JPS6055644A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6055644A
JPS6055644A JP58164439A JP16443983A JPS6055644A JP S6055644 A JPS6055644 A JP S6055644A JP 58164439 A JP58164439 A JP 58164439A JP 16443983 A JP16443983 A JP 16443983A JP S6055644 A JPS6055644 A JP S6055644A
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JP
Japan
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electromagnetic waves
electromagnetic
package
semiconductor device
leads
Prior art date
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Application number
JP58164439A
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English (en)
Inventor
Kazufumi Ogawa
一文 小川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置に関するものである。さらに詳しく
は、半導体装置よシ発生する電磁波、あるいは、装置内
部の集積回路素子内部の回路間の干渉等の影響を低減し
た半導体装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、半導体装置はけすます高周波、大規模、高集積化
される傾向にある。従って、半導体装置外部から入射さ
れる電磁波等に影響を受けやすく、さらに装置内の回路
間で電気的な干渉が生じたり、一つの回路」：り発生す
る電波が同一パッケージ内で反射し、同一チップ内の他
の回路部に悪影響を及ぼすようＫなってきた。ところが
、従来、半導体装置に外部より入射される電波等を反射
し、半導体装置が電波の影響を受けないようにする。
すなわち、電磁波をシールドする思想はあったが半導体
装置自体より発生する電磁波を吸収し、外部へ放出する
のを防ＩＦするという思想はなかった。
また、メタル封止のセラミックパッケージでは集積回路
素子表面より発生した電磁波がメタルキャップで反射し
、同一チップ内の他の回路部へ悪影響を及ぼす場合があ
るが、何んの対策も取られていなかった。
発明の目的 本発明は、大規模、高集積化された半導体装置において
、装置よりの電磁波の放出をおさえ、さらに同一チップ
内の回路間の相互干渉および電磁波の影響を防１ヒし、
装置特性を向上することを目的とする。
３べ、゛ 発明の構成 本発明は、大規模、高集積化された半導体素子表面又は
パッケージ内外部を、電磁波吸収被膜でコストしたこと
を特徴とするものである。
実施例の説明 図に示すように、セラミック積層筐体１、チップダイボ
ンド樹脂２、半導体集積回路素子３、パ　−ラド６、ワ
イヤー６、内部リード７、シールリング８、メタルキャ
ップ９、リード１ｏよりなる半導体装置において、電磁
波吸収物質（例えばフェライト等）を混入した樹脂膜４
．４　、４　（電磁波吸収膜という）半導体集積回路素
子３の表面およびメタルキャップ９の内面にさらにパッ
ケージ外面のリード１ｏの側面にコートしておく。
なお、以上では、メタルキャップのセラミックパッケー
ジを用いて説明したが、プラスチックパッケージの場合
、チップ上やコム裏に電磁波吸収膜を塗布しておけば同
じ効果が得られることは言うまでもない。また、直接フ
ェライト等の電磁波吸収物質をプラスチックパッケージ
材料に混入しておいても同じ効果が得られることは明ら
かである。
発明の効果 」＝述の実施例に示した構造により、半導体集積回路素
子内の回路より発生した電磁波を電磁波吸収物質を含む
樹脂１漠を一凶一一により吸収し大部分を熱に変換でき
るので、素子全体としてのノイズを大幅に低減でき、素
子特性が向上する。
丑た、本発明の半導体装置を用いた電子機器では、電磁
波シールド部品を大幅に簡略化できる。
さらにまた、電磁波吸収膜としてフェライトを主成分と
する樹脂膜を用いれば、電波吸収能が高いため、塗布厚
を薄くでき、半導体装置組立に都合がよい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例である半導体装置の構造を説明す
るだめの断面図である。 ３・・・・・・半導体集積回路素子、４　、４　／　、
　４／／・旧・・電磁波吸収膜、９・・・・・・メタル
キャップ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体集積回路素子の表面またはパッケージの内
    外面の少くとも一方に電磁波吸収膜を形成したことを特
    徴とする半導体装置。
  2. （２）電磁波吸収膜がフェライトを主成分とすることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置・
JP58164439A 1983-09-06 1983-09-06 半導体装置 Pending JPS6055644A (ja)

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JP58164439A JPS6055644A (ja) 1983-09-06 1983-09-06 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP58164439A JPS6055644A (ja) 1983-09-06 1983-09-06 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6055644A true JPS6055644A (ja) 1985-03-30

Family

ID=15793181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58164439A Pending JPS6055644A (ja) 1983-09-06 1983-09-06 半導体装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5753644B2 (ja) * 1980-06-24 1982-11-13

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5753644B2 (ja) * 1980-06-24 1982-11-13

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