を与えることがなく、その
設言１に自由度を与えることができ、第３にＸ線露光の
露光雰囲気等のシステム設計に自由度を与えることがで
きる効果を有するものでちる。
ラフィにおけるサブミクロン幅の高Ｍ像度複写をより確
実にできる。第２にＸ線マスクより二次電子が放出され
るままにし、二次電子の影響をレジスト側で除去するた
め、Ｘ線マスクの設計に制約を与えることがなく、その
設言１に自由度を与えることができ、第３にＸ線露光の
露光雰囲気等のシステム設計に自由度を与えることがで
きる効果を有するものでちる。
第１図は、従来技術の問題点でるるネガ形レジストでの
二次電子による余剰露光効果を示した感度特性図、第２
図は同じ＜ ＰＧＭＡの残膜特性を示した図、第３図は
本発明にかかる一実施例であるＸ線露光方法の概略図、
第４図はＸ線マスク及びレジスＮ成の詳細図、第５図（
１） 、 （ＩＩ）は本発明の詳細な説明したネガ形ポ
ジ形２層構造における感度特性図である。 １・・・Ｘ線源、２・・・Ｘ線取出し窓、３・・・Ｘ線
束、４・・・Ｘ線マスク、５・・・被加工物、６・・・
マスク基板、７・・・Ｘ線吸収体パターン、８・・・ポ
ジ形レジスト、９・・・ネガ形レジスト層、１０・・・
光電子・オージェ電子 −仁 第５図 Ｘ線に一ス量 Ｘ課ｇ−入量 −２２（
二次電子による余剰露光効果を示した感度特性図、第２
図は同じ＜ ＰＧＭＡの残膜特性を示した図、第３図は
本発明にかかる一実施例であるＸ線露光方法の概略図、
第４図はＸ線マスク及びレジスＮ成の詳細図、第５図（
１） 、 （ＩＩ）は本発明の詳細な説明したネガ形ポ
ジ形２層構造における感度特性図である。 １・・・Ｘ線源、２・・・Ｘ線取出し窓、３・・・Ｘ線
束、４・・・Ｘ線マスク、５・・・被加工物、６・・・
マスク基板、７・・・Ｘ線吸収体パターン、８・・・ポ
ジ形レジスト、９・・・ネガ形レジスト層、１０・・・
光電子・オージェ電子 −仁 第５図 Ｘ線に一ス量 Ｘ課ｇ−入量 −２２（
Claims (1)
- （１）Ｘ線吸収体パターンを備えたＸ線マスクに透過さ
せて、被加工物に塗布したレジストにＸ線源よりのＸ線
束を照射させ、Ｘ線マスクのパターンをレジストに転写
するＸ線径−先方法において、低感度のネガ形レジスト
層を下層に、高感度のポジ形レジスト層を上層として被
加工物にレジスト層を上下二段に塗布し、かつ上部ポジ
形レジスト層の膜厚を、前記Ｘ線吸収体パターンよシ放
出される二次電子の該レジスト層内での飛程より少し厚
くして、該上部ポジ形レジスト層を二次電子に対するバ
ッファ層として用い、下部ネガ形レジスト層の膜厚を基
準とした適正な露光量でＸ線を照射し、上部レジスト層
を透過して下部ネガ形レジスト層にＸ線マスクのパター
ンを形成するとともに、二次電子を上部レジスト層に吸
収させることを特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163455A JPS6055337A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163455A JPS6055337A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055337A true JPS6055337A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15774207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163455A Pending JPS6055337A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6399525A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP58163455A patent/JPS6055337A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6399525A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
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